JP2009246397A - 半導体装置内蔵基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 392
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 235
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 166
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 166
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 143
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 34
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 26
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 14
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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- H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
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Abstract
【解決手段】まず、第1半導体チップ12及び第1半導体チップを封止する封止層22を含む半導体装置10を用意する、次に、半導体装置を基材32上に固定し、しかる後、基材上に半導体装置を埋め込んで絶縁層16を形成する。半導体装置10は、第1半導体チップの側面から外方へ突出する突出部13Yを具える。
【選択図】図4
Description
図1〜図5を参照して、この発明の第1の実施の形態に係る半導体装置内蔵基板およびその製造方法につき説明する。図1は、半導体装置内蔵基板100の各構成要素の接続及び配置の様子を説明するために概略的に示した断面図である。図2〜図5は、半導体装置内蔵基板100の製造方法を説明するための工程図であって、工程段階の各図は、工程段階で得られた構造体を概略的に示した断面図である。
図6〜図9を参照して、この発明の第2の実施の形態につき説明する。
図10及び図11を参照して、この発明の第3の実施の形態につき説明する。
図12を参照して、この発明の第4の実施の形態につき説明する。
図13を参照して、この発明の第5の実施の形態につき説明する。
図14を参照して、この発明の第6の実施の形態につき説明する。
図15を参照して、この発明の第7の実施の形態につき説明する。
図16を参照して、この発明の第8の実施の形態につき説明する。
図17を参照して、この発明の第9の実施の形態につき説明する。
図18を参照して、この発明の第10の実施の形態につき説明する。
図19を参照して、この発明の第11の実施の形態につき説明する。
図20を参照して、この発明の第12の実施の形態につき説明する。
図21を参照して、この発明の第13の実施の形態につき説明する。
図22を参照して、この発明の第14の実施の形態につき説明する。
10a;半導体装置の表面
12:第1半導体チップ
12’:個片化前の第1半導体チップ
12a:第1半導体チップの主表面
12b:第1半導体チップの側壁面
12c:第1半導体チップの裏面
12x:第1半導体チップの側壁
13:第2半導体チップ
13a:第1半導体チップの搭載面
13b:第1半導体チップの載置面
13c:第1半導体チップの不載置面
13X:中央領域
13Y:突出部
14:第1電極パッド
16:絶縁膜
18:再配線層(装置内配線部)
19:ブレード
20:ポスト部(導電部)
20a:ポスト部の頂面
22:封止層
23:第2電極パッド
25、27:半導体ウェハ
26:ウェハ固定用テープ
30、35、302、330:絶縁層
32:基材
32a:基材の搭載面
34:第1絶縁層
36:第2絶縁層
36a:開口部
37:溝
38:ダイスボンド剤
40:外部端子
50、51、420:基板内配線部
53:半田ボール
55:ビルドアップ層
60、300:配線基板
62、306:ガラスエポキシ基材
64、77、307、312:配線
65、606、626:電極パッド
65a:電極パッドの表面
66、88:スルーホール
68:導体部
69、412:第1導電配線
70、80、97、103、110、113、130、131、174、180:プリプレグ(絶縁性樹脂層)
72、82:金属板
73:第1プリプレグ硬化層
74 101、115、133、145、156、162、172、178、190:第1樹脂形成板
75:複合基板
78、314、634:ランド
83:第2プリプレグ硬化層
84:第2樹脂形成板
85、415:導体部(第2導電配線)
90:積層体
91:押出し部
92、124:凸部
93:受け部
94、120、125、161、170:凹部
95、128:金型
98、104、154、155:開孔
99:銅箔
100、200、400、500:半導体装置内蔵基板
122:上型
126:下型
129:切削手段
135:支持部
140、152、153、158、160、165、176:熱硬化性樹脂
186:積層された絶縁性樹脂
195:スペーサ
304:配線部
307、312:配線
308、415:導体部
310:プリプレグ硬化層
341:包囲部
342:被覆部
600、620:支持部
602、622:半導体チップ
602a、622a:半導体チップの主表面
602b:半導体チップの側壁面
602c:半導体チップの傾斜側壁面
603、610、630:封止層
604、612、614、624:拡張部(突出部)
605:絶縁膜
607:再配線層
608:支持部
609、615:ポスト部
611:第2再配線層
613:第1再配線層
632:ビア
Claims (17)
- 第1半導体チップ、該半導体チップと電気的に接続され、かつ該半導体チップの側面よりも外方へ引き出されて設けられている装置内配線部、及び該第1半導体チップを封止する封止層を含む半導体装置を用意する工程と、
