JP2009252894A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 実装基板と、
   前記実装基板の第１主面に形成された第１の凹部と、
   前記第１の凹部の底面に実装された第１の半導体チップと、
   前記第１の凹部に充填された第１の樹脂層と、
   前記実装基板に設けられ、前記第１の半導体チップ及び前記第１の樹脂層を含む実装部分と前記実装基板の熱膨張率の差に起因した反りを相殺する反り相殺部材と、
   を備える半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記反り相殺部材は、
   前記実装基板の前記第１主面とは反対側の面である第２主面に形成され、前記実装基板に垂直な方向から見た場合に前記第１の凹部と少なくとも一部が重なっている第２の凹部と、
   前記第２の凹部に充填された第２の樹脂層と、
   を備える半導体装置。
3. 請求項２に記載の半導体装置において、
   前記反り相殺部材は、前記第２の凹部の底面に実装され、前記実装基板に垂直な方向から見た場合に前記第１の半導体チップと少なくとも一部が重なっている基板を備える半導体装置。
4. 請求項３に記載の半導体装置において、
   前記第２の凹部の平面形状及び深さは、前記第１の凹部と同じであり、
   前記第１の半導体チップの平面形状は、前記基板と同じであり、
   前記第２の樹脂層は前記第１の樹脂層と熱膨張率が同一の樹脂であり、
   前記実装基板に垂直な方向から見た場合に、前記第１の凹部と前記第２の凹部は同一の位置にあり、かつ前記第１の半導体チップと前記基板は同一の位置にある半導体装置。
5. 請求項２、３、又は４に記載の半導体装置において、
   前記基板は第２の半導体チップである半導体装置。
6. 請求項３に記載の半導体装置において、
   前記第２の凹部を覆い、かつ前記基板の一面に接する放熱板と、
   前記第２の凹部の底面と前記第１の凹部の底面の間に位置する前記実装基板を貫通しており、前記２つの底面それぞれで露出している熱伝導部材と、
   を備え、
   前記反り相殺部材は、前記実装部分、前記熱伝導部材、及び前記放熱板それぞれの熱膨張率と前記実装基板の熱膨張率の差に起因した反りを相殺する半導体装置。
7. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記反り相殺部材は、
   前記第１の凹部の上面を覆う第１の被覆部材と、
   前記実装基板の前記第１主面とは反対側の面である第２主面に形成され、前記実装基板に垂直な方向から見た場合に前記第１の凹部と重なっている第２の凹部と、
   前記第２の凹部の上面を覆う第２の被覆部材と、
   を備える半導体装置。
8. 請求項７に記載の半導体装置において、
   前記反り相殺部材は、前記第２の凹部の底面に実装された基板を備える半導体装置。
9. 請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体装置において、
   前記実装基板は、前記第１の凹部の下方に位置し、前記実装基板の本体より剛性が高い高剛性部材を有する半導体装置。