JP2009259921A - 固体撮像素子の駆動方法、及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】受光感度を低下させることなく、また製造のばらつきや条件に関わらず、全ての画素において電荷の完全転送を実現する。
【解決手段】転送ゲート電極21を有する転送トランジスタと、リング状ゲート電極15を有する信号出力用トランジスタとを持つ閾値変調型固体撮像素子において、転送トランジスタがオン状態である期間に、信号出力用トランジスタのドレイン領域18の電圧を一時的に直前の値よりも高くする。ドレイン領域18はフォトダイオード20の一部を兼ねており、上記の電圧を高くすることによりフォトダイオード20のポテンシャルを一時的に高くすることができる。これにより、フォトダイオード20から転送トランジスタを通してソース領域16へ転送される電荷の完全転送を実現する。
【選択図】図3
【解決手段】転送ゲート電極21を有する転送トランジスタと、リング状ゲート電極15を有する信号出力用トランジスタとを持つ閾値変調型固体撮像素子において、転送トランジスタがオン状態である期間に、信号出力用トランジスタのドレイン領域18の電圧を一時的に直前の値よりも高くする。ドレイン領域18はフォトダイオード20の一部を兼ねており、上記の電圧を高くすることによりフォトダイオード20のポテンシャルを一時的に高くすることができる。これにより、フォトダイオード20から転送トランジスタを通してソース領域16へ転送される電荷の完全転送を実現する。
【選択図】図3
Description
本発明は固体撮像素子の駆動方法、及び撮像装置に係り、特にフォトダイオードにより光電変換して得られた電荷を、リング状ゲート電極を持つ信号出力トランジスタからしきい値の変化として出力する構造を有する固体撮像素子の駆動方法、及び撮像装置に関する。
従来の固体撮像素子として、フォトダイオードにより光電変換して得られた電荷を、リング状ゲート電極を持つ信号出力トランジスタからしきい値の変化として出力する構造を有する閾値変調型CMOSイメージセンサが知られている(例えば、特許文献1参照)。
図3(A)は特許文献1記載の従来の固体撮像素子の1画素の上面図、同図(B)は同図(A)のX−X’線に沿う断面図を示す。図3(A)、(B)において、CMOSイメージセンサは、p+型基板11上にp-型エピタキシャル層12を有し、このエピタキシャル層12の表面にnウェル13を有する。nウェル13上にはゲート酸化膜14を挟んで第1のゲート電極である平面形状がリング状のゲート電極15が形成されている。
リング状ゲート電極15の中心部に対応したnウェル13の表面にはn+型のソース領域16が形成されており、そのソース領域16に隣接してソース近傍p型領域17が形成され、更にソース領域16とソース近傍p型領域17の外側の離間した位置にはn+型のドレイン領域18が形成されている。更に、ドレイン領域18の下のnウェル13中には埋め込みのp-型領域19がある。この埋め込みのp-型領域19とnウェル13は、図3(A)に示す埋め込みフォトダイオード20を構成している。
埋め込みフォトダイオード20とリング状ゲート電極15との間には、第2のゲート電極である転送ゲート電極21がある。ドレイン領域18、リング状ゲート電極15、ソース領域16、転送ゲート電極21には、それぞれメタル配線であるドレイン電極配線22、リング状ゲート電極配線23、ソース電極配線(出力線)24、転送ゲート電極配線25が接続されている。また、上記の各構成の上方には、図3(B)に示すように絶縁膜28を介して遮光膜26が形成されており、その遮光膜26の埋め込みフォトダイオード20に対応した位置には開口部27が穿設されている。光は、開口部27を通して埋め込みフォトダイオード20に達して光電変換される。
次に、CMOSセンサの画素構造と撮像素子全体の構造について、電気回路で表現した図4と共に説明する。同図において、まず、画素はm行n列に画素敷き詰め領域31に配置されている。図4ではこれらm行n列の画素のうち、s行t列の一画素32を代表として等価回路で表現している。この画素32は、リング状ゲートMOSFET33と、フォトダイオード34と、転送ゲートMOSFET35とを有して構成されている。リング状ゲートMOSFET33のドレインがフォトダイオード34の一方(n側)の端子とドレイン電極配線36(図3の22に相当)に接続され、転送ゲートMOSFET35のソースがフォトダイオード34の他方(p側)の端子に接続され、ドレインがリング状ゲートMOSFET33のバックゲート(図3のソース近傍p型領域17)と接続されている。
図4において、m行n列の各画素から1フレーム分の信号を読み出すために、まず読み出しを始める合図を出すフレームスタート信号を発生させるフレームスタート信号発生回路37がある。このフレームスタート信号は撮像素子の外から与えられてもよい。このフレームスタート信号は垂直シフトレジスタ38に供給される。垂直シフトレジスタ38は、m行n列の各画素のうちの何行目の画素を読み出すかの信号を出力する。
各行の画素はリング状ゲート電極、転送ゲート電極、ドレイン電極の電位を制御する制御回路に接続されており、これらの制御回路には垂直レジスタ38の出力信号が供給される。例えば、s行目の各画素のリング状ゲート電極は、リング状ゲート電極配線39を介してリング状ゲート電位制御回路40に接続され、各画素の転送ゲート電極は、転送ゲート電極配線41を介して転送ゲート電位制御回路42に接続され、各画素のドレイン電極は、ドレイン電極配線36を介してドレイン電位制御回路43に接続されている。上記の各制御回路40、42、43には垂直シフトレジスタ38の出力信号が供給される。
