JP2009244096A - Sheet-like probe and method for manufacturing of same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sheet-like probe for forming an electrode structure having a front face electrode section with a small diameter, and surely achieving a stable electrical connection state to a circuit device having a to-be-inspected electrode formed with a resist film in a peripheral area, and also provide its method for manufacturing. <P>SOLUTION: In the sheet-like probe, a plurality of the electrode structures comprise: the front face electrode section protruded from a front face of an insulating sheet; and a back face electrode section exposed on a back face, and coupled to the front face electrode section by a short circuit section extended in the thickness direction of the insulating sheet. A plurality of the electrode structures are disposed in the insulating sheet in accordance with a pattern corresponding to the to-be-inspected electrode. The front face electrode section in the electrode structure is formed with metal bumps on a thin plate electrode substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えばウエハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるシート状プローブおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to, for example, a sheet-like probe used for performing electrical inspection of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in a wafer state and a method for manufacturing the same.

例えば、多数の集積回路が形成されたウエハや、半導体素子等の電子部品などの回路装置の電気的検査においては、被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査電極を有するプローブカードが用いられている。かかるプローブカードとしては、従来、ピンまたはブレードよりなる検査電極(プローブ)が配列されてなるものが使用されている。
然るに、被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハである場合において、当該ウエハを検査するためのプローブカードを作製する場合には、非常に多数の検査電極を配列することが必要となるので、当該プローブカードは極めて高価なものとなり、また、被検査電極のピッチが小さい場合には、プローブカードを作製すること自体が困難となる。更に、ウエハには、一般に反りが生じており、その反りの状態も製品(ウエハ)毎に異なるため、当該ウエハにおける多数の被検査電極に対して、プローブカードの検査電極の各々を安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。
For example, in an electrical inspection of a circuit device such as a wafer on which a large number of integrated circuits are formed or an electronic component such as a semiconductor element, inspection electrodes arranged according to a pattern corresponding to the pattern of the inspection target electrode of the circuit device under inspection A probe card having the following is used. As such a probe card, one in which inspection electrodes (probes) made of pins or blades are arranged has been used.
However, when the circuit device to be inspected is a wafer on which a large number of integrated circuits are formed, when producing a probe card for inspecting the wafer, it is necessary to arrange a very large number of inspection electrodes. Therefore, the probe card becomes extremely expensive, and when the pitch of the electrodes to be inspected is small, it is difficult to produce the probe card itself. Further, the wafer is generally warped, and the state of the warp varies depending on the product (wafer). Therefore, each of the inspection electrodes of the probe card can be stably and securely applied to many inspection electrodes on the wafer. It is practically difficult to ensure contact.

以上のような理由から、近年、ウエハに形成された集積回路を検査するためのプローブカードとして、一面に被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の一面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された、柔軟な絶縁膜にその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配列されてなるシート状プローブとを具えてなるものが提案されている(例えば特許文献1参照。)。   For the above reasons, as a probe card for inspecting an integrated circuit formed on a wafer in recent years, an inspection circuit board in which a plurality of inspection electrodes are formed according to a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected on one surface; An anisotropic conductive sheet disposed on one surface of the circuit board for inspection, and a plurality of electrode structures that extend through the flexible insulating film disposed in the thickness direction on the anisotropic conductive sheet Have been proposed (see, for example, Patent Document 1).

このようなプローブカードに用いられるシート状プローブの一例における構成を図21に示す。このシート状プローブ90は、例えば樹脂よりなる柔軟な絶縁性シート91を有し、この絶縁性シート91に、その厚み方向に伸びる複数の電極構造体95が被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置されて構成されている。この電極構造体95の各々は、絶縁性シート91の表面に露出する突起状の表面電極部96と、絶縁性シート91の裏面に露出する板状の裏面電極部97とが、絶縁性シート91をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部98を介して一体に連結されて構成されている。   A configuration of an example of a sheet-like probe used in such a probe card is shown in FIG. The sheet-like probe 90 has a flexible insulating sheet 91 made of, for example, a resin, and a plurality of electrode structures 95 extending in the thickness direction are formed on the insulating sheet 91 in the pattern of the electrode to be inspected of the circuit device to be inspected. Are arranged in accordance with a pattern corresponding to. Each of the electrode structures 95 includes a protruding surface electrode portion 96 exposed on the surface of the insulating sheet 91 and a plate-like back surface electrode portion 97 exposed on the back surface of the insulating sheet 91. Are integrally connected via a short-circuit portion 98 that extends through in the thickness direction.

このようなシート状プローブ90は、一般に、以下のようにして製造される。
先ず、図22(a)に示すように、絶縁性シート91の一面に金属層92が形成されてなる積層体90Aを用意し、図22(b)に示すように、絶縁性シート91にその厚み方向に貫通する貫通孔98Hを形成する。
次いで、図22(c)に示すように、絶縁性シート91の金属層92上にレジスト膜93を形成したうえで、金属層92を共通電極として電解メッキ処理を施すことにより、絶縁性シート91の貫通孔98Hの内部に金属の堆積体が充填されて金属層92に一体に連結された短絡部98が形成されると共に、当該絶縁性シート91の表面に、短絡部98に一体に連結された突起状の表面電極部96が形成される。
その後、金属層92からレジスト膜93を除去し、更に、図22(d)に示すように、表面電極部96を含む絶縁性シート91の表面にレジスト膜94Aを形成すると共に、金属層92上に、形成すべき裏面電極部のパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜94Bを形成し、当該金属層92に対してエッチング処理を施することにより、図22(e)に示すように、金属層92における露出する部分が除去されて裏面電極部97が形成され、以て電極構造体95が形成される。
そして、絶縁性シート91および表面電極部96上に形成されたレジスト膜94Aを除去すると共に、裏面電極部97上に形成されたレジスト膜94Bを除去することにより、シート状プローブ90が得られる。
Such a sheet-like probe 90 is generally manufactured as follows.
First, as shown in FIG. 22A, a laminate 90A in which a metal layer 92 is formed on one surface of an insulating sheet 91 is prepared, and as shown in FIG. A through hole 98H penetrating in the thickness direction is formed.
Next, as shown in FIG. 22C, a resist film 93 is formed on the metal layer 92 of the insulating sheet 91, and then an electroplating process is performed using the metal layer 92 as a common electrode. A through-hole 98H is filled with a metal deposit to form a short-circuit portion 98 integrally connected to the metal layer 92, and is integrally connected to the short-circuit portion 98 on the surface of the insulating sheet 91. The protruding surface electrode portion 96 is formed.
Thereafter, the resist film 93 is removed from the metal layer 92, and a resist film 94A is formed on the surface of the insulating sheet 91 including the surface electrode portion 96 as shown in FIG. Then, a resist film 94B is formed in accordance with a pattern corresponding to the pattern of the back electrode portion to be formed, and the metal layer 92 is subjected to an etching process, whereby as shown in FIG. The exposed portion is removed to form the back electrode portion 97, thereby forming the electrode structure 95.
Then, the sheet-like probe 90 is obtained by removing the resist film 94A formed on the insulating sheet 91 and the front surface electrode portion 96 and removing the resist film 94B formed on the back surface electrode portion 97.

しかしながら、上記のシート状プローブには、以下のような問題がある。
上記のシート状プローブの製造方法における短絡部98および表面電極部96を形成する工程においては、電解メッキによるメッキ層が等方的に成長するため、図23に示すように、得られる表面電極部96においては、当該表面電極部96の周縁から短絡部98の周縁までの距離wは、当該表面電極部96の突出高さhと同等の大きさとなる。従って、得られる表面電極部96の径Rは、突出高さhの2倍を超えて相当に大きいものとなる。そのため、例えば被検査電極の周辺領域にレジスト膜が形成されてなるウエハの電気的検査を行う場合には、当該レジスト膜が障害となって被検査電極と表面電極部96との電気的接続を確実に達成することが困難である。
However, the above sheet-like probe has the following problems.
In the step of forming the short-circuit portion 98 and the surface electrode portion 96 in the method for manufacturing the sheet-like probe described above, since the plating layer by electrolytic plating grows isotropically, as shown in FIG. In 96, the distance w from the peripheral edge of the surface electrode portion 96 to the peripheral edge of the short-circuit portion 98 is equal to the protruding height h of the surface electrode portion 96. Accordingly, the diameter R of the surface electrode portion 96 obtained is considerably larger than twice the protruding height h. Therefore, for example, when performing electrical inspection of a wafer in which a resist film is formed in the peripheral region of the electrode to be inspected, the resist film becomes an obstacle and the electrical connection between the electrode to be inspected and the surface electrode portion 96 is made. It is difficult to achieve reliably.

