JP2009266687A - 表示パネルの検査方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示パネルの検査、とりわけ有機ＥＬパネルの検査において、リペア可能な表示パネルを高い精度で選別できる検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】測定装置にて表示パネルの各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する第１受信ステップＳ１０と、撮影装置にて前記表示パネルのリーク発光像を撮影して得た画像データを受信する第２受信ステップＳ２０と、前記受信された画像データから、各画素においてリーク発光が生じている面積の画素の面積に対する割合を算出する算出ステップＳ３０と、各画素について、前記受信されたリーク電流値と、前記算出された割合との組み合わせから、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定する判定ステップＳ４０とを含む。
【選択図】図３

Description

本発明は表示パネルの検査方法に関し、特に有機ＥＬパネルを検査する技術に関する。

従来、有機ＥＬパネルなどの表示パネルの検査において、有機ＥＬ素子の良否、リペアの可否を判定するため外観検査が行われている。

外観検査の一例として、有機ＥＬパネルの各画素に所定の電圧を印加しながら有機ＥＬパネルを撮影し、得られた画像から有機ＥＬパネルのリーク発光箇所を特定する検査がある。有機ＥＬパネルの撮影は、例えばエミッション顕微鏡を用いて行われる。

リーク発光は、有機ＥＬ素子に、正常ならば発光を生じないしきい値未満の順方向電圧および逆方向電圧を印加したときに、有機ＥＬ素子の発光機能領域（ｐｎ接合部）に短絡欠陥があることで生じる微弱な発光であり、画素の潜在的な不良箇所を表す。

画像から特定される有機ＥＬパネルのリーク発光箇所をレーザ光照射にて局所的に除去する（高抵抗化する）ことによって、画素および表示パネルを利用可能な状態にリペア（救済）できる可能性がある。

また、外観検査では分からない各画素のリーク電流を測定し、測定されたリーク電流値から各画素の良否を定量的に判断する技術も知られている（例えば特許文献１を参照）。

特許文献１は、有機ＥＬパネルに流れるリーク電流値を測定することにより、有機ＥＬパネルの良否を判定する評価装置および評価方法を開示している。

図８は、特許文献１に開示される評価装置の基本構成を示すブロック図である。

この評価装置は、有機ＥＬパネル５００の検査電圧を発生する電圧発生手段５０５、検査電圧を有機ＥＬパネル５００の２つの走査電極５０１またはデータ電極５０８間に印加する接続手段５０２、電圧発生手段５０５と有機ＥＬパネル５００間に流れる電流を検出する電流検出手段５０６、および検出した電流値により有機ＥＬパネル５００の良否を判断する判断手段５０７で構成される。

印加する検査電圧は、一例として、有機ＥＬパネル５００の有機ＥＬ素子を発光させるために印加する電圧とは逆の極性の電圧である。良好な有機ＥＬ素子はダイオードの電流電圧特性を持つため、逆バイアスの電圧を印加しても電流はほとんど流れない。逆バイアスの電圧印加に対して流れる電流は、有機ＥＬ素子の短絡欠陥を示すリーク電流である。

検査電圧は、接続手段５０２によって、異なる走査電極５０１およびデータ電極５０８に順次印加され、その結果、全ての有機ＥＬ素子のリーク電流が検査される。

このように、従来の評価装置は、有機ＥＬパネル５００の各有機ＥＬ素子のリーク電流値を測定することにより、有機ＥＬパネル５００の良否を検査している。
特開平１０−３２１３６７号公報

しかしながら、従来のリーク電流値だけに基づく検査では、画素ごとの有機ＥＬ素子の結果的な良否しか判定できず、リペアの可否を判定できないため、リペアできる有機ＥＬパネルを正確に選別することができない。リークをリペアできる有機ＥＬパネルを廃棄することは、製造コストを引き上げる要因となる。

