KR101166642B1 - 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

발광 장치는 레이저광을 출사하는 제1 출사면을 갖는 반도체 레이저 소자(10)와; 표면에 오목부를 갖고, 상기 제1 출사면이 상기 오목부의 저면에 노출되도록 상기 반도체 레이저 소자를 지지하는 지지대와, 상기 지지대(20)의 상기 오목부(20a)에 매립되고, 상기 반도체 레이저 소자(10)로부터 출사된 상기 레이저광을 도광하고, 상기 레이저광이 입사되는 입사면(40a)과, 통과하여 진행한 상기 레이저광이 출사되는 제2 출사면(40b)을 구비하는 도광체(40) - 상기 도광체(40)의 상기 입사면(40a)은 상기 레이저광의 진행 방향과 상기 레이저광의 발광 스폿의 단축에 의해 형성되는 면내에서 상기 레이저광의 입사각이 브루스터각을 포함하는 미리 결정된 범위 내에 있도록 하는 곡면임 - 와, 상기 도광체(40) 내에 산재되어, 상기 레이저광을 흡수하고, 상기 레이저광의 파장과 다른 파장을 갖는 상기 광을 방출하는 형광 물질(42)을 포함한다.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 반도체 레이저를 광원으로 사용하는 발광 장치에 관한 것이다.
오늘날, 각각이 반도체 발광 소자로서 발광 다이오드를 구비하는 발광 장치들이 있고, 발광 장치들 각각은 상기 장치 내에서 균일하게 광을 출사시키도록 설계된다. 공지 기술에 의하면, 예를 들어, 발광 다이오드 주변에 반사경을 제공하여, 광 진행 방향과 광 밀도의 공간 분포를 조정한다. 다른 공지 기술에 의하면, 발광 다이오드로부터의 광을 도광하는 밀봉제에 형광 물질 및 광 확산제를 포함시켜, 확산 반사(diffused reflection)를 이용한다. 또 다른 공지 기술에 의하면, 도광체의 입사면 및 출사면의 형상을 변경함으로써 광 밀도의 공간 분포를 조정한다(예를 들어, 일본 특허 제3,991,961호 및 일본 특허 공개 제2006-32370호 참조). 또한, 형광 물질로부터의 광을 효율적으로 재추출하여 이 광을 출사면측으로 안내하기 위해 높은 굴절률을 갖는 밀봉제를 사용하는 기술이 공지되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2007-27751호 참조).
일본 특허 제3,991,961호 일본 특허 공개 제2006-32370호 일본 특허 공개 제2007-27751호
그러나, 이들 기술 모두는 광 반사 및 투과의 원리를 기초로 한다. 이들 기술 모두에 의하면, 일정 비율의 투과 광 및 일정 비율의 반사 광은 발광 장치로부터의 광 출사에 이용되지 않는다. 이로 인해, 투과 광과 반사 광이 손실의 원인이 되고, 고 발광 효율이 달성되지 않는다.
본 발명은 이러한 상황을 고려하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은 발광 효율이 가능한 한 높은 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 태양에 따른 발광 장치는 레이저광을 출사하는 제1 출사면(emission face)을 갖는 반도체 레이저 소자와; 표면에 오목부를 갖고, 상기 반도체 레이저 소자의 상기 출사면이 상기 오목부의 저면에 노출되도록 상기 반도체 레이저 소자를 지지하는 지지대와; 상기 지지대의 상기 오목부에 매립되고, 상기 반도체 레이저 소자로부터 출사된 상기 레이저광을 도광하고, 상기 레이저광이 입사되는 입사면과, 통과하여 진행한 상기 레이저광이 출사되는 제2 출사면을 구비하는 도광체 - 상기 도광체의 상기 입사면은 상기 레이저광의 진행 방향과 상기 레이저광의 발광 스폿의 단축에 의해 형성되는 면내에서 브루스터각을 θB라고 할 때 상기 레이저광의 입사각이 θB-10°내지 θB+5°의 범위로 되는 곡면임 - 와; 상기 도광체 내에 산재되어, 상기 레이저광을 흡수하고, 상기 레이저광의 파장과 다른 파장을 갖는 상기 광을 방출하는 형광 물질을 포함한다.
본 발명의 제2 태양에 따른 발광 장치는 레이저광을 출사하는 제1 및 제2 출사면을 각각 갖는 제1 및 제2 반도체 레이저 소자와; 표면에 오목부를 갖고, 상기 제1 및 제2 출사면이 상기 오목부의 저면에 노출되도록 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자를 지지하는 지지대와; 상기 지지대의 상기 오목부에 매립되고, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 각각으로부터 출사된 상기 레이저광을 도광하고, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 각각으로부터 출사된 상기 레이저광이 입사되는 입사면과, 통과하여 진행한 상기 레이저광이 출사되는 제3 출사면을 구비하는 도광체 - 상기 도광체의 상기 입사면은 상기 레이저광의 진행 방향과 상기 레이저광의 발광 스폿의 단축에 의해 형성되는 면내에서 브루스터각을 θB라고 할 때 상기 레이저광의 입사각이 θB-10°내지 θB+5°의 범위로 되는 곡면임 - 와; 상기 도광체 내에 산재되어, 상기 레이저광을 흡수하고, 상기 레이저광의 파장과 다른 파장을 갖는 상기 광을 방출하는 형광 물질을 포함한다.
