JP2009281987A - 絶縁計測方法及び絶縁計測装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】フライングキャパシタ方式の絶縁計測回路にあって、電源の電圧変動の影響を軽減する技術が求められている。
【解決手段】第1の電源充電電圧測定モード、負極側地絡抵抗測定電圧測定モード、第2の電源充電電圧測定モード、正極側地絡抵抗測定電圧測定モード、絶縁抵抗換算モードの5種類のモードが実行される。この処理により、電源充電電圧V0と負極側地絡抵抗測定電圧VC1nとの計測タイミングと、電源充電電圧V0と正極側地絡抵抗測定電圧VC1pとの計測タイミングとを同じにする。その結果、仮に電源Vの電圧が変動するときでも、その変動の影響を低減できる。
【選択図】図5

Description

本発明は、絶縁計測方法及び絶縁計測装置に係り、例えば、フライングキャパシタ方式の絶縁計測装置により高圧電源等の絶縁状態を精度よく検知するとともに、高圧電源の電圧変動の影響を低減した絶縁計測技術及び絶縁計測装置に関する。
自動車においては、従来よりライト点灯システムやエアコンなどの電装品に電力を供給したり充電したりするためにバッテリが搭載されており、現代の自動車は電力なくしては機能しないといっても過言でない程に電力に依存するようになっている。
つまり、適正な電力を維持できない場合、適正な車両制御が難しくなり警告が発せられたり、運転者が看過してしまった場合、自動車は停止してしまうおそれがある。したがって、電源を適正に監視することが今まで以上に重要になっている。
例えば、電源の状態を監視する技術のひとつに、絶縁状態に置かれている電源の実際の絶縁状態を判定する技術がある。具体的には、フライングキャパシタ方式の絶縁計測回路がある(特許文献1参照)。
特許文献1に開示の技術における回路の回路構成及び動作については実施形態で基本技術として詳述するが、ここで簡単に説明する。この回路は、接地電位から浮かせた状態のキャパシタと、複数の抵抗及び複数のスイッチング素子を備え、そのキャパシタとして、小型化が可能なセラミックスコンデンサが使用されている。そして、スイッチング素子が適宜制御されて、キャパシタに電源の電圧Vによる充電時間に対応した充電電源電圧(V0)が設定されて、その充電電源電圧V0が計測される。つづいて、スイッチング素子が適宜制御されて、キャパシタに設定された電圧が放電された後、地絡抵抗測定電圧の計測として、キャパシタの一方の端子を地絡抵抗を介した状態でキャパシタが電源により充電され、このときキャパシタに設定された電圧(以下、「地絡抵抗測定電圧VC1a」という)が計測される。つづいて、地絡抵抗測定電圧VC1aが放電された後、スイッチング素子が適宜制御されて、更にキャパシタの他方の端子を地絡抵抗を介し接地した状態で充電されて、このときキャパシタに設定された電圧(地絡抵抗測定電圧VC1b)が計測される。計測が終了すると、地絡抵抗測定電圧VC1bが放電される。そして、上記の3種類の電圧V0、VC1a、VC1bが計測されると、それら電圧をもとにして、計算式(VC1a+VC1b)/V0を用い絶縁抵抗換算がなされ、その換算結果と所定のテーブルを参照して絶縁状態が判定されている。
特開2004−170103号公報
ところで、特許文献1に開示の技術では、電源の絶縁状態を素早く検知し、かつ、キャパシタの特性バラツキを補償して高い検知精度を実現している。しかし、上記の技術では、電源の電圧Vが一定であることを前提としたものである。つまり、キャパシタに設定された電源充電電圧V0を計測するときと、地絡抵抗測定電圧VC1a、VC1bの計測のときとで、電源充電電圧V0に変動が生じていると、検知精度が低下することがあった。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、フライングキャパシタ方式の絶縁計測回路にあって、電源の電圧変動の影響を軽減する技術を提供することを目的とする。