また、従来の画像だけに基づく検査では、リーク発光を伴わない不良（例えば、発光機能領域以外の場所での短絡欠陥）を見逃してしまう。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、表示パネルの検査、とりわけ有機ＥＬパネルの検査において、リペア可能な表示パネルを高い精度で選別できる検査方法および検査装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明の表示パネルの検査方法は、測定装置にて表示パネルの各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する第１受信ステップと、撮影装置にてリーク発光を生ぜしめる条件下で前記表示パネルを撮影して得た画像データを受信する第２受信ステップと、前記受信された画像データから、各画素においてリーク発光が生じている面積の画素の面積に対する割合を算出する算出ステップと、各画素について、前記受信されたリーク電流値と、前記算出された割合との組み合わせから、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定する判定ステップとを含む。

また、前記判定ステップは、各画素について、前記受信されたリーク電流値を、１つ以上のしきい値と比較する第１比較サブステップと、各画素について、前記算出された割合を、１つ以上のしきい値と比較する第２比較サブステップとを含み、各画素について、前記第１比較サブステップでの比較結果と、前記第２比較サブステップでの比較結果との組み合わせから、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定してもよい。

この構成によれば、表示パネルの各画素について、リーク電流値と、リーク発光面積の割合との組み合わせから、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定する。

これにより、例えば、リーク電流値を見ただけでは不良判定下限を超えて不良と判定される場合でも、リーク発光が認められる場合には、発光機能領域における短絡欠陥が疑われるため、レーザ光照射によるリペアが期待できることからリペア可能と判定することができる。

また例えば、リーク発光が認められず、リーク発光面積の割合だけでは良好と判定される場合でも、リーク電流値が不良判定下限を超える場合には、発光機能領域以外の場所における短絡欠陥が疑われるため、レーザ光照射によるリペアは期待できないことからリペア不可能と判定することができる。

このように、リーク電流値およびリーク発光像のいずれか一方だけで判定する場合と比べて、個々の画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを、より正確に判定することが可能になる。その結果、リペア可能なパネルを正確に選別してリペアすることができるので、リペアコストが最適化され、製造コストの軽減に役立つ。

また、前記検査方法は、複数の画素について、前記受信されたリーク電流値と、前記算出された割合とを、モニタ装置に表示する表示ステップを含んでもよい。

また、好ましくは、前記表示ステップで、複数の画素について、前記受信されたリーク電流値に対応する表示属性と、前記算出された割合に対応する大きさとを持つ描画オブジェクトを、画素の配置と相似な配置で前記モニタ装置に表示してもよい。

この構成によれば、個々の画素の判定の根拠となったリーク電流値とリーク発光面積の割合とが、視覚的に理解容易な態様でオペレータに提示される。

また、前記検査方法において、前記判定ステップで、各画素の判定結果から、前記表示パネルが全体として良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定し、さらに、前記表示パネルが全体として不良でリペア可能と判定された場合のみ、前記表示パネルの不良箇所へのレーザ光照射を指示するリペア指示データをリペア装置に送信する送信ステップを含んでもよい。

この構成によれば、レーザ光照射によるリペアが期待できない画素がある表示パネルに対してリペアを試みることがなくなるので、リペアコストが最適化され、製造コストの軽減に役立つ。

また、本発明は、このような検査方法として実現できるだけでなく、検査方法を実行する検査装置としても実現できる。

前記説明したように、本発明の表示パネルの検査方法によれば、表示パネルの各画素について、リーク電流値と、リーク発光面積の割合との組み合わせから、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定するので、リーク電流値およびリーク発光面積の割合のいずれか一方だけで判定する場合と比べて、個々の画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを、より正確に判定することが可能になる。

その結果、リペア可能なパネルを正確に選別してリペアすることができるので、リペアコストが最適化され、製造コストの軽減に役立つ。

本発明の実施の形態に係る表示パネルの検査装置および検査方法について、図面を参照しながら説明する。

図１は、実施の形態に係る表示パネルの検査装置１００の機能的な構成の一例を示すブロック図である。以下では、有機ＥＬパネル２００を、検査される表示パネルの一例として説明する。

検査装置１００は、有機ＥＬパネル２００の各画素のリーク電流を測定する測定装置４１０、有機ＥＬパネル２００のリーク発光画像を撮影する撮影装置４２０、有機ＥＬパネル２００をリペアするリペア装置４３０、および検査結果を表示するモニタ装置４４０と共に用いられる。