リング状ゲート電極は、行毎に制御されるので横方向に配線するが、転送ゲート電極は全画素で一斉に制御されるので、配線方向は問わず、縦方向でもよい。ここでは横方向に配線するものとして表現する。ドレイン電位制御回路43は、全画素を一斉に制御するが、行毎に制御する可能性もあるので、フレームスタート信号発生回路37と垂直レジスタ38の両方と接続して表現している。
画素32のリング状ゲートMOSFET33のソース電極は、ソース電極配線44(図3の24に相当)を介して2分岐され、一方はスイッチSW1を介してソース電極電位を制御するソース電位制御回路45に接続され、他方はスイッチSW2を介して信号読み出し回路46に接続されている。信号を読み出すときにはスイッチSW1をオフ、スイッチSW2をオンにし、ソース電位を制御する時にはスイッチSW1をオン、スイッチSW2をオフにする。信号は縦方向に出力されるので、ソース電極の配線方向は縦にする。
画素32の出力はリング状ゲートMOSFET33のソースから行われ、出力線44には負荷、例えば電流源47が繋がっている。従って、信号読み出し回路46はソースフォロア回路となっている。電流源47にはキャパシタC1とキャパシタC2の各一端がスイッチsc1とスイッチsc2を介して繋がっている。他端が接地されているキャパシタC1、C2の各一端は、また差動アンプ48の反転入力端子と非反転入力端子に繋がっており、両キャパシタC1及びC2の電位差を差動アンプ48から出力するようになっている。
このような信号読み出し回路46はCDS回路(相関二重サンプリング回路)と呼ばれ、ここに描かれた方式以外にも種々の回路が提案されており、この回路に限るわけではない。信号読み出し回路46から出力された信号は、出力スイッチswtを介して出力される。同じ列にある出力スイッチswtは、水平シフトレジスタ49から出力される信号によりスイッチング制御される。
次に、図4に示すCMOSセンサの駆動方法の概略について、図5のタイミングチャートと共に説明する。まず、図5(1)に示す期間では、埋め込みのフォトダイオード(図3(A)の20、図4の34等)に光が入射し、光電変換効果により電子・ホール対が発生し、フォトダイオードの埋め込みp-型領域19にホールが蓄積される。このとき転送ゲート電極21の電位はドレイン電位Vddと同じになっており、転送ゲートMOSFET35はオフ状態である。これらの蓄積は、前フレームの読み出し操作が行われている時に同時に実行されている。
続く図5(2)に示す期間では、前フレームの読み出しが終了すると、同図(A)に示すように新しいフレームスタート信号が発信されて、次のフレームの読み出しが始まる。その読み出しの最初に、全画素一斉にフォトダイオード(図3(A)の20、図4の34等)からリング状MOSFET33のバックゲート(ソース近傍p型領域(図3の17))にホールを転送する。そのため、図5(B)に示すように転送ゲート電位制御回路42から出力される転送ゲート制御信号がVddからLow2に下がり、転送ゲート電極(図3の21)の電位がLow2となり、転送ゲートMOSFET35がオン状態になる。
このとき、リング状ゲート電極配線39の電位は、図5(D)に示すように、LowからLow1になるが、Low2の方がLow1よりも大きい。Low1はLowと同じでもよい。最も簡便にはLow1=Low=0(V)に設定する。
一方、ソース電位制御回路45からスイッチSW1を介してソース電極配線44からリング状ゲートMOSFET33のソースに供給されるソース電位をはじめとする、全画素のソース電位は図5(E)に示すように電位S1に設定される。S1>Low1であり、これにより、リング状ゲートMOSFET33がオフのままであり、電流が流れないようにする。この結果、全画素のフォトダイオードに蓄積された電荷(ホール)が、対応する画素のリング状ゲート電極の下に一斉に転送される。
続いて、図5(3)に示す期間では、同図(B)に示すように転送ゲート電極が再びVddになり、転送ゲートMOSFET35がオフになる。これにより、フォトダイオード(図3(A)の20、図4の34等)では再び光電変換効果により電子・ホール対が発生し、フォトダイオードの埋め込みp-型領域19にホールが蓄積され始める。この蓄積動作は次の電荷転送時まで続けられる。
一方、読み出し操作は行単位で順番に行われるので、1行目〜(s−1)行目を読み出す期間(3)では、待機状態となる。このとき、s行t列のリング状ゲートMOSFET33のゲート電位はLow、ソース電位はS1であり、オフ状態である。ソース電位は他の行からの信号読み出しが行われている間、その画素からの信号の値により、様々な値をとり得る。また、リング状ゲート電極15の電位は行毎に様々な値をとり得る。
続く図5(4)〜(6)に示す期間では、画素の信号読み出しが行われる。続いて、図5に(7)で示す期間では、再びリング状ゲート電極15の電位を図5(B)に示すようにLowにし、ソース近傍p型領域17にはホールがない状態で、全ての行の信号処理が終了するまで(s+1行〜n行の画素の読み出しが終了するまで)待機する。なお、画素のドレイン18の電圧は、図5(C)に示すように、図5(1)〜(7)の期間において一定である。
また、フォトダイオードのポテンシャルを一時的に高くして、フォトダイオードに蓄積されている電荷を完全に転送する固体撮像素子も従来知られている(例えば、特許文献2参照)。この特許文献2記載の固体撮像素子では、フォトダイオードを構成するn層とp層のうち、n層の上にフォトダイオード表面のポテンシャルを制御する制御電極を設け、フォトダイオードのn層とp層間に電圧を印加することにより、フォトダイオードのポテンシャルを一時的に高くする構造である。
しかしながら、特許文献1記載の従来の固体撮像素子は、転送ゲート電極21を通してソース近傍p型領域17にフォトダイオード20から電荷を転送する際に、製造のばらつきや、製造の条件によっては、フォトダイオード20に蓄積された電荷をすべてソース近傍p型領域17に転送できず、フォトダイオード20に残った電荷がノイズや残像の原因となることがある。
