JP2009253103A - 多接合型光電変換装置の製造方法およびこれを用いて製造された多接合型光電変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】下側層に影響せずに中間コンタクト層を分割し、中間コンタクト層からの電流漏れを抑制し、発電効率の低下を抑制できるとともに発電を行わない無効領域を小さくし、発電効率を向上させることができる多接合型光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜太陽電池モジュール１の製造方法は、中間コンタクト層１１にメカニカルスクライブ法によって導電分離溝２３を形成する中間コンタクト層分離溝形成工程を備えていることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、多接合型光電変換装置の製造方法およびこれを用いて製造された多接合型光電変換装置に関する。

薄膜多接合型太陽電池は、大別して透明な基板側から太陽光を入射させるスーパーストレート構造と、基板と反対の膜面側から太陽光を入射させるサブストレート構造がある。
薄膜シリコン系多接合型太陽電池のスーパーストレート構造としては、ガラスのような透明絶縁基板、その上に順に、第一の電極層としてＳｎＯ２、ＺｎＯのような透明電極層、第一の光電変換セルとしてｐｉｎ型アモルファスシリコンなどのシリコン系セル、ＺｎＯやシリコン系の中間コンタクト層膜、第二の光電変換セルとしてｐｉｎ型微結晶シリコンなどのシリコン系セル、およびＡｇやＡｌなどの金属膜またはＺｎＯ、ＩＴＯなどの透明酸化物と金属膜の積層膜からなる第二の電極層から構成される多接合セルが一般的である。

またサブストレート構造としては、ガラス、ポリイミドの絶縁基板またはステンレスなどの金属上に絶縁膜を形成した絶縁基板、その上に順に、モリブデンやアルミニウムなどの金属膜とＺｎＯ、ＩＴＯなどの透明酸化物との積層膜からなる第一の電極層、第一の光電変換セルとしてｎｉｐ型微結晶シリコンなどのシリコン系セル、ＺｎＯやシリコン系の中間コンタクト層膜、第二の光電変換セルとしてｎｉｐ型アモルファスシリコンなどのシリコン系セル、およびＺｎＯ、ＩＴＯのような透明な第二の電極層から構成される多接合セルが一般的である。

このような薄膜シリコン系多接合型太陽電池は、複数のユニットセルが集積され、それぞれ直列接続された集積型のモジュールを構成している。すなわち、複数のシリコン系太陽電池の各々は、第二の電極層が隣り合うシリコン系太陽電池の第一の電極層と電気的に接続されている。その接続は、第一の光電変換セル、中間コンタクト層膜および第二の光電変換セルを貫通し底面が第一の電極層である接続溝において、第二の電極層が充填されることで行なわれる。
中間コンタクト層膜は、働きとして光入射側の第一の光電変換セル（サブストレート構造では第二の光電変換セル）で吸収されずに透過してきた短波長光を第一の光電変換セル側に反射させるために、光電変換セルであるシリコンより低い屈折率、および第一の光電変換セルと第二の光電変換セルとの電気的コンタクトのために高い導電性が求められ、ＺｎＯ、ＳｉＯｘなどの透明導電酸化物やＳｉＯｘなどを含有した結晶質Ｓｉなどシリコン系薄膜が使用される。このように中間コンタクト層膜は導電性を有しているため、中間コンタクト層膜と接続溝とはともに電気的に接続されることとなるので、発生した電力が接続溝から中間コンタクト層を介して漏洩するという問題があった。

このように電流が漏れるとその分発電性能が低下するため、中間コンタクト層膜を介した電流漏れを抑制する方法の提供が望まれていた。この方法としては、中間コンタクト層膜を分離する分離溝を加工するものが広く用いられている。図１４に従来の多接合型薄膜太陽電池モジュール（スーパーストレート構造）の断面構造を示す。
薄膜太陽電池モジュールには、透明電極層（第一の電極層）７の上に開口を有し、基板３の上に底面を有する透明電極層を分割する透明電極分離溝１７と、裏面電極層（第二の電極層）１５と第二の光電変換セル１３との界面に開口を有し、透明電極膜と第一の光電変換セル９との界面に底面を有する接続溝１９（第一の電極層と第二の電極層とを電気的に接続する溝）と、裏面電極層１５の表面に開口を有し、透明電極層７と第一の光電変換セル９との界面に底面を有する裏面電極分離溝２１と、中間コンタクト層１１を分離する中間コンタクト層分離溝２３と、が設けられている。これら透明電極分離溝１７、接続溝１９、裏面電極分離溝２１および中間コンタクト層分離溝２３は互いに平行に設けられ、図１４の紙面に対して垂直な方向に延在している。
中間コンタクト層分離溝の加工は、たとえば、特許文献１および特許文献２に示されるように、中間コンタクト層に集光されたレーザ光を照射してそれを除去する方法（レーザスクライブ法）が一般に用いられている。

これらは、レーザ光によって、第二の光電変換セル１３と中間コンタクト層１１の界面に開口を有し、透明電極層７と第一の光電変換セル９との界面に底面をもつ分離溝を形成する（特許文献１）、あるいは、第二の光電変換セル１３と中間コンタクト層１１の界面に開口を有し、中間コンタクト層１１と第一の光電変換セル９との界面に底面をもつ分離溝を形成する（特許文献２）ものである。
特許文献１のレーザスクライブ法では、レーザ光を透明基板側から照射することで分離溝の形成がなされる。レーザ光は、透明電極（第一の電極膜）を透過して第一の光電変換セルとの界面で熱に変換されることで、シリコンに結合していた水素の分解が生じて、第一の光電変換セルおよびその上に位置する中間コンタクト層がともに除去されることで分離溝の加工が進行する。

特許文献２のレーザスクライブ法では、レーザ光を中間コンタクト層の膜面側から照射することで分離溝形成がなされる。中間コンタクト層膜は透明であることから実質的にレーザ光を吸収するのはアモルファスシリコンからなる第一の光電変換セルの表面部分である。レーザ光が第一の光電変換セルのアモルファスシリコンに吸収されることにより熱に変換され、局部的に非常に高温となる。これによりアモルファスシリコンの表面近傍が溶融し結合していた水素などが分解することで発生する蒸発圧力によって、中間コンタクト層膜が飛散して分離溝が形成される。