本発明のある態様は、フライングキャパシタ方式の絶縁計測装置における絶縁計測方法に関する。この絶縁計測方法は、電源電圧を第1の充電時間だけ印加してフライングキャパシタに設定する第1の電源充電電圧測定工程と、前記電源電圧を、前記電源電圧の一方の極の絶縁抵抗を介して前記フライングキャパシタに設定する第1の地絡抵抗測定電圧測定工程と、前記電源電圧を、第2の充電時間だけ印加して前記フライングキャパシタに設定する第2の電源充電電圧測定工程と、前記電源電圧を、前記電源電圧の他方の極の絶縁抵抗を介して前記フライングキャパシタに設定する第2の地絡抵抗測定電圧測定工程と、前記第1及び第2の充電電圧測定工程と前記第1及び第2の地絡抵抗測定電圧測定工程の測定結果及び所定の絶縁抵抗換算式にもとづいて、前記絶縁抵抗を求める絶縁抵抗換算工程と、を実行する。
また、前記第1及び第2の充電電圧測定工程と前記第1及び第2の地絡抵抗測定電圧測定工程における前記フライングキャパシタの充電時間は、前記フライングキャパシタをフル充電しない時間に設定されてもよい。
また、前記第1及び第2の地絡抵抗測定電圧測定工程における前記フライングキャパシタの充電時間は、フル充電しない時間に設定され、前記第1の電源充電電圧測定工程の前記第1の充電時間と前記第2の電源充電電圧測定工程の前記第2の充電時間は、前記フライングキャパシタをフル充電する時間に設定されており、当該絶縁計測方法は、前記電源電圧の測定を本来の目的とする別の所定の装置が正常に機能しない場合に実行され、前記第1の電源充電電圧測定工程又は前記第2の電源充電電圧測定工程における前記電源電圧の測定結果が、前記別の所定の装置の測定結果の代わりとして使用されてもよい。
また、前記第1の電源充電電圧測定工程の前記第1の充電時間は、前記フライングキャパシタをフル充電する時間に設定されており、前記第2の電源充電電圧測定工程の前記第2の充電時間は、前記フライングキャパシタをフル充電しない時間に設定されており、当該絶縁計測方法は、前記電源電圧の測定を本来の目的とする別の所定の装置が正常に機能しない場合に実行され、前記第1の電源充電電圧測定工程において計測された前記電源電圧の測定結果が、前記別の所定の装置の測定結果の代わりとして使用され、前記第2の電源充電電圧測定工程において計測された前記電源電圧の測定結果が、前記絶縁抵抗換算工程で使用されてもよい。
本発明の別の態様は、絶縁計測装置に係り、上記の絶縁計測方法を実行する。
本発明によれば、フライングキャパシタ方式の絶縁計測回路にあって、電源の電圧変動の影響を軽減する技術を提供することができる。
以下、発明を実施するための最良の形態(以下、「実施形態」という)を、図面を参照
しつつ説明する。本実施形態は、従来技術の絶縁計測回路を基本技術として、その絶縁計測回路における新たな計測方法を提案するものである。そこで、まず、基本技術として、絶縁計測回路の回路構成及び動作について説明し、つづいて、本実施形態で提案する第1〜第3の計測方法を説明する。
図1は、本実施形態に係る絶縁計測回路10の構成を示す回路図である。図示のように、絶縁計測回路10は、検出回路20と判定制御部30とから構成され、検出回路20に接続される高圧の電源Vの絶縁状態を調べることで、電源Vの絶縁状態を検知する。ここでは、接地電位Gと電源Vの正極側の絶縁抵抗である正極側地絡抵抗RLpと、接地電位Gと負極側の絶縁抵抗である負極側地絡抵抗RLnとの二つの絶縁状態を検知する。なお、正極側地絡抵抗RLpと負極側地絡抵抗RLnを区別しないときは、単に「地絡抵抗RL」ともいう。