このことについて、図6と図7のポテンシャル形状を示す図と共に説明する。図6は、転送ゲートMOSFET(図4の35)がオフのときの、フォトダイオード(図4の34、図3(A)の20)から転送ゲートMOSFET(図4の35)を介してリング状ゲートMOSFET(図4の33)のバックゲート(図3のソース近傍p型領域17)へと至る電荷転送経路のポテンシャル形状を示す。この図6は、図3(A)の線分CC’の範囲で、図3(B)に示されているフォトダイオード20の埋め込みp-領域19と、nウェル13及びソース近傍p型領域17の中で、最もポテンシャルの低い箇所の値を集めて表示した図である。この状態で光がフォトダイオード20に入射すると、フォトダイオード20の埋め込みp-領域19に電荷が蓄積されていく。
図7は、転送ゲートMOSFET(図4の35)がオンのときの、前記電荷転送経路のポテンシャル形状を示す。図7に実線Iで示すように、フォトダイオード20の埋め込みp-領域19内のポテンシャルの底から、ソース近傍p型領域17のポテンシャルの底までの間に上に凸となる部分がなく、フォトダイオード20のポテンシャルの底よりもソース近傍p型領域17のポテンシャルの底が低くなるのであれば、フォトダイオード20に蓄積された電荷のソース近傍p型領域17への完全転送が行われる。
しかしながら、このようなポテンシャル形状を実現するためには、不純物注入濃度などの製造の条件設定が難しく、またそのように設計しても予期せぬ製造上のばらつきや他の要因によって、図7に点線IIで示すように、転送ゲートMOSFET35をオンにしたときに、ポテンシャル形状に上に凸である部分が残って窪みが生じ、この窪みに一部の電荷が転送されず残ってしまうということが起こり得る。
また、特許文献2記載の従来の固体撮像素子では、フォトダイオード表面のポテンシャルを制御するための専用の制御電極が必要であり、また、その制御電極はフォトダイオードを構成するn層の上に設けるためにフォトダイオードに入射する光が制御電極により遮光され、受光感度が低下するという問題がある。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、受光感度を低下させることなく、また製造のばらつきや条件に関わらず、全ての画素において電荷の完全転送を実現し得る固体撮像素子の駆動方法、及び撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、第1の発明は、基板上に形成され、光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域と、リング状ゲート電極、リング状ゲート電極の中央開口部に対応する領域に設けられたソース領域、ソース領域を取り囲み、かつ、リング状ゲート電極の外周に達しないように設けられたソース近傍領域、及び、光電変換領域に亘って設けられたドレイン領域を有する信号出力用トランジスタと、光電変換領域に蓄積された電荷をソース近傍領域へ転送する電荷転送トランジスタと、を備えた画素が、複数配列された構造を有する固体撮像素子を駆動する固体撮像素子の駆動方法であって、
複数の画素の各々の電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、複数の画素の各々の信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする第1のステップと、電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、複数の画素の各々の光電変換領域に蓄積された電荷を、同じ画素のソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させる第2のステップと、を含むことを特徴とする。
複数の画素の各々の電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、複数の画素の各々の信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする第1のステップと、電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、複数の画素の各々の光電変換領域に蓄積された電荷を、同じ画素のソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させる第2のステップと、を含むことを特徴とする。
この発明では、電荷転送トランジスタをオン状態として、光電変換領域に蓄積された電荷を同じ画素のリング状ゲート電極の直下の基板に一斉に転送してソース近傍領域に蓄積させる際に、ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めるようにしたため、光電変換領域のポテンシャルを一時的に高くすることができる。
また、上記の目的を達成するため、第2の発明は、基板上に形成され、第1の導電型の第1領域、第1領域上に設けられた第2の導電型の第2領域、及び第2領域上にまで延在して設けられた第1の導電型の第3領域とを有し、外部から第3領域を通して第2領域に入射した光を電荷に光電変換し、この電荷を第2領域に蓄積する光電変換領域と、基板上に形成され、リング状ゲート電極、リング状ゲート電極の中央開口部に対応する領域に設けられた第1の導電型のソース領域、及びソース領域を取り囲み、かつ、リング状ゲート電極の外周に達しないように設けられた第2の導電型のソース近傍領域を有し、第3領域をドレイン領域とする信号出力用トランジスタと、光電変換領域の第2領域に蓄積された電荷をソース近傍領域へ転送する電荷転送トランジスタと、を備えた画素が、複数配列された構造を有する固体撮像素子を駆動する固体撮像素子の駆動方法であって、