以上において、得られる表面電極部96の径を小さくする手段としては、当該表面電極部96の突出高さhを小さくする手段、短絡部98の径(断面形状が円形でない場合には、最短の長さを示す。)rを小さくする、すなわち絶縁性シート91の貫通孔98Hの径を小さくする手段が考えられるが、前者の手段によって得られるシート状プローブにおいては、被検査電極に対して安定な電気的接続を確実に達成することが困難となり、一方、後者の手段では、電解メッキ処理によって短絡部98および表面電極部96を形成すること自体が困難となる。   In the above, means for reducing the diameter of the surface electrode portion 96 to be obtained are means for reducing the protrusion height h of the surface electrode portion 96, and the diameter of the short-circuit portion 98 (if the cross-sectional shape is not circular, the shortest A means for reducing r, that is, reducing the diameter of the through-hole 98H of the insulating sheet 91 is conceivable. However, the sheet-like probe obtained by the former means is stable with respect to the electrode to be inspected. On the other hand, it is difficult to reliably achieve such an electrical connection, while the latter means makes it difficult to form the short circuit part 98 and the surface electrode part 96 by electrolytic plating.

このような問題を解決するため、特許文献2および特許文献3において、それぞれ基端から先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極部を有する多数の電極構造体が配置されてなるシート状プローブが提案されている(特許文献2および特許文献3参照。)。
しかしながら、このようなシート状プローブを多数回にわたって繰り返し使用すると、電極構造体における表面電極部の先端部分が早期に圧潰しやすい、という問題がある。
In order to solve such a problem, in Patent Document 2 and Patent Document 3, a sheet-like probe in which a large number of electrode structures each having a tapered surface electrode portion having a small diameter from the proximal end toward the distal end are arranged. Has been proposed (see Patent Document 2 and Patent Document 3).
However, when such a sheet-like probe is repeatedly used many times, there is a problem that the tip portion of the surface electrode portion in the electrode structure is easily crushed at an early stage.

特開平7−231019号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-231019 特開平11−326378号公報JP 11-326378 A 特開2002−196018号公報JP 2002-196018 A

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが可能で、周辺領域にレジスト膜が形成された被検査電極を有する回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができるシート状プローブおよびその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made based on the circumstances as described above, and an object thereof is to form an electrode structure having a surface electrode portion with a small diameter, and a resist film is formed in a peripheral region. Another object of the present invention is to provide a sheet-like probe capable of reliably achieving a stable electrical connection state even for a circuit device having an inspected electrode, and a method for manufacturing the same.

本発明のシート状プローブは、絶縁性シートに、当該絶縁性シートの表面から突出する表面電極部および裏面に露出する裏面電極部が当該絶縁性シートの厚み方向に伸びる短絡部によって連結されてなる複数の電極構造体が、被検査電極に対応するパターンに従って配置されてなり、
前記電極構造体の各々における表面電極部は、薄板状の電極基層上に金属バンプが形成されてなることを特徴とする。
The sheet-like probe of the present invention is formed by connecting a surface electrode portion protruding from the surface of the insulating sheet and a back electrode portion exposed on the back surface to the insulating sheet by a short-circuit portion extending in the thickness direction of the insulating sheet. A plurality of electrode structures are arranged according to a pattern corresponding to the electrode to be inspected,
The surface electrode portion in each of the electrode structures is formed by forming metal bumps on a thin plate-like electrode base layer.

本発明のシート状プローブの製造方法は、絶縁性シートに、当該絶縁性シートの表面から突出する表面電極部および裏面に露出する裏面電極部が当該絶縁性シートの厚み方向に伸びる短絡部によって連結されてなる複数の電極構造体が、被検査電極に対応するパターンに従って配置されてなり、前記電極構造体の各々における表面電極部が、薄板状の電極基層上に金属バンプが形成されてなるシート状プローブを製造する方法であって、
絶縁性シートと、その表面に形成された表面側金属層と、前記絶縁性シートの裏面に形成された裏面側金属層と、被検査電極に対応するパターンに従って形成された、それぞれ前記絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸びて前記表面側金属層および裏面側金属層の各々に連結された複数の短絡部とを有する複合体シートを製造し、
この複合体シートにおける表面側金属層に、前記金属バンプに対応するパターンに従って複数のパターン孔を有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜のパターン孔を介して露出する表面側金属層にメッキ処理を施すことによって複数の金属バンプを形成し、その後、当該複合体シートにおける表面側金属層および裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、当該表面側金属層の一部からなる電極基層上に金属バンプが形成されてなる複数の表面電極部を形成すると共に、裏面側金属層の一部からなる裏面電極部を形成する工程を有することを特徴とする。
The manufacturing method of the sheet-like probe of the present invention is connected to an insulating sheet by a short-circuit portion in which a surface electrode portion protruding from the surface of the insulating sheet and a back electrode portion exposed on the back surface extend in the thickness direction of the insulating sheet. A plurality of electrode structures are arranged according to a pattern corresponding to the electrode to be inspected, and the surface electrode portion of each of the electrode structures is a sheet in which metal bumps are formed on a thin plate-like electrode base layer A method of manufacturing a probe, comprising:
The insulating sheet, the surface side metal layer formed on the surface thereof, the back side metal layer formed on the back surface of the insulating sheet, and the insulating sheet formed according to the pattern corresponding to the electrode to be inspected. A composite sheet having a plurality of short-circuit portions extending through the thickness direction and connected to each of the front surface side metal layer and the back surface side metal layer,
A resist film having a plurality of pattern holes is formed on the surface-side metal layer in the composite sheet in accordance with a pattern corresponding to the metal bump, and the surface-side metal layer exposed through the pattern holes of the resist film is plated. Forming a plurality of metal bumps, and then etching the surface-side metal layer and the back-side metal layer in the composite sheet to form a metal on the electrode base layer composed of a part of the surface-side metal layer. It has the process of forming the back surface electrode part which consists of a part of back surface side metal layer while forming the several surface electrode part in which a bump is formed.

本発明のシート状プローブの製造方法においては、絶縁性シートに被検査電極に対応するパターンに従って複数の貫通孔を形成し、当該絶縁性シートの表面、裏面および貫通孔の内壁面を覆うよう金属薄層を形成し、当該金属薄層に対して電解メッキ処理を施すことにより、複合体シートを製造することができる。
また、前記表面電極部における金属バンプは、電極基層の径と実質的に同一の径を有するものであってもよい。
また、前記表面電極部における金属バンプは、電極基層の径より小さい径を有するものであってもよい。
In the method for manufacturing a sheet-like probe of the present invention, a metal is formed so that a plurality of through holes are formed in an insulating sheet according to a pattern corresponding to an electrode to be inspected, and covers the front and back surfaces of the insulating sheet and the inner wall surface of the through hole. A composite sheet can be manufactured by forming a thin layer and subjecting the metal thin layer to an electrolytic plating treatment.
Further, the metal bumps in the surface electrode portion may have a diameter substantially the same as the diameter of the electrode base layer.
Moreover, the metal bump in the said surface electrode part may have a diameter smaller than the diameter of an electrode base layer.

本発明のシート状プローブの製造方法によれば、複合体シートにおける表面側金属層に、形成すべき金属バンプに対応するパターンに従って複数のパターン孔を有するレジスト膜を形成したうえで、このレジスト膜のパターン孔を介して露出する表面側金属層にメッキ処理を施して金属バンプを形成するため、レジスト膜のパターン孔の形状に応じた表面電極部を得ることができ、従って、径の小さいパターン孔を有するレジスト膜を形成することにより、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することができる。
そして、このような製造方法によって得られるシート状プローブによれば、径が小さい表面電極部を有するため、周辺領域にレジスト膜が形成された被検査電極を有する回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。
According to the method for manufacturing a sheet-like probe of the present invention, a resist film having a plurality of pattern holes is formed on the surface-side metal layer of the composite sheet according to a pattern corresponding to the metal bump to be formed. Since the metal bumps are formed by plating the surface-side metal layer exposed through the pattern holes, a surface electrode portion corresponding to the shape of the pattern holes in the resist film can be obtained. By forming a resist film having holes, an electrode structure having a surface electrode portion with a small diameter can be formed.
According to the sheet-like probe obtained by such a manufacturing method, since the surface electrode portion has a small diameter, the electric probe is stable even for a circuit device having an electrode to be inspected in which a resist film is formed in the peripheral region. Connection can be reliably achieved.

以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
図1は、本発明のシート状プローブの一例における構成を示す説明用断面図であり、図2は、図1に示すシート状プローブの要部の構成を拡大して示す説明用断面図である。
このシート状プローブ10は、例えばウエハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるものであって、柔軟な絶縁性シート11を有し、この絶縁性シート11には、当該絶縁性シート11の厚み方向に伸びる金属よりな複数の電極構造体15が、ウエハに形成された集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って互いに離間して配置されている。
電極構造体15の各々は、絶縁性シート11の表面から突出する突起状の表面電極部16と、絶縁性シート11の裏面に露出する薄板状の裏面電極部17とが、絶縁性シート11の厚み方向に貫通して伸びる短絡部18によって互いに一体に連結されて構成されている。また、表面電極部16は、薄板状の電極基層16A上に、当該電極基層16Aと実質的に同一の径を有する金属バンプ16Bが一体に形成されて構成されている。
Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail.
FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of an example of the sheet-like probe of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view showing an enlarged configuration of a main part of the sheet-like probe shown in FIG. .
The sheet-like probe 10 is used, for example, to perform electrical inspection of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in a wafer state, and has a flexible insulating sheet 11, and this insulating sheet 11, a plurality of electrode structures 15 made of metal extending in the thickness direction of the insulating sheet 11 are arranged apart from each other according to a pattern corresponding to the pattern of the electrodes to be inspected of the integrated circuit formed on the wafer. Yes.
Each of the electrode structures 15 includes a protruding surface electrode portion 16 protruding from the surface of the insulating sheet 11 and a thin plate-like back electrode portion 17 exposed on the back surface of the insulating sheet 11. The short-circuit portions 18 extending through the thickness direction are integrally connected to each other. Further, the surface electrode portion 16 is configured by integrally forming a metal bump 16B having substantially the same diameter as the electrode base layer 16A on a thin plate-like electrode base layer 16A.