なお、本明細書では、画素という用語を表示パネルの発光単位の意味で用いる。カラー表示パネルの場合は、例えば表示パネルの３つの画素（発光単位）で、表示画像の１つの画素が構成されることに注意する。

測定装置４１０、撮影装置４２０、リペア装置４３０、およびモニタ装置４４０のいずれか１つ以上と、検査装置１００とからなる検査システムを本発明に含めてもよい。

測定装置４１０、撮影装置４２０、リペア装置４３０、およびモニタ装置４４０は、個別には本発明の特徴部分ではなく、従来知られている装置が用いられる。

これらの装置について、簡単に説明する。なお、装置の内部構成の図示は省略する。

測定装置４１０は、有機ＥＬパネル２００の各画素の有機ＥＬ素子に生じるリーク電流を測定し、画素ごとのリーク電流値を表す電流値データを検査装置１００へ送信する装置であり、例えば、背景技術の項で説明したような、リーク電流を測定するための測定部、および検査装置１００と通信可能な通信インタフェースを有している。

撮影装置４２０は、有機ＥＬパネル２００の各画素の有機ＥＬ素子にリーク発光を起こす電圧（通常の発光を起こす直前の順方向電圧、または逆方向電圧）を順次印加しながら有機ＥＬパネル２００を撮影することにより、有機ＥＬパネル２００のリーク発光像を取得し、取得したリーク発光像を表す画像データを検査装置１００へ送信する装置であり、例えば、電圧印加部、リーク発光像を取得するためのエミッション顕微鏡部、および検査装置１００と通信可能な通信インタフェースを有している。

撮影装置４２０は、有機ＥＬパネル２００のリーク発光像を、有機ＥＬパネル２００の画素密度よりも高い解像度で撮影する。これにより、得られた画像データから、有機ＥＬパネル２００の各画素内でのリーク発光が生じている部分の位置および面積の割合を知ることができる。

リペア装置４３０は、有機ＥＬパネル２００の、撮影装置４２０で得られた画像データで示される位置にレーザ光を照射し、リーク発光を起こす箇所を除去する（高抵抗化する）ことによって、有機ＥＬパネル２００をリペアする装置であり、例えば、有機ＥＬパネル２００をレーザ照射位置に移動させるための位置決め部、レーザ発振部、検査装置１００からリペア指示を受け付けるための通信インタフェースを有している。

なお、レーザ光を照射された箇所は、発光機能を失うため、１画素について除去が可能な箇所の面積は、１画素の発光機能領域の面積に対する所定の割合までに限られる。

モニタ装置４４０は、検査装置１００による検査結果を表示する装置であり、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイなどの表示装置が利用できる。

有機ＥＬパネル２００は、リーク電流の測定、リーク発光像の撮影、およびリペアを受けるために、測定装置４１０、撮影装置４２０、およびリペア装置４３０の間を、人手または図示しない搬送装置により移送される。

測定装置４１０、撮影装置４２０、およびリペア装置４３０のうちの複数は同じ筐体に設けられ、有機ＥＬパネル２００は、リーク電流の測定、リーク発光像の撮影、およびリペアのうちの複数を、移送されることなく受けられるとしてもよい。

次に、本発明の特徴部分である検査装置１００について説明する。

検査装置１００は、有機ＥＬパネル２００の各画素の良否およびリペアの可否を、画素のリーク電流値と、画素においてリーク発光が生じている面積の画素の面積（詳細には画素の発光機能領域の面積）に対する割合（以下、発光面積割合と略称する）とを組み合わせて用いて判定する装置であり、第１受信部１１０、第２受信部１２０、算出部１３０、テーブル部１４０、判定部１５０、表示部１６０、および送信部１７０から構成される。