본 발명의 제3 태양에 따른 발광 장치는 레이저광을 출사하고 서로 대향하는 제1 및 제2 출사면을 갖는 반도체 레이저 소자와; 서로 대향하는 제1 및 제2 표면에 제1 및 제2 오목부를 갖고, 상기 반도체 레이저 소자의 상기 제1 출사면이 상기 제1 오목부의 저면에 노출되고 상기 반도체 레이저 소자의 상기 제2 출사면이 상기 제2 오목부의 저면에 노출되도록 상기 반도체 레이저 소자를 지지하는 지지대와; 상기 지지대의 상기 제1 오목부에 매립되고, 상기 반도체 레이저 소자의 상기 제1 출사면으로부터 출사된 제1 레이저광을 도광하고, 상기 제1 레이저광이 입사되는 제1 입사면과, 통과하여 진행한 상기 제1 레이저광이 출사되는 제3 출사면을 구비하는 제1 도광체 - 상기 제1 도광체의 상기 제1 입사면은 상기 제1 레이저광의 진행 방향과 상기 제1 레이저광의 발광 스폿의 단축에 의해 형성되는 면내에서 상기 제1 레이저광의 입사각이 브루스터각을 포함하는 제1의 미리 결정된 범위 내에 있도록 하는 곡면임 - 와; 상기 지지대의 상기 제2 오목부에 매립되고, 상기 반도체 레이저 소자의 상기 제2 출사면으로부터 출사된 제2 레이저광을 도광하고, 상기 제2 레이저광이 입사되는 제2 입사면과, 통과하여 진행한 상기 제2 레이저광이 출사되는 제4 출사면을 구비하는 제2 도광체 - 상기 제2 도광체의 상기 제2 입사면은 상기 제2 레이저광의 진행 방향과 상기 제2 레이저광의 발광 스폿의 단축에 의해 형성되는 면내에서 상기 제2 레이저광의 입사각이 브루스터각을 포함하는 제2의 미리 결정된 범위 내에 있도록 하는 곡면임 - 와; 상기 제1 도광체 내에 산재되어, 상기 제1 레이저광을 흡수하고, 상기 제1 레이저광의 파장과 다른 파장을 갖는 상기 제1 광을 방출하는 제1 형광 물질과; 상기 제2 도광체 내에 산재되어, 상기 제2 레이저광을 흡수하고, 상기 제2 레이저광의 파장과 다른 파장을 갖는 상기 제2 광을 방출하는 제2 형광 물질을 포함한다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 장치의 수평 단면도.
도 2는 제1 실시예의 발광 장치의 수직 단면도.
도 3은 브루스터의 법칙을 설명하는 도면.
도 4는 레이저 다이오드의 구체예의 구조를 도시하는 단면도.
도 5는 구체예인 레이저 다이오드의 사시도.
도 6은 제2 실시예에 따른 발광 장치의 수평 단면도.
도 7은 제2 실시예의 변형예에 따른 발광 장치의 수평 단면도.
도 8은 제3 실시예에 따른 발광 장치의 수평 단면도.
도 9는 제4 실시예에 따른 발광 장치의 수평 단면도.
도 10은 제5 실시예에 따른 발광 장치의 수평 단면도.
이하에서는, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 설명한다.
(제1 실시예)
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다. 도 1은 수평 방향으로 연장하는 선을 따라 취한, 본 실시예의 발광 장치의 단면도이다. 도 2는 수직 방향으로 연장하는 선을 따라 취한 발광 장치의 단면도이다. 도 1 및 도 2는 서로 직교하는 방향의 단면도이다.
본 실시예의 발광 장치는 광원인 레이저 다이오드(10)와, 지지대(20)와, 도광체(40)를 포함한다. 지지대(20)는 표면에 오목부(20a)를 구비한다. 레이저 다이오드(10)는 레이저 다이오드(10)의 발광면이 오목부(20a)에 노출되도록 지지대(20)에 고정된다. 레이저 다이오드(10)를 통전하기 위한 전극(24a, 24b)이 지지대(20) 내에 제공되어 있다. 전극(24a, 24b) 중 하나가 레이저 다이오드(10)에 직접 접속되고, 다른 하나가 레이저 다이오드(10)에 본딩 와이어(26)를 통해 접속된다. 도광체(40)는 지지대(20)의 오목부(20a)에 매립되어 있다. 도광체(40)는 입사면(40a)과 출사면(40b)을 구비하고 있고, 레이저 다이오드(10)로부터의 광이 입사면(40a)을 통해 도광체(40)에 입사되고, 이 입사면(40a)을 통해 도광체(40)에 입사되어 도광체(40) 내부를 진행한 광이 출사면(40b)을 통해 출사된다. 지지대(20)의 오목부(20a)와 도광체(40)의 입사면(40a) 사이에는 공동부(30)가 형성되어 있다. 레이저 다이오드(10)로부터의 레이저광은 공동부(30)를 통과한 후, 도광체(40)의 입사면(40a)에 도달한다.