また、対象が中間コンタクト層ではないが、薄膜ＣＩＳ系太陽電池の単接合の集積型モジュールの形成において、ＣＩＧＳ（Ｃｕ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅ）系ｐ型半導体／ＣｄＳやＺｎＳ系のｎ型半導体からなるｐｎ半導体光吸収層の分離溝を形成するのに、たとえば、特許文献３に示されるようにメカニカルスクライブ法が一般的に行われている。
これは加工工具を当てて、Ｍｏ電極（第一の電極膜）から半導体光吸収層（第一の光電変換セル）を剥離させる方法である。通常、ＣＩＳ系半導体光吸収層の膜厚は２〜３μｍあり、下地のＭｏ電極との密着性があまり高くないことを利用して、機械的に剥離させるものである。しかし本方法は、単接合集積型モジュールのため中間コンタクト層膜を使用しておらず、下地の半導体光吸収層（第一の光電変換セル）を残して中間コンタクト層膜を除去する技術の記載はない。

特開２００２−２６１３０８号公報 特開２００６−３１３８７２号公報 特開２０００−３１５８０９号公報

ところで、特許文献１に示されるような中間コンタクト層分離溝は、第二の光電変換セルである微結晶シリコンセルが充填されている。微結晶シリコンセルのＰ型微結晶膜が第一の電極層に接するが、Ｐ型微結晶膜は、その抵抗が低いため第一の電極層へ通じる電流漏れ経路になる場合がある。
また、図１５は、従来の多接合型薄膜太陽電池モジュールを概略的に示す部分平面図であり、図１４で示した各溝の位置関係を平面的に示している。ここで破線で示した中間コンタクト層分離溝２３（溝幅たとえば５０μｍ）、接続溝１９（溝幅たとえば５０μｍ）、裏面電極分離溝２１（溝幅たとえば５０μｍ）は、透明電極分離溝１７を基準として、設定された加工予定位置を示す。中間コンタクト層分離溝２３は、透明電極分離溝１７の端部からたとえば１００μｍ離れた場所に中間コンタクト層分離溝２３の端部が位置するように加工位置が設定される。中間コンタクト層分離溝の形成の後、次の工程で、第二の光電変換セルを製膜する。次いで、レーザスクライブ法で接続溝を形成するが、接続溝１９は、透明電極分離溝１７の端部からたとえば２５０μｍ離れた場所に接続溝１９の端部が位置するように加工位置が設定される。接続溝の形成の後、次の工程で、裏面電極膜（第二の電極層）が製膜される。次いで、レーザスクライブ法で裏面電極分離溝２１を形成するが、裏面電極分離溝２１は、透明電極分離溝１７の端部からたとえば４００μｍ離れた場所に裏面電極分離溝２１の端部が位置するように加工位置が設定される。このように隣りあう溝どうしの間隔を１００μｍ程度離すのは、溝どうしの交差や重畳は避ける必要があり、レーザスクライブ装置による位置合せを含めた加工精度を考慮して設定されている。そのため実際の加工では、実線で示したように、透明電極分離溝１７に対して傾きをもつことがある。（裏面電極分離溝２１は図示せず）

また、接続溝の形成は、レーザ光を透明基板側から第一の電極層（透明電極層）を通して照射することでなされるが、第一の電極膜上に第一の光電変換セルとして結合水素量が１０−２０ａｔ％と多いアモルファスシリコン層が存在するときは、第一の電極膜と第一の光電変換セルとの界面付近の第一の光電変換セルで熱吸収されることで、高いガス蒸気圧が発生して、膨張により第一光電変換セルと厚い第二の光電変換セルを容易に除去することができるが、特許文献１に示されるように中間コンタクト層の分離溝に第一の光電変換セルがなく、第二の光電変換セルで充填されている場合は、第二の光電変換セルである微結晶シリコン層の結合水素量が１−２ａｔ％と少ないことから、通常の接続溝の形成に要するレーザビームエネルギーでは、充分に第二の光電変換セルの除去ができない。すなわち図１５のように中間コンタクト層分離溝と接続溝とは重畳させることはできないので、両者間の距離は、上記のように一定に保つ必要があり、発電に寄与しない無効領域の低減が難しい。

また、特許文献２に示すものは、たとえば、一般的な可視光固体レーザ（たとえば波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザ）を用いた場合、光を吸収するのはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる第一の光電変換セルであり、発熱によりａ−Ｓｉが膜質変化を起こし、低抵抗化して電流漏れ経路を形成することがある。

本発明は、上記課題に鑑み、下側層に熱影響を与えずに中間コンタクト層を分割し、中間コンタクト層からの面方向への電流漏れを抑制し、発電効率の低下を抑制できる多接合型光電変換装置の製造方法およびこれを用いて製造された多接合型光電変換装置を提供することを目的とする。
また、発電を行わない無効領域を小さくし、発電効率を向上させることができる多接合型光電変換装置の製造方法およびこれを用いて製造された多接合型光電変換装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明にかかる多接合型光電変換装置の製造方法は、中間コンタクト層にメカニカルスクライブ法によって導電を分離する溝である中間コンタクト層分離溝を形成する中間コンタクト層分離溝形成工程を備えていることを特徴とする。

本発明によれば、中間コンタクト層分離溝は中間コンタクト層にメカニカルスクライブ法によって形成される。すなわち、中間コンタクト層は、硬い刃を押し付けられ、この硬い刃が中間コンタクト層の導電分離溝を形成する位置に沿って移動するように基板および／または硬い刃を移動させる。これにより、中間コンタクト層膜は機械的に削り取られ、中間コンタクト層分離溝が形成されることになる。
このように、中間コンタクト層は、硬い刃よって削り取られて導電分離溝が形成されるので、下側層に熱による影響を与えて、新たな電流漏れ経路を生じることなく、中間コンタクト層に導電分離溝を形成して、中間コンタクト層を分割することができる。これにより、中間コンタクト層からの面方向への電流漏れを抑制、あるいは防止できるので、多接合型光電変換装置の発電効率の低下を抑制できる。

