JP2009245985A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1は、第1の導電型を有する一対の第1の半導体領域(202)及び第2の半導体領域207Mと、第2の導電型を有する第3の半導体領域204Mと、ゲート絶縁膜205Mと、ゲート電極206Mとを有するトランジスタ(3)と、トランジスタ3の第2の半導体領域207Mに電気的に接続される第1の電極203Cと、ゲート電極206Mに電気的に接続される第2の電極206Cと、第1の電極203Cと第2の電極206Cとの間に配設される誘電体205Cとを有するコンデンサ4とを備える。
【選択図】図3
Description
図2に示すように、本実施の形態に係る半導体装置1はパワーMISFET(metal insulator field effect transistor)3及びコンデンサ42を備えている。ここで、MISFETとは、ゲート絶縁膜に絶縁体が使用されているトランジスタを意味し、MOSFET(metal oxide field effect transistor)を含む意味において使用されている。このパワーMISFET3のドレイン領域はドレイン端子D(201)に電気的に接続され、ソース領域はソース端子S(211S)に電気的に接続され、ゲート電極はゲート端子(211G1、211G2)に電気的に接続されている。コンデンサ42の一方の第1の電極(203C)はパワーMISFET3のソース領域及びソース端子Sに電気的に接続され、他方の第2の電極(206C)はパワーMISFET3のゲート電極及びゲート端子Gに電気的に接続される。すなわち、コンデンサ42はパワーMISFET3のソース領域とゲート電極との間に電気的に並列に挿入されている。
図1に示すように、本実施の形態に係る半導体装置1にはパワーMISFET3が配設されたセル領域(活性領域又はトランジスタ部)30と、コンデンサ4が配設されたコンデンサ領域(コンデンサ部)40とを搭載した半導体チップ(半導体素子)2が組み込まれている。
図3に示すように、本実施の形態に係る半導体装置1の半導体チップ2は基板201を主体に構成されている。基板201には本実施の形態において第1の導電型のシリコン単結晶基板を実用的に使用することができる。基板201の主面上には第1の導電型の第1の半導体領域202が配設されている。ここで、基板201の主面とは、パワーMISFET3のゲート絶縁膜(205M)やゲート電極(206M)が成膜される側の基板201の表面(図3中、上側表面)であって、パワーMISFET3が作り込まれる主要な表面という意味において使用される。また、第1の導電型とは本実施の形態においてn型であり、後述する第2の導電型とはp型である。第1の半導体領域202は、基板201の主面上にエピタキシャル成長法を用いてシリコン単結晶層を成長させ、このシリコン単結晶層の全面に注入法若しくは拡散法を用いてn型不純物を導入することにより形成されている。第1の半導体領域202は例えば 1 x 1014 atoms/cm3 − 3 x 1014 atoms/cm3の不純物密度に設定されている。基板201及び第1の半導体領域202はパワーMISFET3の第1の半導体領域(ドレイン領域)として使用されている。
次に、前述の本実施の形態に係る半導体装置1の製造方法を、図4乃至図11を用いて説明する。
上記のように、本発明を一実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。例えば、前述の実施の形態は半導体チップ2にパワーMISFETを搭載した例を説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、IGBT及びコンデンサが搭載された半導体チップを組み込む半導体装置に適用することができる。
2…半導体チップ
21…第1の辺
22…第2の辺
23…第3の辺
24…第4の辺
3…パワーMISFET
30…セル領域
4、41、42…コンデンサ
40…コンデンサ領域
201…基板
202…半導体領域(第1の半導体領域)
203C…第1の電極
203C1…領域
204M…第3の半導体領域
205M…ゲート絶縁膜
205C…誘電体
206M…ゲート電極
206C…第2の電極
207M…第2の半導体領域
210…層間絶縁膜
205CH、206CH、210MH、210CH…コンタクト開口
211…電極
211G1、211G2…ゲート用外部端子
211S…ソース用外部端子
212…保護膜
Claims (7)
- 第1の導電型を有する一対の第1の半導体領域及び第2の半導体領域と、
前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間に配設され、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する第3の半導体領域と、
前記第3の半導体領域上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有するトランジスタ部と、
前記トランジスタ部の前記第2の半導体領域に電気的に接続される第1の電極と、
前記ゲート電極に電気的に接続された第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された誘電体と、を有するコンデンサ部と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記トランジスタ部及び前記コンデンサ部は同一基板に配設され、前記コンデンサ部は前記基板主面の中央部に配設され、前記トランジスタ部は基板主面の前記コンデンサ部の外周囲の周辺部に配設されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の電極は前記第2の導電型の第4の半導体領域により構成され、前記第2の電極は前記ゲート電極と同一の導電体により構成され、前記誘電体は前記ゲート絶縁膜と同一の絶縁膜により構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 前記コンデンサ部の前記第2の電極上に、層間絶縁膜を介在し、前記トランジスタ部の前記第3の半導体領域と前記コンデンサ部の前記第1の電極との間を電気的に接続する導体を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記コンデンサ部の領域において前記誘電体には一定間隔において複数のコンタクト開口が配設され、前記導体は前記コンタクト開口を通して前記第2の電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記コンタクト開口の平面形状は一方向に細長いスリットパターン又はドットパターンであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第4の半導体領域において前記コンタクト開口を通して前記導体が接続される一部分の領域の不純物密度がその他の部分の不純物密度に対して高く設定されていることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の半導体装置。
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