自動車などでは、電源Vに対する絶縁状態が徐々に劣化していくことがある。例えば、絶縁状態の指標となる地絡抵抗RLは、絶縁状態が絶縁良好である旨を示すある値から徐々に小さくなり、絶縁状態が劣化して所定の警告をすべき閾値RLx(以下、「警報閾値RLx」という)に至り、更に絶縁劣化が進むと、絶縁不良を示すある値になる。本実施形態の絶縁計測回路10であれば、以下に説明する判定制御部30が、地絡抵抗RLが警報閾値RLxに至ったことを検知すると、絶縁劣化が発生した旨を警告灯等により通知する。
判定制御部30は、入力ポートADを備え、入力ポートADに入力された電圧(後述のVC1p、VC1n、V0に対応した値)をAD変換して計測する電圧計測機能と、後述する検出回路20に備わる第1から第5のスイッチSW1〜SW5のオンオフを制御する機能を備える。さらに、判定制御部30は、入力ポートADに入力された電圧(VC1p、VC1n、V0に対応した値)を、計算式(VC1p+VC1n)/V0で絶縁抵抗換算を行う。この絶縁抵抗換算については後述する。判定制御部30は、計算式(VC1p+VC1n)/V0に対応する地絡抵抗RL(絶縁抵抗値)を所定のテーブルとして備えており、そのテーブルを参照して絶縁状態を判定し、得られた地絡抵抗RLの値が警報閾値RLx以下となっていれば、絶縁劣化と判断する。
検出回路20では、電源Vの正極側から負極側に順に、第1のスイッチSW1と、第1のダイオードD1と、第1の抵抗R1と、キャパシタCと、第2のスイッチSW2とが直列に配置され接続されている。なお、以下の説明で抵抗の値は、符号と同じく表記として説明する(例えば、第1の抵抗R1では、抵抗値は「R1」とする)。ここで、キャパシタCの正極側の端子(第1の抵抗R1と接続する端子)を便宜的に第1の端子点T1という。同様に、キャパシタCの負極側の端子(第2のスイッチSW2と接続する端子)を第2の端子点T2という。更に、第1のスイッチSW1と第1のダイオードD1の接続部分(第1のダイオードD1のアノード側の部分)を第3の端子点T3という。なお、第1のダイオードD1の順方向は、第1のスイッチSW1(第3の端子点T3)から第1の抵抗R1(第1の端子点T1)へ向かう方向である。
また、キャパシタCの正極側の端子(第1の端子点T1)から、第1のダイオードD1のアノード(第3の端子点T3)へ、第2のダイオードD2と第2の抵抗R2が直列に接続されている。より具体的には、第2のダイオードD2のアノードが第1の端子点T1に接続され、第2のダイオードD2のカソードが第2の抵抗R2の一方の端子に接続される。さらに、第2の抵抗R2の他方の端子は、第1のダイオードD1のアノード(第3の端子点T3)に接続される。
さらに、第3の端子点T3から順に第2の端子点T2まで、キャパシタCが設けられた経路と並列に、第3のスイッチSW3、第3の抵抗R3、第4の抵抗R4、及び第4のスイッチSW4が直列接続される。
さらに、第3のスイッチSW3と第3の抵抗R3とが接続されている経路途中の第4の端子点T4は、保護抵抗Rp1を介して入力ポートADに接続される。なお、保護抵抗Rp1と入力ポートADの経路途中の第6の端子点T6で、第3のダイオードD3のカソードが接続され、第3のダイオードD3のアノードが接地されている。
また、第3の抵抗R3と第4の抵抗R4とが接続されている経路途中の第5の端子点T5は、接地電位Gに接続されている。ここで、第3の抵抗R3と第4の抵抗R4との抵抗値は同値に設定されている。
またさらに、キャパシタCの正極側の端子(第1の端子点T1)から、第5の端子点T5の接地電位Gへ、放電用経路として第5のスイッチSW5と第5の抵抗R5とが直列接続されている。