さらに、上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明にかかる多接合型光電変換装置の製造方法は、前記中間コンタクト層分離溝形成工程において、前記中間コンタクト層分離溝は、前記中間コンタクト層の基板側に隣接する下側層が残存するように形成されることを特徴とする。

多接合型光電変換装置において中間コンタクト層の基板側に隣接する下側層としては、たとえば、アモルファスシリコン層である第一の光電変換セルがある。この第一の光電変換セルの基板側には第一の電極層がある。
中間コンタクト層分離溝の底部に、アモルファスシリコン層である第一の光電変換セルが残存するので、中間コンタクト層分離溝にも充填される第二の光電変換セルである微結晶シリコンセルのＰ型微結晶膜が第一の電極層に接することがなく、第一の電極層への電流漏れ経路は生じない。
なお、中間コンタクト層分離溝の形成において、硬い刃の接触圧（押付力）を調整することで、削り深さを調整することができる。本分離溝は、中間コンタクト層の導電性を断てればよいので、中間コンタクト層の基板側に隣接する下側層すなわち第一の光電変換セルまでを部分的に除去して、中間コンタクト層の全てを除去するようにしてもよいし、中間コンタクト層が部分的に島状に残存する（すなわち、溝の底部に幅方向に連続した中間コンタクト層が残存しない）ようにしてもよい。
また、刃の幅あるいは削り回数を選択することによって、中間コンタクト層分離溝の幅を調整することができる。

さらに、上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明にかかる多接合型光電変換装置の製造方法は、前記中間コンタクト層分離溝形成工程において、前記中間コンタクト層分離溝は、前記中間コンタクト層の基板側に位置する第一の電極層に形成される第一電極層分離溝と、前記中間コンタクト層の基板と反対側に位置する第二の電極層に形成される第二電極層分離溝との間に位置するように設けられ、前記中間コンタクト層分離溝の少なくとも一部が、前記第一電極層分離溝と、前記第一の電極層および前記第二の電極層が電気的に接合する接続溝と、の間に位置するように形成されることを特徴とする。

本発明によれば、中間コンタクト層分離溝は、第一電極層分離溝と第二電極層分離溝との間にあり、中間コンタクト層分離溝の少なくとも一部が、第一電極層分離溝と接続溝の間に位置するように形成される。中間コンタクト層分離溝は、中間コンタクト層の面方向の導電性を断つことができる溝幅（たとえば３０μｍ）を有すれば、中間コンタクト層分離の役目を果たす。
中間コンタクト層分離溝形成において、この導電分離が実現する溝幅以上に幅広く加工しておくことにより、後の工程である接続溝形成において、加工精度の影響により、たとえ接続溝が中間コンタクト層分離溝と重畳したとしても、中間コンタクト層分離溝の下側層である第一の光電変換セルが残存しているので、接続溝の形成に支障をきたすことはない。
このように、接続溝形成工程において、第一電極層分離溝と接続溝の間に、導電分離に有効な溝幅（たとえば３０μｍ）の中間コンタクト層分離溝を残すように、従来よりも第一電極層分離溝に近づけて接続溝を形成することができるので、発電に寄与しない無効領域幅を小さくでき、発電効率を向上させることができる。

また、上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明にかかる多接合型光電変換装置は、上述の多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする。

本発明によれば、多接合型光電変換装置は、レーザスクライブ法のように下側層に熱による影響を与えて、新たな電流漏れ経路を生じることなく、中間コンタクト層を分割することができる製造方法を用いて製造されるので、中間コンタクト層からの面方向への電流漏れを抑制、あるいは防止でき、発電効率の低下を抑制できる。

本発明によれば、中間コンタクト層にメカニカルスクライブ法によって導電分離溝を形成するので、下側層に熱的影響を与えずに中間コンタクト層を分割することができる。
これにより、中間コンタクト層からの電流漏れを抑制、あるいは防止できるので、多接合型光電変換装置の発電効率の低下を抑制できる。
また、中間コンタクト層分離溝は、中間コンタクト層の基板側に隣接する下側層（第一の光電変換セル）が残存するように形成するので、第二の光電変換セルである微結晶シリコンセルのＰ型微結晶膜が第一の電極層に接することがなく、第一の電極層への電流漏れ経路は生じない。
さらに、中間コンタクト層分離溝に、第一の光電変換セルが残存するので、中間コンタクト層分離溝の少なくとも一部が、第一電極層分離溝と、接続溝の間に位置するように中間コンタクト層分離溝を形成すれば、中間コンタクト層分離溝（メカニカルスクライブ法）と接続溝（レーザスクライブ法）が重畳しても問題はない。第一電極層分離溝と接続溝の間に存在する中間コンタクト層分離溝の幅を、中間コンタクト層の面方向の導電性を断つことができる溝幅（たとえば３０μｍ）以上に幅広く加工することにより、接続溝を第一電極層分離溝に近づけて加工することができるので、発電に寄与しない無効領域の長さを小さくでき、発電効率を向上させることができる。

以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
〔第一実施形態〕
本発明の第一実施形態にかかる多接合型光電変換装置の製造方法について図１から図７を参照して説明する。
図１は、本実施形態にかかる多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造されたスーパースレート構造の薄膜太陽電池モジュール（多接合型光電変換装置）１の断面を概略的に示す部分断面図である。薄膜太陽電池モジュール１は基板３上で２層タンデム型のユニットセル５が直列接続された構造とされている。

薄膜太陽電池モジュール１には、透光性の基板３（少なくとも１辺１ｍ以上、たとえば：１．４ｍ×１．１ｍ×３ｍｍ〜４ｍｍのソーダガラス基板）上に、酸化錫膜（ＳｎＯ_２）を主成分とする透明、かつ、導電性を有する層である透明電極層（第一の電極層）７が製膜されている。

透明電極層７の上には、ｐｉｎ構造を有するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から構成される光電変換層であるトップセル（下側層；第一の光電変換セル）９が製膜されている。トップセル９は、中間コンタクト層１１より高抵抗であり、かつ、特定の波長域の光から光起電力効果により電力を発生させる。

