KR101446632B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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KR101446632B1 KR1020130072610A KR20130072610A KR101446632B1 KR 101446632 B1 KR101446632 B1 KR 101446632B1 KR 1020130072610 A KR1020130072610 A KR 1020130072610A KR 20130072610 A KR20130072610 A KR 20130072610A KR 101446632 B1 KR101446632 B1 KR 101446632B1
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Abstract

An apparatus for treating a substrate is disclosed. The apparatus for treating the substrate includes: a processing chamber which has a space inside, a susceptor which is located in the processing chamber and supports the substrate, a baffle which is located on the upper side of the susceptor and includes distribution holes, a plasma generating unit which is located on the upper side of the processing chamber and includes a discharge space to generate plasma, and a plasma diffusion unit which is located between the discharge space and the baffle and diffuses the plasma from the discharge space to the edge of the baffle.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to an apparatus and a method for processing a substrate using plasma.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.Plasma is an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals and the like. Plasma is generated by a very high temperature, a strong electric field, or RF electromagnetic fields.

이러한 플라스마는 반도체 소자를 제조하기 위하여 포토레지스트(photoresist)를 사용하는 리소그래피(lithography) 공정에서 다양하게 활용된다. 일 예로, 기판상에 라인(line) 또는 스페이스(space) 패턴 등과 같은 각종의 미세 회로 패턴들을 형성하거나 이온 주입(ion implantation) 공정에서 마스크(mask)로 이용된 포토레지스트막을 제거하는 애싱(ashing) 공정에서 활용도가 점점 높아지고 있다.Such a plasma is variously utilized in a lithography process using a photoresist for manufacturing a semiconductor device. For example, an ashing process is performed to form various fine circuit patterns such as a line or a space pattern on a substrate or to remove a photoresist film used as a mask in an ion implantation process. Utilization in the process is increasing.

한국 등록특허 제10-1234595호에는 플라스마를 이용하여 기판을 공정 처리하는 장치가 개시된다. 장치는 공정 챔버의 중앙에 서셉터가 위치하고, 반응기 내에서 생성된 플라스마는 확산 공간에서 확산되며 공정 챔버로 유입된다. Korean Patent No. 10-1234595 discloses an apparatus for processing a substrate using plasma. The apparatus is located at the center of the process chamber and the susceptor is located, and the plasma generated in the reactor diffuses in the diffusion space and flows into the process chamber.

확산 공간의 중심부에서 플라스마는 다른 영역에서 비해 빠른 속도로 아래로 흐르며 배플과 부딪힌다. 플라스마는 와류를 일으킨다. 이러한 플라스마의 흐름은 배플의 중심부에 파티클을 계속적으로 공급한다. 파티클은 배플의 중심부에 형성된 분배홀들을 통과하여 기판의 오염원으로 제공된다.At the center of the diffusion space, the plasma flows downwards at a faster rate than in other areas and bumps into the baffle. Plasma causes vortex. This plasma flow continuously feeds the particles to the center of the baffle. The particles pass through distribution holes formed in the center of the baffle and are provided as a source of contamination of the substrate.

한국 등록특허 제10-1234595호Korean Patent No. 10-1234595

본 발명은 기판의 오염원을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and method capable of minimizing contamination of a substrate.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 서셉터; 상기 서셉터의 상부에 위치하며, 분배홀들이 형성된 배플; 상기 공정 챔버의 상부에 위치하며, 플라스마가 발생되는 방전 공간을 갖는 플라스마 발생부; 및 상기 방전 공간과 상기 배플 사이에 위치하며, 상기 방전 공간에서 내려오는 플라스마를 상기 배플의 가장자리영역으로 확산시키는 플라스마 확산부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a processing chamber having a space formed therein; A susceptor positioned within the process chamber and supporting the substrate; A baffle located above the susceptor and having distribution holes formed therein; A plasma generator positioned above the process chamber and having a discharge space in which plasma is generated; And a plasma diffuser positioned between the discharge space and the baffle and diffusing the plasma falling from the discharge space into an edge region of the baffle.

또한, 상기 플라스마 확산부는 상기 방전 공간의 아래에 위치하며, 상기 방전 공간과 마주하는 상면을 갖는 확산 블록; 및 상기 확산 블록과 상기 공정 챔버를 연결하며, 상기 확산 블록을 지지하는 복수의 지지 로드들을 포함할 수 있다.The plasma diffusing section may include a diffusion block located below the discharge space and having an upper surface facing the discharge space; And a plurality of support rods connecting the diffusion block to the process chamber and supporting the diffusion block.

또한, 상기 확산 블록은 상기 배플과 비접촉할 수 있다.Also, the diffusion block may be in non-contact with the baffle.

또한, 상기 확산 블록의 상면은 위로 볼록한 볼록면일 수 있다.The upper surface of the diffusion block may be a convex convex surface.

또한, 상기 확산 블록의 상면은 평평한 평면일 수 있다.In addition, the upper surface of the diffusion block may be a flat surface.

또한, 상기 확산 블록의 상면은 아래로 오목한 오목면일 수 있다.In addition, the upper surface of the diffusion block may be a concave surface concave downward.

또한, 상기 지지 로드들은 상기 확산 블록을 중심으로 방사상으로 배치될 수 있다.Also, the support rods may be arranged radially about the diffusion block.

또한, 상기 지지 로드는 길이방향에 수직한 단면이 아래로 긴 타원형일 수 있다.In addition, the support rod may have an elliptical shape with a downward section perpendicular to the longitudinal direction.

또한, 상기 지지 로드는 길이방향에 수직한 단면이 익형일 수 있다.In addition, the support rod may have a cross section perpendicular to the longitudinal direction.

또한, 상기 지지 로드는 상기 확산 블록으로부터 상기 공정 챔버 측으로 갈수록 높이가 점차 높아지도록 상향 경사지게 배치될 수 있다.Also, the support rod may be arranged to be inclined upwards so that the height gradually increases from the diffusion block toward the process chamber side.

또한, 상기 지지 로드는 상기 확산 블록으로부터 상기 공정 챔버 측으로 갈수록 높이가 점차 낮아지도록 하향 경사지게 배치될 수 있다.In addition, the support rod may be downwardly inclined so that the height gradually decreases from the diffusion block toward the process chamber.

또한, 상기 확산 블록의 저면은 상기 배플과 마주하며, 아래로 뾰족한 원뿔형상을 가질 수 있다.'Further, the bottom surface of the diffusion block faces the baffle, and may have a pointed conical shape downward.

