JP2009231774A - 電極構造、及び電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子デバイスは、基板21の一主面側に凹部21aと第一の絶縁層22が設けられ、第一の絶縁層22の表面には、実装端子23a、23bの上に圧電振動片3が実装されている。基板21の下面に形成された第三の絶縁層26は、外部接続端子27a、27b直下を除いた領域の厚みが、直下の厚みよりも相対的に薄く形成されている。外部接続端子27a、27b直下においては、第三の絶縁層26が厚く形成されていることから、外部接続端子27a、27bとその周辺に存在する他の導電パターンとの間に発生する不要な静電容量(寄生容量)が減少し、他の領域においては、第三の絶縁層26が相対的に薄く形成されていることから、第三の絶縁層26の内部応力による基板21の反りが最小限に抑えられる。
【選択図】図1
Description
1a 凹部
1b 壁部
2 第一の絶縁層
3 圧電振動片
4a 実装端子
4b 実装端子
5a 貫通電極
5b 貫通電極
6 第二の絶縁層
7 第三の絶縁層
8a 外部接続端子
8b 外部接続端子
9 引回し配線
10a 接続電極
10b 接続電極
11 蓋部材
21 基板
21a 凹部
21b 壁部
22 第一の絶縁層
23a 実装端子
23b 実装端子
24a 貫通電極
24b 貫通電極
25 第二の絶縁層
26 第三の絶縁層
27a 外部接続端子
27b 外部接続端子
28 引回し配線
29a 接続電極
29b 接続電極
30 導電層
31 レジストパターン
32 貫通孔
33 導電層
34 レジストパターン
Claims (3)
- 基板の表面に絶縁層を介して導電パターンが形成された電極構造であって、
前記絶縁層は、前記導電パターン直下を除いた領域の少なくとも一部に、前記導電パターン直下の厚みよりも相対的に薄く形成された領域を有することを特徴とする電極構造。 - 基板の表面に絶縁層を介して導電パターンが形成された電極構造であって、
前記絶縁層は、前記導電パターン直下を除いた領域の少なくとも一部に、非形成領域を有することを特徴とする電極構造。 - 請求項1、又は2に記載の電極構造を備えた基板上に、前記電極構造の導電パターンと電気的に接続されるように電子部品を実装して成ることを特徴とする電子デバイス。
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