複数の画素の各々の電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、複数の画素の各々の信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする第1のステップと、電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、複数の画素の各々の光電変換領域の第2領域に蓄積された電荷を、同じ画素のソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させる第2のステップと、を含むことを特徴とする。
複数の画素の各々の電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、複数の画素の各々の信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする第1のステップと、電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、複数の画素の各々の光電変換領域の第2領域に蓄積された電荷を、同じ画素のソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させる第2のステップと、を含むことを特徴とする。
この発明では、電荷転送トランジスタをオン状態として、光電変換領域に蓄積された電荷を同じ画素のリング状ゲート電極の直下の基板に一斉に転送してソース近傍領域に蓄積させる際に、信号出力用トランジスタのドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めるようにしたため、信号出力用トランジスタのドレイン領域を共用する光電変換領域のポテンシャルを一時的に高くすることができる。
また、上記の目的を達成するため、第3の発明は、電荷転送トランジスタをオフ状態とすると共に、ドレイン領域の印加電圧を直前の値に戻して、光電変換領域に外部から入射した光を光電変換して得た電荷の蓄積を開始する第3のステップと、複数の画素の光信号出力用トランジスタを順次に動作状態に制御して、各画素のソース近傍領域に蓄積されている電荷による電位変化を光信号出力用トランジスタのしきい値電圧の変化として読み出す第4のステップと、複数の画素の光信号出力用トランジスタをオン状態に制御して、ソース近傍領域に蓄積されている電荷を基板側に排出する第5のステップと、を更に含むことを特徴とする。
また、上記の目的を達成するため、第4の発明は、第1の発明と同様構成の固体撮像素子を有する撮像装置であって、複数の画素の各々の電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、複数の画素の各々の信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする電荷転送制御手段と、電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、複数の画素の各々の光電変換領域に蓄積された電荷を、同じ画素のソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させるドレイン制御回路と、を有することを特徴とする。
この発明では、ドレイン制御回路により、ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めるようにしたため、光電変換領域のポテンシャルを一時的に高くすることができる。
また、上記の目的を達成するため、第5の発明は、第2の発明と同様構成の固体撮像素子を有する撮像装置であって、複数の画素の各々の電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、複数の画素の各々の信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする電荷転送制御手段と、電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、複数の画素の各々の光電変換領域の第2領域に蓄積された電荷を、同じ画素のソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させるドレイン制御回路とを有することを特徴とする。
この発明では、信号出力用トランジスタのドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めるようにしたため、信号出力用トランジスタのドレイン領域を共用する光電変換領域のポテンシャルを一時的に高くすることができる。
また、上記の目的を達成するため、第6の発明は、電荷転送トランジスタをオフ状態とすると共に、ドレイン領域の印加電圧を直前の値に戻して、光電変換領域に外部から入射した光を光電変換して得た電荷の蓄積を開始する電荷蓄積制御手段と、複数の画素の光信号出力用トランジスタを順次に動作状態に制御して、各画素のソース近傍領域に蓄積されている電荷による電位変化を光信号出力用トランジスタのしきい値電圧の変化として読み出す読み出し手段と、複数の画素の光信号出力用トランジスタをオン状態に制御して、ソース近傍領域に蓄積されている電荷を基板側に排出する電荷排出手段とを、第4、第5の発明の構成に更に追加したことを特徴とする。
本発明によれば、光電変換領域に蓄積された電荷の転送時に、光電変換領域のポテンシャルを一時的に高くすることで、製造のばらつきなどに関わらず、より容易に電荷の完全転送を実現し、残存電荷に由来するランダムノイズや残像を抑制することができる。また、本発明によれば、制御電極などの光電変換領域への光の入射を制限するものは存在しないので、受光感度の低下を防止できる。
次に、本発明になる固体撮像素子の駆動方法、及び撮像装置の一実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