検査装置１００は、例えば、プロセッサ、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、通信装置などからなるコンピュータシステム上に実装される。通信装置は、周知のＧＰＩＢ（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｐｕｒｐｏｓｅ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｂｕｓ）などを用いて、検査装置１００と、測定装置４１０、撮影装置４２０、およびリペア装置４３０とを、通信可能に結合する。検査装置１００の各部は、プロセッサがＲＯＭに記録されているプログラムを実行することによって実現されるソフトウェア機能を表している。

第１受信部１１０は、通信装置を制御することによって、測定装置４１０にて有機ＥＬパネル２００の各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する。

第２受信部１２０は、通信装置を制御することによって、撮影装置４２０にて有機ＥＬパネル２００のリーク発光像を撮影して得た画像データを受信する。

算出部１３０は、第２受信部１２０にて受信された画像データから、各画素における発光面積割合を算出する。

テーブル部１４０は、しきい値テーブル１４１および判定テーブル１４２を含む。

しきい値テーブル１４１は、リーク電流値を複数の段階に区分する１つ以上のしきい値と、発光面積割合を複数の段階に区分する１つ以上のしきい値とを、それぞれ１次元の配列に保持している。

図２（Ａ）は、しきい値テーブル１４１の内容の一例を示す図である。この例では、リーク電流の２つのしきい値ＬＬ、ＬＨ（ＬＬ＜ＬＨ）と、発光面積割合の３つのしきい値Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３（Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３）とが保持されている。

リーク電流値について、しきい値ＬＬは不良判定下限であり、しきい値ＬＨは不良の程度を区分する。

発光面積割合について、しきい値Ｒ１は発光機能領域以外の場所でのリークが示唆される上限であり、しきい値Ｒ２は不良判定下限であり、しきい値Ｒ３はリペアの際に発光機能が失われる割合の許容上限である。

判定テーブル１４２は、リーク電流値が区分される段階と、発光面積割合が区分される段階との組み合わせに対応して、有機ＥＬパネル２００の画素の判定結果となるべき、良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれかを示す判定値を、２次元の配列（マトリクス）に保持している。

図２（Ｂ）は、判定テーブル１４２の内容の一例を示す図である。この例では、リーク電流値がしきい値ＬＬ、ＬＨにより区分される３つの段階、および発光面積割合がしきい値Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３により区分される４つの段階の組み合わせに対応して、良好１４２ａ、不良でリペア可能１４２ｂ、不良でリペア不可能１４２ｃ、不良でリペア不可能１４２ｄを示す判定値が保持されている。

判定部１５０は、各画素について、第１受信部１１０で受信されたリーク電流値と、算出部１３０で算出された発光面積割合との組み合わせから、判定テーブル１４２を参照して、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定する。

表示部１６０は、複数の画素について、第１受信部１１０で受信されたリーク電流値と、算出部１３０で算出された発光面積割合とを、モニタ装置４４０に表示する。

このように構成された検査装置１００によって行われる検査方法について説明する。

図３は、検査方法の一例を示すフローチャートである。

ステップＳ１０で、第１受信部１１０は、測定装置４１０にて有機ＥＬパネル２００の各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する。

ステップＳ２０で、第２受信部１２０は、撮影装置４２０にて有機ＥＬパネル２００のリーク発光像を撮影して得た画像データを受信する。

ステップＳ３０で、算出部１３０は、第２受信部１２０にて受信された画像データから、有機ＥＬパネル２００の各画素における発光面積割合を算出する。

発光面積割合は、例えば、画像データの所定の画素を計数することにより算出される。具体的に、有機ＥＬパネル２００の１つの画素を撮影した部分を構成するリーク発光像の画素がＮ個あり、Ｎ個の画素のうち所定のしきい値以上の明るさを示す画素がＭ個ある場合に、Ｍ／Ｎの値を発光面積割合としてもよい。

ステップＳ４０で、判定部１５０は、各画素について、第１受信部１１０で受信されたリーク電流値と、算出部１３０で算出された発光面積割合との組み合わせから、判定テーブル１４２を参照して、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定する。この判定方法の詳細は、後述する。

ステップＳ５０で、表示部１６０は、複数の画素について、第１受信部１１０で受信されたリーク電流値と、算出部１３０で算出された発光面積割合とを、モニタ装置４４０に表示する。この表示方法の詳細は、後述する。