絶縁性シート11を構成する材料としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアラミド樹脂、ポリアミド樹脂等の樹脂材料、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリエステル樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂等の繊維補強型樹脂材料、エポキシ樹脂等にアルミナ、ポロンナイトライド等の無機材料をフィラーとして含有した複合樹脂材料などを用いることができる。
また、絶縁性シート11としては、線熱膨張係数が3×10-5/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは1×10-6〜2×10-5/K、特に好ましくは1×10-6〜6×10-6/Kである。このような絶縁性シート11を用いることにより、当該絶縁性シート11の熱膨張による電極構造体15の位置ずれを抑制することができる。
また、絶縁性シート11の厚みは、10〜200μmであることが好ましく、より好ましくは15〜100μmである。
As a material constituting the insulating sheet 11, resin materials such as liquid crystal polymer, polyimide resin, polyester resin, polyaramid resin, polyamide resin, glass fiber reinforced epoxy resin, glass fiber reinforced polyester resin, glass fiber reinforced polyimide resin For example, a fiber-reinforced resin material such as an epoxy resin or a composite resin material containing an inorganic material such as alumina or poron nitride as a filler can be used.
The insulating sheet 11 preferably has a linear thermal expansion coefficient of 3 × 10 −5 / K or less, more preferably 1 × 10 −6 to 2 × 10 −5 / K, particularly preferably. 1 × 10 −6 to 6 × 10 −6 / K. By using such an insulating sheet 11, it is possible to suppress displacement of the electrode structure 15 due to thermal expansion of the insulating sheet 11.
Moreover, it is preferable that the thickness of the insulating sheet 11 is 10-200 micrometers, More preferably, it is 15-100 micrometers.

電極構造体15を構成する材料としては、金属材料を好適に用いることができ、その具体例としては、ニッケル、コバルト、金、銅、銀、パラジウム、ロジウム、タングステン、アルミニウムなどの単体金属またはこれらの合金などを挙げることができる。
電極構造体15における表面電極部16、裏面電極部17および短絡部18の各々は、互いに同一の金属により形成されていても、互いに異なる金属により形成されていてもよい。
また、表面電極部16における電極基層16Aおよび金属バンプ16Bは、互いに同一の金属により形成されていても、互いに異なる金属により形成されていてもよいが、後述する製造方法により表面電極部16を形成する場合には、金属バンプ16Bとして、電極基層16Aを形成する材料よりもエッチング速度が低いもの(エッチングされにくいもの)を用いることが好ましい。
また、表面に酸化膜が形成された被検査電極について電気的検査を行う場合には、シート状プローブ10の電極構造体15と被検査電極を接触させ、電極構造体15の表面電極部16により被検査電極の表面の酸化膜を破壊して、当該電極構造体15と被検査電極との電気的接続を達成することが必要である。そのため、電極構造体15における表面電極部16の金属バンプ16Bは、酸化膜を容易に破壊することかできる程度の硬度を有するものであることが好ましい。このような表面電極部16を得るために、表面電極部16における金属バンプ16Bを構成する金属中に、硬度の高い粉末物質を含有させることができる。
このような粉末物質としては、ダイヤモンド粉末、窒化シリコン、炭化シリコン、セラミックス、ガラスなどを用いることができ、これらの非導電性の粉末物質の適量を含有させることにより、電極構造体15の導電性を損なうことなしに、電極構造体15の表面電極部16によって、被検査電極の表面に形成された酸化膜を破壊することができる。
また、被検査電極の表面の酸化膜を容易に破壊するために、電極構造体15における表面電極部16の形状を鋭利な突起状のものとしたり、表面電極部16の表面に微細な凹凸を形成したりすることができる。
また、電極構造体15における表面電極部16および裏面電極部17には、必要に応じて、被覆膜が形成されていてもよい。例えは被検査電極が半田材料により構成されている場合には、当該半田材料が拡散することを防止する観点から、表面電極部16に、銀、パラジウム、ロジウムなどの耐拡散性金属よりなる被覆膜を形成することができる。
As a material constituting the electrode structure 15, a metal material can be suitably used. Specific examples thereof include simple metals such as nickel, cobalt, gold, copper, silver, palladium, rhodium, tungsten, and aluminum, or these. And alloys thereof.
Each of the front electrode portion 16, the back electrode portion 17, and the short-circuit portion 18 in the electrode structure 15 may be formed of the same metal or different metals.
Further, the electrode base layer 16A and the metal bump 16B in the surface electrode portion 16 may be formed of the same metal or different metals, but the surface electrode portion 16 is formed by a manufacturing method described later. In this case, it is preferable to use a metal bump 16B having a lower etching rate (not easily etched) than the material forming the electrode base layer 16A.
Further, when an electrical inspection is performed on an electrode to be inspected having an oxide film formed on the surface, the electrode structure 15 of the sheet-like probe 10 and the electrode to be inspected are brought into contact with each other by the surface electrode portion 16 of the electrode structure 15. It is necessary to destroy the oxide film on the surface of the electrode to be inspected to achieve electrical connection between the electrode structure 15 and the electrode to be inspected. Therefore, it is preferable that the metal bump 16B of the surface electrode portion 16 in the electrode structure 15 has a hardness that can easily break the oxide film. In order to obtain such a surface electrode portion 16, a powder material having high hardness can be contained in the metal constituting the metal bump 16 </ b> B in the surface electrode portion 16.
As such a powder substance, diamond powder, silicon nitride, silicon carbide, ceramics, glass and the like can be used. By containing an appropriate amount of these non-conductive powder substances, the conductivity of the electrode structure 15 can be increased. The oxide film formed on the surface of the electrode to be inspected can be destroyed by the surface electrode portion 16 of the electrode structure 15 without damaging the structure.
In addition, in order to easily destroy the oxide film on the surface of the electrode to be inspected, the shape of the surface electrode portion 16 in the electrode structure 15 is a sharp protrusion, or fine irregularities are formed on the surface of the surface electrode portion 16. Or can be formed.
Moreover, the coating film may be formed in the surface electrode part 16 and the back surface electrode part 17 in the electrode structure 15 as needed. For example, when the electrode to be inspected is made of a solder material, the surface electrode portion 16 is covered with a non-diffusible metal such as silver, palladium, or rhodium from the viewpoint of preventing the solder material from diffusing. A covering film can be formed.

電極構造体15のピッチは、検査対象であるウエハの被検査電極のピッチに応じて設定され、例えば40〜250μmであることが好ましく、より好ましくは40〜150μmである。
ここで、「電極構造体のピッチ」とは、隣接する電極構造体の間の中心間距離であって最も短いものをいう。
The pitch of the electrode structures 15 is set according to the pitch of the electrodes to be inspected of the wafer to be inspected, and is preferably 40 to 250 μm, for example, and more preferably 40 to 150 μm.
Here, the “pitch of electrode structures” is the shortest distance between the centers of adjacent electrode structures.

電極構造体15において、表面電極部16の絶縁性シート11からの突出高さは、5〜200μmであることが好ましい。また、表面電極部16の径は、例えば5〜200μm、好ましくは10〜150μmである。
電極構造体15における短絡部18の径は、例えば5〜120μm、好ましくは10〜100μmである。
電極構造体15における裏面電極部17の径は、隣接する電極構造体15との絶縁性が確保されれば特に限定されないが、裏面電極部17に電気的に接続される電極の径の70〜150%であることが好ましい。
In the electrode structure 15, the protruding height of the surface electrode portion 16 from the insulating sheet 11 is preferably 5 to 200 μm. Moreover, the diameter of the surface electrode part 16 is 5-200 micrometers, for example, Preferably it is 10-150 micrometers.
The diameter of the short-circuit portion 18 in the electrode structure 15 is, for example, 5 to 120 μm, preferably 10 to 100 μm.
The diameter of the back electrode portion 17 in the electrode structure 15 is not particularly limited as long as the insulation with the adjacent electrode structure 15 is ensured, but the diameter of the electrode electrically connected to the back electrode portion 17 is 70 to 70. It is preferably 150%.

そして、本発明の製造方法においては、上記のシート状プローブ10が以下のようにして製造される。
先ず、絶縁性シートと、この絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、絶縁性シートの裏面に形成された裏面側金属層と、被検査電極に対応するパターンに従って形成された、それぞれ絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸びて表面側金属層および裏面側金属層の各々に連結された複数の短絡部とを有する複合体シートを製造する。
この複合体シートは、例えば以下のようにして製造することができる。
And in the manufacturing method of this invention, said sheet-like probe 10 is manufactured as follows.
First, the insulating sheet, the surface-side metal layer formed on the surface of the insulating sheet, the back-side metal layer formed on the back surface of the insulating sheet, and formed according to the pattern corresponding to the electrode to be inspected, A composite sheet having a plurality of short-circuit portions each extending through the insulating sheet in the thickness direction and connected to each of the front surface side metal layer and the back surface side metal layer is manufactured.
This composite sheet can be produced, for example, as follows.