또한, 상기 공정 챔버는 상면이 개방되며, 상기 서셉터가 놓이는 공간이 형성된 챔버 바디; 및 상기 배플을 사이에 두고 상기 챔버 바디의 상단과 결합하며, 아래로 갈수록 너비가 점차 넓어지는 확산 공간을 갖는 챔버 리더를 포함하며, 상기 확산 블록은 상기 확산 공간에 위치할 수 있다.The process chamber may include a chamber body having an upper surface opened and a space in which the susceptor is disposed; And a chamber leader having the baffle interposed therebetween and coupled with the upper end of the chamber body, and having a diffusion space gradually widening downwardly, the diffusion block being located in the diffusion space.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 반응 공간에서 발생된 플라스마를 공정 챔버 내부에 놓인 기판으로 공급하여 상기 기판을 처리하되, 상기 반응 공간에서 흘러 내려오는 플라스마는 확산 블록의 상면을 따라 흘러 배플의 가장자리영역으로 확산되고, 상기 배플의 분사홀들을 통과하여 상기 기판으로 공급된다.In the method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention, a plasma generated in a reaction space is supplied to a substrate placed in a process chamber to process the substrate, and a plasma flowing in the reaction space flows along an upper surface of the diffusion block Diffuses into the edge region of the baffle, and is supplied to the substrate through the injection holes of the baffle.

또한, 상기 확산 블록은 상기 반응 공간과 동일 선상에서, 상기 반응 공간의 아래에 위치할 수 있다.In addition, the diffusion block may be located coincident with the reaction space and below the reaction space.

또한, 상기 확산 블록은 상기 배플과 비접촉될 수 있다.Also, the diffusion block may be in non-contact with the baffle.

또한, 상기 확산 블록의 상면은 상기 반응 공간과 마주하며, 위로 볼록한 볼록면일 수 있다.Further, the upper surface of the diffusion block may face the reaction space, and may be a convex convex surface.

또한, 상기 공정 챔버는 상기 반응 공간과 상기 배플 사이에 위치하며, 아래로 갈수록 너비가 점차 넓어지는 확산 공간을 가지며, 상기 확산 블록은 상기 확산 공간에 위치할 수 있다.In addition, the process chamber may be located between the reaction space and the baffle, and may have a diffusion space that gradually widens downward, and the diffusion block may be located in the diffusion space.

본 발명의 실시예들에 의하면, 기판으로 파티클 공급을 최소화하여 기판 오염을 예방한다.According to embodiments of the present invention, particle supply to the substrate is minimized to prevent substrate contamination.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 간략하게 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 확산부가 챔버 리더에 설치된 모습을 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 플라스마가 플라스마 확산부를 흘러가는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 로드의 단면을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라스마 확산부를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라스마 확산부를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라스마 확산부를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라스마 확산부를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 로드의 단면을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지 로드의 단면을 나타내는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view illustrating a plasma diffuser installed in a chamber leader according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a plasma flowing through a plasma diffusing unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a support rod according to an embodiment of the present invention.
6 is a view illustrating a plasma diffuser according to another embodiment of the present invention.
7 is a view illustrating a plasma diffusing unit according to another embodiment of the present invention.
8 is a view illustrating a plasma diffuser according to another embodiment of the present invention.
9 is a view illustrating a plasma diffusing unit according to another embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view of a support rod according to another embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view of a support rod according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 간략하게 나타내는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM, 10)과 공정 처리실(20)를 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)은 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)이 배열된 방향을 제1방향(X)이라 정의하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)이라 정의한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an equipment front end module (EFEM) 10 and a processing chamber 20. The facility front end module (EFEM) 10 and the process chamber 20 are arranged in one direction. A direction in which the facility front end module (EFEM) 10 and the process chamber 20 are arranged is defined as a first direction X and a direction perpendicular to the first direction X as viewed from the top is defined as a second direction Direction (Y).

설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 처리실(20) 전방에 장착되며, 기판이 수납된 캐리어(16)와 공정 처리실(20) 간에 기판(W)을 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 로드 포트(12)와 프레임(14)을 포함한다.The facility front end module 10 is mounted in front of the processing chamber 20 and transports the substrate W between the carrier 16 in which the substrate is housed and the processing chamber 20. The facility front end module 10 includes a load port 12 and a frame 14. [

로드 포트(12)는 프레임(14) 전방에 배치되며, 복수 개 제공된다. 로드 포트(12)들은 서로 이격하여 제2방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 캐리어(16)(예를 들어, 카세트, FOUP 등)는 로드 포트(12)들에 각각 안착된다. 캐이어(16)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. The load port 12 is disposed in front of the frame 14, and a plurality of load ports 12 are provided. The load ports 12 are arranged in a line along the second direction 2 away from each other. The carrier 16 (e.g., cassette, FOUP, etc.) is seated in the load ports 12, respectively. The cassette 16 stores a substrate W to be supplied to the process and a substrate W to which the process is completed.

프레임(14)은 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22) 사이에 배치된다. 프레임(14) 내부에는 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22)간에 기판(W)을 이송하는 이송로봇(18)이 배치된다. 이송로봇(18)은 제2방향(Y)으로 구비된 이송레일(19)을 따라 이동가능하다.The frame 14 is disposed between the load port 12 and the load lock chamber 22. A transfer robot 18 for transferring the substrate W between the load port 12 and the load lock chamber 22 is disposed in the frame 14. [ The transfer robot 18 is movable along the transfer rail 19 provided in the second direction Y. [

공정처리실(20)은 로드락 챔버(22), 트랜스퍼 챔버(24), 그리고 복수 개의 기판 처리 장치(30)를 포함한다.The process chamber 20 includes a load lock chamber 22, a transfer chamber 24, and a plurality of substrate processing apparatuses 30.

로드락 챔버(22)는 트랜스퍼 챔버(24)와 프레임(14) 사이에 배치되며, 공정에 제공될 기판(W)이 기판 처리 장치(30)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 캐리어(16)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(22)는 하나 또는 복수 개 제공될 수 있다. 실시예에 의하면, 로드락 챔버(22)는 두 개 제공된다. 하나의 로드락 챔버(22)에는 공정 처리를 위해 기판 처리 장치(30)로 제공되는 기판(W)이 수납되고, 다른 하나의 로드락 챔버(22)에는 기판 처리 장치(30)에서 공정이 완료된 기판(W)이 수납될 수 있다.The load lock chamber 22 is disposed between the transfer chamber 24 and the frame 14 and before the substrate W to be supplied to the process is transferred to the substrate processing apparatus 30, To be conveyed to the carrier 16 is provided. One or a plurality of load lock chambers 22 may be provided. According to the embodiment, two load lock chambers 22 are provided. One of the load lock chambers 22 houses a substrate W supplied to the substrate processing apparatus 30 for processing and the other one of the load lock chambers 22 receives the substrate W processed by the substrate processing apparatus 30 The substrate W can be housed.