ステップＳ６０で、判定部１５０は、各画素の判定結果から、有機ＥＬパネル２００のパネル全体としての良否およびリペア可否を判定する。

この判定は、例えば、各画素の判定結果を集計することによって行われる。具体的に、全ての画素が良好と判定された場合にパネルは良好であると判定し、１つ以上の画素が不良でリペア不可能と判定された場合にパネルはリペア不可能と判定してもよい。

また、不良でリペア不可能と判定された画素が１つもなく、かつ不良でリペア可能と判定された画素が１つ以上ある場合には、不良でリペア可能と判定された画素の個数が、所定個数未満ならパネルはリペア可能、所定個数以上ならパネルはリペア不可能と判定してもよい。

パネルがリペア可能と判定された場合、ステップＳ７０で、送信部１７０は、有機ＥＬパネル２００のリペアを開始するためのリペア指示データをリペア装置４３０へ送信する。

リペア指示データは、例えば、第２受信部１２０にて受信された画像データにおいて認められる発光箇所のうち、判定部１５０でリペア可能であると判定された画素に含まれる箇所のみを抜粋して示すリストであってもよい。

リペア装置４３０は、有機ＥＬパネル２００の、検査装置１００から与えられたリペア指示データで示される箇所にレーザ光を照射することにより、有機ＥＬパネル２００をリペアする。

次に、判定部１５０によって行われる判定方法の詳細について説明する。

図４は、判定方法の一例を示すフローチャートである。

ステップＳ４１およびステップＳ４５のループ処理で、判定部１５０は、有機ＥＬパネル２００の各画素に対して、ステップＳ４２からＳ４４を実行する。

ステップＳ４２で、画素のリーク電流値をしきい値テーブル１４１に保持されているリーク電流値のしきい値と比較することによって、画素のリーク電流値の段階を特定する。

ステップＳ４３で、画素の発光面積割合をしきい値テーブル１４１に保持されている発光面積割合のしきい値と比較することによって、画素の発光面積割合の段階を特定する。

ステップＳ４４で、特定されたリーク電流値の段階と特定された発光面積割合の段階とに対応して判定テーブル１４２に保持されている判定値を参照し、参照された判定値で示される、良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれかを、画素の判定結果とする。

次に、表示部１６０によって行われる表示方法の詳細について説明する。

表示部１６０は、複数の画素について、リーク電流値に対応する表示属性（色彩、明るさ、柄、点滅の頻度など）と発光面積割合に対応する大きさとを有する描画オブジェクトを、画素の配置と相似な配置で、モニタ装置４４０に表示する。

図５は、１つの画素についてモニタ装置４４０に表示される描画オブジェクト２０３の一例を示す図である。描画オブジェクト２０３の左領域２０４には、発光面積割合に対応する大きさの矩形２０６が描かれ、右領域２０５は、リーク電流値に対応する色彩２０７で塗られる。

矩形２０６は、例えば１％刻みの長さで描かれるとしてもよい。図５では、発光面積割合のしきい値Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３を示す補助線を矩形２０６の中に示したが、これらの補助線のモニタ装置４４０への表示は、適宜省略してもよい。

また、図５では、色彩２０７として、リーク電流値のしきい値ＬＬ、ＬＨで区切られる段階ごとに３つの異なる色彩を例示しているが、リーク電流値のもっと多くの段階に対応して、多くの種類の色彩を用いてもよい。

モニタ装置４４０には、複数のこのような描画オブジェクトを画素の配置と相似に配置して構成されるマップが表示される。

図６（Ａ）〜図６（Ｈ）は、４例のマップと、それぞれのマップに対応するリーク発光像とを表す模式図である。いずれのマップおよびリーク発光像も、有機ＥＬパネル２００の４つの画素を示している。

図６（Ａ）のマップ２０８は、図６（Ｂ）のリーク発光像２０９に対応する。

マップ２０８は、４つの画素において、リーク電流値は、不良判定下限であるしきい値ＬＬ未満であり、発光面積割合は、不良判定下限であるしきい値Ｒ２未満であることを示している。これらの画素は、判定テーブル１４２から、いずれも良好１４２ａと判定される。パネル全体としての判定は、他の画素の判定結果に応じてなされる。

