JP2012084753A - 窒化物系半導体レーザ素子及び光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】端面コート膜の剥離を抑制し、安定性の高い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子100は、n型GaNからなる基板1の上面上に形成された窒化物系半導体からなる半導体素子層2を備え、レーザ光出射方向に対して直交する一対の共振器端面(出射側共振器面2a及び反射側共振器面2b)が形成されている。出射側共振器面2a上には、AlN層51、AlOxNy層52、Al2O3層53、AlOxNy層54及びAl2O3層55が順次形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子100は、n型GaNからなる基板1の上面上に形成された窒化物系半導体からなる半導体素子層2を備え、レーザ光出射方向に対して直交する一対の共振器端面(出射側共振器面2a及び反射側共振器面2b)が形成されている。出射側共振器面2a上には、AlN層51、AlOxNy層52、Al2O3層53、AlOxNy層54及びAl2O3層55が順次形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、窒化物系半導体レーザ素子及び光装置に関し、特に、出射側共振器面に誘電体膜が形成された窒化物系半導体レーザ素子及び光装置に関する。
従来、半導体レーザは、光ディスクシステムや光通信システムなどの光源として広く用いられている。また、システムを構成する機器の高性能化に伴いレーザ素子特性の向上が要望されている。特に、高密度光ディスクシステムの光源として、レーザ光の短波長化や高出力化が望まれており、近年では、窒化物系半導体により、発振波長が約405nmの青紫色半導体レーザ素子が開発されている。
特許文献1には、共振器の端面に形成されたAl2O3等の誘電体膜からなる端面コート膜を備え、共振器の端面と端面コート膜との間にAlNからなる密着層が形成された窒化物系半導体レーザ素子が開示されている。
上記特許文献1に開示された窒化物系半導体レーザ素子において、反射率を制御するために端面コート膜の厚みを調整する際に、端面コート膜の厚みを100nm以上とする場合がある。この場合、端面コート膜の応力が増加するので、端面コート膜が共振器の端面から剥離しやすい。その結果、共振器端面における反射率が変動するので、レーザ光強度が不安定になるなどの不具合が生じる。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、端面コート膜の剥離を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子は、発光層を含み、出射側共振器面と反射側共振器面とを有する窒化物系半導体からなる半導体素子層と、前記出射側共振器面上に形成された端面コート膜とを備え、前記端面コート膜は、前記出射側共振器面上に接して形成された窒化アルミニウムからなる第1誘電体膜と、前記第1誘電体膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第2誘電体膜と、前記第2絶縁膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第3誘電体膜と、前記第3絶縁膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第4誘電体膜と、前記第4絶縁膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第5誘電体膜とを有する。
なお、本発明において、出射側共振器面及び反射側共振器面は、窒化物系半導体レーザ素子の端部に形成された一対の共振器端面であって、それぞれの面から出射されるレーザ光強度の大小関係により区別される。即ち、相対的にレーザ光の出射強度の大きい側が出射側共振器面、相対的にレーザ光の出射強度の小さい側が反射側共振器面である。
この窒化物系半導体レーザ素子では、上記のように、第1誘電体膜、酸化アルミニウムからなる第3誘電体膜及び第5誘電体膜の間に酸窒化アルミニウムからなる第2誘電体膜及び第4誘電体膜を形成しているので、酸化アルミニウム中の酸素が脱離しにくく、また、他の層に拡散しにくい。これにより、各層の変質を低減することができるので、出射側共振器面からの剥離を抑制することができるとともに、反射率が変化することも抑制することができる。
また、窒化アルミニウムからなる第1誘電体膜上に酸窒化アルミニウムからなる第2誘電体膜、酸化アルミニウムからなる第3誘電体膜、酸窒化アルミニウムからなる第4誘電体膜及び酸化アルミニウムからなる第5誘電体膜が順次積層されており、各層が共通のアルミニウムを含有している。これにより、各層の密着性が高まり、端面コート膜の剥離を抑制することができる。
