JP2009231368A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光効率が可及的に高い発光装置を提供することを可能にする。
【解決手段】レーザー光を出射する出射面を有する半導体レーザー素子１０と、表面に凹部２０ａを有し、半導体レーザー素子の出射面が凹部の底面に露出するように半導体レーザー素子を支持する支持台２０と、半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が入射される入射面４０ａと、光が出射する出射面４０ｂとを有し、支持台の凹部に埋め込まれて半導体レーザー素子から出射されるレーザー光を導光する導光体４０と、導光体中に分布され、レーザー光を吸収し、レーザー光の波長と異なる波長の前記光を放出する蛍光体４２と、を備え、導光体の入射面は、レーザー光の進行方向とレーザー光の発光スポットの短軸とがなす面内においてレーザー光の入射角がブリュースター角を含む所定の範囲になる曲面である。
【選択図】図１

Description

本発明は、光源に半導体レーザーを用いた発光装置に関する。
今日、半導体発光素子に発光ダイオードを用いた発光装置が提供され、発光装置全体で均一に光を出射させる工夫が施されている。例えば、発光ダイオード周辺に反射鏡を設けて光の方向と光の密度の空間分布とを調整する技術や、発光ダイオードからの光を導光する封止剤に蛍光体とともに含有させた光拡散剤による乱反射を用いる技術や、導光体の入射面、出射面の形状を変更することにより光密度の空間分布を調整する技術が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。また、蛍光体からの光を出射面側へ効率的に再抽出するために高い屈折率の封止剤を用いる技術が知られている（例えば特許文献３参照）。
特許第３９９１９６１号公報 特開２００６−３２３７０号公報 特開２００７−２７７５１号公報
しかしながら、上記の技術はいずれも光の反射、透過現象を原理としているので、発光装置からの出射に利用されない、それぞれ一定確率の透過光と反射光とを含む。このため、透過光と反射光がそれぞれ損失の原因となり、発光効率が高くなかった
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、発光効率が可及的に高い発光装置を提供することを目的としている。
本発明の第１の態様による発光装置は、レーザー光を出射する出射面を有する半導体レーザー素子と、表面に凹部を有し、前記半導体レーザー素子の前記出射面が前記凹部の底面に露出するように前記半導体レーザー素子を支持する支持台と、前記半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が入射される入射面と、光が出射する出射面とを有し、前記支持台の前記凹部に埋め込まれて前記半導体レーザー素子から出射されるレーザー光を導光する導光体と、前記導光体中に分布され、前記レーザー光を吸収し、前記レーザー光の波長と異なる波長の前記光を放出する蛍光体と、を備え、前記導光体の前記入射面は、前記レーザー光の進行方向と前記レーザー光の発光スポットの短軸とがなす面内において前記レーザー光の入射角がブリュースター角を含む所定の範囲になる曲面であることを特徴とする。
また、本発明の第２の態様による発光装置は、レーザー光を出射する出射面をそれぞれが有する第１および第２の半導体レーザー素子と、表面に凹部を有し、前記第１および第２の半導体レーザー素子のそれぞれの前記出射面が前記凹部の底面に露出するように前記第１および第２の半導体レーザー素子を支持する支持台と、前記第１および第２の半導体レーザー素子から出射されたそれぞれのレーザー光が入射される入射面と、光が出射する出射面とを有し、前記支持台の前記凹部に埋め込まれて前記第１および第２の半導体レーザー素子からそれぞれ出射されるレーザー光を導光する導光体と、前記導光体中に分布され、前記レーザー光を吸収し、前記レーザー光の波長と異なる波長の前記光を放出する蛍光体と、
を備え、前記導光体の前記入射面は、前記レーザー光の進行方向と前記レーザー光の発光スポットの短軸とがなす面内において前記レーザー光の入射角がブリュースター角を含む所定の範囲になる曲面であることを特徴とする。