トップセル９の上には、基板３側から入射した光の一部を反射し一部を透過させる機能を有する中間コンタクト層１１が製膜されている。中間コンタクト層１１は、たとえば、ガリウムＧａをドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜を主成分として構成されている。

中間コンタクト層１１の上には、ｐｉｎ構造を有する微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）から構成される光電変換層であるボトムセル（上側層；第二の光電変換セル）１３が製膜されている。ボトムセル１３は、トップセル９が変換する光の波長域とは異なる波長域の光を吸収して電力を発生させる。
ボトムセル１３の上には、銀（Ａｇ）やチタン（Ｔｉ）またはアルミニウム（Ａｌ）などの金属材料、或いは、ＩＴＯ、ＺｎＯなどの導電性酸化膜と銀やチタンまたはアルミニウムなどの金属材料の積層構造からなる裏面電極層（第二の電極層）１５が形成されている。

薄膜太陽電池モジュール１には、透明電極層７の上に開口を有し、基板３の上に底面を有する透明電極層７を分割する透明電極分離溝（第一電極層分離溝）１７と、裏面電極層１５とボトムセル１３との界面に開口を有し、透明電極膜７とトップセル９との界面に底面を有する接続溝１９と、裏面電極層１５の表面に開口を有し、透明電極層７とトップセル９との界面に底面を有する裏面電極分離溝（第二電極層分離溝）２１と、中間コンタクト層１１を分離する中間コンタクト層分離溝２３と、が設けられている。
これら透明電極分離溝１７、接続溝１９、裏面電極分離溝２１および中間コンタクト層分離溝２３は互いに平行に設けられ、図１の紙面に対して垂直な方向に延在している。

透明電極分離溝１７には、トップセル９を構成する材料が埋め込まれており、分割された透明電極層７同士を電気的に絶縁している。
裏面電極分離溝２１は隣り合うユニットセル５間で、トップセル９、中間コンタクト層１１、ボトムセル１３および裏面電極層１５を分割しており、裏面電極層１５同士および中間コンタクト層１１同士を電気的に絶縁している。

接続溝１９は、透明電極分離溝１７と裏面電極分離溝２１との間に設けられている。接続溝１９は裏面電極層１５を構成する材料で埋められており、裏面電極層１５と隣のユニットセル５の透明電極層７とを電気的に接続している。すなわち、隣り合うユニットセル５同士を電気的に直列に接続している。

中間コンタクト層分離溝２３は、透明電極分離溝１７と接続溝１９との間に設けられている。中間コンタクト層分離溝２３は中間コンタクト層１１とボトムセル１３との界面に開口を有し、中間コンタクト層１１とトップセル９との界面に底面を有している。中間コンタクト層分離溝２３には、ボトムセル１３を構成する材料が埋め込まれており、分割された中間コンタクト層１１同士を電気的に絶縁している。
透明電極分離溝１７から裏面電極分離溝２１までの部分は、発電に寄与しない無効領域２５となる。

以下、この薄膜太陽電池モジュール１の製造工程について中間コンタクト層分離溝２３の形成方法を主体に説明する。
まず、基板３上に透明電極層７として酸化錫（ＳｎＯ_２）を主成分とする膜を膜厚約５００ｎｍ〜８００ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。このとき、透明電極層７の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。
また、基板３と透明電極層７との間にアルカリバリア膜（図示省略）を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）を５０ｎｍ〜１５０ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。

その後、基板３をＸ−Ｙテーブルに設置して、ＹＡＧレーザの基本波（１０６４ｎｍ）を、透明電極層７の膜面側または基板側から照射する。
加工速度に適切となるようにレーザパワーを調整して、透明電極層７をユニットセル５の直列接続方向に対して略垂直な方向へ、基板３とレーザ光とを相対移動して、透明電極分離溝１７を形成する。透明電極分離溝１７は、所定幅、たとえば、５０μｍで、約６ｍｍ〜１５ｍｍピッチで短冊状にレーザスクライブされる。

次いで、プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０〜１０００Ｐａ、基板温度：約２００℃にてトップセル９を構成するｐ層膜／ｉ層膜／ｎ層膜を順次製膜する。
トップセル９は、ＳｉＨ_４ガスとＨ_２ガスとを主原料に、透明電極層７の上に製膜される。このとき、透明電極分離溝１７は、ｐｉｎ型アモルファスＳｉで埋められる。
トップセル９は、太陽光の入射する側からｐ層、ｉ層、ｎ層がこの順で積層される。これらの層の構成および厚さは、たとえば、ｐ層：ホウ素（Ｂ）をドープしたアモルファスＳｉＣを主成分とし膜厚１０ｎｍ〜３０ｎｍ、ｉ層：アモルファスＳｉを主成分とし膜厚２００ｎｍ〜３５０ｎｍ、ｎ層：リン（Ｐ）をドープした微結晶Ｓｉを主成分とし膜厚３０ｎｍ〜５０ｎｍである。
またｐ層膜とｉ層膜との間には界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。

次に、トップセル９の上に、Ｇａ（ガリウム）をドープしたＺｎＯ（ＧＺＯ）膜を膜厚：２０ｎｍ〜１００ｎｍ、たとえば、スパッタリング装置により製膜し、中間コンタクト層１１を形成する。

その後、図２に示すように中間コンタクト層１１を分割し中間コンタクト層分離溝２３を形成する中間コンタクト層分離溝形成工程に入る。基板３を中間コンタクト層１１が上面に位置するようにテーブル２７に設置し、テーブル２７の上方に設置されたメカニカルスクライブ装置２９によってメカニカルスクライブ法を用いて、透明電極分離溝１７の端部から横側約１００μｍの位置に溝幅約３０μｍの中間コンタクト層分離溝２３を形成する。

図３は、メカニカルスクライブ装置２９の概略構成を示している。
メカニカルスクライブ装置２９には、テーブル２７の対向する両辺に沿って延在するように設置された第一レール３１と、第一レール３１に直交するように配置され、両方の第一レール３１に沿って移動可能に支持された第二レール３３と、第二レール３３に沿って移動可能に設けられた工具台３５と、が備えられている。
工具台３５の下部には、溝形成工具（硬い刃）３７が下方に突出し、軸線中心回りに回転可能に取り付けられている。溝形成工具３７は、工具台３５に、たとえば、エアバネによって下方への押付力を調整できるようにされている。

