JP2009221572A - 酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材10上に積層される中間層20(薄膜)であって、該中間層20上に希土類系酸化物超電導層30が積層される酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜を、2軸配向性を有するシーライト構造の酸化物から形成する。この基材10上に積層される2軸配向性を有する薄膜はイオンビームアシスト蒸着法により積層される。中間層20は、シーライト構造を有するYNbO4,GdNbO4の1種から形成される。
【選択図】図1
Description
本発明の目的は、成膜速度が速いため、製造時間が短くなり、製造コストを低減することができる酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜を提供することにある。
又、前記シーライト構造の酸化物上に、蛍石構造の酸化物層が形成された積層構造を有していてもよい。
又、本発明の酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜の製造方法は、基材に対して2軸配向性を有する薄膜を積層する酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜の製造方法において、シーライト構造の酸化物をイオンビームアシスト蒸着法により前記基材上に積層して、前記薄膜を形成することを特徴とする。
又、本発明の酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜の製造方法は、前記シーライト構造の酸化物上に、パイロクロア構造の酸化物層を形成してもよい。
本発明の酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜の製造方法によれば、薄膜の形成時に薄膜の成膜速度が速いため、製造時間が短くなり、製造コストを低減することができる。
酸化物超電導線材の基材10は、その材質としては、ハステロイ、銀、白金、ステンレス鋼等を挙げることができ、形状としては長尺状のテープ、板材等を挙げることができる。
アシストイオンビーム用イオンガン60は、前記スパッター用イオンビーム照射装置70と同様の構成を備えており、前記基材10に対する入射角度θ(すなわち、基材10に酸化物が蒸着する面に対する垂線Lとイオンガン60の中心線Oとのなす角度)が45〜60度の範囲となるように傾けて配置される。イオンガン60によって照射するイオンビームは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトンなどの希ガスのイオンビーム、又はそれらと酸素イオンの混合ビーム等であればよい。イオンガン60が備える電極にはアシストビーム加速電圧が印加されることにより、前記イオンビームが制御される。
希土類系酸化物超電導層30は、例えば、YBa2Cu3Ox、GdBa2Cu3Ox、SmBa2Cu3Ox等を挙げることができる。希土類系酸化物超電導層30の詳細説明は、本発明の要部ではないため、説明を省略する。
(実施例1)
ターゲット及び中間層の材質:YNbO4
アシストビーム加速電圧 :400V
スパッター加速電圧 :1100V
加熱温度 :290℃
(実施例2)
ターゲット及び中間層の材質:GdNbO4
アシストビーム加速電圧 :400V
スパッター加速電圧 :1100V
加熱温度 :290℃
(実施例3)
実施例3は、実施例1と同様に2軸配向薄膜を形成し、その上にさらに蛍石構造の酸化物層を形成して積層構造とするものである。
ターゲット及び中間層の材質:YNbO4
アシストビーム加速電圧 :400V
スパッター加速電圧 :1100V
加熱温度 :290℃
第2段階としては、前記第1段階での成膜時間(30分間)の後、以下の成膜条件で成膜した。
アシストビーム加速電圧 :200V
スパッター加速電圧 :1000V
加熱温度 :180℃
(実施例4)
実施例4は、実施例2と同様に2軸配向薄膜を形成し、その上にさらにパイロクロア構造の酸化物層を形成して積層構造とするものである。
ターゲット及び中間層の材質:GdNbO4
アシストビーム加速電圧 :400V
スパッター加速電圧 :1100V
加熱温度 :290℃
第2段階としては、前記第1段階での成膜時間(30分間)の後、以下の成膜条件で成膜した。
アシストビーム加速電圧 :200V
スパッター加速電圧 :1100V
加熱温度 :180℃
(比較例1)
ターゲット及び中間層の材質:YSZ(イットリウム安定化ジルコニア)
アシストビーム加速電圧 :200V
スパッター加速電圧 :1000V
加熱温度 :180℃
(比較例2)
ターゲット及び中間層の材質:HoNbO4
アシストビーム加速電圧 :450V
スパッター加速電圧 :1000V
加熱温度 :280℃
(比較例3)
ターゲット及び中間層の材質:YbNbO4
アシストビーム加速電圧 :450V
スパッター加速電圧 :1000V
加熱温度 :280℃
(比較例4)
ターゲット及び中間層の材質:SrWO4
アシストビーム加速電圧 :400V
スパッター加速電圧 :1100V
加熱温度 :290℃
実施例1、2では、2軸配向中間層が得られた。そして、図3に示すように、実施例1では、X線半幅値Δφが15°程度になるまでの成膜時間は、120分程度、実施例2では、150分程度となる。なお、X線半幅値Δφが15°程度以下が、所定の品質を得るための目安となっている。
比較例1では、X線半幅値Δφが15°程度になる時間は、約300分と極めて長い時間を要する。
上記の結果から、実施例1、実施例2では、比較例よりも所定の品質を指し示すX線半幅値Δφ(=15°)に中間層が成膜するための時間が比較例よりも十分に短い時間で良いことが分かる。
実施例3では、Δφ=15°程度を達成するには、成膜時間が180分程度でよくなり、実施例4では、120分程度でよく、いずれも、比較例1に比較すると、極めて短い時間で成膜できた。
Claims (8)
- 基材上に積層される酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜において、前記薄膜が2軸配向性を有するシーライト構造の酸化物からなることを特徴とする酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜。
- 前記シーライト構造の酸化物が、YNbO4,GdNbO4の中から少なくとも1つ選ばれたものであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜。
- 前記シーライト構造の酸化物上に、蛍石構造の酸化物層が形成された積層構造を有することを特徴とする請求項2に記載の酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜。
- 前記シーライト構造の酸化物上に、パイロクロア構造の酸化物層が形成された積層構造を有することを特徴とする請求項2に記載の酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜。
- 基材に対して2軸配向性を有する薄膜を積層する酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜の製造方法において、
シーライト構造の酸化物をイオンビームアシスト蒸着法により前記基材上に積層して、前記薄膜を形成することを特徴とする酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜の製造方法。 - 前記シーライト構造の酸化物が、YNbO4,GdNbO4の中から少なくとも1つ選ばれたものであることを特徴とする請求項5に記載の酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜の製造方法。
- 前記シーライト構造の酸化物上に、蛍石構造の酸化物層を形成することを特徴とする請求項5に記載の酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜の製造方法。
- 前記シーライト構造の酸化物上に、パイロクロア構造の酸化物層を形成することを特徴とする請求項5に記載の酸化物超電導線材用の2軸配向薄膜の製造方法。
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