트랜스퍼 챔버(24)는 제1방향(X)을 따라 로드락 챔버(22)의 후방에 배치되며, 상부에서 바라볼 때 다각형의 몸체(25)를 갖는다. 몸체(25)의 외측에는 로드락 챔버(22)들과 복수 개의 기판 처리 장치(30)들이 몸체(25)의 둘레를 따라 배치된다. 실시예에 의하면, 트랜스퍼 챔버(24)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 설비 전방 단부 모듈(10)과 인접한 두 측벽에는 로드락 챔버(22)가 각각 배치되고, 나머지 측벽에는 기판 처리 장치(30)들이 배치된다. 몸체(25)의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성된다. 통로는 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22) 간에, 또는 트랜스퍼 챔버(24)와 기판 처리 장치(30) 간에 기판(W)이 출입하는 공간을 제공한다. 각 통로에는 통로를 개폐하는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(24)는 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형상으로 제공될 수 있다.The transfer chamber 24 is disposed rearwardly of the load lock chamber 22 along the first direction X and has a polygonal body 25 as viewed from the top. On the outside of the body 25, load lock chambers 22 and a plurality of substrate processing apparatuses 30 are disposed along the periphery of the body 25. [ According to the embodiment, the transfer chamber 24 has a pentagonal body when viewed from the top. A load lock chamber 22 is disposed on each of the two sidewalls adjacent to the facility front end module 10, and the substrate processing apparatuses 30 are disposed on the remaining sidewalls. On the respective side walls of the body 25, passages (not shown) through which the substrate W enters and exits are formed. The passage provides a space for the substrate W to be transferred between the transfer chamber 24 and the load lock chamber 22 or between the transfer chamber 24 and the substrate processing apparatus 30. [ Each passage is provided with a door (not shown) for opening and closing the passage. The transfer chamber 24 may be provided in various shapes depending on the required process module.

트랜스퍼 챔버(24)의 내부에는 반송로봇(26)이 배치된다. 반송로봇(26)은 로드락 챔버(22)에서 대기하는 미처리 기판(W)을 기판 처리 장치(30)로 이송하거나, 기판 처리 장치(30)에서 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(22)로 이송한다. 반송 로봇(26)은 기판 처리 장치(30)들에 순차적으로 기판(W)을 제공할 수 있다.A transfer robot (26) is disposed inside the transfer chamber (24). The transfer robot 26 transfers the unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 22 to the substrate processing apparatus 30 or transfers the substrate W processed in the substrate processing apparatus 30 to the load lock chamber 22, (22). The transfer robot 26 may sequentially provide the substrate W to the substrate processing apparatuses 30. [

기판 처리 장치(30)는 플라스마 상태의 가스를 기판으로 공급하여 공정 처리를 수행한다. 플라스마 가스는 반도체 제작 공정에서 다양하게 사용될 수 있다. 이하에서는 기판 처리 장치(30)가 애싱(Ashing) 공정을 수행하는 것으로 설명하나, 이에 한정되지 않으며 에칭(etching) 공정과 증착(deposition) 공정 등 플라스마 가스를 이용한 다양한 공정에 적용될 수 있다.The substrate processing apparatus 30 supplies a gas in a plasma state to the substrate to perform a process process. Plasma gases can be used in a wide variety of semiconductor manufacturing processes. Hereinafter, the substrate processing apparatus 30 is described as performing an ashing process, but the present invention is not limited thereto. The substrate process apparatus 30 may be applied to various processes using plasma gas such as an etching process and a deposition process.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.2 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(30)는 공정 처리부(100), 플라스마 발생부(200), 그리고 플라스마 확산부(300)를 포함한다. 공정 처리부(100)는 기판(W) 처리가 수행되는 공간을 제공하고, 플라스마 발생부(200)는 기판(W) 처리 공정에 사용되는 플라스마를 발생시키고, 플라스마 확산부(3000)는 다운 스크림(Down Stream) 방식으로 흐르는 플라스마를 확산시킨다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명하도록 한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 30 includes a processing unit 100, a plasma generating unit 200, and a plasma diffusing unit 300. The plasma processing unit 100 provides a space in which the processing of the substrate W is performed and the plasma generating unit 200 generates plasma used in the processing of the substrate W. The plasma diffusing unit 3000 is a down- Downstream < / RTI > Hereinafter, each configuration will be described in detail.

공정 처리부(100)는 공정 챔버(110), 서셉터(120), 배플(130), 그리고 배기 플레이트(140)를 포함한다.The process processing section 100 includes a process chamber 110, a susceptor 120, a baffle 130, and an exhaust plate 140.

공정 챔버(110)는 기판 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(110)는 챔버 바디(111)와 챔버 리드(112)를 포함한다. 챔버 바디(111)는 내부에 공간이 형성되며, 상면이 개방된다. 챔버 바디(111)의 개방된 상면으로 공정가스가 유입된다. 챔버 바디(111)의 바닥벽에는 배기홀(113)이 형성된다. 배기홀(113)은 복수 개 형성되며, 챔버 바디(111)의 바닥벽 가장자리영역에 형성될 수 있다. 배기홀(113)은 배기 라인(119)과 연결된다. 배기 라인(119)에 연결된 진공 펌프(미도시)의 구동으로, 진공압이 배기 라인(119)과 배기홀(113)들을 거쳐 공정 챔버(110) 내부에 인가된다. 진공압은 공정 챔버(110) 내부에 머무르는 공정 가스를 배기홀(113)로 흡입하고, 흡입된 공정 가스를 배기 라인(119)을 통해 외부로 배기한다.The process chamber 110 provides a space in which substrate processing is performed. The process chamber 110 includes a chamber body 111 and a chamber lid 112. The chamber body 111 has a space formed therein, and the upper surface thereof is opened. The process gas flows into the open top surface of the chamber body 111. An exhaust hole 113 is formed in the bottom wall of the chamber body 111. A plurality of exhaust holes 113 may be formed in the bottom wall edge region of the chamber body 111. The exhaust hole 113 is connected to the exhaust line 119. Vacuum pressure is applied to the inside of the process chamber 110 through the exhaust line 119 and the exhaust holes 113 by driving a vacuum pump (not shown) connected to the exhaust line 119. The vacuum pressure sucks the process gas staying in the process chamber 110 into the exhaust hole 113 and exhausts the sucked process gas to the outside through the exhaust line 119.