また、端面コート膜を多層構造とすることにより、各層の膜厚を小さくすることができるので、各層の応力を小さくすることができる。これにより、端面コート膜全体の応力を小さくすることができるので、端面コート膜の剥離を抑制することができる。
これらの結果、出射側共振器面における端面コート膜の反射率の変動を抑制することができるので、窒化物系半導体レーザ素子の安定性を向上させることができる。
上記窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、前記端面コート膜は、前記第5誘電体膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第6誘電体膜と、前記第6誘電体膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第7誘電体膜とさらに有する。このように構成すれば、出射側共振器面からの剥離を抑制しながら、反射率の制御がさらに容易な端面コート膜を構成することができる。
上記窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、前記第1誘電体膜及び前記第2誘電体膜の各々の膜厚は、前記第3誘電体膜、前記第4誘電体膜、前記第5誘電体膜、前記第6誘電体膜及び前記第7誘電体膜の各々の膜厚より小さい。このように構成すれば、出射側共振器面に近い第1誘電体膜及び第2誘電体膜の応力を相対的に低減させることができる。これにより、熱エネルギーや光エネルギーが集中し、変質しやすい第1誘電体膜及び第2誘電体膜の剥離を抑制することができる。
上記窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、前記第2誘電体膜は、前記第1誘電体膜の膜厚以上の膜厚を有する。このように構成すれば、第1誘電体膜の膜厚を他の層の膜厚以下にすることができるので、他の層よりも相対的に応力が大きい窒化アルミニウムからなる第1誘電体膜の応力を低減することができるので、特に、第1誘電体膜と第2誘電体膜との間の密着性が向上し、端面コート膜の剥離を抑制することができる。
この発明の第2の局面による光装置は、窒化物系半導体レーザ素子と、前記窒化物系半導体レーザ素子の出射光を制御する光学系とを備え、前記窒化物系半導体レーザ素子は、発光層を含み、出射側共振器面と反射側共振器面とを有する窒化物系半導体からなる半導体素子層と、前記出射側共振器面上に形成された端面コート膜とを有し、前記端面コート膜は、前記出射側共振器面上に形成された窒化アルミニウムからなる第1誘電体膜と、前記第1誘電体膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第2誘電体膜と、前記第2誘電体膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第3誘電体膜と、前記第3誘電体膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第4誘電体膜と、前記第4誘電体膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第5誘電体膜とを有する。
この光装置に搭載されている窒化物系半導体レーザ素子は、上記構成を備えているので、端面コート膜の剥離が抑制され、安定性を向上することができる。その結果、この窒化物系半導体レーザ素子を用いることにより、光装置の安定性を向上させることができる。
本発明によれば、動作時における端面コート膜の剥離を抑制することにより、安定性に優れた窒化物系半導体レーザ素子を提供することができる。また、この窒化物系半導体レーザ素子を搭載することにより、安定性に優れた光装置を提供することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1及び図2は、本発明の第1実施形態による窒化物系半導体レーザ素子100の構造を説明するための断面図である。図1は、図2のB−B線に沿った窒化物系半導体レーザ素子100の光出射方向(L方向)に平行な断面を示している。また、図2は、図1のA−A線に沿った窒化物系半導体レーザ素子100の光出射方向と直交する断面を示している。
図1及び図2は、本発明の第1実施形態による窒化物系半導体レーザ素子100の構造を説明するための断面図である。図1は、図2のB−B線に沿った窒化物系半導体レーザ素子100の光出射方向(L方向)に平行な断面を示している。また、図2は、図1のA−A線に沿った窒化物系半導体レーザ素子100の光出射方向と直交する断面を示している。