以上の構成による、電源Vの絶縁状態の判定手順について説明する。図2は、基本技術における各モードの概略フロー(以下「基本方式」という)を示した図である。各モードの詳細は後述するが、概略として、まず、1)電源充電電圧測定モード(以下、「V0測定モード」という)、2)負極側地絡抵抗測定電圧測定モード(以下、「VC1n測定モード」という)、3)正極側地絡抵抗測定電圧測定モード(以下、「VC1p測定モード」という)、4)絶縁抵抗換算モード(以下、「判定モード」という)の4つのモードから構成されている。そして、基本技術では、1)〜4)の順で処理が実行される。
次に、各モードにおける絶縁計測回路10の動作について説明する。
1)V0測定モード:
図3は、V0測定モード時に形成される閉回路図を示している。まず、図3(a)の太い破線に示すように、判定制御部30は、第1及び第2のスイッチSW1、SW2をオンして、電源Vの正極側から負極側に、第1のスイッチSW1、第1のダイオードD1、第1の抵抗R1、キャパシタC、及び第2のスイッチSW2による経路を形成して、キャパシタCに電源Vの電圧(その電圧を「高圧電圧V0」という)を設定する(図2において「V0充電」)。この電源充電電圧V0は、オン時間(充電時間)に対応して設定されている。
つぎに、図3(b)に示すように、判定制御部30は、第1のスイッチSW1と第2のスイッチSW2をオフして、第3のスイッチSW3及び第4のスイッチSW4をオンすることで、入力ポートADは、キャパシタCに設定された電源高圧電圧V0を計測する(図2において「V0計測」)。具体的には、第3のスイッチSW3及び第4のスイッチSW4をオンにより、キャパシタC、第2のダイオードD2、第2の抵抗R2、第3のスイッチSW3、第3の抵抗R3、第4の抵抗R4、第4のスイッチSW4により閉回路が形成される。そして、第2の抵抗R2、第3の抵抗R3、及び第4の抵抗R4によって分圧された電圧が、
V0×R3/(R2+R3+R4)
として、保護抵抗Rp1を通って判定制御部30(入力ポートAD)に入力され計測される。
計測が終了すると、図3(c)に示すように、判定制御部30は、第4のスイッチSW4と第5のスイッチSW5のみをオンして、キャパシタCの電荷を第5の抵抗R5を通して放電する(図2において「放電」)。
2)VC1n測定モード:
VC1n測定モードでは、図4の太い破線に示すように、判定制御部30は、第1のスイッチSW1及び第4のスイッチSW4を所定の時間だけオンして、オン時間(充電時間)に対応した電圧として負極側地絡抵抗RLnによる電圧(以下、「負極側地絡抵抗測定電圧VC1n」)をキャパシタCに設定する(図2において「VC1n充電」)。このとき形成される閉回路は、接地電位Gから、負極側地絡抵抗RLn、電源V、第1のスイッチSW1、第1のダイオードD1、第1の抵抗R1、キャパシタC、第4のスイッチSW4、第4の抵抗R4、及び接地電位Gの順で形成される。
つぎに、判定制御部30は、第1のスイッチSW1をオフし、第3のスイッチSW3をオンすることで、図2(b)と同じ閉回路を構成し、入力ポートADは、キャパシタCに設定された負極側地絡抵抗測定電圧VC1nの分圧された電圧を計測する(図2において「VC1n計測」)。具体的には、V0測定モードと同様に、キャパシタC、第2のダイオードD2、第2の抵抗R2、第3のスイッチSW3、第3の抵抗R3、第4の抵抗R4、第4のスイッチSW4により閉回路が形成される。そして、第2の抵抗R2、第3の抵抗R3、及び第4の抵抗R4によって分圧された電圧が、
VC1n×R3/(R2+R3+R4)
として、保護抵抗Rp1を通って判定制御部30(入力ポートAD)に入力され計測される。