챔버 바디(111)의 측벽에는 출입구가 형성될 수 있다. 출입구는 기판이 챔버 내부와 챔버 외부로 이동하는 통로로 제공된다. 출입구는 도어(미도시)에 의해 개폐된다.An entrance may be formed in the side wall of the chamber body 111. The entrance is provided as a passage through which the substrate moves into and out of the chamber. The doorway is opened and closed by a door (not shown).

챔버 리더(112)는 챔버 바디(111)의 상부에 위치한다. 챔버 리더(112)는 챔버 바디(111)의 개방된 상면을 덮는다. 챔버 리더(112)의 상단에는 확산 공간(114)이 형성된다. 확산 공간(114)은 배플(130)에 가까워질수록 너비가 점차 넓어진다. 유도 공간(114)은 역깔때기 형상을 가질 수 있다. 확산 공간(114)은 플라스마 발생부(200)와 연결되며, 플라스마가 챔버(110) 내부로 이동하는 통로로 제공된다. 유도 공간(114)은 플라스마가 확산되는 과정에서 라디칼(radical)이 소모되지 않고 잘 흐를 수 있도록 플라스마의 흐름을 안내한다.The chamber leader 112 is located on top of the chamber body 111. The chamber leader 112 covers the open top surface of the chamber body 111. At the upper end of the chamber leader 112, a diffusion space 114 is formed. The diffusion space 114 is gradually widened closer to the baffle 130. [ The guide space 114 may have an inverted funnel shape. The diffusion space 114 is connected to the plasma generating part 200 and is provided as a passage through which the plasma moves into the chamber 110. The guide space 114 guides the flow of the plasma so that the plasma can be smoothly flowed without consuming radicals during the diffusion.

서셉터(120)는 소정 두께를 갖는 원형 판으로, 상면에 기판(W)이 놓인다. 서셉터(120)의 상면은 기판(W)에 상응하거나, 기판(W)보다 큰 반경을 가질 수 있다. 서셉터(120)는 정전력에 의해 기판(W)을 고정 흡착하는 정전 척(Electro Static Chuck)이 제공될 수 있다. The susceptor 120 is a circular plate having a predetermined thickness, and the substrate W is placed on the upper surface. The upper surface of the susceptor 120 may correspond to the substrate W or may have a larger radius than the substrate W. [ The susceptor 120 may be provided with an electrostatic chuck for fixing and attracting the substrate W by electrostatic force.

서셉터(120)의 내부에는 히터(미도시)가 매설될 수 있다. 히터에서 발생된 열은 서셉터(120)를 통해 기판(W)에 전달되며, 기판(W)을 공정 온도로 가열한다. 히터는 기판(W)을 약 200℃ 내지 300℃로 가열할 수 있다.A heater (not shown) may be embedded in the susceptor 120. Heat generated in the heater is transferred to the substrate W through the susceptor 120, and the substrate W is heated to the process temperature. The heater can heat the substrate W to about 200 캜 to 300 캜.

서셉터(120)에는 냉각 유로(미도시)와 리프트 홀(미도시)들이 형성될 수 있다. 냉각 유로는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유체는 공정 온도로 가열된 기판(W)과 서셉터(120)를 신속하게 냉각한다. 서셉터(120)는 약 -10℃ 내지 60℃로 냉각될 수 있다. 냉각 유로는 히터의 하부에 형성될 수 있다. 냉각 유로는 나선 형상으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 냉각 유로는 상이한 반경을 갖는 복수의 원형 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 냉각 유로들은 서로 연결될 수 있다.A cooling passage (not shown) and a lift hole (not shown) may be formed in the susceptor 120. The cooling passage is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling fluid quickly cools the substrate W and the susceptor 120 heated to the process temperature. The susceptor 120 may be cooled to about -10 < 0 > C to 60 < 0 > C. The cooling passage may be formed at the lower portion of the heater. The cooling channel may be formed in a spiral shape. Alternatively, the cooling flow path may be arranged such that a plurality of circular flow paths having different radii have the same center. The cooling channels can be connected to each other.

리프트 홀들에는 리프트 핀(미도시)들이 각각 제공된다. 리프트 핀들은 기판(W)이 서셉터(120)상에 로딩/언로딩되는 경우, 기판(W)을 지지한 상태에서 리프트 홀들을 따라 승강한다.Lift holes are provided with lift pins (not shown), respectively. The lift pins lift and lower along the lift holes while supporting the substrate W when the substrate W is loaded / unloaded on the susceptor 120. [

배플(130)은 서셉터(120)의 상부에 위치한다. 배플(130)은 챔버 바디(111)와 챔버 리더(112)가 결합하는 영역에서 양단이 공정 챔버(110)에 지지될 수 있다. 배플(130)은 서셉터(120)의 상면과 마주하여 배치된다. 배플(130)에는 분배홀(131)들이 형성된다. 분배홀(131)들은 배플(130)의 각 영역에 균일하게 형성된다. 분배홀(131)의 사이즈는 배플(130)의 영역에 따라 상이할 수 있다. 배플(130)의 중심부에 형성된 분배홀(131)들의 사이즈는 배플(130)의 가장자리부에 형성된 분배홀(131)들의 사이즈보다 작을 수 있다. 확산 공간(114)의 중심부에서 공급되는 플라스마는 유속이 다른 영역에 비해 빠르고, 배플(130)과 부딪혀 와류를 발생시킨다. 이는 배플(130)의 중심부에 파티클(particle)을 계속적으로 공급하는 요인이 된다. 배플(130)은 파티클이 분배홀(131)들을 통과하는 것을 최소화하기 위해, 중심부의 배기홀(131) 사이즈가 작게 제공된다.The baffle 130 is located on top of the susceptor 120. The baffle 130 can be supported in the process chamber 110 at both ends in a region where the chamber body 111 and the chamber leader 112 are coupled. The baffle 130 is disposed opposite the upper surface of the susceptor 120. Distribution holes 131 are formed in the baffle 130. The distribution holes 131 are formed uniformly in the respective regions of the baffle 130. The size of the dispensing hole 131 may vary depending on the area of the baffle 130. The size of the distribution holes 131 formed in the center portion of the baffle 130 may be smaller than the size of the distribution holes 131 formed in the edge portion of the baffle 130. [ The plasma supplied at the center of the diffusion space 114 is faster than the other regions and collides with the baffle 130 to generate a vortex. This causes the particles to be continuously supplied to the center of the baffle 130. The baffle 130 is provided with a small size of the exhaust hole 131 in the central portion in order to minimize the passage of the particles through the distribution holes 131. [