図3に示すように、絶縁性シート11に、検査対象であるウエハの被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、絶縁性シート11の厚み方向に貫通する複数の貫通孔12を形成する。
ここで、絶縁性シート11に貫通孔12を形成する方法としては、レーザー加工法、エッチング加工法などを利用することができる。
また、絶縁性シート11に形成される貫通孔12の径は、形成すべき電極構造体15の短絡部18の径に適合する径である。
次いで、図4に示すように、貫通孔12が形成された絶縁性シート11の表面、裏面および貫通孔12の内壁面を覆うよう金属薄層13を形成する。
ここで、絶縁性シート11に金属薄層13を形成する方法としては、スパッタ法、無電解メッキ法を利用することができる。
絶縁性シート11に形成される金属薄層13の厚みは、例えば0.01〜5μm、好ましくは0.05〜2μmである。
そして、絶縁性シート11の表面に形成された金属薄層13に対して電解メッキ処理を施すことにより、図5に示すように、絶縁性シート11の表面および裏面に、所要の厚みを有する表面側金属層14Aおよび裏面側金属層14Bが形成されると共に、絶縁性シート11の各貫通孔12内には、表面側金属層14Aおよび裏面側金属層14Bの各々に連結された複数の短絡部18が形成され、以て、複合体シート10Aが製造される。
ここで、絶縁性シート11の表面および裏面に形成される表面側金属層14Aおよび裏面側金属層14Bの各々の厚みは、例えば1〜20μm、好ましくは2〜10μmである。
As shown in FIG. 3, a plurality of through holes 12 penetrating in the thickness direction of the insulating sheet 11 are formed in the insulating sheet 11 in accordance with a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected on the wafer to be inspected.
Here, as a method of forming the through hole 12 in the insulating sheet 11, a laser processing method, an etching processing method, or the like can be used.
The diameter of the through hole 12 formed in the insulating sheet 11 is a diameter that matches the diameter of the short-circuit portion 18 of the electrode structure 15 to be formed.
Next, as shown in FIG. 4, a thin metal layer 13 is formed so as to cover the front and back surfaces of the insulating sheet 11 in which the through holes 12 are formed and the inner wall surfaces of the through holes 12.
Here, as a method of forming the metal thin layer 13 on the insulating sheet 11, a sputtering method or an electroless plating method can be used.
The thickness of the thin metal layer 13 formed on the insulating sheet 11 is, for example, 0.01 to 5 μm, preferably 0.05 to 2 μm.
Then, by subjecting the thin metal layer 13 formed on the surface of the insulating sheet 11 to electrolytic plating, a surface having a required thickness is formed on the front and back surfaces of the insulating sheet 11 as shown in FIG. The side metal layer 14A and the back side metal layer 14B are formed, and a plurality of short-circuit portions connected to the front side metal layer 14A and the back side metal layer 14B in each through hole 12 of the insulating sheet 11 18 is formed, and thus the composite sheet 10A is manufactured.
Here, the thickness of each of the front-side metal layer 14A and the back-side metal layer 14B formed on the front and back surfaces of the insulating sheet 11 is, for example, 1 to 20 μm, preferably 2 to 10 μm.

このような複合体シート10Aにおける表面側金属層14Aの表面に、図6に示すように、形成すべき電極構造体15における表面電極部16の金属バンプ16Bに対応するパターンに従って複数のパターン孔19Hを有するレジスト膜19を形成する。
ここで、レジスト膜19のパターン孔19Hの径は、形成すべき電極構造体15における表面電極部16の金属バンプ16Bに適合する径である。
また、レジスト膜19の厚みは、形成すべき電極構造体15の表面電極部16の突出高さに応じて設定される。
次いで、表面側金属層14Aにおけるレジスト膜19のパターン孔19Hを介して露出する部分に電解メッキ処理を施して、当該レジスト膜19のパターン孔19H内に金属を堆積させることにより、図7に示すように、表面側金属層14Aの表面に、金属バンプ16Bが形成される。
ここで、金属バンプ16Bを形成する材料として、表面側金属層14Aを形成する材料よりもエッチング速度が低いものが用いられる。具体的な例を挙げると、表面側金属層14Aを形成する材料が銅である場合には、金属バンプ16Bを形成する材料として、例えばニッケルが用いられる。
As shown in FIG. 6, a plurality of pattern holes 19H are formed on the surface of the surface-side metal layer 14A in the composite sheet 10A according to a pattern corresponding to the metal bumps 16B of the surface electrode portion 16 in the electrode structure 15 to be formed. A resist film 19 is formed.
Here, the diameter of the pattern hole 19H of the resist film 19 is a diameter suitable for the metal bump 16B of the surface electrode portion 16 in the electrode structure 15 to be formed.
Moreover, the thickness of the resist film 19 is set according to the protruding height of the surface electrode portion 16 of the electrode structure 15 to be formed.
Next, the portion exposed through the pattern hole 19H of the resist film 19 in the surface-side metal layer 14A is subjected to an electrolytic plating process to deposit metal in the pattern hole 19H of the resist film 19, thereby showing the structure shown in FIG. As described above, the metal bumps 16B are formed on the surface of the surface-side metal layer 14A.
Here, as the material for forming the metal bump 16B, a material having an etching rate lower than that of the material for forming the surface-side metal layer 14A is used. As a specific example, when the material for forming the surface side metal layer 14A is copper, for example, nickel is used as a material for forming the metal bumps 16B.

次いで、複合体シート10Aの表面からレジスト膜19を除去し、露出した表面側金属層14Aに対してエッチング処理を施すことにより、図8に示すように、絶縁性シート11の表面に、表面側金属層の一部からなる電極基層16A上に金属バンプ16Bが形成されてなる複数の表面電極部16が形成される。その後、裏面側金属層14Bにフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、裏面側金属層の一部からなる裏面電極部17が形成され、以て、図1に示すシート状プローブ10が製造される。   Next, the resist film 19 is removed from the surface of the composite sheet 10A, and the exposed surface-side metal layer 14A is subjected to an etching process, whereby the surface of the insulating sheet 11 is exposed to the surface side as shown in FIG. A plurality of surface electrode portions 16 formed by forming metal bumps 16B on the electrode base layer 16A made of a part of the metal layer are formed. Thereafter, the back surface side metal layer 14B is subjected to photolithography and etching to form the back surface electrode portion 17 composed of a part of the back surface side metal layer, and thus the sheet-like probe 10 shown in FIG. 1 is manufactured. .

図9は、本発明の製造方法によって得られるシート状プローブの他の例における構成を示す説明用断面図であり、図10は、図9に示すシート状プローブの要部の構成を拡大して示す説明用断面図である。
このシート状プローブ10は、例えばウエハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるものであって、柔軟な絶縁性シート11を有し、この絶縁性シート11には、当該絶縁性シート11の厚み方向に伸びる金属よりな複数の電極構造体15が、ウエハに形成された集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って互いに離間して配置されている。
電極構造体15の各々は、絶縁性シート11の表面から突出する突起状の表面電極部16と、絶縁性シート11の裏面に露出する薄板状の裏面電極部17とが、絶縁性シート11の厚み方向に貫通して伸びる短絡部18によって互いに一体に連結されて構成されている。また、表面電極部16は、薄板状の電極基層16A上に、当該電極基層16Aの径より小さい径を有する金属バンプ16Bが一体に形成されて構成されている。
ここで、金属バンプ16Bの径は、例えば5〜80μm、好ましくは10〜50μmであり、その他の具体的な構成は、図1に示すシート状プローブと同様である。
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the structure of another example of the sheet-like probe obtained by the manufacturing method of the present invention, and FIG. 10 is an enlarged view of the structure of the main part of the sheet-like probe shown in FIG. FIG.
The sheet-like probe 10 is used, for example, to perform electrical inspection of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in a wafer state, and has a flexible insulating sheet 11, and this insulating sheet 11, a plurality of electrode structures 15 made of metal extending in the thickness direction of the insulating sheet 11 are arranged apart from each other according to a pattern corresponding to the pattern of the electrodes to be inspected of the integrated circuit formed on the wafer. Yes.
Each of the electrode structures 15 includes a protruding surface electrode portion 16 protruding from the surface of the insulating sheet 11 and a thin plate-like back electrode portion 17 exposed on the back surface of the insulating sheet 11. The short-circuit portions 18 extending through the thickness direction are integrally connected to each other. Further, the surface electrode portion 16 is configured by integrally forming a metal bump 16B having a diameter smaller than that of the electrode base layer 16A on a thin plate-like electrode base layer 16A.
Here, the diameter of the metal bump 16B is, for example, 5 to 80 μm, preferably 10 to 50 μm, and other specific configurations are the same as those of the sheet-like probe shown in FIG.