また、本発明の第３の態様による発光装置は、レーザー光を出射する、対向する一対の第１および第２の出射面を有する半導体レーザー素子と、対向する第１および第２の表面に第１および第２の凹部をそれぞれ有し、前記半導体レーザー素子の前記第１の出射面が前記第１の凹部の底面に露出するとともに前記半導体レーザー素子の前記第２の出射面が前記第２の凹部の底面に露出するように前記半導体レーザー素子を支持する支持台と、前記半導体レーザー素子の前記第１の出射面から出射された第１のレーザー光が入射される第１の入射面と、第１の光が出射する第１の出射面とを有し、前記支持台の前記第１の凹部に埋め込まれて前記第１のレーザー光を導光する第１の導光体と、前記半導体レーザー素子の前記第２の出射面から出射された第２のレーザー光が入射される第２の入射面と、第２の光が出射する第２の出射面とを有し、前記支持台の前記第２の凹部に埋め込まれて前記第２のレーザー光を導光する第２の導光体と、前記第１の導光体中に分布され、前記第１のレーザー光を吸収し、前記第１のレーザー光の波長と異なる波長の前記第１の光を放出する第１の蛍光体と、前記第２の導光体中に分布され、前記第２のレーザー光を吸収し、前記第２のレーザー光の波長と異なる波長の前記第２の光を放出する第２の蛍光体と、を備え、前記第１の導光体の前記第１の入射面は、前記第１のレーザー光の進行方向と前記第１のレーザー光の発光スポットの短軸とがなす面内において前記第１のレーザー光の入射角がブリュースター角を含む第１の所定の範囲となる曲面であり、前記第１の導光体の前記第１の入射面は、前記第１のレーザー光の進行方向と前記第１のレーザー光の発光スポットの短軸とがなす面内において前記第１のレーザー光の入射角がブリュースター角を含む第２の所定の範囲となる曲面であることを特徴とする。
本発明によれば、発光効率が可及的に高い発光装置を提供することができる。
本発明の実施形態を以下に図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による発光装置を図１、図２に示す。図１は本実施形態の発光装置の水平方向の断面図であり、図２は垂直方向の断面図であって、図１および図２はそれぞれ直交する方向の断面図である。
本実施形態の発光装置は、光源となるレーザーダイオード１０と、支持台２０と、導光体４０と、を備えている。支持台２０は表面に凹部２０ａを有している。そして、レーザーダイオード１０の発光面が凹部２０ａに露出するように、レーザーダイオード１０は支持台２０に固定される。また、レーザーダイオード１０を通電するための電極２４ａ、２４ｂが支持台２０内に設けられている。電極２４ａ、２４ｂの中の一方がレーザーダイオード１０と直接に接続し、他方がボンディングワイヤー２６を介して接続される。導光体４０は支持台２０の凹部２０ａに埋め込まれるように設けられ、レーザーダイオード１０からの光が入射される入射面４０ａと、この入射面４０ａを介して入射された光が導光体４０中を進行して外部に出射される出射面４０ｂとを有している。支持台２０の凹部２０ａと、導光体４０の入射面４０ａとの間に空洞部３０が設けられ、レーザーダイオード１０からのレーザー光は、この空洞部３０を通って導光体４０の入射面４０ａに入射する。この空洞部３０は、図１に示すように水平断面においては細長く、図２に示すように垂直断面においては幅広い形状を有している。また、導光体４０中には蛍光体４２が広範囲に分布するように設けられている。また、支持台２０は、レーザーダイオード１０からの発熱を逃すヒートシンクの役割と、レーザーダイオード１０および導光体４０とを固定し且つ保護する役割を持っている。
本実施形態の導光体４０は、レーザー光を高効率に導光する機能を有するが、この機能はブリュースター(Brewster)の原理による。導光体４０の入射面４０ａは、図３に示すように、レーザーダイオード１０から出射されたレーザー光１３の入射角がブリュースター角となるような曲面となっている。図３は導光体４０の入射面４０ａの形状とレーザー光１３の入射角との関係を示す概略図であり、レーザー光１３の進行方向と、レーザー光１３のスポットの短軸方向とがなす面における断面を示してある。図３において点線Ａ、Ｂはそれぞれあるレーザー光の入射点における導光体４０の入射面４０ａの接線と法線を示す。入射点における法線Ｂとレーザー光進行方向とがなす角をレーザー光１３の入射角とする。導光体４０の入射面はレーザー光１３の入射するいたるところで、その入射角がブリュースター角θＢになるような滑らかな曲面である。ここでブリュースター角とは、異なった屈折率を有する二つの媒質の界面に一定の角度を有する入射光が入射した場合に、Ｐ波の強度反射率が０になるときの媒質界面の法線と光の入射方向とがなす角度のことをいう。ブリュースター角は以下の式で記述される。
θＢ＝ａｒｃｔａｎ（ｎ２／ｎ１）