배기 플레이트(140)는 두께가 얇은 둥근 링 형상의 판으로 제공된다. 배기 플레이트(140)은 서셉터(120)의 둘레를 따라 제공되며, 서셉터(120)와 동일 높이에 위치하거나, 그보다 낮은 높이에 위치할 수 있다. 배기 플레이트(140)에는 배기 홀(141)들이 형성된다. 배기 홀(141)들은 배기 플레이트(140)의 상면에서 저면으로 제공되는 관통 홀로, 배기 플레이트(140)의 둘레를 따라 균일하게 형성된다. 배기 홀(141)들은 공정 챔버(110)의 내부 각 영역으로 진공압을 균일하게 인가한다. 플라스마는 기판(W)의 각 영역으로 균일하게 공급된 후, 배기 홀(141)들로 유입된다.The exhaust plate 140 is provided as a thin circular ring-shaped plate. The exhaust plate 140 is provided along the circumference of the susceptor 120 and may be located at the same height as the susceptor 120 or at a lower height. Exhaust holes 141 are formed in the exhaust plate 140. The exhaust holes 141 are formed uniformly along the circumference of the exhaust plate 140, with through holes provided from the upper surface to the lower surface of the exhaust plate 140. Exhaust holes 141 uniformly apply vacuum pressure to each internal region of the process chamber 110. The plasma is uniformly supplied to each region of the substrate W, and then flows into the exhaust holes 141.

플라스마 발생부(200)는 공정 챔버(110) 상부에 위치하며, 공정 가스로부터 플라스마를 발생시킨다. 플라스마 발생부(200)는 반응 용기(210), 가스 주입 포트(220), 유도 코일(230), 전원(240), 그리고 가스 공급부(250)을 포함한다. The plasma generator 200 is located above the process chamber 110 and generates a plasma from the process gas. The plasma generator 200 includes a reaction vessel 210, a gas injection port 220, an induction coil 230, a power source 240, and a gas supply unit 250.

반응 용기(210)는 원통 형상으로, 상면 및 하면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 반응 용기(210)의 내부는 공정 가스가 방전되는 방전공간(211)으로 제공된다. 반응 용기(210)는 하단이 챔버 리드(112)의 상단과 연결되며, 방전공간(211)은 확산 공간(114)과 연결된다. 방전공간(211)에서 방전된 공정 가스는 확산 공간을(114)에서 확산되며 공정 챔버(110) 내부로 유입된다. The reaction vessel 210 has a cylindrical shape, and the upper and lower surfaces thereof are opened and a space is formed therein. The interior of the reaction vessel 210 is provided with a discharge space 211 where the process gas is discharged. The lower end of the reaction vessel 210 is connected to the upper end of the chamber lid 112 and the discharge space 211 is connected to the diffusion space 114. The process gas discharged in the discharge space 211 diffuses in the diffusion space 114 and flows into the process chamber 110.

반응 용기(210)의 상단에는 가스 주입 포트(220)가 결합한다. 가스 주입 포트(220)는 가스 공급부(250)와 연결되며, 가스가 유입된다. 가스 주입 포트(220)의 저면에는 유도 공간(221)이 형성된다. 유도 공간(221)은 역 깔때기 형상을 가지며, 방전 공간(211)과 연통된다. 유도 공간(221)으로 유입된 가스는 확산되며 방전 공간(211)으로 유입된다.The gas injection port 220 is coupled to the upper end of the reaction vessel 210. The gas injection port 220 is connected to the gas supply part 250, and gas is introduced. An induction space 221 is formed in the bottom surface of the gas injection port 220. The guide space 221 has an inverted funnel shape and communicates with the discharge space 211. The gas introduced into the guide space 221 is diffused and flows into the discharge space 211.

유도 코일(230)은 반응 용기(210)의 둘레를 따라 반응기(210)에 복수 회 감긴다. 유도 코일(230)의 일단은 전원(240)과 연결되고, 타단은 접지된다. 전원(240)은 유도 코일(230)에 고주파 전력 또는 마이크로파 전력을 인가한다.The induction coil 230 is wound around the reactor 210 a plurality of times around the periphery of the reaction vessel 210. One end of the induction coil 230 is connected to the power supply 240 and the other end is grounded. The power source 240 applies high frequency power or microwave power to the induction coil 230.

가스 공급부(250)는 방전 공간(211)으로 가스를 공급한다. 가스 저장부(251)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(252)을 통해 방전 공간(211)으로 공급된다. 공정 가스는 NH3, O2, N2, H3, NF3CH4 중 적어도 어느 하나의 가스를 포함할 수 있다.The gas supply unit 250 supplies gas to the discharge space 211. The process gas stored in the gas storage part 251 is supplied to the discharge space 211 through the gas supply line 252. The process gas may include at least one of NH 3 , O 2 , N 2 , H 3 , and NF 3 CH 4 .

플라스마 확산부(300)는 방전 공간(211)과 배플(130) 사이에 위치하며, 방전 공간(211)에서 흘러 내려오는 플라스마를 배플(130)의 가장자리영역으로 확산시킨다. The plasma diffuser 300 is located between the discharge space 211 and the baffle 130 and diffuses the plasma flowing in the discharge space 211 to the edge area of the baffle 130.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 확산부가 챔버 리더에 설치된 모습을 나타내는 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a plasma diffuser installed in a chamber leader according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 플라스마 확산부(300)는 확산 블록(310)과 지지 로드(320)를 포함한다.Referring to FIGS. 2 and 3, the plasma diffuser 300 includes a diffusion block 310 and a support rod 320.

확산 블록(310)은 일정 볼륨(volumn)을 갖는 블록으로, 확산 공간(114)의 중심부에 위치한다. 확산 블록(310)의 상면(311)은 방전 공간(211)과 마주하며, 저면(312)은 배플(130)과 마주한다. 확산 블록(310)의 상면(311)은 중심부가 가장자리보다 높게 제공될 수 있다. 실시예에 의하면, 확산 블록(310)의 상면(311)은 위로 볼록한 볼록면으로 제공될 수 있다. The diffusion block 310 is a block having a certain volume and is located at the center of the diffusion space 114. [ The upper surface 311 of the diffusion block 310 faces the discharge space 211 and the lower surface 312 faces the baffle 130. The upper surface 311 of the diffusion block 310 can be provided with a center portion higher than the edge portion. According to the embodiment, the upper surface 311 of the diffusion block 310 may be provided with a convex convex surface upward.