そして、本発明の製造方法においては、上記のシート状プローブ10が以下のようにして製造される。
先ず、図1に示すシート状プローブと同様にして複合体シート10Aを製造する(図3〜図5参照。)。
次いで、この複合体シート10Aにおける表面側金属層14Aの表面に、図11に示すように、形成すべき電極構造体15における表面電極部16の金属バンプ16Bに対応するパターンに従って複数のパターン孔19Hを有するレジスト膜19を形成する。
ここで、レジスト膜19のパターン孔19Hの径は、形成すべき電極構造体15における表面電極部16の金属バンプ16Bに適合する径である。
また、レジスト膜19の厚みは、形成すべき電極構造体15の表面電極部16の突出高さに応じて設定される。
次いで、表面側金属層14Aにおけるレジスト膜19のパターン孔19Hを介して露出する部分に電解メッキ処理を施して、当該レジスト膜19のパターン孔19H内に金属を堆積させることにより、図12に示すように、表面側金属層14Aの表面に、金属バンプ16Bが形成される。
以上において、レジスト膜19のパターン孔19Hの形状を変えることにより、円柱状、角柱状、断面が星形の柱状などの種々の形状の金属バンプ16Bを形成することができる。
And in the manufacturing method of this invention, said sheet-like probe 10 is manufactured as follows.
First, the composite sheet 10A is manufactured in the same manner as the sheet-like probe shown in FIG. 1 (see FIGS. 3 to 5).
Next, a plurality of pattern holes 19H are formed on the surface of the surface-side metal layer 14A in the composite sheet 10A according to a pattern corresponding to the metal bumps 16B of the surface electrode portion 16 in the electrode structure 15 to be formed, as shown in FIG. A resist film 19 is formed.
Here, the diameter of the pattern hole 19H of the resist film 19 is a diameter suitable for the metal bump 16B of the surface electrode portion 16 in the electrode structure 15 to be formed.
Moreover, the thickness of the resist film 19 is set according to the protruding height of the surface electrode portion 16 of the electrode structure 15 to be formed.
Next, the portion exposed through the pattern hole 19H of the resist film 19 in the surface-side metal layer 14A is subjected to an electrolytic plating process to deposit metal in the pattern hole 19H of the resist film 19, thereby showing the structure shown in FIG. As described above, the metal bumps 16B are formed on the surface of the surface-side metal layer 14A.
In the above, by changing the shape of the pattern hole 19H of the resist film 19, the metal bumps 16B having various shapes such as a columnar shape, a prismatic shape, and a columnar shape having a star shape in cross section can be formed.

次いで、複合体シート10Aの表面からレジスト膜19を除去し、その後、図13に示すように、金属バンプ16Bおよび表面側金属層14Aにおける金属バンプ16Bの周辺部分を覆うよう、レジストパターン19Aを形成し、露出した表面側金属層14Aに対してエッチング処理を施すことにより、図14に示すように、絶縁性シート11の表面に、表面側金属層の一部からなる電極基層16A上に金属バンプ16Bが形成されてなる複数の表面電極部16が形成される。次いで、表面電極部16の各々の表面からレジストパターン19Aを除去し、その後、裏面側金属層14Bにフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、裏面側金属層の一部からなる裏面電極部17が形成され、以て、図9に示すシート状プローブ10が製造される。   Next, the resist film 19 is removed from the surface of the composite sheet 10A, and then a resist pattern 19A is formed so as to cover the peripheral portions of the metal bumps 16B and the metal bumps 16B in the surface side metal layer 14A as shown in FIG. Then, by etching the exposed surface side metal layer 14A, as shown in FIG. 14, a metal bump is formed on the surface of the insulating sheet 11 on the electrode base layer 16A made of a part of the surface side metal layer. A plurality of surface electrode portions 16 formed by forming 16B are formed. Next, the resist pattern 19A is removed from each surface of the front surface electrode portion 16, and then the back surface side metal layer 14B is subjected to photolithography and etching treatment, whereby the back surface electrode portion 17 made of a part of the back surface side metal layer is formed. Thus, the sheet-like probe 10 shown in FIG. 9 is manufactured.

上記のようなシート状プローブ10の製造方法によれば、複合体シート10Aにおける表面側金属層14Aに、形成すべき金属バンプ16Bに対応するパターンに従って複数のパターン孔19Hを有するレジスト膜19を形成したうえで、このレジスト膜19のパターン孔19Hを介して露出する表面側金属層14Aにメッキ処理を施して金属バンプ16Bを形成するため、レジスト膜19のパターン孔19Hの形状に応じた表面電極部16を得ることができ、従って、径の小さいパターン孔19Hを有するレジスト膜19を形成することにより、径が小さい表面電極部16を有する電極構造体15を形成することができる。
そして、このような製造方法によって得られるシート状プローブ10によれば、径が小さい表面電極部16を有するため、周辺領域にレジスト膜が形成された被検査電極を有する回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。
According to the method for manufacturing the sheet-like probe 10 as described above, the resist film 19 having a plurality of pattern holes 19H is formed on the surface-side metal layer 14A in the composite sheet 10A according to the pattern corresponding to the metal bump 16B to be formed. In addition, the surface side metal layer 14A exposed through the pattern hole 19H of the resist film 19 is plated to form the metal bumps 16B, so that the surface electrode corresponding to the shape of the pattern hole 19H of the resist film 19 is formed. Therefore, the electrode structure 15 having the surface electrode portion 16 having a small diameter can be formed by forming the resist film 19 having the pattern hole 19H having a small diameter.
According to the sheet-like probe 10 obtained by such a manufacturing method, since it has the surface electrode portion 16 having a small diameter, it is stable even for a circuit device having an electrode to be inspected in which a resist film is formed in the peripheral region. Therefore, it is possible to reliably achieve an electrical connection state.

図15は、本発明のシート状プローブを具えたプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図であり、であり、図16は、図15に示すプローブカードの要部の構成を示す説明用断面図である。
このプローブカード30は、検査用回路基板31と、この検査用回路基板31の一面(図1および図2において上面)に配置された異方導電性コネクター20と、この異方導電性コネクター20上に配置された図1に示す構成のシート状プローブ10とにより構成されている。
FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating an example of a probe card provided with the sheet-like probe of the present invention. FIG. 16 is an explanatory view illustrating the configuration of the main part of the probe card shown in FIG. It is sectional drawing.
The probe card 30 includes an inspection circuit board 31, an anisotropic conductive connector 20 disposed on one surface of the inspection circuit board 31 (upper surface in FIGS. 1 and 2), and the anisotropic conductive connector 20. The sheet-like probe 10 having the configuration shown in FIG.

検査用回路基板31は、図17にも示すように、円板状の第1の基板素子32を有し、この第1の基板素子32の表面(図15および図16において上面)における中央部には、正八角形の板状の第2の基板素子35が配置され、この第2の基板素子35は、第1の基板素子32の表面に固定されたホルダー34に保持されている。また、第1の基板素子32の裏面における中央部には、補強部材37が設けられている。
第1の基板素子32の表面における中央部には、複数の接続用電極(図示省略)が適宜のパターンに従って形成されている。一方、第1の基板素子32の裏面における周縁部には、図18に示すように、複数のリード電極33が当該第1の基板素子32の周方向に沿って並ぶよう配置されたリード電極部33Rが形成されている。リード電極33のパターンは、ウエハ検査装置におけるコントローラーの入試出力端子のパターンに対応するパターンである。そして、リード電極33の各々は内部配線(図示省略)を介して接続用電極に電気的に接続されている。
第2の基板素子35の表面(図15および図16において上面)には、複数の検査用電極36が、検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査用電極部36Rが形成されている。一方、第2の基板素子35の裏面には、複数の端子電極(図示省略)が適宜のパターンに従って配置されており、端子電極の各々は内部配線(図示省略)を介して検査用電極36に電気的に接続されている。
そして、第1の基板素子32の接続用電極と第2の基板素子35の端子電極とは適宜の手段によって電気的に接続されている。
As shown in FIG. 17, the inspection circuit board 31 includes a disk-shaped first substrate element 32, and a central portion on the surface (the upper surface in FIGS. 15 and 16) of the first substrate element 32. Are arranged in a regular octagonal plate-like second substrate element 35, and the second substrate element 35 is held by a holder 34 fixed to the surface of the first substrate element 32. In addition, a reinforcing member 37 is provided at the center of the back surface of the first substrate element 32.
A plurality of connection electrodes (not shown) are formed in an appropriate pattern at the center of the surface of the first substrate element 32. On the other hand, a lead electrode portion in which a plurality of lead electrodes 33 are arranged along the circumferential direction of the first substrate element 32 as shown in FIG. 33R is formed. The pattern of the lead electrode 33 is a pattern corresponding to the pattern of the input / output terminal of the controller in the wafer inspection apparatus. Each of the lead electrodes 33 is electrically connected to a connection electrode via an internal wiring (not shown).
On the surface of the second substrate element 35 (the upper surface in FIGS. 15 and 16), a plurality of inspection electrodes 36 are in accordance with a pattern corresponding to the pattern of the electrodes to be inspected in the integrated circuit formed on the wafer to be inspected. The arranged inspection electrode part 36R is formed. On the other hand, on the back surface of the second substrate element 35, a plurality of terminal electrodes (not shown) are arranged according to an appropriate pattern, and each of the terminal electrodes is connected to the inspection electrode 36 via an internal wiring (not shown). Electrically connected.
The connection electrode of the first substrate element 32 and the terminal electrode of the second substrate element 35 are electrically connected by appropriate means.

