JP2009218369A - 軸配位子を有するフタロシアニン化合物からなるｎ型有機半導体材料 - Google Patents

Abstract

【課題】有機電子デバイス（特に有機トランジスタ，有機光電変換素子）の作製に適した化合物、ｎ型有機半導体材料、溶液および分散液を提供する。
【解決手段】下記一般式で表されるフタロシアニン化合物からなるｎ型有機半導体材料、該化合物の合成方法、溶液または分散液、薄膜、有機電子デバイス。

（Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、又は電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。）
【選択図】なし

Description

本発明は、特定の構造を有するフタロシアニン化合物、該化合物の合成方法、該化合物からなる有機半導体材料、該化合物を含む溶液または分散液、該化合物を用いた有機電子デバイス（特に有機トランジスタ、有機光電変換素子）に関する。

ユビキタスな情報社会を迎え、いつでもどこでも使用できる情報端末が求められている。そのため、フレキシブルかつ軽量で安価な電子デバイスが望まれているが、従来のシリコンのような無機半導体材料を用いた電子デバイスでは、これらの要望に十分に対応できていない。そこで、近年、これらの要望に対応可能な有機半導体材料を用いた電子デバイスの研究が活発になされている。特に、塗布法などの湿式プロセスにより成膜可能な有機半導体材料は、低温、低コストで大面積の素子を作製できる可能性を秘めている（例えば、非特許文献１又は２を参照。）。

これまでに見出された有機半導体材料の多くは、電荷輸送キャリアが正孔（ホール）であるｐ型半導体特性を示し、このようなｐ型有機半導体材料としては、例えば、真空蒸着法などの乾式プロセスにより成膜可能なペンタセンや湿式プロセスにより成膜可能なＰ３ＨＴ（ポリ（３−ヘキシルチオフェン））など、優れた材料が見つかってきている。

これに対し、電荷輸送キャリアが電子であるｎ型有機半導体材料は限られており、さらなる特性の向上が求められている。例えば、乾式プロセスにより成膜可能なフラーレンや湿式プロセスにより成膜可能なフラーレン誘導体ＰＣＢＭ（[６，６]−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル）が知られているが、これらは、電子デバイスとして動作させるには大気中での劣化を防止するために封止が必要になるなど、大気中での安定性の点で十分満足できるものではなかった。従って、湿式プロセスによる成膜に適したｎ型有機半導体材料の開発が求められている（例えば、非特許文献１又は２を参照。）。

また、有機半導体材料を光電変換材料として用いることにより、光センサや有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子が得られる。これらは、シリコンなどの無機半導体材料を用いた素子と比べて製造工程が容易であり、特に湿式プロセスによる成膜が可能な有機半導体材料を用いれば、低温、低コストで大面積の素子を作製できる可能性を秘めている。これまでに、例えば、前述のＰ３ＨＴとＰＣＢＭとからなるブレンド膜を光電変換層として用いた有機薄膜太陽電池が報告されているが、シリコン太陽電池に光電変換性能が及ばず、更なる性能の向上が求められている。有機薄膜太陽電池のエネルギー変換効率が低い原因の一つとしては、太陽から照射される光に対し、用いている材料の光吸収および光電変換可能な波長領域が狭く、長波長領域（近赤外領域）の光を利用できていないことが挙げられる。特に、ｎ型材料として用いているＰＣＢＭの吸収波長領域はほぼ紫外域のみであり、太陽光を有効に利用できていない。従って、湿式成膜法での成膜に適しており、長波長域まで光吸収および光電変換特性を示すｎ型有機半導体材料の開発が求められている（例えば、非特許文献３又は４を参照。）。

これまでに知られているｎ型有機半導体材料の中で、化合物の化学的安定性、半導体動作安定性、長波長域まで光吸収および光電変換特性を示す、といった観点からは、電子欠乏性のフタロシアニン類が特に優れていることが分かっており、例えば、各種中心金属のヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ₁₆ＣｕＰｃ、Ｆ₁₆ＺｎＰｃ、Ｆ₁₆ＣｏＰｃ、Ｆ₁₆ＦｅＰｃ）、各種中心金属の塩素化フタロシアニン（Ｃｌ₁₆ＦｅＰｃ、Ｃｌ₁₆ＣｕＰｃ）などの電子欠乏性のフタロシアニンが優れたｎ型有機半導体材料として知られている（例えば、特許文献１、非特許文献５又は６を参照。）。