확산 공간(114)의 중심부에서 플라스마(P)는 빠른 속도로 아래로 흐르며, 도 4와 같이 확산 블록(310)의 상면(311)에 부딪힌다. 플라스마(P)는 확산 블록(310)의 상면(311)을 따라 흘러 확산 공간(114)의 가장자리영역으로 안내되며 배플(130)의 가장자리영역으로 공급된다. 이 과정에서 플라스마(P)에 포함된 파티클은 배플(130)의 중심부 및 기판(W)으로 공급이 최소화될 수 있다. 또한, 플라스마(P)는 곡면으로 제공된 확산 블록(310)의 상면(311)을 따라 흐르므로 와류 발생이 예방될 수 있다.At the center of the diffusion space 114, the plasma P flows at a high speed downward and strikes the top surface 311 of the diffusion block 310 as shown in FIG. The plasma P flows along the upper surface 311 of the diffusion block 310 and is directed to the edge region of the diffusion space 114 and is supplied to the edge region of the baffle 130. [ In this process, the particles contained in the plasma P can be supplied to the central portion of the baffle 130 and the substrate W to a minimum. Further, since the plasma P flows along the upper surface 311 of the diffusion block 310 provided with a curved surface, generation of vortex can be prevented.

확산 블록(310)의 저면(312)은 중심부가 아래로 뾰족한 원뿔 형상으로 제공된다. 확산 블록(310)의 저면(312) 형상은 플라스마의 원활한 확산을 방해하지 않으며, 배플(130)의 각 영역으로 플라스마를 균일하게 공급한다. The bottom surface 312 of the diffusing block 310 is provided in the shape of a cone having a pointed down center. The shape of the bottom surface 312 of the diffusing block 310 does not hinder the smooth diffusion of the plasma and uniformly supplies the plasma to each region of the baffle 130.

확산 블록(310)은 배플(130)과 비접촉된다. 확산 블록(310)의 저면(312) 끝단은 배플(130)과 소정 거리를 유지한다. 확산 블록(310)은 배플(130)보다 열원, 즉 플라스마가 발생하는 영역(211)에 가까우므로 고온으로 쉽게 가열된다. 배플(130)은 확산 블록(310)과 비접촉하므로, 확산 블록(310)의 가열로 인한 열변형이 방지될 수 있다.Diffusion block 310 is not in contact with baffle 130. The end of the bottom surface 312 of the diffusion block 310 maintains a predetermined distance from the baffle 130. The diffusion block 310 is easily heated to a high temperature since it is closer to the heat source, i.e., the region 211 where the plasma is generated, than the baffle 130. Since the baffle 130 is not in contact with the diffusion block 310, thermal deformation due to heating of the diffusion block 310 can be prevented.

지지 로드(320)는 소정 길이를 갖는 로드로, 확산 블록(310)을 지지한다. 지지 로드(320)는 일단이 확산 블록(310)과 결합하고, 타단이 공정 챔버(110)와 결합한다. 지지 로드(320)의 타단은 챔버 리드(112)의 내측면과 결합한다. 실시예에 의하면, 지지 로드(320)는 수평방향으로 배치되며, 일단과 타단이 동일 높이에 위치한다. 지지 로드(320)는 복수 개 제공되며, 확산 블록(310)을 중심으로 방사상으로 배치된다. 확산 블록(310)의 둘레를 따라 지지 로드(320)들은 소정 각도를 이룬다. 실시예에 의하면, 지지 로드(320)는 4개 제공되며, 확산 블록(310)을 중심으로 십자 형태로 배치된다. 이와 달리, 지지 로드(320)는 2개, 3개, 6개 또는 8개로 제공될 수 있으며, 확산 공간(114)을 복수 영역으로 분할한다.The support rod 320 supports the diffusion block 310 with a rod having a predetermined length. The support rod 320 is coupled at one end to the diffusion block 310 and at the other end to the process chamber 110. The other end of the support rod 320 engages the inner surface of the chamber lid 112. According to the embodiment, the support rods 320 are arranged in the horizontal direction, and one end and the other end are located at the same height. A plurality of support rods 320 are provided and disposed radially about the diffusion block 310. Along the circumference of the diffusion block 310, the support rods 320 are at an angle. According to the embodiment, four support rods 320 are provided and arranged in a cross shape around the diffusion block 310. Alternatively, the support rods 320 may be provided in two, three, six, or eight, and divide the diffusion space 114 into a plurality of regions.

지지 로드(320)는 길이방향에 수직한 단면이 도 5와 같이 타원형으로 제공될 수 있다. 지지 로드(320)의 단면은 아래로 길게 늘어진 타원형일 수 있다. 이러한 지지 로드(320)의 단면 형상은 플라스마(P)의 아래 방향 흐름을 원활하게 한다. 플라스마(P)는 곡면으로 제공되는 지지 로드(320)의 외측면을 따라 흘러 내려간다.
The support rod 320 may be provided in an elliptical shape as shown in Fig. 5 in a cross section perpendicular to the longitudinal direction. The cross-section of the support rod 320 may be oval shaped elongated downward. The cross-sectional shape of the support rod 320 smoothes downward flow of the plasma P. The plasma P flows down along the outer surface of the support rod 320 provided in the curved surface.

이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus will be described.

가스 저장부(251)에 저장된 공정가스는 가스 공급 라인(252)을 통해 반응 용기(210) 내로 공급된다. 전원(240)에서 유도 코일(230)에 고주파 전력이 인가되고, 방전 공간(211)에는 전자기장이 형성된다. 전자기장은 공정 가스로부터 플라스마를 생성한다.The process gas stored in the gas reservoir 251 is supplied into the reaction vessel 210 through the gas supply line 252. A high frequency electric power is applied to the induction coil 230 in the power supply 240 and an electromagnetic field is formed in the discharge space 211. The electromagnetic field produces a plasma from the process gas.

플라스마는 방전 공간(211)을 따라 아래로 흐르며, 확산 공간(114)에서 확산된다. 확산 공간(114)의 중심부에서 플라스마의 유속은 다른 영역보다 빠르다. 확산 공간(114)의 중심부를 흐르는 플라스마는 확산 블록(310)의 상면(311)에 부딪히고, 확산 블록(310)의 상면(311)을 따라 배플(130)의 가장자리영역으로 확산된다. 플라스마는 균일한 흐름으로 배플(130)의 분배홀(131)들을 통과하여 기판(W)으로 공급된다. The plasma flows downward along the discharge space 211 and diffuses in the diffusion space 114. At the center of the diffusion space 114, the flow rate of the plasma is faster than other regions. Plasma flowing through the center of the diffusion space 114 hits the top surface 311 of the diffusion block 310 and diffuses to the edge area of the baffle 130 along the top surface 311 of the diffusion block 310. The plasma is supplied to the substrate W through the distribution holes 131 of the baffle 130 in a uniform flow.