本実施の形態で駆動する固体撮像素子の構造は、図3(A)、(B)に示した特許文献1記載のCMOSセンサの1画素の上面図、同図(A)のX−X’線に沿う断面図に示した構造と同様であり、また撮像素子全体の構造を電気回路で表現した回路も図4と同じである。ただし、本実施の形態では、図4のドレイン電位制御回路43によるドレイン電位の制御方法が従来と異なる。
また、本実施の形態の撮像装置は、特許文献1記載のCMOSセンサを撮像素子として有する撮像装置であって、その回路構成は、図4と基本的には同じである。ただし、本実施の形態の撮像装置は、図4のドレイン電位制御回路43が従来の構成と異なり、本実施の形態特有の構成を有する。
ここで、図4に示した画素32内のリング状ゲートMOSFET33は、図3(B)ではリング状ゲート電極15直下のソース近傍p型領域17をゲート領域とし、n+型のソース領域16及びn+型のドレイン領域18を有するNチャネルMOSFETであり、信号出力用トランジスタを構成する。また、転送ゲートMOSFET35は、図3(B)では転送ゲート電極21直下のnウェル13をゲート領域、フォトダイオード20の埋め込みのp-型領域19をソース領域、ソース近傍p型領域17をドレイン領域とするPチャネルMOSFETであり、電荷転送トランジスタを構成する。本実施の形態では、リング状ゲートMOSFET33のn+型のドレイン領域18が、光電変換領域であるフォトダイオード20上にまで延在して設けられている点に着目した駆動を行う。
次に、本実施の形態の駆動方法について、図1のフローチャートと共に説明する。なお、図1(A)、(B)、(D)、(E)は、図5(A)、(B)、(D)、(E)の各信号波形と同一の信号波形を示す。
まず、s行目t列目の図4に示した画素32について代表して信号読み出し動作について説明する。図3に示したソース近傍p型領域17に、後述する電荷転送によりフォトダイオードからの電荷(ホール)が転送されて蓄積した状態であるものとする。この状態で、図1(F)に示す図4の垂直シフトレジスタ38の出力信号が、図1(I)に示すようにローレベルである期間(4)において、リング状ゲート電位制御回路40からリング状ゲート電極配線39に出力される制御信号により、リング状ゲート電極15の電位を図1(L)に示すように、LowからVg1に上げる。
ここで、上記の電位Vg1は、前述した各電位Low、Low1、Vddとの間に
Low≦Low1≦Vg1≦Vdd (ただし、Low<Vdd)
なる不等式が成立する電位である。また、上記の期間(4)ではスイッチSW1が図1(J)に示すようにオフ、スイッチSW2が同図(K)に示すようにオン、スイッチsc1が同図(N)に示すようにオン、スイッチsc2が同図(O)に示すようにオフとされる。
Low≦Low1≦Vg1≦Vdd (ただし、Low<Vdd)
なる不等式が成立する電位である。また、上記の期間(4)ではスイッチSW1が図1(J)に示すようにオフ、スイッチSW2が同図(K)に示すようにオン、スイッチsc1が同図(N)に示すようにオン、スイッチsc2が同図(O)に示すようにオフとされる。
この結果、図4のリング状ゲートMOSFET33のソースに接続されたソースフォロア回路が働き、リング状ゲートMOSFET33のソース電位は、図1(M)に示すように期間(4)ではS2(=Vg1−Vth1)となる。ここで、Vth1とはリング状ゲートMOSFET33のバックゲート(図3のソース近傍p型領域17)にホールがある状態での、リング状ゲートMOSFET33のしきい値電圧である。このソース電位S2がオンとされているスイッチsc1を通してキャパシタC1に記憶される。
続く図1(5)に示す期間では、リング状ゲート電位制御回路40からリング状ゲート電極配線39に出力される制御信号により、リング状ゲート電極15の電位を図1(L)に示すようにHigh1に上げると同時に、同図(J)、(K)に示すようにスイッチSW1をオン、スイッチSW2をオフとすると共に、図4のソース電位制御回路45から出力されるソース電位を図1(M)に示すようにHighsに上げる。ここで、High1、Highs>Low1である。
上記の電位High1及びHighsの値は同じであっても異なっていてもよいが、設計の簡単のためにはHigh1、Highs≦Vddが望ましい。簡便な設定では、High1=Highs=Vddとする。また、リング状ゲートMOSFET33がオンして電流が流れないような電位設定にすることが望ましい。この結果、ソース近傍p型領域17のポテンシャルが上昇し、nウェル13のバリアを越えて電荷(ホール)がエピタキシャル層12に排出される(リセット)。
続く図1(6)に示す期間では、再び前記期間(4)と同じ信号読み出し状態にする。ただし、期間(4)とは異なり、図1(N)、(O)に示すように、スイッチsc1はオフ、スイッチsc2はオンとする。リング状ゲート電極電位は図1(L)に示すように期間(4)と同じVg1とする。しかし、この期間(6)では直前の期間(5)で電荷が基板に排出されていて、ソース近傍p型領域17には電荷が存在しないので、リング状ゲートMOSFET33のソース電位は、図1(M)に示すように期間(6)ではS0(=Vg1−Vth0)となる。ここでVth0は、バックゲート(ソース近傍p型領域17)に電荷がない状態でのリング状ゲートMOSFET33のしきい値電圧である。
このソース電位S0はオンとされたスイッチsc2を介してキャパシタC2に記憶される。差動アンプ48はキャパシタC1とC2の電位差を出力する。すなわち、差動アンプ48は(Vth0−Vth1)を出力する。この出力値(Vth0−Vth1)は、電荷によるしきい値変化分である。その後、水平シフトレジスタ49から出力される図1(G)に示すパルスのうち、同図(P)に示すt列目の出力パルスに基づき、図4の出力スイッチswtがオンとされ、このswtのオン期間に図1(Q)にハッチングにより模式的に示すように、差動アンプ48からの電荷によるしきい値変化分が画素32の出力信号Voutとしてセンサ外へ出力される。