窒化物系半導体レーザ素子100は、約405nmの発振波長を有しており、図1及び図2に示すように、n型GaNからなる基板1の上面((0001)Ga面)上に形成された窒化物系半導体からなる半導体素子層2、半導体素子層2上に形成されたp側電極3及び基板1の下面((0001)N面)上に形成されたn側電極4を備えている。半導体素子層2には、レーザ光出射方向(L方向=[1−100]方向)に対して直交する一対の共振器端面(出射側共振器面2a及び反射側共振器面2b)が形成されている。
出射側共振器面2aと反射側共振器面2bとの距離(共振器長)は約300μmであり、また、出射側共振器面2a及び反射側共振器面2b上には、それぞれ、複数の誘電体膜が積層された第1端面コート膜5及び第2端面コート膜6が形成されている。なお、第1端面コート膜5は、本発明の「端面コート膜」の一例である。
ここで、基板1は、約100μmの厚みを有し、約5×1018cm−3のキャリア濃度を有する酸素がドープされている。また、基板1の上面上に形成された半導体素子層2は、基板1側から順に形成されたn型バッファ層20、n型クラッド層21、n型キャリアブロック層22、n側光ガイド層23、活性層24、p側光ガイド層25、キャップ層26、p型クラッド層27及びp側コンタクト層28により構成されている。なお、本実施形態では、n型キャリアブロック層22、n側光ガイド層23、活性層24、p側光ガイド層25及びキャップ層26により本発明の「発光層」が構成されている。
n型バッファ層20、n型クラッド層21、n型キャリアブロック層22及びn側光ガイド層23は、それぞれ、約100nmの厚みを有するn型GaN、約2μmの厚みを有するn型Al0.07Ga0.93N、約5nmの厚みを有するn型Al0.16Ga0.84N及び約100nmの厚みを有するアンドープGaNから構成されている。また、上記n型の各層20〜22には、Geが約5×1018cm−3ドープされており、約5×1018cm−3のキャリア濃度を有している。
活性層24は、約20nmの厚みを有するアンドープIn0.02Ga0.98Nからなる4層の障壁層と、約3nmの厚みを有するアンドープIn0.1Ga0.9Nからなる3層の井戸層とが交互に積層されたMQW構造を有している。
p側光ガイド層25、キャップ層26及びp側コンタクト層28は、それぞれ、約100nmの厚みを有するアンドープGaN、約20nmの厚みを有するアンドープAl0.16Ga0.84N及び約10nmの厚みを有するアンドープIn0.02Ga0.98Nから構成されている。
p型クラッド層27は、Mgが約4×1019cm−3ドープされ、約5×1017cm−3のキャリア濃度を有するp型Al0.07Ga0.93Nからなる。また、p型クラッド層27は、約80nmの厚みを有する平坦部27aと、約320nmの高さ及び約1.5μmの幅を有し、平坦部27aから突出した凸部27bとを備えている。凸部27bは、ストライプ状に形成されており、出射側共振器面2a及び反射側共振器面2bに対して垂直なL方向に延びている。また、p側コンタクト層28は、凸部27b上にのみ形成されており、p型クラッド層27の凸部27b及びp側コンタクト層28からリッジ部2cが形成されている。なお、図2に示すように、リッジ部2cは、素子中央から一方の側面側に偏った位置に形成されており、窒化物系半導体レーザ素子100は、左右非対称な断面形状を有している。また、p型クラッド層27の平坦部27aの上面上及びリッジ部2cの側面上には、約250nmの厚みを有し、SiO2からなる電流狭窄層29が形成されている。
半導体素子層2上には、電流狭窄層29から露出されたp側コンタクト層28上に形成されたp側オーミック電極31と、p側オーミック電極31及び電流狭窄層29上に形成されたp側パッド電極32とからなるp側電極3が形成されている。p側オーミック電極31は、p側コンタクト層28側から順に形成された約10nmの厚みを有するPt層及び約100nmの厚みを有するPd層からなる。
また、p側パッド電極32は、p側オーミック電極31及び電流狭窄層29側から順に形成された約100nmの厚みを有するTi層、約100nmの厚みを有するPd層及び約3μmの厚みを有するAu層からなる。また、p型クラッド層27の平坦部27aの上方には、p側パッド電極32のワイヤボンド部(図示せず)が形成されている。また、n側電極4は、基板1の下面上に、基板1側から順に形成された、約10nmの厚みを有するAl層、約20nmの厚みを有するPd層及び約300nmの厚みを有するAu層からなる。
第1端面コート膜5は、出射側共振器面2a側から順に形成された約10nmの厚みを有するAlN層51、約10nmの厚みを有するAlOxNy層52(0≦x<1.5、0<y<1、x<y)、約30nmの厚みを有するAl2O3層53、約40nmの厚みを有するAlOxNy層54(0≦x<1.5、0<y<1、x<y)及び約28nmの厚みを有するAl2O3層55からなる。