ここで、ｎ１は入射側にある媒質の屈折率、ｎ２は出射側にある媒質の屈折率である。例えば、屈折率１の空気と、屈折率１．４７の透明部材との界面を考え、この界面に空気側から入射した場合、ブリュースター角θＢは５５．７７°となる。この角度におけるｓ偏光とｐ偏光の反射率は、入射角をθｉ、屈折角をθｔとすると、フレネルの公式、
Ｒｓ＝［ｓｉｎ（θｉ−θｔ）／ｓｉｎ（θｉ＋θｔ）］２
Ｒｐ＝［ｔａｎ（θｉ−θｔ）／ｔａｎ（θｉ＋θｔ）］２
からそれぞれ１３．４９、０．００％となる。すなわち、ｐ偏光の透過率が１００％となる。
今、レーザー光が９０％の線偏光性を持ち、屈折率１．４７の部材にｐ偏光として入射すると場合を仮定すると、全光束の１０％のＳ偏光成分のうち１３．４９％が反射するので、この場合は全光束の反射率はおおよそ０．０１３４９（＝０．１×０．１３４９）、つまり１．３４９％となる。したがって、全光束の９８．６５％が透過することになるが、仮に入射角がブリュースター角θＢに対し−１０°ずれた場合では、上記条件においてｓ偏光とｐ偏光の反射率はそれぞれ８．７５、０．６４％となる。すなわち、全光束の１０％のＳ偏光成分のうちの８．７５％が、全光束の９０％のＰ偏光のうち０．６４％がそれぞれ反射するので、上記計算と同様にして反射率は０．０１４５１（＝０．９×０．００６４＋０．１×０．０８７５）、つまり１．４５１％となる。したがって、このとき全光束の透過率は９８．５５％となる。一方、入射角がブリュースター角θＢに対し＋５°ずれた場合では、ｓ偏光とｐ偏光の反射率はそれぞれ１７．２７、０．３２６％となり、このとき全光束の透過率は９７．９８％となる。
このように、線偏光性９０％の光線は入射面への入射角がθＢ＋５°〜θＢ−１０°の範囲において透過率がおよそ９８％に保たれることになる。レーザーダイオード１０は通常の発光ダイオードに比べ線偏光性に優れており、偏光方向は通常、活性層面と平行である。レーザーダイオードを光源に用いることで屈折率の異なる媒質の界面を渡って光の高効率な導光が可能となる。これを本明細書では導光体４０の高効率導光機能と呼ぶ。上記ブリュースターθＢは導光体の屈折率に依る設計パラメータである。
導光体４０は他に、光スポット形状変換機能を持つ。図３に示されてように、ブリュースター角θＢで入射されたレーザー光は角度２θＢ−π／２だけ屈折される。従って、例えば図３に示す導光体４０のように入射面の法線方向をレーザー光１３のスポット形状の短軸中心側に向けることで、レーザー光１３の出射各を広げることができる。これを本明細書では導光体の光スポット形状変換機能と呼ぶ。
導光体４０は更に、レーザー光の導光体４０からの漏れを低減させる効果を有する。導光体４０はレーザー光を吸収し、レーザー光とは異なる波長の光を発する蛍光体４２を含んでいる。例えば、蛍光体４２を導光体４０の出射面４０ｂと平行に分布させ、出射面４０ｂと垂直な方向への分布幅を１００μｍ程度とすればレーザー光をほぼ１００％、蛍光体４２に吸収させることができる。したがって、レーザー光の出射面４０ｂへの出射を低減できる。蛍光体４２のこの分布幅は蛍光体のその分布、種類及び混合比に依る設計パラメータである。
次に、レーザーダイオード１０について図４および図５を参照して説明する。図４はレーザーダイオードの断面図であり、図５は斜視図である。レーザーダイオード１０は、基板上に成長され、活性層の両側にｎ型、ｐ型それぞれのガイド層、クラッド層を有するダブルヘテロ構造を有し、波長３００ｎｍ〜５００ｎｍの発光が可能としている。例えば、図４に示すように、基板１００上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０４、ｎ型ガイド層１０６、活性層１０８、ｐ型ガイド層１１０、ｐ型クラッド層１１２、ｐ型コンタクト層１１４、およびｐ電極１１６がこの順序で形成されている。また、基板１００のｎ型バッファ層１０２とは反対側の面にｎ型コンタクト層１１８を挟むようにｎ電極１２０が形成されている。なお、ｐ型クラッド層１１２およびｐ型コンタクト層１１４は、電流を狭窄するために、ｐ型ガイド層１１０に比べて膜面の面積が狭くなるように形成されている。また、ｐ型ガイド層１１０の露出した上面と、ｐ型クラッド層１１２およびｐ型コンタクト層１１４の側面は絶縁体層１２２によって覆われている。
図５に一般的なストライプ型レーザーダイオードの層構造の概略を示す。レーザー光はレーザーダイオード１０の形成された電流狭窄ストライプ方向と垂直な両側もしくは片側の出射端面から放出され、レーザー光のスポット形状は光軸に垂直な面上において楕円形である（図５）。