しかし、これらのフタロシアニン類は、いずれも溶媒への溶解性が非常に低く、湿式プロセスによる成膜には適していないという問題があった。フタロシアニン類に溶解性を付与する方法として、一般にフタロシアニン骨格の周辺にアルキル基などの置換基を導入する方法が知られているが、フタロシアニン類にｎ型半導体特性を付与するためにはＦやＣｌなどの電子求引性基を導入するなどの方法で電子欠乏性にする必要があり、溶解性向上のための置換基導入との両立が困難であった。
さらに、置換基を有するフタロシアニンの合成においては、一般に、導入される置換基の種類や数が異なる副生成物や置換位置の異なる構造異性体が副生することが避けられず、単一成分・高純度な化合物の合成は非常に困難であった。

特開平１１−２５１６０１号公報 Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ，２００７，１０７，１２９６−１３２３. 「Ｏｒｇａｎｉｃ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ」（２００７年刊、ＣＲＣ Ｐｒｅｓｓ）１５９−２２８頁。 「Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ」（２００５年刊、Ｔａｙｌｏｒ＆Ｆｒａｎｃｉｓ）４９−１０４頁 Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ，２００７，１０７，１３２４−１３３８． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９８，１２０，２０７−２０８． Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００６，８９，１６３５１６．

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、湿式法により成膜可能であり、各種有機電子デバイス（特に有機トランジスタ、有機光電変換素子）への適用に適したｎ型有機半導体材料を提供することにある。

本発明の課題は、下記の手段によって解決された。
＜１＞下記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物からなるｎ型有機半導体材料。
（式中、Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、または電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは中心金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。）

＜２＞前記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物が下記一般式（Ｐｃ−２）で表される化合物である、＜１＞項に記載のｎ型有機半導体材料。
（式中、ＸはＦ又はＣｌを表し、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎのいずれかを表し、Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表す。）

＜３＞前記の置換基Ｒにおける中心金属Ｍと結合する部分が−Ｃ又は−ＯＳｉである（ここで前記Ｒは−の側でＭと結合する。）、＜１＞又は＜２＞項に記載のｎ型有機半導体材料。
＜４＞前記中心金属ＭがＳｎである、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載のｎ型有機半導体材料。
＜５＞前記ｎ型有機半導体材料が有機トランジスタ用ｎ型有機半導体材料である、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載のｎ型有機半導体材料。
＜６＞前記ｎ型有機半導体材料が有機光電変換素子用ｎ型有機半導体材料である、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載のｎ型有機半導体材料。

＜７＞下記一般式（Ｐｃ−３）で表される化合物。
（式中、ＸはＦ又はＣｌを表し、Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表す。ただし、Ｒは、Ｓｎと結合する部分が−Ｃ又は−ＯＳｉである（ここで、前記Ｒは、−の側でＳｎと結合する。）。）

＜８＞炭素数１〜３０の置換基Ｒが１つ又は２つ金属原子Ｍに結合した化合物を中心金属源として環化反応を行う工程を含む、前記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を製造する方法。
＜９＞前記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を含む色素組成物であって、該色素組成物の示す吸収が主に前記化合物の吸収に由来するものである色素組成物。
＜１０＞前記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を質量濃度０．１〜１００ｇ／Ｌの範囲で含む溶液。
＜１１＞前記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を質量濃度０．１〜１００ｇ／Ｌの範囲で含む微粒子分散液。
＜１２＞前記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を含む薄膜。
＜１３＞＜１１＞項に記載の微粒子分散液を塗布・乾燥することにより得られる、＜１２＞項に記載の薄膜。
＜１４＞前記化合物を膜中に５質量％以上含む、＜１２＞又は＜１３＞項に記載の薄膜。
＜１５＞＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載のｎ型有機半導体材料を用いてなる有機電子デバイス。
＜１６＞前記有機電子デバイスが有機トランジスタである＜１５＞項に記載の有機電子デバイス。
＜１７＞前記有機電子デバイスが有機光電変換素子である＜１５＞項に記載の有機電子デバイス。

本発明のｎ型有機半導体材料は、容易に均一溶液または微粒子分散液を得ることができる。該溶液または分散液を塗布・乾燥することにより、各種の有機電子デバイス（有機トランジスタ、有機光電変換素子など）に適した良質な薄膜を提供することができる。

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のｎ型有機半導体材料は、下記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物（以下、本発明の化合物という。）からなる。以下、一般式（Ｐｃ−１）について説明する。

（式中、Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、または電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは中心金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。）

本発明の化合物は、ｎ型半導体特性を発現させるため、Ｑで表される部分が、電子求引性基が置換した芳香族炭化水素、または電子欠乏性の芳香族ヘテロ環のいずれかより選ばれる。