공동부(30)는 도 1에 나타낸 바와 같이 수평 단면에서 슬릿 형상을 갖고, 도 2에 나타낸 바와 같이 수직 단면에서는 큰 폭은 갖는다. 도광체(40)에서는, 형광 물질(42)이 광범위에 걸쳐 산재되어 있다. 지지대(20)는 레이저 다이오드(10)로부터의 열을 방출하기 위한 히트 싱크(heat sink)의 역할과, 레이저 다이오드(10) 및 도광체(40)를 고정하여 보호하는 역할을 한다.
본 실시예의 도광체(40)는 레이저광을 고효율로 도광시키는 기능을 한다. 이 기능은 브루스터의 법칙(Brewster's law)을 기초로 한다. 도광체(40)의 입사면(40a)은 레이저 다이오드(10)로부터의 레이저광(13)의 입사각이 브루스터각과 동일하도록 하는 곡면이다. 도 3은 도광체(40)의 입사면(40a)의 형상과 레이저광(13)의 입사각 간의 관계를 도시하는 개략도이다. 이 개략도는 레이저광(13)의 진행 방향과 레이저광(13)의 스폿의 단축 방향에 의해 한정되는 면을 따라 취한 단면도이다. 도 3에서, 점선 A 및 B는 레이저광의 입사점에 대한 도광체(40)의 입사면(40a)의 접선과 법선을 나타낸다. 레이저광의 진행 방향에 대한 입사점에서의 법선 B의 각도를 레이저광(13)의 입사각으로 설정한다. 도광체(40)의 입사면은 레이저광(13)의 임의의 입사점에서의 입사각이 브루스터각 θB이도록 하는 매끄러운 곡면이다. 브루스터각은 상이한 굴절률을 갖는 두 개의 매질 사이의 계면에 소정 각도를 갖는 광이 입사하는 경우에, P파의 강도 반사율이 0이 될 때 관찰되는 광 입사 방향에 대한 2개의 매질 사이의 계면의 법선의 각도이다. 브루스터각은 이하의 식으로 표현된다.
θB = arctan(n2/n1)
여기서, n1은 입사측의 매질의 굴절률을 나타내고, n2은 출사측의 매질의 굴절률을 나타낸다. 예를 들어, 굴절률이 1인 대기와, 굴절률이 1.47인 투명 재료 사이의 계면에 대기측으로부터의 광이 입사하는 경우, 브루스터각 θB은 55.77°이다. 이 각도에서의 s-편광과 p-편광의 반사율은 프레넬 공식:
RS = [sin(θi-θt)/sin(θi+θt)]2
RP = [tan(θi-θt)/tan(θi+θt)]2
에 따르면, 각각 13.49% 및 0.00%이며, 여기서, θi는 입사각을 나타내고, θt는 굴절각을 나타낸다. 따라서, p-편광의 투과율이 100%가 된다.
90%의 선편광성을 갖는 레이저광이 p-편광으로서 굴절률 1.47을 갖는 재료에 입사하는 경우를 가정하면, 전 광속의 10%인 s-편광 성분 중 13.49%가 반사된다. 따라서, 이러한 경우, 전 광속의 반사율은 대략 0.01349(=0.1×0.1349) 또는 1.349%이고, 전 광속의 98.65%가 투과하게 된다. 그러나, 입사각이 브루스터각 θB에 대해 -10°어긋나면, 상기 조건에서의 s-편광과 p-편광은 각각 8.75% 및 0.64%이다. 보다 구체적으로, 전 광속의 10%를 차지하는 s-편광 성분 중 8.75% 및 전 광속의 90%를 차지하는 p-편광 성분 중 0.64%가 반사된다. 따라서, 반사율은 0.01451(=0.9×0.0064 + 0.1×0.0875) 또는 1.451%이고, 전 광속의 투과율은 98.55%이다. 한편, 입사각이 브루스터각 θB에 대해 +5°어긋나면, s-편광과 p-편광은 각각 17.27% 및 0.326%이고, 전 광속의 투과율은 97.98%이다.