即ち、AlN層51は、出射側共振器面2aに接して形成されている。AlOxNy層52は、AlN層51の光出射側端面2aとは反対側の表面に接して形成されている。Al2O3層53は、AlOxNy層52のAlN層51とは反対側の表面に接して形成されている。AlOxNy層54は、Al2O3層53のAlOxNy層52とは反対側の表面に接して形成されている。Al2O3層55は、AlOxNy層54のAl2O3層53とは反対側の表面に接して形成されている。なお、AlN層51、AlOxNy層52、Al2O3層53、AlOxNy層54及びAl2O3層55は、それぞれ、本発明の「窒化アルミニウムからなる第1誘電体膜」、「酸窒化アルミニウムからなる第2誘電体膜」、「酸化アルミニウムからなる第3誘電体膜」、「酸窒化アルミニウムからなる第4誘電体膜」及び「酸化アルミニウムからなる第5誘電体膜」の一例である。
また、AlN層51及びAlOxNy層52は、共に、上記発光層の配向と同じく、[0001]方向に配向した多結晶の膜から構成されている。また、Al2O3層53及び55は、共に、アモルファスの膜から構成されている。
ここで、AlN層51の屈折率は2.051であり、AlOxNy層52及び54の屈折率は1.933であり、Al2O3層53よび55の屈折率は1.649であって、上記構成により、第1端面コート膜5の反射率は、約26%(λ=405nm)に設定されている。
また、第2端面コート膜6は、反射側共振器面2b側から順に形成された約10nmの厚みを有するAlN層61、約180nmの厚みを有するAl2O3層62、約45nmの厚みを有するZrO2層63、約62nmの厚みを有するAl2O3層64、約45nmの厚みを有するZrO2層65、約62nmの厚みを有するAl2O3層66及び約45nmの厚みを有するZrO2層67、約10nmの厚みを有するAlN層68からなる。
即ち、AlN層61は、反射側共振器面2bに接して形成されている。Al2O3層62は、AlN層61の反射側共振器面2bとは反対側の表面に接して形成されている。ZrO2層63は、Al2O3層62のAlN層61とは反対側の表面に接して形成されている。Al2O3層64は、ZrO2層63のAl2O3層62とは反対側の表面に接して形成されている。ZrO2層65は、Al2O3層64のZrO2層63とは反対側の表面に接して形成されている。Al2O3層66は、ZrO2層65のAl2O3層64とは反対側の表面に接して形成されている。ZrO2層67は、Al2O3層66のZrO2層65とは反対側の表面に接して形成されている。AlN層68は、ZrO2層67のAl2O3層66とは反対側の表面に接して形成されている。
ここで、AlN層61及び68の屈折率は2.051であり、Al2O3層62、64及び66の屈折率は1.649であり、ZrO2層63、65及び67の屈折率は2.150であって、上記構成により、第2端面コート膜6の反射率は、約74%(λ=405nm)に設定されている。
また、上記構成によって、第1端面コート膜5の反射率は、第2端面コート膜6の反射率よりも小さく設定されているので、第1端面コート膜5側から出射されるレーザ光の強度は、第2端面コート膜6側から出射されるレーザ光の強度よりも大きくなるように構成されている。
この窒化物系半導体レーザ素子100では、上記のように、AlN層51、Al2O3層53及び55の間にそれぞれAlOxNy層52及び54を形成しているので、Al2O3層53及び55中の酸素が脱離しにくく、また、他の層に拡散しにくい。これにより、各層の変質を低減することができるので、端面コート膜5の出射側共振器面2aからの剥離を抑制することができるとともに、反射率が変化することも抑制することができる。
また、AlN層51上にAlOxNy層52、Al2O3層53、AlOxNy層54及びAl2O3層55が順次積層されており、各層が共通のアルミニウムを含有している。これにより、各層の密着性が高まり、端面コート膜5の剥離を抑制することができる。
また、第1端面コート膜5を多層構造とすることにより、各層の膜厚を小さくすることができるので、各層の応力を小さくすることができる。これにより、第1端面コート膜5全体の応力を小さくすることができるので、端面コート膜5の剥離を抑制することができる。
また、この窒化物系半導体レーザ素子100では、出射側共振器面2a上にAlN層51が形成されているので、窒化物系半導体からなる半導体素子層2に対して外部雰囲気やAl2O3層53及び55から酸素が拡散することを抑制することができる。これにより、出射側共振器面2aにおいて、レーザ光の吸収や発熱の原因となる非発光再結合準位が発生しにくくなるので、第1端面コート膜5における破壊的光学損傷(COD:Catastrophic Optical Damage)の発生を抑制することができる。
これらの結果、出射側共振器面2aにおける端面コート膜5の反射率の変動を抑制することができるので、窒化物系半導体レーザ素子100の安定性を向上させることができる。