ｎ電極１２０、ｐ電極１１６のいずれか一方が支持台２０に設けられた電極２４ａ上に載置される（図１）。レーザーダイオード１０の露出した他方の電極はボンディングワイヤー２６を用いて電極２４ｂと接続する。導光体４０の入射面４０ａは、レーザー光１３とスポット形状の短軸方向とがなす面内においてレーザー光の入射角がθＢ±数度以内になるような曲面である。
導光体４０はレーザーダイオード１０から発せられたレーザー光に対し透明な部材により形成され得る。導光体４０の入射面４０ａとレーザーダイオード１０との間の領域（空洞部３０）は気体、例えば大気で満たされ得る。この場合、大気の屈折率は１程度である。また、空洞部３０は真空であってもよい。
導光体４０に広く分布するように配置される蛍光体４２の厚さは好ましくは導光体４０の内部を透過するレーザー光の進行方向に対し１００μｍ程度である。なお、導光体４０の屈折率は上記蛍光体４２の屈折率に近い値が良いが、好ましくは１．８程度である。
また、支持台２０の凹部２０ａには上記蛍光体４から発せられた光に対する反射層２１を形成してもよい（図２参照）。
以上説明したように、本実施形態によれば、レーザーダイオードから入射された光をほぼ１００％利用することができ、より均一でしかもレーザー光漏れの少ない安全な発光装置を提供することができる。したがって、本実施形態の発光装置を照明装置に用いれば、高効率で均一性の高い光束を得ることができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による発光装置を図６に示す。本実施形態の発光装置は、図１に示す第１実施形態の発光装置において、蛍光体４２を導光体４０の出射面４０ｂに沿って分布させた構成を有している。導光体４０の出射面４０ｂの形状により蛍光体４２が受けるレーザー光の分布を変えることができる。例えば蛍光体が受けるレーザー光の面密度を導光体の出射面の形状を変えることによって調節することが可能となる。
（変形例）
なお、図７に示すように、導光体４０に含まれる蛍光体は、２もしくはそれ以上の層状の蛍光体４２ａ、４２ｂとしてもよい。複数の蛍光体を層状にすることで、複数の蛍光体を混合した場合に比べ、異種蛍光体間の光の再吸収を減らすことが可能となり、合成光の色度図上での設計がし易くなる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による発光装置を図８に示す。本実施形態の発光装置は、図１に示す第１実施形態の発光装置において、導光体４０を、蛍光体４２を含まない導光体４０１と、蛍光体４２を含む導光体４０２に分割した構成を有している。このような構成とすることにより、導光体は、蛍光体４２を含む導光体４０２を、含まない導光体４０１とは別に形成することが可能となり、蛍光体４２を含む導光体４０２と含まない導光体４０１の作製が容易になる。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態による発光装置を図９に示す。本実施形態の発光装置は、レーザーダイオード１０と、支持台２０と、導光体４０１，４０２と、を備えている。レーザーダイオード１０は、対向する一対の出射面を有している。支持台２０には、対向する１対の表面に凹部２０ａ１，２０ａ２がそれぞれ設けられている。そして、レーザーダイオード１０の一対の出射面が凹部２０ａ１，２０ａ２に露出するように、レーザーダイオード１０は支持台２０に固定される。また、レーザーダイオード１０を通電するための電極２４ａ、２４ｂが支持台２０内に設けられている。電極２４ａ、２４ｂの中の一方がレーザーダイオード１０と直接に接続し、他方がボンディングワイヤー２６を介して接続される。
導光体４０１，４０２は支持台２０の凹部２０ａ１，２０ａ２にそれぞれ埋め込まれるように設けられる。導光体４０１は、レーザーダイオード１０からの光が入射される入射面４０ａ１と、この入射面４０ａ１を介して入射された光が導光体４０中を進行して外部に出射される出射面４０ｂ１とを有している。また、導光体４０２は、レーザーダイオード１０からの光が入射される入射面４０ａ２と、この入射面４０ａ２を介して入射された光が導光体４０中を進行して外部に出射される出射面４０ｂ２とを有している。支持台２０の凹部２０ａ１と、導光体４０１の入射面４０ａ１との間に空洞部３０１が設けられ、レーザーダイオード１０からのレーザー光は、この空洞部３０１を通って導光体４０１の入射面４０ａ１に入射する。また、支持台２０の凹部２０ａ２と、導光体４０２の入射面４０ａ２との間に空洞部３０２が設けられ、レーザーダイオード１０からのレーザー光は、この空洞部３０２を通って導光体４０２の入射面４０ａ２に入射する。これらの空洞部３０１，３０２は、それぞれ図９に示すように水平断面においては細長く、第１実施形態の場合と同様に、垂直断面においては幅広い形状を有している。また、導光体４０１，４０２中には蛍光体４２１，４２２がそれぞれ広範囲に分布するように設けられている。また、支持台２０は、レーザーダイオード１０からの発熱を逃すヒートシンクの役割と、レーザーダイオード１０および導光体４０１，４０２を固定し且つ保護する役割とを持っている。