상술한 바와 같이, 선편광성 90%를 갖는 광선의 투과율은, 입사면에 대한 입사각이 θB-10°내지 θB+5°의 범위에서 대략 98%로 유지된다. 레이저 다이오드(10)는 통상의 발광 다이오드에 비해 우수한 선편광성을 갖고, 편광 방향은 통상 활성층면에 평행하다. 레이저 다이오드를 광원으로 사용함으로써, 굴절률이 다른 매질 사이의 계면을 통해 광을 효율적으로 도광하는 것이 가능해진다. 이를 본 명세서에서는 도광체(40)의 고효율 도광 기능이라 한다. 브루스터각 θB은 도광체의 굴절률에 따른 설계 파라미터이다.
도광체(40)는 또한 광 스폿 형상 변환 기능을 갖는다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 브루스터각 θB로 입사된 레이저광은 각도 2θB-π/2 만큼 굴절된다. 따라서, 도 3에 나타내는 도광체(40)에서와 같이, 입사면의 법선을 레이저광(13)의 스폿 형상의 단축의 중심쪽으로 향하게 함으로써, 레이저광(13)의 출사각을 확장할 수 있다. 이를 본 명세서에서는 도광체의 광 스폿 형상 변환 기능이라 한다.
도광체(40)는 또한 도광체(40)로부터의 레이저광 누설을 저감시키는 효과를 갖는다. 도광체(40)는 레이저광을 흡수하고, 레이저광과 다른 파장을 갖는 광을 방출하는 형광 물질(42)을 포함하고 있다. 예를 들어, 형광 물질(42)을 도광체(40)의 출사면(40b)과 평행하게 분포시켜, 출사면(40b)에 수직인 방향으로의 분포폭을 100㎛ 정도로 설정하여, 레이저광은 거의 100% 형광 물질(42)에 의해 흡수될 수 있다. 이러한 방식으로, 레이저광의 출사면(40b)으로의 출사를 저감할 수 있다. 형광 물질(42)의 분포폭은 형광 물질의 분포, 종류 및 혼합비에 따른 설계 파라미터이다.
이제, 도 4 및 도 5를 참조하여, 레이저 다이오드(10)를 설명한다. 도 4는 레이저 다이오드(10)의 단면도이다. 도 5는 레이저 다이오드(10)의 사시도이다. 레이저 다이오드(10)는 기판 상에 성장된다. 레이저 다이오드(10)는 활성층의 양측에 n형 및 p형 가이드층 및 클래드층(clad layer)을 갖는 더블 헤테로 구조를 갖는다. 레이저 다이오드(10)는 파장 300nm 내지 500nm의 광을 출사할 수 있다. 예를 들어, 도 4에 나타낸 바와 같이, 레이저 다이오드(10)에는 기판(100) 상에 n형 버퍼층(102), n형 클래드층(104), n형 가이드층(106), 활성층(108), p형 가이드층(110), p형 클래드층(112), p형 접촉층(114) 및 p-전극(116)이 이 순서로 형성되어 포함되어 있다. 기판(100)의 n형 버퍼층(102)과의 반대측의 면에는 n-전극(120)이 더 형성되어 있으며, 기판(100)과 n-전극(120) 사이에는 n형 접촉층(118)이 개재되어 있다. p형 클래드층(112) 및 p형 접촉층(114)은 전류를 협착하기 위해, p형 가이드층(110)보다 좁은 막면의 면적을 갖도록 각각 형성되어 있다. p형 가이드층(110)의 상면의 노출된 부분과, p형 클래드층(112) 및 p형 접촉층(114)의 측면은 절연체층(122)으로 피복된다.
도 5는 종래의 스트라이프형 레이저 다이오드의 층 구조를 개략적으로 나타낸다. 레이저광은 레이저 다이오드(10)의 전류 협착 스트라이프에 수직한 양측 또는 한측의 출사 단부면으로부터 출사된다. 레이저광의 스폿 형상은 광축에 수직한 면 상에서 타원형이다(도 5).
n-전극(120) 및 p-전극(116) 중 하나가 지지대(20)에 제공된 전극(24a) 상에 배치된다(도 1). 레이저 다이오드(10)의 노출된 전극 중 다른 하나는 본딩 와이어(26)에 의해 전극(24b)에 접속된다. 도광체(40)의 입사면(40a)은 레이저광(13)과 스폿 형상의 단축 방향에 의해 형성된 면내에서 레이저광의 입사각이 θB±몇(several) 도의 범위에 있도록 하는 곡면이다.
도광체(40)는 레이저 다이오드(10)로부터 출사된 레이저광에 대해 투명한 부재로 형성될 수 있다. 도광체(40)의 입사면(40a)과 레이저 다이오드(10) 사이의 영역(공동부(30))은 예를 들어 기체 또는 대기로 채워진다. 이러한 경우, 대기의 굴절률은 대략 1이다. 공동부(30)는 진공일 수 있다.
도광체(40)에 널리 분포되는 형광 물질(42)의 양호한 두께는 도광체(40)의 내부를 통과하는 레이저광의 진행 방향에 대해 대략 100㎛이다. 도광체(40)의 굴절률은 형광 물질(42)의 굴절률에 가까운 값을 갖는 것이 바람직하지만, 보다 바람직하게는 대략 1.8이다.