図６（Ｃ）のマップ２１０は、図６（Ｄ）のリーク発光像２１１に対応する。

マップ２１０は、４つの画素のうち、左上の画素および右下の２つの画素において、リーク電流値は、不良判定下限であるしきい値ＬＬ以上であり、発光面積割合は、リペアの際に発光機能が失われる割合の許容上限であるしきい値Ｒ３以上であることを示している。

これらの画素は、判定テーブル１４２から、不良でリペア不可能１４２ｃと判定される。これらの画素に対しレーザ光照射によるリペアを試みた場合、許容できる上限以上の発光機能が失われ、画素の発光機能が致命的に損なわれるためである。リペア不可能と判定される画素があるため、パネルはリペア不可能と判定される。

図６（Ｅ）のマップ２１２は、図６（Ｆ）のリーク発光像２１３に対応する。

マップ２１２は、４つの画素のうち、左上の画素において、リーク電流値は、不良判定下限であるしきい値ＬＬ以上であり、発光面積割合は、リペアにより発光機能が失われる割合の許容上限であるしきい値Ｒ３未満、かつ不良判定下限であるしきい値Ｒ２以上であることを示している。この画素は、判定テーブル１４２から、不良でリペア可能１４２ｂと判定される。パネル全体としての判定は、他の画素の判定結果に応じてなされる。

図６（Ｇ）のマップ２１４は、図６（Ｈ）のリーク発光像２１５に対応する。

マップ２１４は、４つの画素のうち、左上、右上、左下の画素において、リーク電流値は、不良判定下限であるしきい値ＬＬ以上であり、発光面積割合は、リペアにより発光機能が失われる割合の許容上限であるしきい値Ｒ３未満、かつ不良判定下限であるしきい値Ｒ２以上であることを示している。

これらの画素は、判定テーブル１４２から、不良でリペア可能１４２ｂと判定される。これらの画素をリペアしても、画素の発光機能は、個々には致命的に損なわれることはない。しかし、多数の画素をリペアした場合、パネル全体での輝度が低下し、またリペアコストがかさむといった問題が生じる。

そのため、不良でリペア可能と判定された画素が、あらかじめ定めた上限個数以上ある場合は、たとえリペア不可能と判定される画素が他になかったとしても、パネルはリペア不可能と判定される。

上記の判定例の他に、マップ例の図示は省略するが、リーク電流値が不良判定下限であるＬＬ以上であり、かつ発光面積割合が発光機能領域以外の場所でのリークが示唆される上限であるしきい値Ｒ１未満である画素は、判定テーブル１４２から、不良でリペア不可能１４２ｄと判定される。

リーク電流が検出されるにもかかわらず、リーク発光がほとんど認められないかまたは全く認められない（発光面積割合がしきい値Ｒ１未満である）場合、画素を構成する発光機能領域（有機ＥＬ素子のｐｎ接合部）以外の箇所、例えば有機ＥＬ素子とＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路との境界での、隣接画素の陽極層間などの短絡欠陥が疑われる。

図７（Ａ）は、一例として、隣接画素の陽極層が、陽極層の材料のエッチング不良などによりブリッジされることで生じた短絡欠陥３０１を、模式的に示した図である。

図７（Ｂ）は、他の一例として、隣接画素の陽極層が、製造時の異物の付着によりブリッジされることで生じた短絡欠陥３０２を模式的に示した図である。

このような状況にある画素はレーザ光照射によるリペアができないため、不良でリペア不可能と判定される（判定テーブル１４２の不良でリペア不可能１４２ｄ）。その結果、パネルは不良でリペア不可能と判定される。