本実施形態の導光体４０１，４０２は、それぞれの入射面４０ａ１，４０ａ２はレーザーダイオード１０から出射されたレーザー光１３の入射角がブリュースター角となるような曲面となっている。
このように構成された本実施形態の発光装置によれば、レーザーダイオード１０は両出射面から発光させることで一つの出射端面あたりの光出力を下げることができる。
なお、本実施形態においては、第１乃至第３実施形態と同様に、支持台２０の凹部２０ａの表面に光反射膜を設けてもよい。
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態による発光装置を図１０に示す。本実施形態の発光装置は、図１に示す第１実施形態の発光装置において、レーザーダイオードを２個設けた構成となっている。これらの２個のレーザーダイオード１０１，１０２は、それぞれの出射面が凹部２０ａに露出するように支持台２０に固定される。レーザーダイオード１０１，１０２は、電極２４ａ、２４ｂの一方と電気的に接続され、他方とはボンディングワイヤー２６１，２６２を介して電気的に接続される。また、導光体４０の入射面４０ａはレーザーダイオード１０１，１０２から出射されたレーザー光の入射角がブリュースター角となるような曲面となっている。しかし、本実施形態においては、導光体４０の入射面４０ａは、レーザーダイオード１０１，１０２から出射されるそれぞれのレーザー光に対して水平面内で非対称となる形状を有している。このような構成とすることにより、光密度の高い光軸付近のレーザー光も効率的に導光体４０内へ入射させることができる。レーザーダイオード１０１，１０２の各々の光軸間の角度は好ましくはθＢの２倍程度であり、この条件において導光体に入射された各々のレーザー光の中心軸は平行になる。
なお、上記実施形態における導光体は、シリコン系樹脂、ポリマー、ポリイミド、セラミック、ガラスのうち一つもしくはその混合物からなることが好ましい。
また、上記実施形態における蛍光体は、イットリウムアルミニウムガーネット材料、テルビウムアルミニウムガーネット材料、セレン化亜鉛サルファイド、窒素化ケイ素アルミニウムのいずれかを含むことが好ましい。
本発明の第１実施形態による発光装置の水平断面図。 第１実施形態による発光装置の垂直断面図。 ブリュースターの原理を説明する図。 レーザーダイオードの一具体例の構成を示す断面図。 一具体例のレーザーダイオードの斜視図。 第２実施形態による発光装置の水平断面図。 第２実施形態の変形例による発光装置の水平断面図。 第３実施形態による発光装置の水平断面図。 第４実施形態による発光装置の水平断面図。 第５実施形態による発光装置の水平断面図。
符号の説明
１０ レーザーダイオード
１３ レーザー光
２０ 支持台
２０ａ 凹部
２４ａ 電極
２４ｂ 電極
２６ ボンディングワイヤー
３０ 空洞部
４０ 導光体
４０ａ 入射面
４０ｂ 出射面
４２ 蛍光体

Claims (10)

  1. レーザー光を出射する出射面を有する半導体レーザー素子と、
    表面に凹部を有し、前記半導体レーザー素子の前記出射面が前記凹部の底面に露出するように前記半導体レーザー素子を支持する支持台と、
    前記半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が入射される入射面と、光が出射する出射面とを有し、前記支持台の前記凹部に埋め込まれて前記半導体レーザー素子から出射されるレーザー光を導光する導光体と、
    前記導光体中に分布され、前記レーザー光を吸収し、前記レーザー光の波長と異なる波長の前記光を放出する蛍光体と、
    を備え、
    前記導光体の前記入射面は、前記レーザー光の進行方向と前記レーザー光の発光スポットの短軸とがなす面内において前記レーザー光の入射角がブリュースター角を含む所定の範囲になる曲面であることを特徴とする発光装置。