計測が終了すると、判定制御部30は、第4のスイッチSW4と第5のスイッチSW5のみをオンして、図2(b)と同じ閉回路を構成しキャパシタCの電荷を第5の抵抗R5を通して放電する(図2において「放電」)。
3)VC1p測定モード:
VC1p測定モードでは、図5の太い破線に示すように、判定制御部30は、第2のスイッチSW2及び第3のスイッチSW3をオンして、正極側地絡抵抗RLpによる電圧(以下、「正極側地絡抵抗測定電圧VC1p」という)をキャパシタCに設定する(図2において「VC1p充電」)。このとき形成される閉回路は、接地電位Gから、第3の抵抗R3、第3のスイッチSW3、第1のダイオードD1、第1の抵抗R1、キャパシタC、第2のスイッチSW2、電源V、正極側地絡抵抗RLp、及び接地電位Gの順で形成される。
つぎに、判定制御部30は、第2のスイッチSW2をオフし、第4のスイッチSW4をオンすることで、入力ポートADは、キャパシタCに設定された正極側地絡抵抗測定電圧VC1pを計測する(図2において「VC1p計測」)。具体的には、V0測定モードと同様に、キャパシタC、第2のダイオードD2、第2の抵抗R2、第3のスイッチSW3、第3の抵抗R3、第4の抵抗R4、第4のスイッチSW4により閉回路が形成される。そして、第2の抵抗R2、第3の抵抗R3、及び第4の抵抗R4によって分圧された電圧が、
VC1p×R3/(R2+R3+R4)
として、保護抵抗Rp1を通って判定制御部30(入力ポートAD)に入力され計測される。
計測が終了すると、判定制御部30は、第4のスイッチSW4と第5のスイッチSW5のみをオンして、キャパシタCの電荷を第5の抵抗R5を通して接地電位Gへ放電する(図2において「放電」)。
なお、V0測定モード、VC1n測定モード及びVC1p測定モードの各モードにおいて判定制御部30が計測する電圧は、上述の通り、第2の抵抗R2、第3の抵抗R3、及び第4の抵抗R4によって分圧された電圧でありかつ何れも同じ分圧比であるので、以下に説明する式のV0、VC1p、VC1nは、分圧された電圧と同値として扱う。また、正極側地絡抵抗測定電圧VC1pと負極側地絡抵抗測定電圧VC1nを区別しないときは、「地絡抵抗測定電圧VC1」という。
4)絶縁抵抗換算モード(判定モード):
絶縁抵抗換算モードでは、判定制御部30は、上述の計測結果をもとに、以下の(1)式による絶縁抵抗換算を行う。
絶縁抵抗換算=(VC1p+VC1n)/V0・・・(1)式
例えば、片極の絶縁が低下している場合、つまり、正極側地絡抵抗RLp又は負極側地絡抵抗RLnの絶縁が劣化して、警報閾値RLに達している場合、絶縁側の極の地絡抵抗測定電圧VC1(VC1p又はVC1n)は高くなる。ここで、正極側地絡抵抗RLpが絶縁劣化しており負極側地絡抵抗RLnが絶縁良好(絶縁抵抗無限大)であり、VC1p=0となる場合を想定する。すると、絶縁抵抗換算は、以下の(2)式となる。
絶縁抵抗換算=(VC1p+VC1n)/V0
=VC1n/V0・・・(2)式
そして、セラミックスコンデンサであるキャパシタCは、印加電圧が増加するとその増加に応じて容量が減少するというDCバイアス特性を有する。その特性の影響に関する係数をα(VC1nに対応)及びα’(V0に対応)、さらに周辺回路のバラツキの影響に関する係数をβとした場合、(2)式の換算式は以下の(3)式のようになり、DCバイアス特性の影響が残る。
絶縁抵抗換算=VC1n×α’×β/(V0×α×β)
=VC1n×α’/(V0×α)・・・(3)式
そこで、警報閾値RLに達している場合に、上記二つの係数αとα’を一致させるために、キャパシタCに設定される地絡抵抗測定電圧VC1(VC1p又はVC1n)の値と、電源高圧電圧V0との値を同一にすることで上記係数αとα’で示されるDCバイアス特性を一致させ、上記影響を取り除いている。