これに対し、リーク電流が検出され、かつリーク発光が認められる場合は、画素を構成する発光機能領域での短絡欠陥が疑われる。

図７（Ｃ）は、一例として、有機ＥＬ素子のｐｎ接合を形成する材料の一方が他方に浸入することにより生じた短絡欠陥３０３を模式的に示した図である。

このような状況にある画素は、異材料浸入により短絡欠陥が生じた箇所にリーク発光が認められる（判定テーブル１４２の不良でリペア可能１４２ｂ、および不良でリペア不可能１４２ｃ）。そこで、発光面積割合が、リペアにより発光機能が失われる割合の許容上限であるしきい値Ｒ３未満であれば（リペア可能１４２ｂ）、リーク発光が認められた箇所をレーザ光照射により高抵抗化することで、画素はリペアされる。

このように、リーク電流値と発光面積割合との組み合わせから、画素の不良原因が推定できるので、その結果、レーザ光照射によるリペアが可能な不良原因が疑われる画素をリペア可能と判定し、レーザ光照射によるリペアが不可能な不良原因が疑われる画素をリペア不可能と判定する。

以上説明したように、本発明の検査装置および検査方法によれば、有機ＥＬパネルの検査において、各画素について、リーク電流値と発光面積割合とを組み合わせることによって、個々の画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを、従来よりも正確に判定することが可能になる。

その結果、レーザ光照射によりリペア可能なパネルを正確に選別してリペアすることができるので、リペアコストが最適化され、製造コストの軽減に役立つ。

また、マップを表示することにより、個々の画素の判定の根拠となったリーク電流値と発光面積割合とが、視覚的に理解容易な態様でオペレータに提示される。

以上、本発明の検査装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものも本発明の範囲内に含まれる。

例えば、実施の形態では、一例として、しきい値テーブル１４１に保持されているリーク電流値の２つのしきい値、および発光面積割合の３つのしきい値と、判定テーブル１４２に保持されている判定値とを用いて、各画素の良否およびリペアの可否を判定することを説明した。これらのしきい値および判定値は、説明のための典型的な意味を持つものであり、実際には、もっと多くのしきい値および判定値を用いて判定を行ってもよい。

しきい値および判定値を増やすことにより、画素の良否判定の境界およびリペア可否判定の境界をきめ細かく定義することが可能になり、判定精度がさらに向上することが期待される。

また、しきい値テーブル１４１および判定テーブル１４２は、それぞれの内容を変更可能に保持するとともに、それぞれの内容を変更する変更部を検査装置１００に設けることが望ましい。そうすれば、しきい値テーブル１４１および判定テーブル１４２のそれぞれの内容を、例えば、検査される表示パネルの品種の変更に追従して変更し、また、検査後の表示パネルに生じる故障率をフィードバックするように変更することにより、好適な基準で判定を行うことができる。

本発明は、表示パネルの検査装置に利用でき、とりわけ有機ＥＬパネルの検査装置に好適に用いられる。

本発明の実施の形態に係る表示パネルの検査装置の機能的な構成の一例を示すブロック図 （Ａ）しきい値テーブルの内容の一例を示す図、（Ｂ）判定テーブルの内容の一例を示す図 検査方法の一例を示すフローチャート 判定方法の一例を示すフローチャート 表示される描画オブジェクトの一例を示す図 （Ａ）〜（Ｈ）表示されるマップおよび対応するリーク発光像の一例を示す図 （Ａ）〜（Ｃ）短絡欠陥が生じている状況を説明する模式図 従来の表示パネルの評価装置の基本構成を示すブロック図

符号の説明

１００ 検査装置
１１０ 第１受信部
１２０ 第２受信部
１３０ 算出部
１４０ テーブル部
１４１ しきい値テーブル
１４２ 判定テーブル
１５０ 判定部
１６０ 表示部
１７０ 送信部
２００ 有機ＥＬパネル
２０３ 描画オブジェクト
２０８、２１０、２１２、２１４ マップ
２０９、２１１、２１３、２１５ リーク発光像
３０１〜３０３ 短絡欠陥
４１０ 測定装置
４２０ 撮影装置
４３０ リペア装置
４４０ モニタ装置
５００ 有機ＥＬパネル
５０１ 走査電極
５０２ 接続手段
５０５ 電圧発生手段
５０６ 電流検出手段
５０７ 判断手段
５０８ データ電極