  2. レーザー光を出射する出射面をそれぞれが有する第１および第２の半導体レーザー素子と、
    表面に凹部を有し、前記第１および第２の半導体レーザー素子のそれぞれの前記出射面が前記凹部の底面に露出するように前記第１および第２の半導体レーザー素子を支持する支持台と、
    前記第１および第２の半導体レーザー素子から出射されたそれぞれのレーザー光が入射される入射面と、光が出射する出射面とを有し、前記支持台の前記凹部に埋め込まれて前記第１および第２の半導体レーザー素子からそれぞれ出射されるレーザー光を導光する導光体と、
    前記導光体中に分布され、前記レーザー光を吸収し、前記レーザー光の波長と異なる波長の前記光を放出する蛍光体と、
    を備え、
    前記導光体の前記入射面は、前記レーザー光の進行方向と前記レーザー光の発光スポットの短軸とがなす面内において前記レーザー光の入射角がブリュースター角を含む所定の範囲になる曲面であることを特徴とする発光装置。
  3. レーザー光を出射する、対向する一対の第１および第２の出射面を有する半導体レーザー素子と、
    対向する第１および第２の表面に第１および第２の凹部をそれぞれ有し、前記半導体レーザー素子の前記第１の出射面が前記第１の凹部の底面に露出するとともに前記半導体レーザー素子の前記第２の出射面が前記第２の凹部の底面に露出するように前記半導体レーザー素子を支持する支持台と、
    前記半導体レーザー素子の前記第１の出射面から出射された第１のレーザー光が入射される第１の入射面と、第１の光が出射する第１の出射面とを有し、前記支持台の前記第１の凹部に埋め込まれて前記第１のレーザー光を導光する第１の導光体と、
    前記半導体レーザー素子の前記第２の出射面から出射された第２のレーザー光が入射される第２の入射面と、第２の光が出射する第２の出射面とを有し、前記支持台の前記第２の凹部に埋め込まれて前記第２のレーザー光を導光する第２の導光体と、
    前記第１の導光体中に分布され、前記第１のレーザー光を吸収し、前記第１のレーザー光の波長と異なる波長の前記第１の光を放出する第１の蛍光体と、
    前記第２の導光体中に分布され、前記第２のレーザー光を吸収し、前記第２のレーザー光の波長と異なる波長の前記第２の光を放出する第２の蛍光体と、
    を備え、
    前記第１の導光体の前記第１の入射面は、前記第１のレーザー光の進行方向と前記第１のレーザー光の発光スポットの短軸とがなす面内において前記第１のレーザー光の入射角がブリュースター角を含む第１の所定の範囲となる曲面であり、
    前記第１の導光体の前記第１の入射面は、前記第１のレーザー光の進行方向と前記第１のレーザー光の発光スポットの短軸とがなす面内において前記第１のレーザー光の入射角がブリュースター角を含む第２の所定の範囲となる曲面であることを特徴とする発光装置。
  4. 前記半導体レーザーダイオードの発光波長は３００ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置。
  5. 前記導光体は、シリコン系樹脂、ポリマー、ポリイミド、セラミック、ガラスのうち一つもしくはその混合物からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載発光装置。
  6. 前記導光体は、第１の導光体部材と、前記第１の導光部材と異なる材質の第２の導光部材との積層構造を有していることを特徴とする請求項１乃至第４のいずれかに記載の発光装置。
  7. 前記蛍光体は、イットリウムアルミニウムガーネット材料、テルビウムアルミニウムガーネット材料、セレン化亜鉛サルファイド、窒素化ケイ素アルミニウムのいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の発光装置。
  8. 前記支持台の前記凹部の表面に光反射膜を設けたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の発光装置。
  9. 前記蛍光体は、前記出射面に沿って分布していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の発光装置。
  10. 前記所定の範囲は、ブリュースター角をθＢとするとき、θＢ−１０°〜θＢ＋５°であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の発光装置。
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