JP2013161934A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハーWを収容するチャンバー6の上側には上側フラッシュランプUFLが設けられ、下側には下側フラッシュランプLFLが設けられている。半導体ウェハーWの裏面に下側フラッシュランプLFLからフラッシュ光を照射して補助加熱を行い、その後に半導体ウェハーWの表面に上側フラッシュランプUFLからフラッシュ光を照射して表面を目標温度に到達させている。半導体ウェハーWの裏面における光吸収率の面内分布は均一であるため、裏面へのフラッシュ光照射では全面を均一に加熱することができる。表面へのフラッシュ光照射はパターンの影響を受けるものの、装置における全加熱工程としては、フラッシュ光照射時における半導体ウェハーWの表面の光吸収率のパターン依存性を軽減することができる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に係る熱処理装置1の要部構成を示す図である。この熱処理装置1は、基板としての略円形の半導体ウェハーWにフラッシュ光を照射して加熱処理を行うフラッシュランプアニール装置である。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図8は、第2実施形態の熱処理装置1aの要部構成を示す図である。図8において、第1実施形態の図1と同一の要素については同一の符号を付している。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、保持部7がベルヌーイチャック170を備える点、および、下側加熱部4が光源としてフラッシュランプFLのみを備える点である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第2実施形態のベルヌーイチャックを図14に示すようなものとしても良い。図14において、図9と同一の要素については同一の符号を付している。図9のベルヌーイチャック170が面一の載置面171を備えていたのに対して、図14のベルヌーイチャック170aは円環状の載置部177を備えている。円環状の載置部177の径は、半導体ウェハーWの径よりも小さい。その載置部177の周囲を取り囲むように円環形状の凹部172が設けられている。
2 排気部
3 制御部
4 下側加熱部
5 上側加熱部
6 チャンバー
7 保持部
8 ガス供給部
65 熱処理空間
71 遮光部材
72 支持リング
79 移載部
96 IGBT
170,170a ベルヌーイチャック
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
LFL 下側フラッシュランプ
UFL 上側フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (18)
- 表面にパターンが形成された基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を支持する支持部材と、
前記支持部材に支持された基板の裏面にフラッシュ光を照射して前記基板を補助加熱する第1フラッシュランプと、
補助加熱された前記基板の表面にフラッシュ光を照射して当該表面を所定の目標温度に加熱する第2フラッシュランプと、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記第1フラッシュランプのフラッシュ光照射時間は、前記裏面から前記表面への熱伝導に要する熱伝導時間よりも長時間、かつ、1秒以下であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1または請求項2記載の熱処理装置において、
前記第1フラッシュランプからのフラッシュ光照射による前記裏面の昇温速度は毎秒1000℃以上であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記第1フラッシュランプによる補助加熱が終了してから前記第2フラッシュランプのフラッシュ光照射が開始されるまでの時間は、前記裏面から前記表面への熱伝導に要する熱伝導時間よりも長時間であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記第1フラッシュランプによる補助加熱が終了した後、前記表面と前記裏面との温度差が10℃以下となった後に前記第2フラッシュランプのフラッシュ光照射を開始することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記第1フラッシュランプの発光出力は、ピーク到達後に補助加熱の終了時点に向けてゼロに漸近することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記第1フラッシュランプおよび前記第2フラッシュランプは棒状ランプであり、
前記第1フラッシュランプと前記第2フラッシュランプとは互いに直交するように配置されることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記支持部材の周囲に前記第1フラッシュランプと前記第2フラッシュランプとの間を遮光する遮光部材を設けることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記第1フラッシュランプによる補助加熱が開始されるよりも前に前記裏面に光照射を行って前記基板を予備加熱するハロゲンランプをさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項9記載の熱処理装置において、
前記第1フラッシュランプは前記ハロゲンランプよりも前記支持部材に近い位置に配置されることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記支持部材は、石英にて形成され、ベルヌーイ効果によって前記基板を非接触で保持するベルヌーイチャックを含むことを特徴とする熱処理装置。 - 表面にパターンが形成された基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
チャンバー内にて支持部材に支持された基板の裏面にフラッシュ光を照射して前記基板を補助加熱する裏面フラッシュ加熱工程と、
補助加熱された前記基板の表面にフラッシュ光を照射して当該表面を所定の目標温度に加熱する表面フラッシュ加熱工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項12記載の熱処理方法において、
前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射時間は、前記裏面から前記表面への熱伝導に要する熱伝導時間よりも長時間、かつ、1秒以下であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項12または請求項13記載の熱処理方法において、
前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射による前記裏面の昇温速度は毎秒1000℃以上であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項12から請求項14のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記裏面フラッシュ加熱工程での補助加熱が終了してから前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射が開始されるまでの時間は、前記裏面から前記表面への熱伝導に要する熱伝導時間よりも長時間であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項12から請求項14のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記裏面フラッシュ加熱工程での補助加熱が終了した後、前記表面と前記裏面との温度差が10℃以下となった後に前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射を開始することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項12から請求項16のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光の発光出力は、ピーク到達後に補助加熱の終了時点に向けてゼロに漸近することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項12から請求項17のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記裏面フラッシュ加熱工程の前にハロゲンランプから前記裏面に光照射を行って前記基板を予備加熱する予備加熱工程をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045983A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2017045982A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2018046141A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP2019169537A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10790171B2 (en) | 2015-08-26 | 2020-09-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light-irradiation heat treatment method and heat treatment apparatus |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003257882A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの熱処理装置および熱処理方法 |
JP2008147533A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Ushio Inc | 閃光放射装置 |
JP2009188210A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | 不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置 |
JP2009260018A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2010093282A (ja) * | 2000-12-04 | 2010-04-22 | Mattson Technology Canada Inc | 熱処理方法およびシステム |
JP2011119562A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2011210790A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-02-03 JP JP2012022433A patent/JP5931477B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010093282A (ja) * | 2000-12-04 | 2010-04-22 | Mattson Technology Canada Inc | 熱処理方法およびシステム |
JP2003257882A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの熱処理装置および熱処理方法 |
JP2008147533A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Ushio Inc | 閃光放射装置 |
JP2009188210A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | 不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置 |
JP2009260018A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2011119562A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2011210790A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045983A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2017045982A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2020061589A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-04-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
US10790171B2 (en) | 2015-08-26 | 2020-09-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light-irradiation heat treatment method and heat treatment apparatus |
US10978319B2 (en) | 2015-08-26 | 2021-04-13 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light-irradiation heat treatment method and heat treatment apparatus |
JP2018046141A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
US10950472B2 (en) | 2016-09-14 | 2021-03-16 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light-irradiation thermal treatment apparatus |
US11881420B2 (en) | 2016-09-14 | 2024-01-23 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light-irradiation thermal treatment apparatus |
JP2019169537A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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