また、AlN層51及びAlOxNy層52の各々の膜厚は、Al2O3層53、AlOxNy層54及びAl2O3層55の各々の膜厚より小さい。このように構成すれば、出射側共振器面2aに近いAlN層51及びAlOxNy層52の応力を相対的に低減させることができる。これにより、熱エネルギーや光エネルギーが集中し、変質しやすいAlN層51及びAlOxNy層52の剥離を抑制することができる。
また、AlOxNy層52は、AlN層51の膜厚以上の膜厚を有している。即ち、AlN層51の膜厚を他の層の膜厚以下に設定されているので、他の層よりも相対的に応力が大きいAlN層51の応力を低減することができる。これにより、特に、AlN層51とAlOxNy層52との間の密着性が向上し、剥離を抑制することができる。
また、レーザ光の発振波長(405nm)に対する第1端面コート膜5の反射率は、25%以上の値に設定されているので、出射側共振器面2aに熱エネルギーや光エネルギーが集中することを抑制することができる。これにより、第1端面コート膜5の各層が変質しにくく、剥離を抑制することができる。
また、この窒化物系半導体レーザ素子100では、出射側共振器面2aと反射側共振器面2bとの距離は、300μm以下の値に設定されているので、窒化物系半導体レーザ素子100の温度が上昇しやすくなる。共振器長の短い窒化物系半導体レーザ素子では、光出射側の端面コート膜が変質しやすくなるが、この窒化物系半導体レーザ素子100では、上記構成を備えた第1端面コート膜5を有しているので、第1端面コート膜5の変質及び剥離を効果的に抑制することができる。
また、AlN層51及びAlOxNy層52は、共に、上記発光層の配向と同じく、[0001]方向に配向した多結晶の膜から構成されているので、各層での密着性を高めることができる。これにより、上記発光層に近く、熱エネルギーや光エネルギーが集中し、変質しやすいAlN層51及びAlOxNy層52の剥離を抑制することができる。
また、Al2O3層53及び55は、共に、アモルファスの膜から構成されているので、AlN層51及びAlOxNy層52が多結晶の膜となることにより大きくなった応力を緩和することができる。
(第2実施形態)
図3は、本発明の第2実施形態による窒化物系半導体レーザ素子200の構造を説明するための断面図であって、窒化物系半導体レーザ素子200のレーザ光出射方向(L方向)に平行な断面を示している。
図3は、本発明の第2実施形態による窒化物系半導体レーザ素子200の構造を説明するための断面図であって、窒化物系半導体レーザ素子200のレーザ光出射方向(L方向)に平行な断面を示している。
ここで、窒化物系半導体レーザ素子200では、出射側共振器面2a上の第1端面コート膜5の構成が、窒化物系半導体レーザ素子100の第1端面コート膜5の構成と比べて、Al2O3層53、AlOxNy層54及びAl2O3層55の膜厚を、それぞれ、約33nm、約56nm及び約65nmと変更している。また、Al2O3層55のAlOxNy層54とは反対側の表面に接して約17nmの厚みを有するAlOxNy層56(0≦x<1.5、0<y<1、x<y)が形成されているとともに、AlOxNy層56のAl2O3層55とは反対側の表面に接して約38nmの厚みを有するAl2O3層57が形成されている。なお、AlOxNy層56及びAl2O3層57は、それぞれ、本発明の「酸窒化アルミニウムからなる第6誘電体膜」及び「酸化アルミニウムからなる第7誘電体膜」の一例である。
また、AlOxNy層56の屈折率は1.933であり、Al2O3層57の屈折率は1.649であって、上記構成により、窒化物系半導体レーザ素子200の第1端面コート膜5の反射率は、約35%(λ=405nm)に設定されている。以上の変更点以外は、窒化物系半導体レーザ素子200は、窒化物系半導体レーザ素子100と同様の構成を備えている。
窒化物系半導体レーザ素子200では、第1端面コート膜5は、窒化物系半導体レーザ素子100の第1端面コート膜5の構成に対して、さらに、AlOxNy層56とAl2O3層57とを備えている。これにより、出射側共振器面2aからの剥離を抑制しながら、反射率の制御がさらに容易な第1端面コート膜5を構成することができる。
また、AlN層51及びAlOxNy層52の膜厚は、それぞれ、Al2O3層53、AlOxNy層54、Al2O3層55、AlOxNy層56及びAl2O3層57の膜厚より小さい。これにより、出射側共振器面2aに近いAlN層51及びAlOxNy層52の応力を相対的に低減させることができるので、熱エネルギーや光エネルギーが集中し、変質しやすいAlN層51及びAlOxNy層52の剥離を抑制することができる。なお、第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。