該半導体装置を基材上に固定し、しかる後、該基材上に前記半導体装置を埋め込む絶縁層、及び該絶縁層上に形成される外部端子を形成し、該外部端子と前記装置内配線部とを電気的に接続する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記半導体装置として、前記第1半導体チップの側面から外方へ突出する突出部を具える当該半導体装置を用意することを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記第1半導体チップの側壁面を含む平面と前記突出部の表面を含む平面とがなす、該第1半導体チップ側の交差角を鋭角とすることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記交差角を45°から60°の範囲内の値とすることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記半導体装置として、支持体及び該支持体の載置面上に接着された第1半導体チップを含む積層構造と、該積層構造を封止する封止層とを含む半導体装置を用意することを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記半導体装置として、前記支持体の一部分として形成されており、該第1半導体チップの側面から外方へ突出する突出部を具える当該半導体装置を用意することを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項5または6に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記第1半導体チップの側壁面と前記載置面とがなす、該第1半導体チップ側の交差角を鋭角とすることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記交差角を45°から60°の範囲内の値とすることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 主表面に第1電極パッドが形成された第1半導体チップ、該第1半導体チップと接触しかつ該第1半導体チップの側面から外方へ突出する突出部、前記第1電極パッドから前記突出部の表面上までにわたって設けられた装置内配線部、該装置内配線部と接続されていて該装置内配線部上に設けられた導電部、及び前記主表面及び前記突出部の表面上を前記導電部の頂面を露出させる状態で覆う封止層を具える半導体装置を用意する第1工程と、
該半導体装置を埋め込む絶縁層、該絶縁層上に形成される外部端子、及び前記導電部と前記外部端子とを電気的に接続する基板内配線部を形成する第2工程と
を含むことを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記第1半導体チップの側壁面を含む平面と前記突出部の表面を含む平面とがなす、該第1半導体チップ側の交差角を鋭角とすることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項10に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記交差角を45°から60°の範囲内の値とすることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 支持体の載置面に接着され、かつ主表面に第1電極パッドが形成された第1半導体チップ、前記支持体の一部分として形成されており、該第1半導体チップの側面から外方へ突出する突出部、前記第1電極パッドから前記突出部の表面上までにわたって設けられた装置内配線部、該装置内配線部と接続されていて該装置内配線部上に設けられた導電部、及び前記主表面及び前記突出部の表面上を前記導電部の頂面を露出させる状態で覆う封止層を具える半導体装置を用意する第1工程と、
該半導体装置を埋め込む絶縁層、該絶縁層上に形成される外部端子、及び前記導電部と前記外部端子とを電気的に接続する基板内配線部を形成する第2工程と
を含むことを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項12に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記第1半導体チップの側壁面と前記載置面とがなす、該第1半導体チップ側の交差角を鋭角とすることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項13に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記交差角を45°から60°の範囲内の値とすることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項12〜14のいずれかに記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記支持体を第2半導体チップとすることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項9〜15に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記第2工程は、
基材上に前記半導体装置を固定する半導体装置固定工程と、
前記基材及び前記半導体装置上に、前記半導体装置の導電部の頂面が露出されるように、前記絶縁層のうちの第1絶縁層を形成する第1絶縁層形成工程と、
前記導電部から前記第1絶縁層上へと延在する前記基板内配線部を形成する基板内配線部形成工程と、
前記基板内配線部の表面の一部が露出されるように、前記第1絶縁層及び基板内配線部上に、前記絶縁層のうちの第2絶縁層を形成する第2絶縁層形成工程と、
露出している前記基板内配線部上に外部端子を形成する外部端子形成工程と
を含むことを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。 - 請求項16に記載の半導体装置内蔵基板の製造方法において、
前記基材の両面及び該両面間には、前記基板内配線部としての導電配線が形成されていることを特徴とする半導体装置内蔵基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009174618A JP5089660B2 (ja) | 2009-07-27 | 2009-07-27 | 半導体装置内蔵基板の製造方法 |
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JP2006326551A Division JP4480710B2 (ja) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | 半導体装置内蔵基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009246397A true JP2009246397A (ja) | 2009-10-22 |
JP5089660B2 JP5089660B2 (ja) | 2012-12-05 |
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---|---|---|---|---|
JPH0425038A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置を用いた電子回路装置 |
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-
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- 2009-07-27 JP JP2009174618A patent/JP5089660B2/ja not_active Expired - Lifetime
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