또한, 지지대(20)의 오목부(20a)에는 형광 물질(42)로부터 방출된 광에 대한 반사층(21)이 형성될 수 있다(도 2 참조).
상술된 바와 같이, 본 실시예는 레이저 다이오드로부터 입사된 광의 거의 100%를 이용할 수 있고, 레이저광 누설이 적지만 균일하게 되는 안전한 발광 장치를 제공할 수 있다. 따라서, 본 실시예의 발광 장치를 조명 시스템에 사용할 때, 고효율로 균일성이 높은 광속을 달성할 수 있다.
(제2 실시예)
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다. 본 실시예의 발광 장치는 형광 물질(42)을 도광체(40)의 출사면(40b)을 따라 분포시킨 것을 제외하고는, 제1 실시예의 발광 장치와 동일한 구조를 갖는다. 도광체(40)의 출사면(40b)의 형상에 따라, 형광 물질(42)이 수광하는 레이저광의 분포를 변경시킬 수 있다. 예를 들어, 도광체의 출사면의 형상을 변경시킴으로써, 형광 물질이 수광하는 레이저광의 면 밀도를 조정할 수 있다.
(변형예)
도 7에 나타낸 바와 같이, 도광체(40) 내의 형광 물질은 2개 이상의 층형(layer-like) 구조로 형성된 형광 물질(42a, 42b)일 수 있다. 층형의 형광 물질에 의해, 복수의 형광 물질를 혼합한 경우에 비해, 이종의 형광 물질 간의 광의 재 흡수를 보다 적게 할 수 있고, 색도도(chromaticity diagram) 상에서의 합성광의 설계가 보다 용이해진다.
(제3 실시예)
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다. 본 실시예의 발광 장치는 도광체(40)를 형광 물질(42)을 포함하지 않는 도광 부재(401)와, 형광 물질(42)을 포함하는 도광 부재(402)로 분할하는 것을 제외하고는, 도 1에 나타낸 제1 실시예의 발광 장치와 동일하다. 이러한 구성에 의해, 형광 물질(42)을 포함하는 도광 부재(402)를 도광 부재(401)와 별도로 형성할 수 있고, 형광 물질(42)을 포함하는 도광 부재(402)와 형광 물질(42)을 포함하지 않는 도광 부재(401)를 제작하는 것이 보다 용이해진다.
(제4 실시예)
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다. 본 실시예의 발광 장치는 레이저 다이오드(10)와, 지지대(20)와, 도광 부재(401, 402)를 포함한다. 레이저 다이오드(10)는 대향하는 한 쌍의 출사면을 갖고 있다. 지지대(20)에는 대향하는 한 쌍의 표면에 오목부(20a1, 20a2)가 형성되어 있다. 레이저 다이오드(10)는 지지대(20)에 고정되어, 레이저 다이오드(10)의 한 쌍의 출사면이 오목부(20a1, 20a2)에 노출된다. 레이저 다이오드(10)를 통전하기 위한 전극(24a, 24b)이 지지대(20) 내에 제공되어 있다. 전극(24a, 24b) 중 하나는 레이저 다이오드(10)에 직접 접속되어 있고, 다른 하나는 레이저 다이오드(10)에 본딩 와이어(26)를 통해 접속되어 있다.
도광 부재(401, 402)는 지지대(20)의 오목부(20a1, 20a2)에 각각 매립되어 있다. 도광 부재(401)는 입사면(40a1)과 출사면(40b1)을 포함하며, 레이저 다이오드(10)로부터의 광이 상기 입사면(40a1)을 통해 도광 부재(401)에 입사되고, 이 입사면(40a1)을 통해 입사되어 도광 부재(401) 내부를 진행한 광이 상기 출사면(40b1)을 통해 외부로 출사된다. 도광 부재(402)는 입사면(40a2)과 출사면(40b2)을 포함하며, 레이저 다이오드(10)로부터의 광이 상기 입사면(40a2)을 통해 도광 부재(402)에 입사되고, 이 입사면(40a2)을 통해 입사되어 도광 부재(402) 내부를 진행한 광이 상기 출사면(40b2)을 통해 외부로 출사된다. 지지대(20)의 오목부(20a1)와, 도광 부재(401)의 입사면(40a1) 사이에는 공동부(301)가 형성되고, 레이저 다이오드(10)로부터의 레이저광은 공동부(301)를 통해 도광 부재(401)의 입사면(40a1)에 입사한다. 지지대(20)의 오목부(20a2)와 도광 부재(402)의 입사면(40a2) 사이에는 공동부(302)가 형성되고, 레이저 다이오드(10)로부터의 레이저광은 공동부(302)를 통해 도광 부재(402)의 입사면(40a2)에 입사된다. 이들 공동부(301, 302)는 각각 도 9에 나타낸 바와 같이 수평 단면에서 슬릿 형상을 갖고, 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 수직 단면에서는 큰 폭을 갖는다. 도광 부재(401, 402)에서는, 형광 물질(421, 422)은 각각 광범위에 걸쳐 산재되어 있다. 지지대(20)는 레이저 다이오드(10)로부터의 열을 방출하기 위한 히트 싱크의 역할과, 레이저 다이오드(10) 및 도광 부재(401, 402)를 고정하여 보호하는 역할을 한다.