続いて、図1に(7)で示す期間では、再びリング状ゲート電極15の電位を図1(C)に示すようにLowにし、ソース近傍p型領域17には電荷がない状態で、全ての行の信号処理が終了するまで(s+1行〜n行の画素の読み出しが終了するまで)待機する。これらの読み出し期間中、フォトダイオード34では光電変換効果による電荷の蓄積が進行している。その後、前記期間(1)に戻って、電荷の転送から繰り返す。これにより、各画素から図1(H)に示す出力信号が読み出される。すべての画素から信号を読み出すと、再び次のフレームが開始される。
なお、図1の期間(5)のリセット時の図4に示したソース電極配線44の電位供給は、ソース電位制御回路45から供給する以外の次の方法もある。すなわち、上記期間(5)でスイッチSW1、SW2をともにオフとして、ソース電極配線44をフローティングにする。ここでリング状ゲート電極配線39の電位をHigh1とすると、リング状ゲートMOSFET33がオン状態となり、ソース電極にドレインから電流が供給され、ソース電極電位が上昇する。
この結果、ソース近傍p型領域17のポテンシャルが持ち上げられ、nウェル13のバリアを越えて、ホールがp型エピタキシャル層12に排出される(リセット)。電荷が完全に排出されたときのソース電極電位は、High1−Vth0になる。この方法では、ソース電位制御回路45のうち、Highsを供給するトランジスタを削減することができ、その結果、チップ面積を減らすことができる。
次に、画素32の上記の信号読み出しの直前に、全画素一斉にフォトダイオード(図3(A)の20、図4の34等)からリング状MOSFET33のバックゲート(ソース近傍p型領域(図3の17))に電荷を転送するときの電荷転送動作について説明する。
電荷転送時には、図1(B)に示すように、図4に示した転送ゲート電位制御回路42から出力される転送ゲート制御信号がVddからLow2に下がり、転送ゲート電極(図3の21)の電位をLow2とし、転送ゲートMOSFET35をオン状態にすると共に、リング状ゲート電極配線39の電位を、図1(D)に示すようにLow1とすることでリング状ゲートMOSFET33をオフに制御し、電流が流れないようにする。この結果、全画素のフォトダイオードに蓄積された電荷(ホール)が、対応する画素のリング状ゲート電極の下に一斉に転送される。
ここで、本実施の形態では、転送ゲートMOSFET35をオン状態にしている期間内において、図4に示したドレイン電位制御回路43はドレイン電極配線36の電位を、図1(C)に示すように、直前の電位レベルよりも一時的に高レベルに変化させる。すなわち、リング状ゲートMOSFET33のドレインへの印加電圧を一時的に直前の電圧よりも高くする。
図2は、転送ゲートMOSFET(図4の35)がオンのときの、フォトダイオード(図4の34、図3(A)の20)から転送ゲートMOSFET(図4の35)を介してリング状ゲートMOSFET(図4の33)のバックゲート(図3のソース近傍p型領域17)へと至る電荷転送経路のポテンシャル形状を示す。
図7と共に説明したように、従来の固体撮像素子では、予期せぬ製造上のばらつきや他の要因によって、図2に点線II(図7の点線IIと同様)で示すように、転送ゲートMOSFET35をオンにしたときに、ポテンシャル形状に上に凸である部分が残って窪みが生じ、この窪みに一部の電荷が転送されず残ってしまうということが起こり得る。
これに対し、本実施の形態では、転送ゲートMOSFET35のオンの期間内の所定の期間、リング状ゲートMOSFET33のドレインへの印加電圧を一時的に直前の電圧よりも高くする。
n+型のドレイン領域18は、図3(A)、(B)に示すように、埋め込みのp-型領域19とnウェル13とを有して構成されるフォトダイオード20(図4の34)上まで延在するように形成されており、表面に発生するノイズの影響をフォトダイオード20が受けないようにするためのブロック層としての効果を有する一方で、等価回路(図4)に示されるように、フォトダイオード20(図4の34)の一端と一体化されている。このため、転送ゲートMOSFET35のオンの期間内の所定の期間、リング状ゲートMOSFET33のドレインへの印加電圧を一時的に直前の電圧よりも高くすると、フォトダイオード(図4の34、図3(A)の20)の埋め込みのp-型領域19とn+型のドレイン領域18とを含むフォトダイオード近傍の基板中のポテンシャルに図2に矢印で示すように勾配が加えられる。
これにより、図2に実線IIIで示すように、電荷の完全転送を妨げるポテンシャルの窪みが消失し、フォトダイオード20(図4の34)に蓄積された電荷は、全て、転送ゲートMOSFET(図4の35)を介してリング状ゲートMOSFET(図4の33)のバックゲート(図3のソース近傍p型領域17)に移動する。
このように、本実施の形態によれば、転送ゲートMOSFET35がオンになっている期間に、フォトダイオード20(34)のn型領域と一体化したリング状ゲートMOSFET33のドレイン領域(図3(A)、(B)の18)の電圧を一時的に高めるように、このn+型のドレイン領域18と埋め込みのp-型領域19との間にドレイン電圧を印加することにより、フォトダイオード20(34)のポテンシャルを高めるようにしたため、製造のばらつきなどに関わらず、より容易に電荷の完全転送を実現でき、残存電荷に由来するランダムノイズや残像を抑制することができる。
また、本実施の形態では、特許文献2記載の発明のように、専用の制御電極などの光を遮光するものをフォトダイオード上に設ける構成ではないので、フォトダイオードの受光感度を低下させることはない。