ところで、上記の絶縁抵抗換算では、電源Vの電圧が一定であることを前提として、所望の検出精度が実現できるとしている。しかし、キャパシタCに設定された電源充電電圧V0を計測するV0測定モードが終了して、地絡抵抗測定電圧VC1の計測するVC1n測定モード及びVC1p測定モードに移ったとき、電源充電電圧V0に変動が生じていると、本来得られるべき絶縁抵抗換算が変動してしまい、検知精度が低下することがある。つまり、地絡抵抗測定電圧VC1は電源Vの電圧に応じて設定されるので、電源Vの電圧が変動すると、地絡抵抗測定電圧VC1は変動してズレてしまう。したがって、(2)式の絶縁抵抗換算に使用される電源充電電圧V0を設定した電源Vの電圧と、地絡抵抗測定電圧VC1を設定したときの電源Vの電圧が異なることになる。その結果、地絡抵抗RLが警報閾値RLに至って絶縁劣化状態になっているにもかかわず、絶縁良好状態と判断されてしまったり、逆に絶縁良好状態にもかかわず絶縁劣化状態と判断されるおそれがある。電源Vの電圧の変動が小さい場合は、従来では実用上許容されていたが、近年、より精度の高い計測が求められるようになっていること、さらに、多くの電装品に電力が供給されるようになっており、電源Vの電圧の変動を今まで以上に考慮する必要が出てきた。
そこで、以下に示すように、上記基本方式を改良した計測プロセスによって、より精度の高い電源充電電圧V0の計測を実現する。ここでは、図6(a)〜(c)に示すように第1から第3の計測方法の3種類について説明する。
<第1の計測方法>
図2の基本方式では、V0測定モード、VC1n測定モード、VC1p測定モード、判定モードの4種類のモードがこの順で実行された。しかし、この第1の計測方法では、図6(a)に示すように、VC1n測定モード終了後、VC1p測定モード開始前に、再度V0測定モードを実行する。なお、V0測定モードにおけるキャパシタCの充電時間TC1は、フル充電に至らない時間が設定されている。
つまり、第1のV0測定モード、VC1nモード、第2のV0測定モード、VC1p測定モード、判定モードの5種類のモードが実行される。そして、第1のV0測定モードで計測された電源充電電圧をV01、第2のV0測定モードで計測された電源充電電圧をV02としたときに、以下の(4)式で絶縁抵抗換算を行う。
絶縁抵抗換算=VC1n/V01+VC1p/V02・・・(4)式
ただし、正極側地絡抵抗測定電圧VC1pの計測値には負極側地絡抵抗測定電圧VC1nの影響が残り、同様に負極側地絡抵抗測定電圧VC1nの計測値には正極側地絡抵抗測定電圧VC1pの影響が残ることがある。そこで、(1)式のV0の代わりに、V01とV02の平均値を適用した以下の(5)式で絶縁抵抗換算を行う。
絶縁抵抗換算=(VC1p+VC1n)/{(V01+V02)/2}
・・・(5)式
なお、各測定モードにおける、絶縁計測回路10の上記動作以外は同一なので説明を省略する。
このように、電源充電電圧V0と負極側地絡抵抗測定電圧VC1nとの計測タイミングと、電源充電電圧V0と正極側地絡抵抗測定電圧VC1pとの計測タイミングとを同じにすることで、仮に電源Vの電圧が変動するときでも、その変動の影響を低減できる。例えば、電源Vの電圧に一様に低下又は上昇する変動が生じている場合、図2において後の計測タイミングとなる正極側地絡抵抗測定電圧VC1pのズレが大きくなる。しかし、本第1の計測方法によれば、負極側地絡抵抗測定電圧VC1nと正極側地絡抵抗測定電圧VC1pのいずれの計測タイミングでも、電源充電電圧V0の計測タイミングからのズレを同じようにできるため、電源Vの電圧変動の影響を軽減でき、その結果、絶縁計測回路10の計測精度を向上させることができる。
