JP2009260018A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光照射の総時間が1秒以下の光照射加熱において、ピークが発光出力LPとなる出力波形にて半導体ウェハーに光照射を行う第1段階と、そのピークが過ぎた後に発光出力LPよりも小さな発光出力にて半導体ウェハーWに追加の光照射を行う第2段階と、によって構成される2段階照射を行う。第2段階の発光出力はピーク時の発光出力LPの3分の2以下である。第1段階の光照射時間は0.1ミリセカンド以上10ミリセカンド以下であり、第2段階の光照射時間は5ミリセカンド以上である。半導体ウェハーの表面温度を概ね一定の処理温度T2に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができる。
【選択図】図9
Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
31 パルス発生器
32 波形設定部
33 入力部
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
91 トリガー電極
92 ガラス管
93 コンデンサ
94 コイル
96 スイッチング素子
97 トリガー回路
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (8)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
ピークが第1の発光出力となる出力波形にて基板に光照射を行う第1光照射工程と、
前記ピークを過ぎた後に前記第1の発光出力よりも小さな発光出力にて基板に追加の光照射を行う第2光照射工程と、
を備え、
前記第1光照射工程での光照射時間と前記第2光照射工程での光照射時間との合計が1秒以下であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記ピークを過ぎた後に前記第1光照射工程での発光出力が前記第1の発光出力の3分の2以下となったときに前記第2光照射工程による追加の光照射を開始することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1または請求項2記載の熱処理方法において、
前記第1光照射工程での光照射時間は0.1ミリセカンド以上10ミリセカンド以下であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項3記載の熱処理方法において、
前記第2光照射工程での光照射時間は5ミリセカンド以上であることを特徴とする熱処理方法。 - 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射する光照射手段と、
前記光照射手段の発光出力を制御する発光制御手段と、
を備え、
前記発光制御手段は、光照射の総時間が1秒以下となる範囲内にて、ピークが第1の発光出力となる出力波形にて基板に光照射を行いつつ、前記ピークを過ぎた後に前記第1の発光出力よりも小さな発光出力にて基板に追加の光照射を行うように前記光照射手段の発光出力を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5記載の熱処理装置において、
前記発光制御手段は、前記ピークを過ぎた後に発光出力が前記第1の発光出力の3分の2以下となったときに前記追加の光照射を開始するように前記光照射手段の発光出力を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5または請求項6記載の熱処理装置において、
前記追加の光照射を開始するまでの光照射時間は0.1ミリセカンド以上10ミリセカンド以下であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項7記載の熱処理装置において、
前記追加の光照射を行う時間は5ミリセカンド以上であることを特徴とする熱処理装置。
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