(第3実施形態)
図4は、本発明の第3実施形態による光ピックアップ装置300の構成を説明するための構成図である。なお、光ピックアップ装置300は、本発明の「光装置」の一例である。
図4は、本発明の第3実施形態による光ピックアップ装置300の構成を説明するための構成図である。なお、光ピックアップ装置300は、本発明の「光装置」の一例である。
光ピックアップ装置300は、図12に示すように、3波長半導体レーザ装置310と、3波長半導体レーザ装置310から出射されたレーザ光を調整する光学系320と、レーザ光を受光する光検出部330とを備えている。
3波長半導体レーザ装置310には、上記窒化物系半導体レーザ素子200と、約650nmの波長を有する赤色光及び約780nmの波長を有する赤外光のレーザ光を出射する赤色/赤外2波長半導体レーザ素子(図示せず)とが搭載されており、3つの波長のレーザ光を別々に出射することができる。
光学系320は、偏光ビームスプリッタ(PBS)321、コリメータレンズ322、ビームエキスパンダ323、λ/4板324、対物レンズ325、シリンドリカルレンズ326及び光軸補正素子327を有している。PBS321は、3波長半導体レーザ装置310から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスクDIから帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ322は、PBS321を透過した3波長半導体レーザ装置310からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ323は、凹レンズ、凸レンズ及びアクチュエータ(図示せず)から構成されている。アクチュエータは後述するサーボ回路からのサーボ信号に応じて、凹レンズ及び凸レンズの距離を変化させることにより、3波長半導体レーザ装置310から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。
λ/4板324は、コリメータレンズ322によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ/4板324は光ディスクDIから帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、3波長半導体レーザ装置310から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスクDIから帰還するレーザ光は、PBS321によって略全反射される。対物レンズ325は、λ/4板324を透過したレーザ光を光ディスクDIの表面(記録層)上に収束させる。なお、対物レンズ325は、対物レンズアクチュエータ(図示せず)により、後述するサーボ回路からのサーボ信号(トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号及びチルトサーボ信号)に応じて、フォーカス方向、トラッキング方向及びチルト方向に移動可能にされている。
PBS321により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ326、光軸補正素子327及び光検出部330が配置されている。シリンドリカルレンズ326は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子327は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ326を透過した青紫色、赤色及び赤外の各レーザ光の0次回折光のスポットが後述する光検出部330の検出領域上で一致するように配置されている。
光検出部330は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出部330は再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及びチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。このようにして、3波長半導体レーザ装置310を備えた光ピックアップ装置300が構成される。
3波長半導体レーザ装置310から出射されたレーザ光は、上記のように、PBS321、コリメータレンズ322、ビームエキスパンダ323、λ/4板324、対物レンズ325、シリンドリカルレンズ326及び光軸補正素子327により調整された後、光検出部330の検出領域上に照射される。