플라스마는 기판(W)에 도포된 포토레지스트층을 제거한다. 기판 처리 후 플라스마는 배플 플레이트(140)의 분기 홀(141)들을 통과하여 배기 홀(113)에 유입된다.
The plasma removes the photoresist layer applied to the substrate (W). After the substrate processing, the plasma passes through the branch holes 141 of the baffle plate 140 and flows into the exhaust hole 113.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라스마 확산부를 나타내는 도면이다.6 is a view illustrating a plasma diffuser according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 확산 블록(330)의 상면(331)은 평평한 평면으로 제공된다. 확산 공간(114)의 중심부를 흐르는 플라스마(P)는 확산 블록(330)의 상면(331)을 따라 흘러 배플(130)의 가장자리영역으로 확산된다.Referring to FIG. 6, an upper surface 331 of the diffusion block 330 is provided in a flat plane. The plasma P flowing at the center of the diffusion space 114 flows along the upper surface 331 of the diffusion block 330 and diffuses into the edge area of the baffle 130.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라스마 확산부를 나타내는 도면이다.7 is a view illustrating a plasma diffusing unit according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 확산 블록(340)의 상면(341)은 아래로 오목한 오목면으로 제공된다. 확산 블록(340)의 상면(341)은 중심부가 가장자리부보다 낮게 제공된다. 확산 공간(114)의 중심부를 흐르는 플라스마(P)는 확산 블록(340)의 상면(341)을 따라 흘러 배플(130)의 가장자리영역으로 확산된다.
Referring to Figure 7, the top surface 341 of the diffusing block 340 is provided with a concave downward concave surface. The upper surface 341 of the diffusion block 340 is provided with the center portion lower than the edge portion. The plasma P flowing in the center of the diffusion space 114 flows along the upper surface 341 of the diffusion block 340 and diffuses to the edge area of the baffle 130. [

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라스마 확산부를 나타내는 도면이다. 도 8을 참조하면, 지지 로드(350)는 확산 블록(310)으로부터 챔버 리드(112) 측으로 갈수록 높이가 점차 높아지도록 상향 경사지게 제공될 수 있다.8 is a view illustrating a plasma diffuser according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the support rod 350 may be provided with an upward slope so that the height gradually increases from the diffusion block 310 toward the chamber lid 112 side.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라스마 확산부를 나타내는 도면이다. 도 9를 참조하면, 지지 로드(360)는 확산 블록(310)으로부터 챔버 리드(112) 측으로 갈수록 높이가 점차 낮아지도록 하향 경사지게 제공될 수 있다.9 is a view illustrating a plasma diffusing unit according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, the support rod 360 may be downwardly inclined so that the height gradually decreases from the diffusion block 310 toward the chamber lid 112 side.

도 9와 도 10의 지지 로드(350, 360)들은 확산 블록(310)과 배플(130) 사이 거리를 조절할 수 있다. 지지 로드(350, 360)들의 경사 방향 및 경사각을 달리함으로써 확산 블록(310)과 배플(130) 사이 거리가 조절된다. 또한, 지지 로드(350, 360)들은 확산공간(114)을 흐르는 플라스마의 흐름에 따라 경사 방향과 경사각이 조절될 수 있다.
The support rods 350, 360 of FIGS. 9 and 10 can adjust the distance between the diffusion block 310 and the baffle 130. The distance between the diffusion block 310 and the baffle 130 is adjusted by varying the inclination direction and the inclination angle of the support rods 350 and 360. In addition, the support rods 350 and 360 can be adjusted in the oblique direction and the tilt angle according to the flow of the plasma flowing through the diffusion space 114.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 로드의 단면을 나타내는 도면이다. 도 10을 참조하면, 지지 로드(370)는 상하방향으로 익형(翼型) 단면을 가질 수 있다.10 is a cross-sectional view of a support rod according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 10, the support rod 370 may have an airfoil-shaped cross section in the vertical direction.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지 로드의 단면을 나타내는 도면이다. 도 11을 참조하면, 지지 로드(380)는 상하방향으로 길게 제공되는 직사각형 단면을 가질 수 있다.11 is a cross-sectional view of a support rod according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 11, the support rod 380 may have a rectangular cross section that is long in the vertical direction.

지지 로드(370, 380)들의 단면은 확산공간을 흐르는 플라스마의 흐름에 따라 형상을 달리할 수 있다.
The cross sections of the support rods 370 and 380 may be shaped differently according to the flow of the plasma flowing through the diffusion space.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. Furthermore, the foregoing is intended to illustrate and describe the preferred embodiments of the invention, and the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

30: 기판 처리 장치 100: 공정 처리부
110: 공정 챔버 120: 서셉터
130: 배플 140: 배기 플레이트
200: 플라스마 발생부 210: 반응 용기
220: 가스 주입 포트 230: 유도 코일
240: 전원 250: 가스 공급부
300: 플라스마 확산부 310: 확산 블록
320: 지지 로드30: Substrate processing apparatus 100: Process processing section
110: process chamber 120: susceptor
130: Baffle 140: Exhaust plate
200: plasma generating part 210: reaction container
220: gas injection port 230: induction coil
240: power supply 250: gas supply unit
300: plasma diffusion part 310: diffusion block
320: support rod

Claims (18)