본 실시예의 도광 부재(401, 402)에서는, 각각의 입사면(40a1, 40a2)은 레이저 다이오드(10)로부터의 레이저광(13)의 입사각이 브루스터각과 동일하도록 하는 곡면이다.
상기 구조를 갖는 본 실시예의 발광 장치에서는, 레이저 다이오드(10)가 양 출사면에서 광을 출사하게 함으로써 각 출사 단부면의 광출력을 감소시킬 수 있다.
본 실시예에서는, 제1 내지 제3 실시예와 마찬가지로, 지지대(20)의 각 오목부(20a)의 표면에 광반사막을 제공할 수 있다.
(제5 실시예)
도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다. 본 실시예의 발광 장치는 2개의 레이저 다이오드를 제공하는 것을 제외하고는, 도 1에 나타내는 제1 실시예의 발광 장치와 동일하다. 이들 2개의 레이저 다이오드(101, 102)는 지지대(20)에 고정되어, 각 출사면이 오목부(20a)에 노출된다. 레이저 다이오드(101, 102)는 전극(24a, 24b) 중 하나에 전기적으로 접속되어 있고, 전극(24a, 24b) 중 다른 하나에 본딩 와이어(261, 262)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 도광체(40)의 입사면(40a)은 레이저 다이오드(101, 102) 각각으로부터 출사된 레이저광의 입사각이 브루스터각과 동일하도록 하는 곡면이다. 그러나, 본 실시예에서는, 도광체(40)의 입사면(40a)은 레이저 다이오드(101, 102) 각각으로부터 출사되는 레이저광에 대해 수평면에서 비대칭 형상을 갖는다. 이러한 구성에 의해, 광밀도가 높은 광축 부근에서의 레이저광은 효율적으로 도광체(40)에 입사할 수 있다. 레이저 다이오드(101, 102)의 광축들 간의 각도는 바람직하게는 대략 브루스터각 θB의 2배이며, 이러한 조건에서 도광체에 입사된 레이저광의 중심축은 서로 평행하다.
상기 실시예들의 도광 부재 각각은 바람직하게는 실리콘계 수지, 중합체, 폴리이미드, 세라믹, 유리, 또는 이들 재료 중 2개 이상의 혼합물로 이루어진다.
상기 실시예들의 형광 물질 각각은 바람직하게는 이트륨 알루미늄 가닛(garnet) 재료, 테르븀 알루미늄 가닛 재료, 셀렌화 아연 황화물, 또는 질소화 규소 알루미늄을 포함해야 한다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들 각각은 발광 효율이 가능한 한 높은 발광 장치를 제공할 수 있다.
당업자에게는 다른 장점 및 변형이 용이하게 행해질 수 있다. 따라서, 보다넓은 태양의 본 발명은 본 명세서에 도시되고 설명된 구체적 상세 및 대표적 실시예에 한정되지 않는다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 그 균등물에 의해 한정된 총괄적 발명의 개념의 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 다양한 변형이 행해질 수 있다.
10: 레이저 다이오드
13: 레이저광
20: 지지대
20a: 오목부
24a, 24b: 전극

Claims (24)

  1. 발광 장치로서,
    레이저광을 출사하는 제1 출사면(emission face)을 갖는 반도체 레이저 소자와,
    표면에 오목부를 갖고, 상기 제1 출사면이 상기 오목부의 저면에 노출되도록 상기 반도체 레이저 소자를 지지하는 지지대와,
    상기 지지대의 상기 오목부에 매립되고, 상기 반도체 레이저 소자로부터 출사된 상기 레이저광을 도광하고, 상기 레이저광이 입사되는 입사면과, 통과하여 진행한 상기 레이저광이 출사되는 제2 출사면을 구비하는 도광체 - 상기 도광체의 상기 입사면은 상기 레이저광의 진행 방향과 상기 레이저광의 발광 스폿의 단축(短軸)에 의해 형성되는 면내에서 브루스터각을 θB라고 할 때 상기 레이저광의 입사각이 θB-10°내지 θB+5°의 범위로 되는 곡면임 - 와,
    상기 도광체 내에 산재되어, 상기 레이저광을 흡수하고, 상기 레이저광의 파장과 다른 파장을 갖는 상기 광을 방출하는 형광 물질을 포함하는, 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저 소자의 발광 파장은 300nm 내지 500nm의 범위인, 발광 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도광체는 실리콘계 수지, 중합체, 폴리이미드, 세라믹 및 유리 중 하나, 또는 상기 재료들의 혼합물로 형성되는, 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도광체는 제1 도광 부재와, 상기 제1 도광 부재와 다른 재료로 이루어지는 제2 도광 부재로 형성된 적층 구조를 갖는, 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 형광 물질은 이트륨 알루미늄 가닛 재료, 테르븀 알루미늄 가닛 재료, 셀렌화 아연 황화물 및 질소화 규소 알루미늄 중 하나를 포함하는, 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 지지대의 상기 오목부의 표면에 형성된 광반사막을 더 포함하는, 발광 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 형광 물질은 상기 제2 출사면을 따라 분포되는, 발광 장치.