ここで、光ディスクDIに記録されている情報を再生する場合には、光ディスクDIの種類に応じて選択された窒化物系半導体レーザ素子200及び赤色/赤外2波長半導体レーザ素子から出射されるレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスクDIの記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部330から出力される再生信号を得ることができる。また、同時に出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及びチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ323のアクチュエータと対物レンズ325を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
また、光ディスクDIに情報を記録する場合には、光ディスクDIの種類に応じて選択された窒化物系半導体レーザ素子200及び赤色/赤外2波長半導体レーザ素子から出射されるレーザパワーを記録すべき情報に基づいて制御しながら、光ディスクDIにレーザ光を照射する。これにより、光ディスクDIの記録層に情報を記録することができる。また、上記同様、光検出部330から出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及びチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ323のアクチュエータと対物レンズ325を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
このようにして、3波長半導体レーザ装置310を備えた光ピックアップ装置300を用いて、光ディスクDIへの記録及び再生を行うことができる。
光ピックアップ装置300の3波長半導体レーザ装置310では、上記窒化物系半導体レーザ素子200を備えているので、安定性及び信頼性を向上させることができる。光ピックアップ装置300のその他の効果については、窒化物系半導体レーザ素子200と同様である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記実施形態では、窒化物系半導体レーザ素子の共振器長は300μmであったが、本発明はこれに限らず、より共振器長が長くてもよい。
また、上記実施形態では、AlN層51は発光層と同じく[0001]方向に配向した多結晶である例を示したが、本発明はこれに限らず、別の方向に配向していてもよく、あるいはアモルファスや微結晶であってもよい。
また、上記実施形態では、Al2O3層53及び55はアモルファスである例を示したが、本発明はこれに限らず、多結晶や微結晶であってもよい。
また、上記実施形態では、リッジ部2cが[1−100]方向に延びるようにn型(0001)面GaN基板1の主表面上に半導体素子層2を形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、a面((11−20)面)やm面((1−100)面)などの面方位からなる主表面を有するn型GaN基板上に半導体素子層を形成して窒化物系半導体レーザ素子を形成してもよい。特に、a面やm面などの非極性面からなる主表面上に半導体素子層を形成した場合、半導体素子層には[0001]方向に沿って延びるリッジ部が形成されるとともに、半導体素子層のc面((0001)面及び(000−1)面)を共振器端面とすることができる。なお、n型GaN基板のa面やm面上に半導体素子層を結晶成長させることにより、活性層に発生するピエゾ電場をより一層低減させることができるので、発光効率がより向上された窒化物系半導体レーザ素子を得ることができる。また、上記c面からなる主表面上に半導体素子層を形成した場合、たとえば、半導体素子層に[11−20]方向に沿って延びるリッジ部を形成することも可能であり、この場合、半導体素子層の(11−20)面及び(−1−120)面を共振器端面とすることができる。また、上記c面からなる主表面上に半導体素子層を形成した場合、半導体素子層に[1−100]方向に沿って延びるリッジ部を形成することも可能であり、この場合、半導体素子層の(1−100)面及び(−1100)面を共振器端面とすることができる。
また、上記第3実施形態では、3波長半導体レーザ装置310を用いた光ディスク装置の例を示したが、本発明はこれに限らず、窒化物系半導体レーザ素子のみを搭載した光ディスク装置であってもよい。
また、上記第3実施形態では、光ディスク装置を用いた例を示したが、本発明の光装置はこれに限らず、本発明の窒化物系半導体レーザ素子を搭載した光ピックアップや、赤色半導体レーザ素子及び緑色半導体レーザ素子を搭載したRGB3波長半導体レーザ装置を用いたプロジェクタや表示装置であってもよい。
また、本発明では、第2端面コート膜6の構成については、AlOxNyやSiO2、Hf2O、Nb2O5、Ta2O5及びTiO2等の他の材料からなる誘電体層も含めて、適宜選択して多層構造を形成することができる。
