JP2009251218A - 光導波路の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン酸化層105の上に、所定の方向(導波方向)に延在するライン状のレジストパターン121およびレジストパターン122が形成された状態とする。レジストパターン121およびレジストパターン122は、連続して一体に形成され、先端部のレジストパターン122は、端部に向けて先細りのテーパ形状に形成された状態とする。次に、これらにより、酸化シリコンパターン141および酸化シリコンパターン142が形成された状態とする。この後、これらをマスクとしてシリコン層103をパターニングする。
【選択図】 図1
Description
Claims (5)
- 表面にシリコン層を備えた基板を用意し、前記シリコン層の上に酸化シリコン層が形成された状態とする第1工程と、
前記酸化シリコン層の上に導波方向に延在する第1レジストパターンおよびこの第1レジストパターンに連続するテーパ形状の第2レジストパターンが形成された状態とする第2工程と、
前記第1レジストパターンおよび前記第2レジストパターンをマスクとして前記酸化シリコン層をエッチングし、前記第1レジストパターンの形状が転写された第1酸化シリコンパターン,および前記第2レジストパターンの形状が転写された第2酸化シリコンパターンが形成された状態とする第3工程と、
前記第1レジストパターンおよび前記第2レジストパターンを除去した後、前記第1酸化シリコンパターンおよび前記第2酸化シリコンパターンをマスクとして前記シリコン層を層厚方向の途中までエッチングし、前記第1酸化シリコンパターンの形状が転写されたリッジパターン、および前記第2酸化シリコンパターンの形状が転写されたテーパリッジパターンとともに、スラブ層が形成された状態とする第4工程と、
前記テーパリッジパターンが露出して前記リッジパターンを含む領域が覆われたマスクパターンが形成された状態とする第5工程と、
前記マスクパターンおよび前記第2酸化シリコンパターンをマスクとして前記スラブ層をエッチングし、前記テーパリッジパターンが形成されている領域の前記スラブ層が除去されてテーパコアが形成された状態とする第6工程と、
前記マスクパターンを除去した後、前記テーパコアの上に、酸化シリコンよりも屈折率の大きい材料からなる中間コアが形成された状態とする第7工程と、
前記コアおよび前記中間コアを覆う上部クラッド層が形成された状態とする第8工程と
を少なくとも備えることを特徴とする光導波路の作製方法。 - 請求項1記載の光導波路の作製方法において、
前記酸化シリコン層は、少なくとも前記シリコン層を熱酸化することで形成した熱酸化層を含む
ことを特徴とする光導波路の作製方法。 - 請求項2記載の光導波路の作製方法において、
前記酸化シリコン層は、前記熱酸化層と、この熱酸化層の上に酸化シリコンを堆積することで形成した酸化シリコン層とから構成されている
ことを特徴とする光導波路の作製方法。 - 請求項2または3記載の光導波路の作製方法において、
前記第1工程では、前記熱酸化層を形成することで、前記シリコン層の層厚を所望の値に制御する
ことを特徴とする光導波路の作製方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光導波路の作製方法において、
前記マスクパターンは、前記リッジパターンを中心とした導波方向の幅が所望の寸法とされている
ことを特徴とする光導波路の作製方法。
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