さらに、第1及び第2のV0測定モードで計測された各電源充電電圧V01及びV02に対して、以下の(6)式のように重みづけして平均化処理がなされてもよい。
V0=(V01×a+V02×b)/2 (a,bは重み係数)・・・(6)式
例えば、電圧Vの変動に、一定の傾向が見られる場合には、上記(6)式のようにその傾向を重み係数a,bで反映させることで、より実際の状況に即した平均化が可能となり、一層の検知精度向上が実現できる。
さらに、計測タイミングの前後の電圧V03を利用し、以下の(7)式のような平均化処理を行うことで、さらに精度向上を図ることができる。
V0=(V01×a+V02×b+V03×c)/3 (a,b,cは重み係数)
・・・(7)式
<第2の計測方法>
第2の計測方法は、図6(b)に示すように、第1の計測方法の第1及び第2のV0測定モードにおける電源充電電圧V0(V01、V02)の充電時間TC1を、フル充電可能な充電時間TC2に設定する。第1及び第2のV0測定モードの他の条件、及びVC1n測定モード、第2のV0測定モード、VC1p測定モード及び判定モードにおける動作は同一なので、ここでは説明を省略する。
この第2の計測方法の場合、電源充電電圧V0がフル充電状態となるため、セラミックスコンデンサであるキャパシタCのDCバイアス特性の影響を取り除くことができる。そして、例えば、電源Vの電圧を監視している高圧電圧計測装置(図示せず)が故障したときなどの状況において、絶縁計測回路10の計測精度に優先して電源Vの把握が求められる場合に、この方法によって、V0電圧の計測精度が向上するため高圧電圧計測装置のバックアップ装置として機能させる。
したがって、通常の状態では、第1の計測方法によって、地絡抵抗RLを監視し、高圧電圧計測装置が故障したと判断されたときに、第2の計測方法による地絡抵抗RLを監視に移行する。そして、判定制御部30は、第2の計測方法で計測された電源Vの電圧を、高圧電圧計測装置が計測する電圧の代わりの代替計測電圧値として、所定の装置に通知する。
<第3の計測方法>
第3の計測方法は、図6(c)に示すように、第1の計測方法における第1のV0測定モードにおける電源充電電圧V0(V01)の充電時間TC1を、フル充電可能な充電時間TC2に設定する。また、第2のV0測定モードにおける電源充電電圧V0(V02)の充電時間は変更せずに第1の計測方法と同様にフル充電に至らない所定の充電時間TC1に設定する。第1及び第2のV0測定モードの他の条件、及びVC1n測定モード、第2のV0測定モード、VC1p測定モード及び判定モードにおける動作は同一なので、ここでは説明を省略する。
そして、判定制御部30は、フル充電の充電時間TC2である第1のV0測定モードの測定結果を、高圧電圧計測装置が計測する電圧の代わりの代替計測電圧値として所定の装置に通知する。また、フル充電でない充電時間TC1で計測される第2のV0モードの測定結果は、(1)式の絶縁抵抗換算に使用される。
第3の計測方法によると、電源充電電圧V0の計測タイミングに応じて、計測結果の用途を使い分けることで、高圧電圧計測装置が故障した場合に、高圧電圧計測装置のバックアップ装置として機能させることと、所望の検出精度の地絡抵抗RLの監視(絶縁計測回路10)を実現できる。
以上、本発明を実施形態を基に説明した。この実施形態は例示であり、それらの各構成要素及びその組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
実施形態の基本技術に係る絶縁計測回路を示す図である。 実施形態の基本技術に係る絶縁計測方法の基本方式の概略フローを示した図である。 実施形態に係る電源充電電圧測定モード時に形成される閉回路図である。 実施形態に係る負極側地絡抵抗測定電圧測定モード時に形成される閉回路図である。 実施形態に係る正極側地絡抵抗測定電圧測定モード時に形成される閉回路図である。 実施形態に係る、図2に示した基本方式を改良した第1から第3の計測方法の概略フローを示した図である。