溝形成工具３７は、一例として、鋼製の四角柱形状をし、先端部が四角錐台形状、すなわち、先細とされている。溝形成工具３７の先端には、図４に示されるように四角錐台の加工部３９が取り付けられている。
加工部３９は、耐磨耗性を求め、ダイヤモンド（モース硬度：１０）、炭化珪素（モース硬度：９）アルミナ（サファイア（モース硬度：９））、タングステンカーバイド（モース硬度：８．５）等の硬い材料で構成されている。加工部３９の加工に用いられる幅は、たとえば、３０μｍの長さとされている。
なお、トップセル９を構成するａ−Ｓｉのモース硬度は７、中間コンタクト層１１を構成するＺｎＯのモース硬度は４〜５であるので、加工部３９は、たとえば鋼（モース硬度：５〜８．５）製としてもよい。

テーブル２７へ設置された基板３に中間コンタクト層１１に加工部３９を押し付けるようにし、第二レール３３を第一レール３１に沿って移動させることにより、中間コンタクト層分離溝２３が形成される。
中間コンタクト層分離溝２３が１本形成されると、工具台３５を第二レール３３に沿ってセルピッチだけ移動させて、場合によっては溝形成工具３７を半周回転し、上述の手順によって隣の中間コンタクト層分離溝２３を形成する。これを繰り返して、中間コンタクト層１１に所定数、たとえば、９０本の中間コンタクト層分離溝２３を形成する（図５参照）。
なお、基板３と加工部３９との相対位置を移動させればよいので、加工部３９を固定し、基板３を載置したテーブル２７を移動するようにしてもよい。

このとき、中間コンタクト層１１に加工部３９を押し付けて研削すると、図１に示すようにトップセル９の表面が一部削り取られる。
透明電極層７の表面は図７に示されるように結晶粒の凹凸構造を有する。この上に形成されるトップセル９のｐｉｎ型ａ−Ｓｉ膜や中間コンタクト層１１は、下地形状を反映して凹凸構造をもつ。
この凹凸構造における山谷の高低差は５０〜３００ｎｍ程度である。山の部分は、加工部３９によって、一定深さのａ−Ｓｉ膜が除去されるが、谷の部分は、一部に加工部３９が当たらないところがあるために、中間コンタクト層１１が残る場合がある。
この中間コンタクト層１１を完全になくす必要はない。すなわち、このように中間コンタクト層１１が図６に示されるように島状に残ったとしても、中間コンタクト層１１が除去されてトップセル９が露出した部分が、途切れなく繋がっていれば、中間コンタクト層分離溝２３を横断する電流漏れを抑制することができる。

中間コンタクト層１１に中間コンタクト層分離溝２３を形成するとき、トップセル９の膜全部を除去せず、トップセル９の表面部分を研削することは、加工部３９にかかる負荷、すなわち、接触圧や走査速度を調整することで可能である。
加工部３９にかかる負荷については、加工部３９が膜に接触する面積によって異なるが、溝幅が１０〜４００μｍ程度の中間コンタクト層分離溝を形成する場合、走査速度が２０ｍｍ／ｓ以上のとき、接触圧は、５０〜５０００Ｎ／ｍｍ^２が適当である。それ以上の接触圧では、トップセル９の膜全部が剥離しやすくなる。

工具台３５による溝形成工具３７の下方への押付力や加工部の接触面積によって加工部３９の中間コンタクト層１１への接触圧が変化する。また走査速度が遅くなると同じ接触圧でもトップセル９の膜全部が剥離しやすくなる。したがって、工具台３５による溝形成工具３７の下方への押付力および走査速度を調整することによって、トップセル９の膜全部を除去しない中間コンタクト層分離溝２３の形成が可能となる。

このように、中間コンタクト層１１を構成するＺｎＯは、加工部３９よって削り取られて中間コンタクト層分離溝２３が形成されるので、トップセル９に熱による影響を与えて、新たな電流漏れ経路を生じることなく中間コンタクト層１１を分割することができる。これにより、中間コンタクト層１１からの面方向への電流漏れを抑制、あるいは防止できるので、多接合型光電変換装置１の発電効率の低下を抑制できる。

なお、第二レール３３にセルピッチの倍数の距離を開けて、複数の工具台３５を設けてもよい。また、１つの工具台３５にセルピッチＣＰの距離だけ隔てて、複数の溝形成工具３７を設けてもよい。このようにすると、各工具台３５によって同時並行して中間コンタクト層分離溝２３の加工が行えるので、作業時間を短縮することができる。

次に、中間コンタクト層１１の上に、プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃、プラズマ発生周波数：４０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚにて、ボトムセル１３としての微結晶シリコン薄膜からなる微結晶ｐ層膜／微結晶ｉ層膜／微結晶ｎ層膜を順次製膜する。
ボトムセル１３を構成する各層は、微結晶ｐ層：ホウ素（Ｂ）をドープした微結晶ＳｉＣを主成分とし膜厚１０ｎｍ〜５０ｎｍ、微結晶ｉ層：微結晶Ｓｉを主成分とし膜厚１．２μｍ〜３．０μｍ、微結晶ｎ層：リン（Ｐ）をドープした微結晶Ｓｉを主成分とし膜厚２０ｎｍ〜５０ｎｍである。

その後、基板３をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザダイオード励起ＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）を用いてパルス発振周波数を１０〜２０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザパワーを調整して、透明電極層（第一電極）分離溝１７の端部から横側約２３０μｍの位置に溝幅約５０μｍの接続溝１９を形成するようにレーザスクライブする。

ボトムセル１３の上に、裏面電極層１５としてＡｇ膜／Ｔｉ膜をスパッタリング装置により製膜する。裏面電極層１５は、Ａｇ膜：２００〜５００ｎｍ、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０〜２０ｎｍをこの順に積層する。ボトムセル１３のｎ層と裏面電極層１５との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、ボトムセル１３と裏面電極層１５との間にＧＺＯ膜を膜厚：５０〜１００ｎｍ、スパッタリング装置により製膜して設けても良い。また、Ｔｉ膜に変えてＡｌ膜：２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下としてもよい。ＴｉをＡｌとすることで、防食効果を保持しつつ、材料コストを低減することが可能となる。