検査用回路基板31における第1の基板素子32を構成する基板材料としては、従来公知の種々の材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂基板材料などが挙げられる。
検査用回路基板31における第2の基板素子35を構成する材料としては、線熱膨張係数が3×10-5/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは1×10-7〜1×10-5/K、特に好ましくは1×10-6〜6×10-6/Kである。このような基板材料の具体例としては、パイレックス(登録商標)ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等よりなる無機系基板材料、42合金、コバール、インバー等の鉄−ニッケル合金鋼よりなる金属板をコア材としてエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂を積層した積層基板材料などが挙げられる。
As a substrate material constituting the first substrate element 32 in the circuit board 31 for inspection, conventionally known various materials can be used. Specific examples thereof include glass fiber reinforced epoxy resin and glass fiber reinforced phenol. Examples thereof include composite resin substrate materials such as resin, glass fiber reinforced polyimide resin, and glass fiber reinforced bismaleimide triazine resin.
As a material constituting the second substrate element 35 in the circuit board 31 for inspection, it is preferable to use a material having a linear thermal expansion coefficient of 3 × 10 −5 / K or less, and more preferably 1 × 10 −7 to 1 × 10 −5 / K, particularly preferably 1 × 10 −6 to 6 × 10 −6 / K. Specific examples of such substrate materials include inorganic substrate materials made of Pyrex (registered trademark) glass, quartz glass, alumina, beryllia, silicon carbide, aluminum nitride, boron nitride, etc., iron such as 42 alloy, Kovar, and Invar. -The laminated board material etc. which laminated | stacked resin, such as an epoxy resin or a polyimide resin, using the metal plate which consists of nickel alloy steel as a core material are mentioned.

ホルダー34は、第2の基板素子35の外形に適合する正八角形状の開口34Kを有し、この開口34K内に第2の基板素子35が収容されている。また、ホルダー34の外縁は円形であり、当該ホルダー34の外縁には、周方向に沿って段部34Sが形成されている。   The holder 34 has a regular octagonal opening 34 </ b> K that matches the outer shape of the second substrate element 35, and the second substrate element 35 is accommodated in the opening 34 </ b> K. The outer edge of the holder 34 is circular, and a step 34S is formed on the outer edge of the holder 34 along the circumferential direction.

異方導電性コネクター20は、図19に示すように、それぞれ厚み方向に貫通する複数の開口22が形成された円板状のフレーム板21を有する。このフレーム板21の開口22は、検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路における被検査電極が形成された電極領域のパターンに対応して形成されている。フレーム板21には、厚み方向に導電性を有する複数の弾性異方導電膜23が、それぞれ一の開口22を塞ぐよう、当該フレーム板21の開口縁部に支持された状態で配置されている。   As shown in FIG. 19, the anisotropic conductive connector 20 includes a disk-shaped frame plate 21 in which a plurality of openings 22 penetrating in the thickness direction are formed. The opening 22 of the frame plate 21 is formed corresponding to the pattern of the electrode region where the electrodes to be inspected are formed in all the integrated circuits formed on the wafer to be inspected. A plurality of elastic anisotropic conductive films 23 having conductivity in the thickness direction are arranged on the frame plate 21 so as to be supported by the opening edge portions of the frame plate 21 so as to block the one opening 22. .

弾性異方導電膜23の各々は、その基材が弾性高分子物質よりなり、図20にも拡大して示すように、厚み方向に伸びる複数の接続用導電部24と、この接続用導電部24の各々の周囲に形成され、当該接続用導電部24の各々を相互に絶縁する絶縁部25とよりなる機能部26を有し、当該機能部26は、フレーム板21の開口22内に位置するよう配置されている。この機能部26における接続用導電部24は、検査対象であるウエハに形成された集積回路における電極領域の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置されている。
機能部26の周縁には、フレーム板21の開口縁部に固定支持された被支持部28が、当該機能部26に一体に連続して形成されている。具体的には、この例における被支持部28は、二股状に形成されており、フレーム板21の開口縁部を把持するよう密着した状態で固定支持されている。
弾性異方導電膜23の機能部26における接続用導電部24には、磁性を示す導電性粒子Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部25は、導電性粒子Pが全く或いは殆ど含有されていないものである。
また、図示の例では、弾性異方導電膜23における機能部26の両面には、接続用導電部24およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部27が形成されている。
Each of the elastic anisotropic conductive films 23 is made of an elastic polymer material, and as shown in an enlarged view in FIG. 20, a plurality of connection conductive portions 24 extending in the thickness direction, and the connection conductive portions. 24 has a functional part 26 formed of an insulating part 25 that is formed around each of the connecting conductive parts 24 and insulates each of the connecting conductive parts 24 from each other. The functional part 26 is located in the opening 22 of the frame plate 21. Arranged to do. The conductive portion 24 for connection in the functional portion 26 is arranged according to a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected in the electrode area in the integrated circuit formed on the wafer to be inspected.
A supported portion 28 fixedly supported by the opening edge of the frame plate 21 is formed integrally with the functional portion 26 at the periphery of the functional portion 26. Specifically, the supported portion 28 in this example is formed in a bifurcated shape, and is fixedly supported in close contact so as to grip the opening edge of the frame plate 21.
The conductive portion 24 for connection in the functional portion 26 of the elastic anisotropic conductive film 23 contains the conductive particles P exhibiting magnetism densely in an aligned state in the thickness direction. On the other hand, the insulating part 25 contains no or almost no conductive particles P.
Further, in the illustrated example, on both surfaces of the functional portion 26 in the elastic anisotropic conductive film 23, protruding portions 27 protruding from the other surfaces are formed at locations where the connecting conductive portion 24 and its peripheral portion are located. ing.

フレーム板21の厚みは、その材質によって異なるが、20〜600μmであることが好ましく、より好ましくは40〜400μmである。
この厚みが20μm未満である場合には、異方導電性コネクター20を使用する際に必要な強度が得られず、耐久性が低いものとなりやすく、また、当該フレーム板21の形状が維持される程度の剛性が得られず、異方導電性コネクター20の取扱い性が低いものとなる。一方、厚みが600μmを超える場合には、開口22に形成される弾性異方導電膜23は、その厚みが過大なものとなって、接続用導電部24における良好な導電性および隣接する接続用導電部24間における絶縁性を得ることが困難となることがある。
フレーム板21の開口22における面方向の形状および寸法は、検査対象であるウエハの被検査電極の寸法、ピッチおよびパターンに応じて設計される。
Although the thickness of the frame board 21 changes with the materials, it is preferable that it is 20-600 micrometers, More preferably, it is 40-400 micrometers.
When this thickness is less than 20 μm, the strength required when using the anisotropically conductive connector 20 is not obtained, the durability tends to be low, and the shape of the frame plate 21 is maintained. A degree of rigidity cannot be obtained, and the handleability of the anisotropic conductive connector 20 is low. On the other hand, when the thickness exceeds 600 μm, the elastic anisotropic conductive film 23 formed in the opening 22 becomes excessively thick, and the conductive property in the connection conductive portion 24 and the adjacent connection use It may be difficult to obtain insulation between the conductive portions 24.
The shape and size in the surface direction of the opening 22 of the frame plate 21 are designed according to the size, pitch, and pattern of the electrodes to be inspected on the wafer to be inspected.

フレーム板21を構成する材料としては、当該フレーム板21が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板21を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレーム板21の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。
フレーム板21を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを2種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
The material constituting the frame plate 21 is not particularly limited as long as the frame plate 21 is not easily deformed and has a rigidity that allows the shape to be stably maintained. For example, a metal material, a ceramic material Various materials such as a resin material can be used. When the frame plate 21 is made of, for example, a metal material, an insulating coating may be formed on the surface of the frame plate 21.
Specific examples of the metal material constituting the frame plate 21 include metals such as iron, copper, nickel, titanium, and aluminum, or alloys or alloy steels in which two or more of these are combined.

また、フレーム板21を構成する材料としては、線熱膨張係数が3×10-5/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−1×10-7〜1×10-5/K、特に好ましくは1×10-6〜8×10-6/Kである。
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、42合金などの合金または合金鋼などが挙げられる。
Moreover, as a material which comprises the frame board 21, it is preferable to use a thing with a linear thermal expansion coefficient of 3 * 10 < -5 > / K or less, More preferably, it is -1 * 10 < -7 > -1 * 10 < -5 > / K. Particularly preferably, it is 1 × 10 −6 to 8 × 10 −6 / K.
Specific examples of such a material include Invar type alloys such as Invar, Elinvar type alloys such as Elinvar, alloys such as Super Invar, Kovar, and 42 alloy, or alloy steel.