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、例えば半導体の導電型のp型とn型とを実施の形態のそれとは逆に作り、電荷として電子を用い、ポテンシャルの方向を逆にとれば、実施の形態と全く同じ効果が得られることは勿論である。また、本発明は、本出願人が先に開示した特開2006−100761号公報に記載の一例の固体撮像素子を一実施の形態として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記の特開2006−100761号公報に記載した各例の固体撮像素子のいずれにも本発明は適用可能である。
11 p+型基板
12 p-型エピタキシャル層
13 nウェル
15 リング状ゲート電極
16 n+型ソース領域
17 ソース近傍p型領域
18 n+型ドレイン領域
19 埋め込みp-型領域
20、34 フォトダイオード
21 転送ゲート電極
22、36 ドレイン電極配線
23、39 リング状ゲート電極配線
24、34 ソース電極配線(出力線)
25、31 転送ゲート電極配線
31 画素敷き詰め領域
32 画素
33 リング状ゲートMOSFET
35 転送ゲートMOSFET
12 p-型エピタキシャル層
13 nウェル
15 リング状ゲート電極
16 n+型ソース領域
17 ソース近傍p型領域
18 n+型ドレイン領域
19 埋め込みp-型領域
20、34 フォトダイオード
21 転送ゲート電極
22、36 ドレイン電極配線
23、39 リング状ゲート電極配線
24、34 ソース電極配線(出力線)
25、31 転送ゲート電極配線
31 画素敷き詰め領域
32 画素
33 リング状ゲートMOSFET
35 転送ゲートMOSFET
Claims (6)
- 基板上に形成され、
光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域と、
リング状ゲート電極、前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する領域に設けられたソース領域、前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記リング状ゲート電極の外周に達しないように設けられたソース近傍領域、及び、前記光電変換領域に亘って設けられたドレイン領域を有する信号出力用トランジスタと、
前記光電変換領域に蓄積された前記電荷を前記ソース近傍領域へ転送する電荷転送トランジスタと、
を備えた画素が、複数配列された構造を有する固体撮像素子を駆動する固体撮像素子の駆動方法であって、
前記複数の画素の各々の前記電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、前記複数の画素の各々の前記信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする第1のステップと、
前記電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、前記ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、前記複数の画素の各々の前記光電変換領域に蓄積された電荷を、同じ画素の前記ソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させる第2のステップと、
を含むことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 基板上に形成され、第1の導電型の第1領域、前記第1領域上に設けられた第2の導電型の第2領域、及び前記第2領域上にまで延在して設けられた第1の導電型の第3領域とを有し、外部から前記第3領域を通して前記第2領域に入射した光を電荷に光電変換し、この電荷を前記第2領域に蓄積する光電変換領域と、
前記基板上に形成され、リング状ゲート電極、前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する領域に設けられた第1の導電型のソース領域、及び前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記リング状ゲート電極の外周に達しないように設けられた第2の導電型のソース近傍領域を有し、前記第3領域をドレイン領域とする信号出力用トランジスタと、
前記光電変換領域の前記第2領域に蓄積された前記電荷を前記ソース近傍領域へ転送する電荷転送トランジスタと、
を備えた画素が、複数配列された構造を有する固体撮像素子を駆動する固体撮像素子の駆動方法であって、
前記複数の画素の各々の前記電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、前記複数の画素の各々の前記信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする第1のステップと、
前記電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、前記ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、前記複数の画素の各々の前記光電変換領域の前記第2領域に蓄積された前記電荷を、同じ画素の前記ソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させる第2のステップと、
を含むことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 前記電荷転送トランジスタをオフ状態とすると共に、前記ドレイン領域の印加電圧を前記直前の値に戻して、前記光電変換領域に外部から入射した光を光電変換して得た電荷の蓄積を開始する第3のステップと、
前記複数の画素の前記光信号出力用トランジスタを順次に動作状態に制御して、各画素の前記ソース近傍領域に蓄積されている電荷による電位変化を前記光信号出力用トランジスタのしきい値電圧の変化として読み出す第4のステップと、