Claims (11)

1. 測定装置にて表示パネルの各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する第１受信ステップと、
   撮影装置にてリーク発光を生ぜしめる条件下で前記表示パネルを撮影して得た画像データを受信する第２受信ステップと、
   前記受信された画像データから、各画素においてリーク発光が生じている面積の画素の面積に対する割合を算出する算出ステップと、
   各画素について、前記受信されたリーク電流値と、前記算出された割合との組み合わせから、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定する判定ステップと
   を含むことを特徴とする表示パネルの検査方法。
2. 前記判定ステップは、
   各画素について、前記受信されたリーク電流値を、１つ以上のしきい値と比較する第１比較サブステップと、
   各画素について、前記算出された割合を、１つ以上のしきい値と比較する第２比較サブステップとを含み、
   各画素について、前記第１比較サブステップでの比較結果と、前記第２比較サブステップでの比較結果との組み合わせから、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定する
   ことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
3. 前記判定ステップで、
   前記リーク電流値が、不良判定下限である第１しきい値未満であり、かつ前記リーク発光を生じている面積の割合が、不良判定下限である第２しきい値未満である場合のみ、画素は良好と判定する
   ことを特徴とする請求項２に記載の検査方法。
4. 前記判定ステップで、
   前記リーク電流値が、前記第１しきい値以上である場合、
   前記リーク発光を生じている面積の割合が、リペアにより発光機能が失われる割合の許容上限である第３しきい値以上であるか、または、発光機能領域以外でのリークが示唆される上限である第４しきい値未満であれば、画素は不良でリペア不可能と判定し、前記リーク発光を生じている面積の割合が、前記第３しきい値未満かつ前記第４しきい値以上であれば、画素は不良でリペア可能と判定する
   ことを特徴とする請求項３に記載の検査方法。
5. 前記判定ステップは、
   リーク電流値と、リーク発光が生じている面積の画素の面積に対する割合との複数の組み合わせに対応して、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のうちいずれの１つであるかを示す値を記録しているテーブルから、前記受信されたリーク電流値と前記算出された割合とに対応する値を参照する参照サブステップを含み、
   画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のうち、前記参照された値で示される１つを判定結果とする
   ことを特徴とする請求項２に記載の検査方法。
6. さらに、
   複数の画素について、前記受信されたリーク電流値と、前記算出された割合とを、モニタ装置に表示する表示ステップを含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
7. 前記表示ステップで、
   複数の画素について、前記受信されたリーク電流値に対応する表示属性と、前記算出された割合に対応する大きさとを持つ描画オブジェクトを、画素の配置と相似な配置で前記モニタ装置に表示する
   ことを特徴とする請求項６に記載の検査方法。
8. 前記判定ステップで、各画素の判定結果から、前記表示パネルが全体として良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定し、
   さらに、前記表示パネルが全体として不良でリペア可能と判定された場合のみ、前記表示パネルのリークのリペアを指示するリペア指示データをリペア装置に送信する送信ステップを含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
9. 測定装置にて表示パネルの各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する第１受信部と、
   撮影装置にてリーク発光を生ぜしめる条件下で前記表示パネルを撮影して得た画像データを受信する第２受信部と、
   前記受信された画像データから、各画素においてリーク発光が生じている面積の画素の面積に対する割合を算出する算出部と、
   各画素について、前記受信されたリーク電流値と、前記算出された割合との組み合わせから、画素が良好、不良でリペア可能、および不良でリペア不可能のいずれであるかを判定する判定部と
   を備えることを特徴とする表示パネルの検査装置。
10. さらに、
    複数の画素について、前記受信されたリーク電流値と、前記算出された割合とを、モニタ装置に表示する表示部を備える
    ことを特徴とする請求項９に記載の検査装置。
11. 前記表示部は、
    複数の画素について、前記受信されたリーク電流値に対応する表示属性と、前記算出された割合に対応する大きさとを持つ描画オブジェクトを、画素の配置と相似な配置で前記モニタ装置に表示する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の検査装置。

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