Ｑで表される芳香族炭化水素としては、ベンゼン環に限らず、複数の置換位置で縮環した構造も好ましく、ナフタレン環などのように縮環したものも含む。

電子求引性基としては特に制限はなく、例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９１，９１，１６５．に記載されている置換基のうちＨａｍｍｅｔ値が正の値のものが挙げられる。例としてはハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、パーフルオロアルキル基、−ＣＯ−Ｒ¹、−ＣＯ−ＣＯ−Ｒ¹、−ＳＯ−Ｒ¹、−ＳＯ₂−Ｒ¹、−Ｃ(＝Ｎ−Ｒ²)−Ｒ¹、−Ｓ(＝ＮＲ²)−Ｒ¹、−Ｓ(＝ＮＲ²)₂−Ｒ¹、−Ｐ(＝Ｏ)(Ｒ¹)₂、−Ｏ−Ｒ³、−Ｓ−Ｒ³、−Ｎ(−Ｒ²)−ＣＯ−Ｒ¹、−Ｎ(−Ｒ²)−ＳＯ−Ｒ¹、−Ｎ(−Ｒ²)−ＳＯ₂−Ｒ¹、−Ｎ(−Ｒ²)−Ｃ(＝Ｎ−Ｒ²）−Ｒ¹、−Ｎ(−Ｒ²)−Ｓ(＝ＮＲ²)₂−Ｒ¹、及び−Ｎ(−Ｒ²)−Ｐ(＝Ｏ)(Ｒ¹)₂で表される基などが挙げられる。ここで、Ｒ¹は、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、ヒドロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、又はメルカプト基を表す。具体的には、後述のＷのうち、これらの置換基の例として示したものが挙げられる。Ｒ²は、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アシル基、スルホニル基、スルフィニル基、又はホスホリル基を表す。具体的には、後述のＷのうち、これらの置換基の例として示したものが挙げられる。Ｒ³は、パーフルオロアルキル基、シアノ基、アシル基、スルホニル基、またはスルフィニル基を表す。具体的には、後述のＷのうち、これらの置換基の例として示したものが挙げられる。

Ｑで表される芳香族炭化水素に結合する電子求引性基としては、好ましくはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、パーフルオロアルキル基、スルホニル基、スルホ基、エステル基、カルボニル基、電子欠乏性の芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、パーフルオロアルキル基、スルホニル基であり、さらに好ましくはハロゲン原子であり、ハロゲン原子の中で特に好ましくはフッ素原子又は塩素原子である。

芳香族炭化水素に結合する電子求引性基の数は特に限定されないが、異性体の副生を防ぐ意味では、当該芳香族炭化水素がベンゼン環の場合、ベンゼン環１つ当たりに電子求引性基が２つまたは４つ、対称に導入されていることが好ましい。本発明において「対称に導入されている」とは、１つの縮合環が、中心金属Ｍを通る軸を中心に線対称であることを意味する。具体的には、後述する例示化合物１〜３５のように、該化合物における置換基Ｘ₁（α位）がすべて同一の場合、又は置換基Ｘ₂（β位）がすべて同一の場合を表す。好ましくは、該化合物における置換基Ｘ₁及びＸ₂がすべて同一の場合である。電子求引性基が置換した芳香族炭化水素として、最も好ましくはテトラハロゲノベンゼンである。

Ｑで表される電子欠乏性の芳香族へテロ環とは、ベンゼン環に比べて電子密度が低いヘテロ環であり、ベンゼン環に比べてより酸化が起こりにくく還元が起こりやすい分子構造のヘテロ環といってもよい。Ｑで表される電子欠乏性の芳香族ヘテロ環として、好ましくは窒素原子を１個以上含む炭素数２〜１０のものであり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、キノリン環、シロール環、ゲルモール環のいずれかであり、特に好ましくはピリジン環、ピラジン環である。

本発明の化合物は、湿式プロセス成膜適性を付与するため、中心金属Ｍに置換基Ｒを１つまたは２つ有する。中心金属Ｍに結合した置換基Ｒは軸配位子とも呼ばれる。置換基Ｒをフタロシアニン骨格の周辺（前記一般式（Ｐｃ−１）におけるＱで表される部分）ではなく、中心金属Ｍに導入することにより、導入される置換基の種類や数が異なる副生成物や置換位置の異なる構造異性体が副生することなく、高純度化に適した化合物となる。また、軸配位子を有することにより、フタロシアニンのπ共役系同士のスタッキングが効率的に抑制されるため、比較的小さな置換基の導入でも効果的に溶媒への溶解性や分散性が向上し、湿式成膜適性を向上させることができる。