  8. 삭제
  9. 발광 장치로서,
    레이저광을 출사하는 제1 및 제2 출사면을 각각 갖는 제1 및 제2 반도체 레이저 소자와,
    표면에 오목부를 갖고, 상기 제1 및 제2 출사면이 상기 오목부의 저면에 노출되도록 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자를 지지하는 지지대와,
    상기 지지대의 상기 오목부에 매립되고, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 각각으로부터 출사된 상기 레이저광을 도광하고, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 각각으로부터 출사된 상기 레이저광이 입사되는 입사면과, 통과하여 진행한 상기 레이저광이 출사되는 제3 출사면을 구비하는 도광체 - 상기 도광체의 상기 입사면은 상기 레이저광의 진행 방향과 상기 레이저광의 발광 스폿의 단축에 의해 형성되는 면내에서 브루스터각을 θB라고 할 때 상기 레이저광의 입사각이 θB-10°내지 θB+5°의 범위로 되는 곡면임 - 와,
    상기 도광체 내에 산재되어, 상기 레이저광을 흡수하고, 상기 레이저광의 파장과 다른 파장을 갖는 상기 광을 방출하는 형광 물질을 포함하는, 발광 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 반도체 레이저 소자 각각의 발광 파장은 300nm 내지 500nm의 범위인, 발광 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 도광체는 실리콘계 수지, 중합체, 폴리이미드, 세라믹 및 유리 중 하나, 또는 상기 재료들의 혼합물로 형성되는, 발광 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 도광체는 상기 형광 물질을 포함하지 않는 제1 도광 부재와, 상기 형광 물질을 포함하는 제2 도광 부재로 형성된 적층 구조를 갖는, 발광 장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 형광 물질은 이트륨 알루미늄 가닛 재료, 테르븀 알루미늄 가닛 재료, 셀렌화 아연 황화물 및 질소화 규소 알루미늄 중 하나를 포함하는, 발광 장치.
  14. 제9항에 있어서, 상기 지지대의 상기 오목부의 표면에 형성된 광반사막을 더 포함하는, 발광 장치.
  15. 제9항에 있어서, 상기 형광 물질은 상기 제3 출사면을 따라 분포되는, 발광 장치.
  16. 삭제
  17. 발광 장치로서,
    레이저광을 출사하고 서로 대향하는 제1 및 제2 출사면을 갖는 반도체 레이저 소자와,
    서로 대향하는 제1 및 제2 표면에 제1 및 제2 오목부를 갖고, 상기 반도체 레이저 소자의 상기 제1 출사면이 상기 제1 오목부의 저면에 노출되고 상기 반도체 레이저 소자의 상기 제2 출사면이 상기 제2 오목부의 저면에 노출되도록 상기 반도체 레이저 소자를 지지하는 지지대와,
    상기 지지대의 상기 제1 오목부에 매립되고, 상기 반도체 레이저 소자의 상기 제1 출사면으로부터 출사된 제1 레이저광을 도광하고, 상기 제1 레이저광이 입사되는 제1 입사면과, 통과하여 진행한 상기 제1 레이저광이 출사되는 제3 출사면을 구비하는 제1 도광체 - 상기 제1 도광체의 상기 제1 입사면은 상기 제1 레이저광의 진행 방향과 상기 제1 레이저광의 발광 스폿의 단축에 의해 형성되는 면내에서 상기 제1 레이저광의 입사각이 브루스터각을 포함하는 제1의 미리 결정된 범위 내에 있도록 하는 곡면임 - 와,
    상기 지지대의 상기 제2 오목부에 매립되고, 상기 반도체 레이저 소자의 상기 제2 출사면으로부터 출사된 제2 레이저광을 도광하고, 상기 제2 레이저광이 입사되는 제2 입사면과, 통과하여 진행한 상기 제2 레이저광이 출사되는 제4 출사면을 구비하는 제2 도광체 - 상기 제2 도광체의 상기 제2 입사면은 상기 제2 레이저광의 진행 방향과 상기 제2 레이저광의 발광 스폿의 단축에 의해 형성되는 면내에서 상기 제2 레이저광의 입사각이 브루스터각을 포함하는 제2의 미리 결정된 범위 내에 있도록 하는 곡면임 - 와,
    상기 제1 도광체 내에 산재되어, 상기 제1 레이저광을 흡수하고, 상기 제1 레이저광의 파장과 다른 파장을 갖는 상기 제1 광을 방출하는 제1 형광 물질과,
    상기 제2 도광체 내에 산재되어, 상기 제2 레이저광을 흡수하고, 상기 제2 레이저광의 파장과 다른 파장을 갖는 상기 제2 광을 방출하는 제2 형광 물질을 포함하는, 발광 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 반도체 레이저 소자의 발광 파장은 300nm 내지 500nm의 범위인, 발광 장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도광체 각각은 실리콘계 수지, 중합체, 폴리이미드, 세라믹 및 유리 중 하나, 또는 상기 재료들의 혼합물로 형성되는, 발광 장치.
