JP2009239241A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体レーザ本体70と、窒化物半導体レーザ本体70上に配置されるレーザストライプ80と、窒化物半導体レーザ本体70およびレーザストライプ80のレーザ光の出射端面100上に配置される酸素吸収層50と、窒化物半導体レーザ本体70およびレーザストライプ80のレーザ光の出射端面100と対向する反対側に配置される後端面保護膜60とを備え、酸素吸収層50は、ZrO2、Al2O3、SiO2 、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、AlN、SiN、AlON、SiON、AlNx(0<x<1)いずれかを含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施の形態に係る窒化物半導体素子は、図1の上面図に模式的に示すように、窒化物半導体レーザ本体70と、窒化物半導体レーザ本体70上に配置されるレーザストライプ80と、窒化物半導体レーザ本体70およびレーザストライプ80のレーザ光の出射端面100上に配置される酸素吸収層50と、窒化物半導体レーザ本体70およびレーザストライプ80のレーザ光の出射端面100と対向する反対側に配置される後端面保護膜60とを備える。
図4を用いて、消衰係数kについて説明する。
本発明の第2の実施の形態に係る窒化物半導体素子は、図9の上面図に模式的に示すように、窒化物半導体レーザ本体70と、窒化物半導体レーザ本体70上に配置されるレーザストライプ80と、窒化物半導体レーザ本体70およびレーザストライプ80のレーザ光の出射端面100上に配置される酸素吸収層52と、酸素吸収層52上に配置される光吸収を考慮しないコーティング膜54とを備える。
図13は、AlN膜の成膜時の窒素(N2)流量(sccm)とAlN膜の消衰係数kのは、5nm〜20nmの範囲内であることが望ましい。値を示す。また、図14は、図13に対応し、AlN膜の成膜時の窒素(N2)流量(sccm)とAlN膜の消衰係数kの値の関係を示す。
上記のように、本発明は第1の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
12…n型GaNバッファ層
14…n型超格子クラッド層
16…n型GaNガイド層
18…InGaN活性層
20…電子ブロック層
22…p型GaNガイド層
24…絶縁膜
26…p型超格子クラッド層
28…p型GaNコンタクト層
30…p側オーミック電極
32…p側電極
40…n側電極
50,52…酸素吸収層
54…光吸収を考慮しないコーティング膜
60…後端面保護膜
62…DBR膜
62a…ZrO2膜
62b…SiO2膜
70…窒化物半導体レーザ本体
80…レーザストライプ
90…吸収媒質
100…レーザ光の出射端面
Claims (10)
- GaN系半導体基板と、
前記GaN系半導体基板上に配置されたn型半導体層およびp型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層の間に配置され、Inを含む活性層と、
レーザ光の出射端面に配置され、波長405nmでの消衰係数を0.2〜0.002に調整した酸素吸収層と
を備えることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 前記酸素吸収層に対向し、前記窒化物半導体素子の後端面を被覆する後端面保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記酸素吸収層は、屈折率が2.3〜2.6のZrO2からなることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記酸素吸収層は、屈折率が1.7〜1.9のAl2O3からなることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- GaN系半導体基板と、
前記GaN系半導体基板上に配置されたn型半導体層およびp型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層の間に配置され、Inを含む活性層と、
レーザ光の出射端面に配置され、波長405nmでの消衰係数を0.2〜0.0004に調整した酸素吸収層と、
前記酸素吸収層上に、光吸収を考慮しないコーティング膜と
を備えることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 前記酸素吸収層に対向し、前記窒化物半導体素子の後端面を被覆する後端面保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体素子。
- 前記酸素吸収層は、波長405nmでの消衰係数を0.2〜0.002に調整した屈折率が2.3〜2.6のZrO2からなることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記酸素吸収層は、波長405nmでの消衰係数を0.2〜0.002に調整した屈折率が1.7〜1.9のAl2O3からなることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記酸素吸収層は、波長405nmでの消衰係数を0.03〜0.0004に調整した屈折率が1.9〜2.15のAlNからなることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体素子。
- 前記酸素吸収層の厚さは、5nm〜20nmであることを特徴とする請求項5〜9のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
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