1 基板
2 半導体素子層
2a 出射側共振器面
2b 反射側共振器面
20 n型バッファ層
21 n型クラッド層
22 n型キャリアブロック層(発光層)
23 n側光ガイド層(発光層)
24 活性層(発光層)
25 p側光ガイド層(発光層)
26 キャップ層(発光層)
27 p型クラッド層
28 p側コンタクト層
5 第1端面コート膜(端面コート膜)
51 AlN層(窒化アルミニウムからなる第1誘電体膜)
52 AlOxNy層(酸窒化アルミニウムからなる第2誘電体膜)
53 Al2O3層(酸化アルミニウムからなる第3誘電体膜)
54 AlOxNy層(酸窒化アルミニウムからなる第4誘電体膜)
55 Al2O3層(酸化アルミニウムからなる第5誘電体膜)
56 AlOxNy層(酸窒化アルミニウムからなる第6誘電体膜)
57 Al2O3層(酸化アルミニウムからなる第7誘電体膜)
6 第2端面コート膜
2 半導体素子層
2a 出射側共振器面
2b 反射側共振器面
20 n型バッファ層
21 n型クラッド層
22 n型キャリアブロック層(発光層)
23 n側光ガイド層(発光層)
24 活性層(発光層)
25 p側光ガイド層(発光層)
26 キャップ層(発光層)
27 p型クラッド層
28 p側コンタクト層
5 第1端面コート膜(端面コート膜)
51 AlN層(窒化アルミニウムからなる第1誘電体膜)
52 AlOxNy層(酸窒化アルミニウムからなる第2誘電体膜)
53 Al2O3層(酸化アルミニウムからなる第3誘電体膜)
54 AlOxNy層(酸窒化アルミニウムからなる第4誘電体膜)
55 Al2O3層(酸化アルミニウムからなる第5誘電体膜)
56 AlOxNy層(酸窒化アルミニウムからなる第6誘電体膜)
57 Al2O3層(酸化アルミニウムからなる第7誘電体膜)
6 第2端面コート膜
Claims (5)
- 発光層を含み、出射側共振器面と反射側共振器面とを有する窒化物系半導体からなる半導体素子層と、
前記出射側共振器面上に形成された端面コート膜とを備え、
前記端面コート膜は、前記出射側共振器面上に接して形成された窒化アルミニウムからなる第1誘電体膜と、前記第1誘電体膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第2誘電体膜と、前記第2誘電体膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第3誘電体膜と、前記第3誘電体膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第4誘電体膜と、前記第4誘電体膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第5誘電体膜とを有する、窒化物系半導体レーザ素子。 - 前記端面コート膜は、前記第5誘電体膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第6誘電体膜と、前記第6誘電体膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第7誘電体膜とさらに有する、請求項1に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
- 前記第1誘電体膜及び前記第2誘電体膜の各々の膜厚は、前記第3誘電体膜、前記第4誘電体膜、前記第5誘電体膜、前記第6誘電体膜及び前記第7誘電体膜の各々の膜厚より小さい、請求項2に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
- 前記第2誘電体膜は、前記第1誘電体膜の膜厚以上の膜厚を有する、請求項3に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
- 窒化物系半導体レーザ素子と、前記窒化物系半導体レーザ素子の出射光を制御する光学系とを備え、
前記窒化物系半導体レーザ素子は、発光層を含み、出射側共振器面と反射側共振器面とを有する窒化物系半導体からなる半導体素子層と、前記出射側共振器面上に形成された端面コート膜とを有し、
前記端面コート膜は、前記出射側共振器面上に形成された窒化アルミニウムからなる第1誘電体膜と、前記第1誘電体膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第2誘電体膜と、前記第2誘電体膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第3誘電体膜と、前記第3誘電体膜上に形成された酸窒化アルミニウムからなる第4誘電体膜と、前記第4誘電体膜上に形成された酸化アルミニウムからなる第5誘電体膜とを有する、光装置。
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