前記複数の画素の前記光信号出力用トランジスタをオン状態に制御して、前記ソース近傍領域に蓄積されている前記電荷を基板側に排出する第5のステップと、
を更に含むことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子の駆動方法。 - 基板上に形成され、
光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域と、
リング状ゲート電極、前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する領域に設けられたソース領域、前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記リング状ゲート電極の外周に達しないように設けられたソース近傍領域、及び、前記光電変換領域に亘って設けられたドレイン領域を有する信号出力用トランジスタと、
前記光電変換領域に蓄積された前記電荷を前記ソース近傍領域へ転送する電荷転送トランジスタと、
を備えた画素が、複数配列された構造の固体撮像素子を有する撮像装置であって、
前記複数の画素の各々の前記電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、前記複数の画素の各々の前記信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする電荷転送制御手段と、
前記電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、前記ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、前記複数の画素の各々の前記光電変換領域に蓄積された電荷を、同じ画素の前記ソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させるドレイン制御回路と、
を有することを特徴とする撮像装置。 - 基板上に形成され、第1の導電型の第1領域、前記第1領域上に設けられた第2の導電型の第2領域、及び前記第2領域上にまで延在して設けられた第1の導電型の第3領域とを有し、外部から前記第3領域を通して前記第2領域に入射した光を電荷に光電変換し、この電荷を前記第2領域に蓄積する光電変換領域と、
前記基板上に形成され、リング状ゲート電極、前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する領域に設けられた第1の導電型のソース領域、及び前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記リング状ゲート電極の外周に達しないように設けられた第2の導電型のソース近傍領域を有し、前記第3領域をドレイン領域とする信号出力用トランジスタと、
前記光電変換領域の前記第2領域に蓄積された前記電荷を前記ソース近傍領域へ転送する電荷転送トランジスタと、
を備えた画素が、複数配列された構造の固体撮像素子を有する撮像装置であって、
前記複数の画素の各々の前記電荷転送トランジスタを同時にオン状態とし、かつ、前記複数の画素の各々の前記信号出力用トランジスタを同時にオフ状態とする電荷転送制御手段と、
前記電荷転送トランジスタのオン状態の期間内に、前記ドレイン領域の印加電圧を直前の値よりも一時的に高めて、前記複数の画素の各々の前記光電変換領域の前記第2領域に蓄積された前記電荷を、同じ画素の前記ソース近傍領域に一斉に転送して蓄積させるドレイン制御回路と
を有することを特徴とする撮像装置。 - 前記電荷転送トランジスタをオフ状態とすると共に、前記ドレイン領域の印加電圧を前記直前の値に戻して、前記光電変換領域に外部から入射した光を光電変換して得た電荷の蓄積を開始する電荷蓄積制御手段と、
前記複数の画素の前記光信号出力用トランジスタを順次に動作状態に制御して、各画素の前記ソース近傍領域に蓄積されている電荷による電位変化を前記光信号出力用トランジスタのしきい値電圧の変化として読み出す読み出し手段と、
前記複数の画素の前記光信号出力用トランジスタをオン状態に制御して、前記ソース近傍領域に蓄積されている前記電荷を基板側に排出する電荷排出手段と、
を更に有することを特徴とする請求項4又は5記載の撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008105268A JP2009259921A (ja) | 2008-04-15 | 2008-04-15 | 固体撮像素子の駆動方法、及び撮像装置 |
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JP2008105268A JP2009259921A (ja) | 2008-04-15 | 2008-04-15 | 固体撮像素子の駆動方法、及び撮像装置 |
Publications (1)
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JP2009259921A true JP2009259921A (ja) | 2009-11-05 |
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JP2008105268A Pending JP2009259921A (ja) | 2008-04-15 | 2008-04-15 | 固体撮像素子の駆動方法、及び撮像装置 |
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- 2008-04-15 JP JP2008105268A patent/JP2009259921A/ja active Pending
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