その後、基板３をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザダイオード励起ＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）を、用いて基板３側から入射する。レーザ光がトップセル９で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層１５が爆裂して除去される。パルス発振１０〜２０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザパワーを調整して、透明電極分離溝１７の端部から横側約３８０μｍの位置に溝幅約５０μｍの裏面電極層分離溝２１を形成するようにレーザスクライブする。

なお、本実施形態では、中間コンタクト層１１のＺｎＯを用いているが、これは中間コンタクト層１１にＳｉＯｘ膜などの透明導電酸化物やＳｉＯｘ膜などを含有した結晶質Ｓｉ膜のようなシリコン系膜を用いた場合でも、同様な効果を得ることができる。

〔第二実施形態〕
次に、本発明の第二実施形態について図８〜図１２を参照して説明する。
本実施形態の基本構成は、第一実施形態と同様であるが、第一実施形態とは、中間コンタクト層分離溝２３の形態が異なっている。よって、本実施形態においては、相違点を主体として説明し、その他の重複するものについては説明を省略する。
なお、第一実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。

中間コンタクト層分離溝２３は、少なくとも一部が、第一電極層分離溝１７と接続溝１９の間に位置するように形成する必要がある。
図８は、本実施形態による製造方法を用いて製造された薄膜太陽電池モジュールを概略的に示す部分平面図である。図８（ａ）において、中間コンタクト層分離溝２３は、透明電極分離溝１７の端部からたとえば１００μｍ離れた場所に、破線で示す中間コンタクト層分離溝２３の端部が位置するように加工位置が設定されており、中間コンタクト層分離溝２３をメカニカルスクライブ法によって、幅広く（たとえば１５０μｍ）形成したとする。後の工程である接続溝１９（溝幅たとえば５０μｍ）をレーザスクライブ法によって形成するときに、接続溝１９は、透明電極分離溝１７の端部からたとえば２５０μｍ離れた場所に接続溝１９の端部が位置するように加工位置が設定される。
実際の加工の場合、接続溝１９が中間コンタクト層分離溝２３と一部で重畳することが起こりやすい。本実施形態によれば、中間コンタクト層分離溝２３は中間コンタクト層の基板３側に隣接する下側層、すなわち第一の光電変換セル（アモルファスシリコン層）が残存するように形成される。そのため接続溝１９が中間コンタクト層分離溝２３と重畳したとしても、接続溝１９の加工に支障は生じない。

しかも中間コンタクト層分離溝２３は、最小幅でたとえば１００μｍ程度残されているが、有効な溝幅が３０μｍ程度あれば、中間コンタクト層の面方向の導電性を断つことが可能である。したがって図８（ｂ）に示すように、接続溝１９を中間コンタクト層分離溝２３の方へ７０μｍ近づける、すなわち、接続溝１９を、透明電極分離溝１７の端部からたとえば１８０μｍ離れた場所に接続溝１９の端部が位置するように加工位置を設定したとしても、有効な溝幅が３０μｍ程度確保できるため中間コンタクト層からの面方向への電流漏れを抑制できる。
このように、中間コンタクト層分離溝を、中間コンタクト層の面方向の導電性を断つことができる溝幅（たとえば３０μｍ）以上に広く形成することにより、接続溝１９の形成位置を透明電極分離溝１７に近づけられる。それにより発電に寄与しない無効領域の長さをより小さくでき、発電効率を一層向上させることができる。

溝幅を広く加工する手段としては、幅広の加工部３９を用いる方法があるが、大きい荷重が必要になることや、加工部３９の膜への当たり方が局所でバラツキ、分離溝に途切れが生じる可能性がある。本実施形態では、図９に示されるように、たとえば、複数の加工部３９を並べてスクライブする。これにより、中間コンタクト層１１の分離の確実性を増すことができる。なお、この場合、複数の加工部３９は必ずしも近接させる必要はなく、中間コンタクト層分離溝２３は離隔した複数本の溝によって形成してもよい。

前述した図８においては、破線で示した溝加工予定位置に対して、実際の加工で位置ずれを起こしたときの加工位置を実線で表している（勿論、予定位置に位置ずれなく加工できることもある）が、中間コンタクト層分離溝の存在する範囲は、図１０のように、第一電極層分離溝（透明電極分離溝）１７と第二電極層分離溝（裏面電極分離溝）２１との間に位置する。

メカニカルスクライブ装置の位置精度が向上した場合には、中間コンタクト層分離溝２３は、透明電極分離溝１７に対して平行に近づく。たとえば、図１１に示されるように、中間コンタクト層分離溝２３を溝幅１５０μｍ程度と第一実施形態のもの（３０μｍ）に比べて大幅に広くし、透明電極分離溝１７の端部から近接したところに形成されている。次の工程で、第二の光電変換セルを製膜した後、透明電極分離溝１７の端部からたとえば１００μｍ離れた場所に、従来の加工精度のレーザスクライブ法で溝幅５０μｍの接続溝を形成すると、実質的な中間コンタクト層分離溝の幅は、たとえば５０〜１５０μｍになる（裏面電極分離溝は図示せず）。これは、実質的に中間コンタクト層分離溝がない加工、すなわち中間コンタクト層がない単接合薄膜太陽電池モジュールの加工と同様の無効領域幅を得ることができる。これにより、発電効率を向上させることができる。

なお、中間コンタクト層分離溝形成において、加工精度がよくない場合、中間コンタクト層分離溝２３は、図１２に示されるように、透明電極分離溝１７と裏面電極分離溝２１を含む範囲（すなわち、たとえば、約０．５ｍｍの無効領域２５）を越えて、発電領域にまで形成されたとしても差し支えない。ただし、越える範囲が広いほど発電量は減少する。