弾性異方導電膜23の全厚(図示の例では接続用導電部24における厚み)は、50〜3000μmであることが好ましく、より好ましくは70〜2500μm、特に好ましくは100〜2000μmである。この厚みが50μm以上であれば、十分な強度を有する弾性異方導電膜23が確実に得られる。一方、この厚みが3000μm以下であれば、所要の導電性特性を有する接続用導電部23が確実に得られる。
突出部27の突出高さは、その合計が当該突出部27における厚みの10%以上であることが好ましく、より好ましくは20%以上である。このような突出高さを有する突出部27を形成することにより、小さい加圧力で接続用導電部24が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
また、突出部27の突出高さは、当該突出部27の最短幅または直径の100%以下であることが好ましく、より好ましくは70%以下である。このような突出高さを有する突出部27を形成することにより、当該突出部27が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。
また、被支持部28の厚み(図示の例では二股部分の一方の厚み)は、5〜600μmであることが好ましく、より好ましくは10〜500μm、特に好ましくは20〜400μmである。
また、被支持部28は二股状に形成されることは必須のことではなく、フレーム板21の一面のみに固定されていてもよい。
The total thickness of the elastic anisotropic conductive film 23 (thickness in the connecting conductive portion 24 in the illustrated example) is preferably 50 to 3000 μm, more preferably 70 to 2500 μm, and particularly preferably 100 to 2000 μm. If this thickness is 50 μm or more, the elastic anisotropic conductive film 23 having sufficient strength can be obtained reliably. On the other hand, if the thickness is 3000 μm or less, the connecting conductive portion 23 having the required conductive characteristics can be obtained reliably.
As for the protrusion height of the protrusion part 27, it is preferable that the sum total is 10% or more of the thickness in the said protrusion part 27, More preferably, it is 20% or more. By forming the projecting portion 27 having such a projecting height, the connecting conductive portion 24 is sufficiently compressed with a small applied pressure, so that good conductivity can be reliably obtained.
The protrusion height of the protrusion 27 is preferably 100% or less of the shortest width or diameter of the protrusion 27, more preferably 70% or less. By forming the projecting portion 27 having such a projecting height, the projecting portion 27 does not buckle when pressed, and thus the desired conductivity can be reliably obtained.
Further, the thickness of the supported portion 28 (one thickness of the bifurcated portion in the illustrated example) is preferably 5 to 600 μm, more preferably 10 to 500 μm, and particularly preferably 20 to 400 μm.
Further, the supported portion 28 is not necessarily formed in a bifurcated shape, and may be fixed to only one surface of the frame plate 21.

弾性異方導電膜23を構成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、成形加工性および電気特性の点で、シリコーンゴムを用いることが好ましい。   As the elastic polymer material constituting the elastic anisotropic conductive film 23, a heat-resistant polymer material having a crosslinked structure is preferable. As a curable polymeric substance-forming material that can be used to obtain such a crosslinked polymeric substance, it is preferable to use silicone rubber in terms of moldability and electrical characteristics.

弾性異方導電膜23における接続用導電部24に含有される導電性粒子Pとしては、当該弾性異方導電膜23の形成において、当該弾性異方導電膜23を形成するための成形材料中において当該導電性粒子Pを容易に移動させることができる観点から、磁性を示すものを用いることが好ましい。このような磁性を示す導電性粒子Pの具体例としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性体のメッキを施したもの、あるいは芯粒子に、導電性磁性体および導電性の良好な金属の両方を被覆したものなどが挙げられる。
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性の良好な金属のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば無電解メッキにより行うことができる。
In the formation of the elastic anisotropic conductive film 23, the conductive particles P contained in the connection conductive portion 24 in the elastic anisotropic conductive film 23 are included in the molding material for forming the elastic anisotropic conductive film 23. From the viewpoint that the conductive particles P can be easily moved, it is preferable to use those showing magnetism. Specific examples of such conductive particles P exhibiting magnetism include metal particles exhibiting magnetism such as iron, nickel and cobalt, particles of these alloys, particles containing these metals, or cores of these particles. Particles with the surface of the core particles plated with a metal having good conductivity such as gold, silver, palladium, rhodium, or inorganic substance particles such as non-magnetic metal particles or glass beads, or polymer particles are used as core particles. The surface of the core particle is plated with a conductive magnetic material such as nickel or cobalt, or the core particle is coated with both a conductive magnetic material and a metal having good conductivity. It is done.
Among these, it is preferable to use nickel particles as core particles and the surfaces thereof plated with a metal having good conductivity such as gold or silver.
The means for coating the surface of the core particles with the conductive metal is not particularly limited, but can be performed by, for example, electroless plating.

導電性粒子Pとして、芯粒子の表面に導電性金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な導電性が得られる観点から、粒子表面における導電性金属の被覆率(芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合)が40%以上であることが好ましく、さらに好ましくは45%以上、特に好ましくは47〜95%である。
また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の2.5〜50重量%であることが好ましく、より好ましくは3〜45重量%、さらに好ましくは3.5〜40重量%、特に好ましくは5〜30重量%である。
In the case of using the conductive particles P in which the surface of the core particles is coated with a conductive metal, from the viewpoint of obtaining good conductivity, the coverage of the conductive metal on the particle surface (surface area of the core particles). The ratio of the covering area of the conductive metal with respect to is preferably 40% or more, more preferably 45% or more, and particularly preferably 47 to 95%.
The coating amount of the conductive metal is preferably 2.5 to 50% by weight of the core particles, more preferably 3 to 45% by weight, still more preferably 3.5 to 40% by weight, and particularly preferably 5%. ~ 30% by weight.

また、導電性粒子Pの粒子径は、1〜500μmであることが好ましく、より好ましくは2〜400μm、さらに好ましくは5〜300μm、特に好ましくは10〜150μmである。
また、導電性粒子Pの粒子径分布(Dw/Dn)は、1〜10であることが好ましく、より好ましくは1〜7、さらに好ましくは1〜5、特に好ましくは1〜4である。
このような条件を満足する導電性粒子Pを用いることにより、得られる弾性異方導電膜23は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該弾性異方導電膜23における接続用導電部24において導電性粒子P間に十分な電気的接触が得られる。
また、導電性粒子Pの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した2次粒子による塊状のものであることが好ましい。
Moreover, it is preferable that the particle diameter of the electroconductive particle P is 1-500 micrometers, More preferably, it is 2-400 micrometers, More preferably, it is 5-300 micrometers, Most preferably, it is 10-150 micrometers.
Moreover, it is preferable that the particle diameter distribution (Dw / Dn) of the electroconductive particle P is 1-10, More preferably, it is 1-7, More preferably, it is 1-5, Most preferably, it is 1-4.
By using the conductive particles P that satisfy such conditions, the obtained elastic anisotropic conductive film 23 can be easily deformed under pressure, and the connecting conductive portion 24 in the elastic anisotropic conductive film 23 is obtained. In this case, sufficient electrical contact can be obtained between the conductive particles P.
Further, the shape of the conductive particles P is not particularly limited, but spherical particles, star-shaped particles, or agglomerated particles 2 can be easily dispersed in the polymer substance-forming material. It is preferable that it is a lump with secondary particles.

機能部26の接続用導電部24における導電性粒子Pの含有割合は、体積分率で10〜60%、好ましくは15〜50%となる割合で用いられることが好ましい。この割合が10%未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい接続用導電部24が得られないことがある。一方、この割合が60%を超える場合には、得られる接続用導電部24は脆弱なものとなりやすく、接続用導電部24として必要な弾性が得られないことがある。   The content ratio of the conductive particles P in the connecting conductive portion 24 of the functional portion 26 is preferably 10 to 60%, preferably 15 to 50% in terms of volume fraction. When this ratio is less than 10%, the connection conductive portion 24 having a sufficiently small electric resistance value may not be obtained. On the other hand, if this ratio exceeds 60%, the obtained connecting conductive portion 24 is likely to be fragile, and the elasticity necessary for the connecting conductive portion 24 may not be obtained.

このような異方導電性コネクター20は、例えば特開2002−334732号公報に記載されている方法によって製造することができる。   Such an anisotropic conductive connector 20 can be manufactured, for example, by a method described in JP-A-2002-334732.

シート状プローブ10における絶縁性シート11の裏面には、円形のリング状の保持部材40が当該絶縁性シート31の周縁部に沿って配置され、当該保持部材40によって絶縁性シート31が保持されている。
そして、シート状プローブ10は、電極構造体15の各々における裏面電極部17が異方導電性コネクター20の弾性異方導電膜23における接続用導電部24に対接するよう配置され、保持部材40が検査用回路基板31におけるホルダー34の段部34Sに係合されて固定されている。
On the back surface of the insulating sheet 11 in the sheet-like probe 10, a circular ring-shaped holding member 40 is disposed along the peripheral edge of the insulating sheet 31, and the insulating sheet 31 is held by the holding member 40. Yes.
The sheet-like probe 10 is arranged such that the back electrode portion 17 in each of the electrode structures 15 is in contact with the connecting conductive portion 24 in the elastic anisotropic conductive film 23 of the anisotropic conductive connector 20, and the holding member 40 is The inspection circuit board 31 is engaged with and fixed to the step 34S of the holder 34.

このようなプローブカードによれば、径が小さい表面電極部16を有するシート状プローブを具えてなるため、周辺領域にレジスト膜が形成された被検査電極を有する回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。   According to such a probe card, since the sheet-like probe having the surface electrode portion 16 having a small diameter is provided, stable electric power can be obtained even for a circuit device having an electrode to be inspected in which a resist film is formed in the peripheral region. Connection can be reliably achieved.