  20. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도광체 각각은 상기 형광 물질을 포함하지 않는 제1 도광 부재와, 상기 형광 물질을 포함하는 제2 도광 부재로 형성된 적층 구조를 갖는, 발광 장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2 형광 물질은 이트륨 알루미늄 가닛 재료, 테르븀 알루미늄 가닛 재료, 셀렌화 아연 황화물 및 질소화 규소 알루미늄 중 하나를 포함하는, 발광 장치.
  22. 제17항에 있어서, 상기 지지대의 상기 제1 및 제2 오목부의 표면에 형성된 광반사막을 더 포함하는, 발광 장치.
  23. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2 형광 물질은 상기 제3 및 제4 출사면을 따라 각각 분포되는, 발광 장치.
  24. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 미리 결정된 범위는 브루스터각을 θB라고 할 때 θB-10°내지 θB+5°의 범위인, 발광 장치.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5079421B2 (ja) * 2007-08-17 2012-11-21 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機レーザダイオード
JP5044329B2 (ja) * 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
JP5039164B2 (ja) * 2010-03-08 2012-10-03 株式会社東芝 発光装置
JP2011187285A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Toshiba Corp 発光装置
KR101142758B1 (ko) 2010-07-22 2012-05-08 한국세라믹기술원 유리 형광 렌즈를 이용한 발광다이오드 램프 및 그 제조방법
DE102010062463A1 (de) * 2010-12-06 2012-06-06 Osram Ag Leuchtvorrichtung
JP5658600B2 (ja) 2011-03-07 2015-01-28 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP5722702B2 (ja) * 2011-05-19 2015-05-27 スタンレー電気株式会社 車両用灯具
CN104115290B (zh) * 2011-11-23 2017-04-05 夸克星有限责任公司 提供光的不对称传播的发光装置
JP6162537B2 (ja) * 2013-08-21 2017-07-12 スタンレー電気株式会社 光源装置、照明装置、および、車両用灯具
KR102125450B1 (ko) 2013-12-05 2020-06-22 엘지이노텍 주식회사 광변환부재 및 이를 포함하는 조명장치
DE102015117539A1 (de) * 2015-10-15 2017-04-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung
JP6808336B2 (ja) * 2016-03-15 2021-01-06 株式会社東芝 半導体レーザ装置
JP6182230B1 (ja) * 2016-03-15 2017-08-16 株式会社東芝 面発光量子カスケードレーザ
JP7092988B2 (ja) * 2018-01-30 2022-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN113156557B (zh) * 2021-04-30 2023-02-21 浙江光珀智能科技有限公司 一种光学面罩及光学系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060139926A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, and illumination apparatus and display apparatus using the light-emitting device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4958355A (en) 1989-03-29 1990-09-18 Rca Inc. High performance angled stripe superluminescent diode
JP3192777B2 (ja) 1992-10-21 2001-07-30 積水化学工業株式会社 パネル切断装置
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
JP2005530349A (ja) * 2002-06-13 2005-10-06 クリー　インコーポレイテッド 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
CN1742390A (zh) * 2003-01-27 2006-03-01 3M创新有限公司 具有非平面短通反射器的基于荧光粉的光源及其制造方法
JP2004354495A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Nec Viewtechnology Ltd 光源装置
JP4784966B2 (ja) * 2003-11-18 2011-10-05 シャープ株式会社 半導体レーザ装置および照明装置
JP2005208333A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Sharp Corp フラッシュ装置、フラッシュ装置を備えるカメラ、および半導体レーザ装置とその製造方法
KR100752586B1 (ko) * 2004-06-28 2007-08-29 쿄세라 코포레이션 발광장치 및 조명장치
JP2006032370A (ja) 2004-07-12 2006-02-02 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP4761848B2 (ja) * 2005-06-22 2011-08-31 株式会社東芝 半導体発光装置
KR100665219B1 (ko) 2005-07-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광다이오드 패키지
JP2007273562A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060139926A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, and illumination apparatus and display apparatus using the light-emitting device

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