〔第三実施形態〕
次に、本発明の第三実施形態について図１３を参照して説明する。
本実施形態は、第一実施形態と薄膜太陽電池モジュールの構造が異なるものである。よって、本実施形態においては、この相違点を主体として説明し、その他の重複するものについては説明を省略する。
なお、第一実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。

本実施形態は、サブストレート構造の薄膜シリコン系の薄膜太陽電池モジュール５１に本発明を適用したものである。
図１３は、本実施形態にかかる多接合太陽電池の製造方法を用いて製造されたサブストレート構造のシリコン系の薄膜太陽電池モジュール５１の断面を概略的に示す部分断面図である。
薄膜太陽電池モジュール５１は基板５３上で２層タンデム型のユニットセル５５が直列接続された構造とされている。

薄膜太陽電池モジュール５１には、ステンレスなどの金属上に絶縁膜として酸化珪素膜または窒化珪素膜を形成した基板５３を用いる。また、基板５３としてポリイミドなどの絶縁性のポリマーフィルムやガラスをもちいてもよい。
基板５３の上に裏面電極層（第一の電極層）５７として、モリブデン（Ｍｏ）膜、および酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）やＩＴＯなどの導電性酸化膜からなる積層膜が製膜されている。
裏面電極層５７として、モリブデン（Ｍｏ）の代わりにチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）膜を用いてもよい。

裏面電極層５７の上には、ｎｉｐ構造を有する微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）から構成される光電変換層であるボトムセル（下側層；第一の光電変換セル）５９が製膜されている。ボトムセル５９は、導電性の中間コンタクト層６１より高抵抗であり、かつ、特定の波長域の光から光起電力効果により電力を発生させる。

ボトムセル５９の上には、第一実施形態と同様の機能を有する中間コンタクト層６１が製膜されている。
中間コンタクト層６１は、たとえば、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜を主成分として構成されている。

中間コンタクト層６１の上には、ｎｉｐ構造を有するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から構成される光電変換層であるトップセル（上側層；第二の光電変換セル）６３が製膜されている。
トップセル６３は、ボトムセル５９が変換する光の波長域とは異なる波長域の光を吸収して電力を発生させる。

トップセル６３の上には、ＺｎＯやＩＴＯなど導電性酸化膜のからなる透明電極層（第二の電極層）６５が形成されている。

薄膜太陽電池モジュール５１には、裏面電極層５７の上に開口を有し基板５３の上に底面を有する裏面電極層５７を分割する裏面電極分離溝（第一電極分離溝）６７と、透明電極層６５とトップセル６３との界面に開口を有し、裏面電極膜５７とボトムセル５９との界面に底面を有する接続溝６９と、透明電極層６５の表面に開口を有し、裏面電極層５７とボトムセル５９との界面に底面を有する透明電極分離溝（第二電極分離溝）７１と、中間コンタクト層６１を分離する中間コンタクト層分離溝７３とが設けられている。
これら裏面電極分離溝６７、接続溝６９、透明電極分離溝７１および中間コンタクト分離溝７３は互いに平行に設けられ、図１３の紙面に対して垂直な方向に延在している。

裏面電極分離溝６７には、ボトムセル５９を構成する材料が埋め込まれており、分割された裏面電極層５７同士を電気的に絶縁している。透明電極分離溝７１は隣り合うユニットセル５５間で、ボトムセル５９、中間コンタクト層６１、トップセル６３および透明電極層６５を分割している。透明電極分離溝７１は隣り合うユニットセル５５間で、透明電極層６５同士を電気的に絶縁している。

接続溝６９は、裏面電極分離溝６７と透明電極分離溝７１との間に設けられている。接続溝６９は透明電極層６５を構成する材料で埋められており、透明電極層６５と隣のユニットセル５５の裏面電極層５７とを電気的に接続している。すなわち、隣り合うユニットセル５５同士を電気的に直列に接続している。

中間コンタクト層分離溝７３は、裏面電極分離溝（第一電極分離溝）６７と接続溝６９との間に設けられている。中間コンタクト層分離溝７３は中間コンタクト層６１とトップセル６３との界面に開口を有し、中間コンタクト層６１とボトムセル５９との界面に底面を有している。
中間コンタクト層分離溝７３には、トップセル６３を構成する材料が埋め込まれており、分割された中間コンタクト層６１同士を電気的に絶縁している。裏面電極分離溝６７から透明電極分離溝７１までの部分は、発電に寄与しない無効領域７５となる。

以下、この薄膜太陽電池モジュール１の製造工程について中間コンタクト層分離溝２３の形成方法を主体に説明する。
まず、ステンレス板に酸化珪素絶縁膜をスパッタ法で形成した基板５３を用い、その上に裏面電極層５７としてモリブデン膜を膜厚３００ｎｍ〜２μｍ、続いて膜厚５０〜１００ｎｍのＺｎＯ膜をスパッタ法で製膜する。
このとき、裏面電極層５７の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。

その後、基板５３をＸ−Ｙテーブルに設置して、ＹＡＧレーザの基本波（１０６４ｎｍ）を用いて、裏面電極層５７の基板側または膜面側から入射して、裏面電極分離溝６７を形成する。
裏面電極分離溝６７は、所定幅５０μｍで、約６ｍｍ〜１５ｍｍピッチで短冊状にレーザスクライブされる。

次いで、プラズマＣＶＤ装置により、基板温度が約２００℃にてボトムセル５９を構成する微結晶シリコンからなるｎ層膜／ｉ層膜／ｐ層膜を順次製膜する。
このとき、裏面電極分離溝６７は、ボトムセル５９で埋められる。これらの層の構成および厚さは、第一実施形態とほぼ同様である。

次に、ボトムセル５９の上に、Ｇａ（ガリウム）をドープしたＺｎＯ（ＧＺＯ）膜を膜厚：２０ｎｍ〜１００ｎｍ、たとえば、スパッタ法により製膜し、中間コンタクト層６１を形成する。