本発明のシート状プローブの一例における構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure in an example of the sheet-like probe of this invention. 図1に示すシート状プローブの要部の構成を拡大して示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which expands and shows the structure of the principal part of the sheet-like probe shown in FIG. 貫通孔が形成された絶縁性シートを示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the insulating sheet in which the through-hole was formed. 絶縁性シートに金属薄層が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the metal thin layer was formed in the insulating sheet. 複合体シートの構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of a composite sheet. 複合体シートにおける表面側金属層上にレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the resist film was formed on the surface side metal layer in a composite sheet. レジスト膜のパターン孔内に金属バンプが形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the metal bump was formed in the pattern hole of a resist film. 表面電極部が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the surface electrode part was formed. 本発明のシート状プローブの他の例における構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure in the other example of the sheet-like probe of this invention. 図9に示すシート状プローブの要部の構成を拡大して示す説明用断面図であるIt is sectional drawing for description which expands and shows the structure of the principal part of the sheet-like probe shown in FIG. 複合体シートにおける表面側金属層上にレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the resist film was formed on the surface side metal layer in a composite sheet. レジスト膜のパターン孔内に金属バンプが形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the metal bump was formed in the pattern hole of a resist film. 金属バンプおよび表面側金属層における金属バンプの周辺部分を覆うよう、レジストパターンが形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the resist pattern was formed so that the peripheral part of the metal bump and the metal bump in a surface side metal layer might be covered. 表面電極部が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the surface electrode part was formed. 本発明のシート状プローブを具えたプローブカードの構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of the probe card provided with the sheet-like probe of this invention. 図15に示すプローブカードの要部の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of the principal part of the probe card shown in FIG. 図15に示すプローブカードにおける検査要回路基板の平面図である。FIG. 16 is a plan view of a circuit board requiring inspection in the probe card shown in FIG. 15. 検査要回路基板におけるリード電極部を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the lead electrode part in a circuit board for a test | inspection. 図15に示すプローブカードにおける異方導電性コネクターを示す平面図である。It is a top view which shows the anisotropically conductive connector in the probe card shown in FIG. 図19に示す異方導電性コネクターにおける要部を拡大して示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which expands and shows the principal part in the anisotropically conductive connector shown in FIG. 従来のシート状プローブの一例における構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure in an example of the conventional sheet-like probe. 従来のシート状プローブの製造工程を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the manufacturing process of the conventional sheet-like probe. 図21に示すシート状プローブを拡大して示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which expands and shows the sheet-like probe shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10 シート状プローブ
10A 複合体シート
11 絶縁性シート
12 貫通孔
13 金属薄層
14A 表面側金属層
14B 裏面側金属層
15 電極構造体
16 表面電極部
16A 電極基層
16B 金属バンプ
17 裏面電極部
18 短絡部
19 レジスト膜
19A レジストパターン
19H パターン孔
20 異方導電性コネクター
21 フレーム板
22 開口
23,23A 弾性異方導電膜
24 接続用導電部
25 絶縁部
26 機能部
27 突出部
28 被支持部
30 プローブカード
31 検査用回路基板
32 第1の基板素子
33 リード電極
33R リード電極部
34 ホルダー
34K 開口
34S 段部
35 第2の基板素子
36 検査用電極
36R 検査用電極部
37 補強部材
40 保持部材
90 シート状プローブ
90A 積層体
91 絶縁性シート
91A 絶縁膜材
92 金属層
93 レジスト膜
94A,94B レジスト膜
95 電極構造体
96 表面電極部
97 裏面電極部
98 短絡部
98H 貫通孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Sheet-like probe 10A Composite sheet 11 Insulating sheet 12 Through-hole 13 Metal thin layer 14A Surface side metal layer 14B Back surface side metal layer 15 Electrode structure 16 Surface electrode part 16A Electrode base layer 16B Metal bump 17 Back surface electrode part 18 Short-circuit part DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 Resist film 19A Resist pattern 19H Pattern hole 20 Anisotropic conductive connector 21 Frame board 22 Opening 23, 23A Elastic anisotropic conductive film 24 Connection conductive part 25 Insulation part 26 Function part 27 Projection part 28 Supported part 30 Probe card 31 Circuit board for inspection 32 First substrate element 33 Lead electrode 33R Lead electrode portion 34 Holder 34K Opening 34S Step portion 35 Second substrate element 36 Inspection electrode 36R Inspection electrode portion 37 Reinforcing member 40 Holding member 90 Sheet-like probe 90A Laminated body 91 Insulating sheet 91A Insulating film material 92 Metal Layer 93 Resist films 94A and 94B Resist film 95 Electrode structure 96 Front surface electrode portion 97 Back surface electrode portion 98 Short-circuit portion 98H Through-hole

Claims (5)

絶縁性シートに、当該絶縁性シートの表面から突出する表面電極部および裏面に露出する裏面電極部が当該絶縁性シートの厚み方向に伸びる短絡部によって連結されてなる複数の電極構造体が、被検査電極に対応するパターンに従って配置されてなり、
前記電極構造体の各々における表面電極部は、薄板状の電極基層上に金属バンプが形成されてなることを特徴とするシート状プローブ。
A plurality of electrode structures in which a surface electrode portion protruding from the surface of the insulating sheet and a back surface electrode portion exposed on the back surface are connected to the insulating sheet by a short-circuit portion extending in the thickness direction of the insulating sheet. Arranged according to the pattern corresponding to the inspection electrode,
The surface electrode portion in each of the electrode structures is formed by forming a metal bump on a thin plate electrode base layer.
絶縁性シートに、当該絶縁性シートの表面から突出する表面電極部および裏面に露出する裏面電極部が当該絶縁性シートの厚み方向に伸びる短絡部によって連結されてなる複数の電極構造体が、被検査電極に対応するパターンに従って配置されてなり、前記電極構造体の各々における表面電極部が、薄板状の電極基層上に金属バンプが形成されてなるシート状プローブを製造する方法であって、
絶縁性シートと、その表面に形成された表面側金属層と、前記絶縁性シートの裏面に形成された裏面側金属層と、被検査電極に対応するパターンに従って形成された、それぞれ前記絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸びて前記表面側金属層および裏面側金属層の各々に連結された複数の短絡部とを有する複合体シートを製造し、
この複合体シートにおける表面側金属層に、前記金属バンプに対応するパターンに従って複数のパターン孔を有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜のパターン孔を介して露出する表面側金属層にメッキ処理を施すことによって複数の金属バンプを形成し、その後、当該複合体シートにおける表面側金属層および裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、当該表面側金属層の一部からなる電極基層上に金属バンプが形成されてなる複数の表面電極部を形成すると共に、裏面側金属層の一部からなる裏面電極部を形成する工程を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。
A plurality of electrode structures in which a surface electrode portion protruding from the surface of the insulating sheet and a back surface electrode portion exposed on the back surface are connected to the insulating sheet by a short-circuit portion extending in the thickness direction of the insulating sheet. A method for producing a sheet-like probe that is arranged according to a pattern corresponding to an inspection electrode, and in which the surface electrode portion in each of the electrode structures has a metal bump formed on a thin plate-like electrode base layer,
The insulating sheet, the surface side metal layer formed on the surface thereof, the back side metal layer formed on the back surface of the insulating sheet, and the insulating sheet formed according to the pattern corresponding to the electrode to be inspected. A composite sheet having a plurality of short-circuit portions extending through the thickness direction and connected to each of the front surface side metal layer and the back surface side metal layer,
A resist film having a plurality of pattern holes is formed on the surface-side metal layer in the composite sheet in accordance with a pattern corresponding to the metal bump, and the surface-side metal layer exposed through the pattern holes of the resist film is plated. Forming a plurality of metal bumps, and then etching the surface-side metal layer and the back-side metal layer in the composite sheet to form a metal on the electrode base layer composed of a part of the surface-side metal layer. A method for manufacturing a sheet-like probe, comprising: forming a plurality of front surface electrode portions formed with bumps and forming a back surface electrode portion made of a part of a back surface side metal layer.
絶縁性シートに被検査電極に対応するパターンに従って複数の貫通孔を形成し、当該絶縁性シートの表面、裏面および貫通孔の内壁面を覆うよう金属薄層を形成し、当該金属薄層に対して電解メッキ処理を施すことにより、複合体シートを製造することを特徴とする請求項2に記載のシート状プローブの製造方法。   A plurality of through holes are formed in the insulating sheet according to a pattern corresponding to the electrode to be inspected, and a thin metal layer is formed so as to cover the front surface, the back surface of the insulating sheet, and the inner wall surface of the through hole. The method according to claim 2, wherein the composite sheet is manufactured by performing an electrolytic plating process. 表面電極部における金属バンプは、電極基層の径と実質的に同一の径を有するものであることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のシート状プローブの製造方法。   4. The method for manufacturing a sheet-like probe according to claim 2, wherein the metal bumps in the surface electrode portion have a diameter substantially the same as the diameter of the electrode base layer. 表面電極部における金属バンプは、電極基層の径より小さい径を有するものであることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のシート状プローブの製造方法。   The method for manufacturing a sheet-like probe according to claim 2 or 3, wherein the metal bump in the surface electrode portion has a diameter smaller than that of the electrode base layer.
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