삭제delete 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 서셉터;
상기 서셉터의 상부에 위치하며, 분배홀들이 형성된 배플;
상기 공정 챔버의 상부에 위치하며, 플라스마가 발생되는 방전 공간을 갖는 플라스마 발생부; 및
상기 방전 공간과 상기 배플 사이에 위치하며, 상기 방전 공간에서 내려오는 플라스마를 상기 배플의 가장자리영역으로 확산시키는 플라스마 확산부를 포함하되,
상기 플라스마 확산부는
상기 방전 공간의 아래에 위치하며, 상기 방전 공간과 마주하는 상면을 갖는 확산 블록; 및
상기 확산 블록과 상기 공정 챔버를 연결하며, 상기 확산 블록을 지지하는 복수의 지지 로드들을 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber in which a space is formed;
A susceptor positioned within the process chamber and supporting the substrate;
A baffle located above the susceptor and having distribution holes formed therein;
A plasma generator positioned above the process chamber and having a discharge space in which plasma is generated; And
And a plasma diffuser positioned between the discharge space and the baffle and diffusing plasma from the discharge space into an edge area of the baffle,
The plasma diffuser
A diffusion block located below the discharge space and having an upper surface facing the discharge space; And
And a plurality of support rods connecting the diffusion block to the process chamber and supporting the diffusion block. 제 2 항에 있어서,
상기 확산 블록은 상기 배플과 비접촉하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the diffusion block is not in contact with the baffle. 제 2 항에 있어서,
상기 확산 블록의 상면은 위로 볼록한 볼록면인 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein an upper surface of the diffusion block is a convex convex surface. 제 2 항에 있어서,
상기 확산 블록의 상면은 평평한 평면은 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein an upper surface of the diffusion block is flat. 제 2 항에 있어서,
상기 확산 블록의 상면은 아래로 오목한 오목면인 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein an upper surface of the diffusion block is a concave downward concave surface. 제 2 항에 있어서,
상기 지지 로드들은 상기 확산 블록을 중심으로 방사상으로 배치되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the support rods are radially disposed about the diffusion block. 제 2 항에 있어서,
상기 지지 로드는 길이방향에 수직한 단면이 아래로 긴 타원형인 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the support rod has a long oval shape in cross section perpendicular to the longitudinal direction. 제 2 항에 있어서,
상기 지지 로드는 길이방향에 수직한 단면이 익형인 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the supporting rod has a cross section perpendicular to the longitudinal direction. 제 2 항에 있어서,
상기 지지 로드는 상기 확산 블록으로부터 상기 공정 챔버 측으로 갈수록 높이가 점차 높아지도록 상향 경사지게 배치되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the support rod is disposed upwardly inclined so that the height gradually increases from the diffusion block toward the process chamber side. 제 2 항에 있어서,
상기 지지 로드는 상기 확산 블록으로부터 상기 공정 챔버 측으로 갈수록 높이가 점차 낮아지도록 하향 경사지게 배치되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the support rod is disposed downwardly inclined so that the height gradually decreases from the diffusion block toward the process chamber side. 제 2 항에 있어서,
상기 확산 블록의 저면은 상기 배플과 마주하며, 아래로 뾰족한 원뿔형상을 갖는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein a bottom surface of the diffusion block faces the baffle and has a downwardly pointed conical shape. 제 2 항에 있어서,
상기 공정 챔버는
상면이 개방되며, 상기 서셉터가 놓이는 공간이 형성된 챔버 바디; 및
상기 배플을 사이에 두고 상기 챔버 바디의 상단과 결합하며, 아래로 갈수록 너비가 점차 넓어지는 확산 공간을 갖는 챔버 리더를 포함하며,
상기 확산 블록은 상기 확산 공간에 위치하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The process chamber
A chamber body having an upper surface opened and a space in which the susceptor is disposed; And
And a chamber having a diffusion space which is coupled with an upper end of the chamber body with the baffle interposed therebetween and has a width gradually widened downward,
Wherein the diffusion block is located in the diffusion space. 삭제delete 반응 공간에서 발생된 플라스마를 공정 챔버 내부에 놓인 기판으로 공급하여 상기 기판을 처리하되,
상기 반응 공간에서 흘러 내려오는 플라스마는 확산 블록의 상면을 따라 흘러 배플의 가장자리영역으로 확산되고, 상기 배플의 분사홀들을 통과하여 상기 기판으로 공급되고,
상기 확산 블록은 상기 반응 공간과 동일 선상에서, 상기 반응 공간의 아래에 위치하는 기판 처리 방법.The plasma generated in the reaction space is supplied to a substrate placed inside the process chamber to process the substrate,
The plasma flowing down from the reaction space flows along the upper surface of the diffusion block to diffuse into the edge region of the baffle and is supplied to the substrate through the injection holes of the baffle,
Wherein the diffusion block is located on the same line as the reaction space and below the reaction space. 반응 공간에서 발생된 플라스마를 공정 챔버 내부에 놓인 기판으로 공급하여 상기 기판을 처리하되,
상기 반응 공간에서 흘러 내려오는 플라스마는 확산 블록의 상면을 따라 흘러 배플의 가장자리영역으로 확산되고, 상기 배플의 분사홀들을 통과하여 상기 기판으로 공급되고,
상기 확산 블록은 상기 배플과 비접촉되는 기판 처리 방법.The plasma generated in the reaction space is supplied to a substrate placed inside the process chamber to process the substrate,
The plasma flowing down from the reaction space flows along the upper surface of the diffusion block to diffuse into the edge region of the baffle and is supplied to the substrate through the injection holes of the baffle,
Wherein the diffusion block is not in contact with the baffle. 반응 공간에서 발생된 플라스마를 공정 챔버 내부에 놓인 기판으로 공급하여 상기 기판을 처리하되,
상기 반응 공간에서 흘러 내려오는 플라스마는 확산 블록의 상면을 따라 흘러 배플의 가장자리영역으로 확산되고, 상기 배플의 분사홀들을 통과하여 상기 기판으로 공급되고,
상기 확산 블록의 상면은 상기 반응 공간과 마주하며, 위로 볼록한 볼록면인 기판 처리 방법.The plasma generated in the reaction space is supplied to a substrate placed inside the process chamber to process the substrate,
The plasma flowing down from the reaction space flows along the upper surface of the diffusion block to diffuse into the edge region of the baffle and is supplied to the substrate through the injection holes of the baffle,
Wherein the upper surface of the diffusion block faces the reaction space and is convex convex upward. 반응 공간에서 발생된 플라스마를 공정 챔버 내부에 놓인 기판으로 공급하여 상기 기판을 처리하되,
상기 반응 공간에서 흘러 내려오는 플라스마는 확산 블록의 상면을 따라 흘러 배플의 가장자리영역으로 확산되고, 상기 배플의 분사홀들을 통과하여 상기 기판으로 공급되고,
상기 공정 챔버는
상기 반응 공간과 상기 배플 사이에 위치하며, 아래로 갈수록 너비가 점차 넓어지는 확산 공간을 가지며,
상기 확산 블록은 상기 확산 공간에 위치하는 기판 처리 방법.The plasma generated in the reaction space is supplied to a substrate placed inside the process chamber to process the substrate,
The plasma flowing down from the reaction space flows along the upper surface of the diffusion block to diffuse into the edge region of the baffle and is supplied to the substrate through the injection holes of the baffle,
The process chamber
A diffusion space located between the reaction space and the baffle and having a gradually increasing width,
Wherein the diffusion block is located in the diffusion space.
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