続いて、第一実施形態と同様に、基板５３をテーブル２７に設置して、裏面電極分離溝６７の横側約１００μｍの位置に、テーブル２７の上方に設置されたメカニカルスクライブ装置２９によってメカニカルスクライブ法を用いて幅３０μｍの中間コンタクト層分離溝７３を形成する。この場合、中間コンタクト層の基板側に隣接する下側層（第一の光電変換セル）が残存するように中間コンタクト層分離溝を形成するので、第二の光電変換セルであるアモルファスシリコンセルの低抵抗のｎ型微結晶膜が裏面電極層（第一の電極層）に接することがなく、第一の電極層への電流漏れ経路は生じない。

次に、中間コンタクト層６１の上に、プラズマＣＶＤ装置により、基板温度：約２００℃にて、トップセル６３として、微結晶シリコン薄膜からなるｎ層膜／アモルファスシリコンｉ層膜／アモルファスシリコンｐ層膜を順次製膜する。これらの層の構成および厚さは、第一の実施例とほぼ同様である。

その後、基板５３をＸ−Ｙテーブルに設置して、膜面側からトップセル６３、中間コンタクト層６１およびボトムセル５９をメカニカルスクライブすることで、裏面電極分離溝６７の横側約２３０μｍの位置に溝幅約５０μｍの接続溝６９を形成する。
なお、ＹＡＧレーザの基本波（１０６４ｎｍ）を用いて基板側から照射することでレーザスクライブによって接続溝６９を形成してもよい。

続いて、トップセル６３の上に、透明電極層６５としてガリウムをドープしたＺｎＯ膜やＩＴＯ膜などをスパッタ法で、膜厚２００〜７００ｎｍ程度製膜する。
その後、基板５３をＸ−Ｙテーブルに設置して、膜面側から透明電極層６５、トップセル６３、中間コンタクト層６１およびボトムセル５９をメカニカルスクライブすることで、裏面電極分離溝６７の横側３８０μｍの位置に溝幅約５０μｍの透明電極分離溝７１を形成する。
なお、ＹＡＧレーザの基本波（１０６４ｎｍ）を用いて基板側から照射することでレーザスクライブによって透明電極分離溝７１を形成してもよい。

このようにして形成された薄膜太陽電池モジュール１は、ボトムセル５９に熱影響を与えずに中間コンタクト層６１を分割することができるので、中間コンタクト層６１からの面方向への電流漏れを抑制、あるいは防止できる。これにより、薄膜太陽電池モジュール１の発電効率の低下を抑制することができる。

なお、第二実施形態のように中間コンタクト層分離溝７３を幅広く形成することにより、発電に寄与しない無効領域７５の長さをより小さくできるので、発電効率を一層向上させることができる。

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

本発明の第一実施形態にかかる多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造された薄膜太陽電池モジュールの断面を概略的に示す部分断面図である。 本発明の第一実施形態にかかる多接合型光多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造された薄膜太陽電池モジュールの断面を概略的に示す電変換装置の製造方法の実施状況を示す部分断面図である。 本発明の第一実施形態にかかるメカニカルスクライブ装置を示す斜視図である。 本発明の第一実施形態にかかる溝形成工具の先端部分を示す部分斜視図である。 本発明の第一実施形態にかかるメカニカルスクライブ装置の作用を示す部分平面図である。 本発明の第一実施形態にかかる中間コンタクト層分離溝の状態を示す部分平面図である。 本発明の第一実施形態にかかる中間コンタクト層分離溝の状態を示す部分横断面図である。 本発明の第二実施形態にかかる多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造された薄膜太陽電池モジュールを概略的に示す部分平面図である。 本発明の第二実施形態にかかる多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造された薄膜太陽電池モジュールの断面を概略的に示す部分断面図である。 本発明の第二実施形態にかかる多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造された別の態様の薄膜太陽電池モジュールの断面を概略的に示す部分断面図である。 本発明の第二実施形態にかかる多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造されたさらに別の態様の薄膜太陽電池モジュールを概略的に示す部分平面図である。 本発明の第二実施形態にかかる多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造されたさらに別の態様の薄膜太陽電池モジュールの断面を概略的に示す部分断面図である。 本発明の第三実施形態にかかる多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造された薄膜太陽電池モジュール（サブストレート構造）の断面を概略的に示す部分断面図である。 従来の薄膜太陽電池モジュール（スーパーストレート構造）の断面を概略的に示す部分断面図である。 従来の多接合型薄膜太陽電池モジュールを概略的に示す部分平面図である。

符号の説明

１ 薄膜太陽電池モジュール
３ 基板
７ 透明電極層（第一の電極層）
９ トップセル（第一の光電変換セル）
１１ 中間コンタクト層
１３ ボトムセル（第二の光電変換セル）
１５ 裏面電極層（第二の電極層）
１７ 透明電極分離溝
１９ 接続溝
２１ 裏面電極分離溝
２３ 中間コンタクト層分離溝
２５ 無効領域
５３ 基板
５７ 裏面電極層（第一の電極層）
５９ ボトムセル（第一の光電変換セル）
６１ 中間コンタクト層
６３ トップセル（第二の光電変換セル）
６５ 透明電極層（第二の電極層）
６７ 裏面電極分離溝
６９ 接続溝
７１ 透明電極分離溝
７３ 中間コンタクト層分離溝
７５ 無効領域

Claims (4)

1. 中間コンタクト層にメカニカルスクライブ法によって導電を分離する溝である中間コンタクト層分離溝を形成する中間コンタクト層分離溝形成工程を備えていることを特徴とする多接合型光電変換装置の製造方法。
2. 前記中間コンタクト層分離溝形成工程において、前記中間コンタクト層分離溝は前記中間コンタクト層の基板側に隣接する下側層が残存するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の多接合型光電変換装置の製造方法。
3. 前記中間コンタクト層分離溝形成工程において、前記中間コンタクト層分離溝は、前記中間コンタクト層の基板側に位置する第一の電極層に形成される第一電極層分離溝と、前記中間コンタクト層の基板と反対側に位置する第二の電極層に形成される第二電極層分離溝との間に位置するように設けられ、前記中間コンタクト層分離溝の少なくとも一部が、前記第一電極層分離溝と、前記第一の電極層および前記第二の電極層が電気的に接合する接続溝と、の間に位置するように形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多接合型光電変換装置の製造方法。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載された多接合型光電変換装置の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする多接合型光電変換装置。
   

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