符号の説明
10 絶縁計測回路
20 検出回路
30 判定制御部
AD 入力ポート
C キャパシタ
D1 第1のダイオード
D2 第2のダイオード
R1 第1の抵抗
R2 第2の抵抗
R3 第3の抵抗
R4 第4の抵抗
R5 第5の抵抗
SW1 第1のスイッチ
SW2 第2のスイッチ
SW3 第3のスイッチ
SW4 第4のスイッチ
SW5 第5のスイッチ
T1 第1の端子点
T2 第2の端子点
T3 第3の端子点
T4 第4の端子点
T5 第5の端子点

Claims (5)

  1. フライングキャパシタ方式の絶縁計測装置における絶縁計測方法であって、
    電源電圧を、第1の充電時間だけ印加してフライングキャパシタに設定する第1の電源充電電圧測定工程と、
    前記電源電圧を、前記電源電圧の一方の極の絶縁抵抗を介して前記フライングキャパシタに設定する第1の地絡抵抗測定電圧測定工程と、
    前記電源電圧を、第2の充電時間だけ印加して前記フライングキャパシタに設定する第2の電源充電電圧測定工程と、
    前記電源電圧を、前記電源電圧の他方の極の絶縁抵抗を介して前記フライングキャパシタに設定する第2の地絡抵抗測定電圧測定工程と、
    前記第1及び第2の充電電圧測定工程と前記第1及び第2の地絡抵抗測定電圧測定工程の測定結果及び所定の絶縁抵抗換算式にもとづいて、前記絶縁抵抗を求める絶縁抵抗換算工程と、
    を実行することを特徴とする絶縁計測方法。
  2. 前記第1及び第2の充電電圧測定工程と前記第1及び第2の地絡抵抗測定電圧測定工程における前記フライングキャパシタの充電時間は、前記フライングキャパシタをフル充電しない時間に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の絶縁計測方法。
  3. 前記第1及び第2の地絡抵抗測定電圧測定工程における前記フライングキャパシタの充電時間は、フル充電しない時間に設定され、
    前記第1の電源充電電圧測定工程の前記第1の充電時間と前記第2の電源充電電圧測定工程の前記第2の充電時間は、前記フライングキャパシタをフル充電する時間に設定されており、
    当該絶縁計測方法は、前記電源電圧の測定を本来の目的とする別の所定の装置が正常に機能しない場合に実行され、
    前記第1の電源充電電圧測定工程又は前記第2の電源充電電圧測定工程における前記電源電圧の測定結果が、前記別の所定の装置の測定結果の代わりとして使用されることを特徴とする請求項1に記載の絶縁計測方法。
  4. 前記第1の電源充電電圧測定工程の前記第1の充電時間は、前記フライングキャパシタをフル充電する時間に設定されており、
    前記第2の電源充電電圧測定工程の前記第2の充電時間は、前記フライングキャパシタをフル充電しない時間に設定されており、
    当該絶縁計測方法は、前記電源電圧の測定を本来の目的とする別の所定の装置が正常に機能しない場合に実行され、
    前記第1の電源充電電圧測定工程において計測された前記電源電圧の測定結果が、前記別の所定の装置の測定結果の代わりとして使用され、
    前記第2の電源充電電圧測定工程において計測された前記電源電圧の測定結果が、前記絶縁抵抗換算工程で使用されることを特徴とする請求項1に記載の絶縁計測方法。
  5. 請求項1から4までの何れかに記載の絶縁計測方法を実行することを特徴とする絶縁計測装置。
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