中心金属Ｍとしては、３価または４価をとり得る金属であればいかなるものでもよく、３価の金属の例としては、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｆｅが挙げられ、４価の金属の例としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒが挙げられる。これらの中で、溶解性向上および化合物の化学的安定性の観点からは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎが好ましく、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎがより好ましく、Ｓｎが特に好ましい。

置換基Ｒとしては、湿式プロセス適性の観点から炭素数１〜３０のものが好ましい。このようなＲは、いかなるものでもよく、後述のＷから選ぶことができる。Ｒとして、好ましくは炭素数１〜３０の直鎖もしくは分岐の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数３〜３０のシリルオキシ基である。Ｍと結合する部分が−Ｃ、−ＯＳｉ、−ＯＣ、−ＯＣＯ（エステル結合）で表されるものが特に好ましく、Ｍと結合する部分が−Ｃまたは−ＯＳｉで表されるものが最も好ましい。ここで前記Ｒは−の側でＭと結合する。具体的には、後述のＷのうち、これらの置換基の例として示したものが挙げられる。

置換基Ｒの数は１つ又は２つのいずれでもよいが、湿式成膜適性向上の観点からは２つが好ましい。Ｒが２つの場合、２つのＲは同一でも異なってもよいが、好ましくは同一の場合である。

本発明において、置換基の特定の部分を「基」と称した場合には、当該部分の基はそれ自体が置換されていなくてもよく、また、一種以上の（可能な最多数までの）別の置換基でさらに置換されていても良いことを意味する。例えば、「アルキル基」とは置換または無置換のアルキル基を意味する。つまり、本発明における化合物における置換基はさらに置換されていても良い。

このような置換基をＷとすると、Ｗで示される置換基としてはいかなるものでも良く、特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（直鎖もしくは分岐アルキル基のほか、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む。）、アルケニル基（直鎖もしくは分岐アルケニル基のほか、シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む。）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル又はアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル又はアリールスルフィニル基、アルキル又はアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール又はヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ(ＯＨ)₂）、ホスファト基（−ＯＰＯ(ＯＨ)₂）、スルファト基（−ＯＳＯ₃Ｈ）、その他の公知の置換基が例として挙げられる。

さらに詳しくは、Ｗは、下記の（１）〜（４８）等を表す。
（１）ハロゲン原子
例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子

（２）アルキル基
直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、（２−ａ）〜（２−ｅ）なども包含するものである。
（２−ａ）アルキル基
好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基（例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）
（２−ｂ）シクロアルキル基
好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）
（２−ｃ）ビシクロアルキル基
好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基（例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）
（２−ｄ）トリシクロアルキル基
好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のトリシクロアルキル基（例えば、１−アダマンチル）
（２−ｅ）さらに環構造が多い多環シクロアルキル基
なお、以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）はこのような概念のアルキル基を表すが、さらにアルケニル基、アルキニル基も含むこととする。

（３）アルケニル基
直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、（３−ａ）〜（３−ｃ）を包含するものである。
（３−ａ）アルケニル基
好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基（例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）
（３−ｂ）シクロアルケニル基
好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基（例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）
（３−ｃ）ビシクロアルケニル基
置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基（例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）

（４）アルキニル基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキニル基（例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）

（５）アリール基
好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基（例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル、フェロセニル）

（６）ヘテロ環基
好ましくは、５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜５０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。
（例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル。なお、１−メチル−２−ピリジニオ、１−メチル−２−キノリニオのようなカチオン性のヘテロ環基でも良い）

（７）シアノ基
（８）ヒドロキシ基
（９）ニトロ基
（１０）カルボキシ基

（１１）アルコキシ基
好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）

（１２）アリールオキシ基
好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）

（１３）シリルオキシ基
好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基（例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）

（１４）ヘテロ環オキシ基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基（例えば、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）

（１５）アシルオキシ基
好ましくは、ホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基（例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）

（１６）カルバモイルオキシ基
好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）

（１７）アルコキシカルボニルオキシ基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基（例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）

（１８）アリールオキシカルボニルオキシ基
好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基（例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）

（１９）アミノ基
好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基（例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）

（２０）アンモニオ基
好ましくは、アンモニオ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキル、アリール、ヘテロ環が置換したアンモニオ基（例えば、トリメチルアンモニオ、トリエチルアンモニオ、ジフェニルメチルアンモニオ）

（２１）アシルアミノ基
好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基（例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）

（２２）アミノカルボニルアミノ基
好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ（例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）

（２３）アルコキシカルボニルアミノ基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基（例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチル−メトキシカルボニルアミノ）

（２４）アリールオキシカルボニルアミノ基
好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基（例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）

（２５）スルファモイルアミノ基
好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基（例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）

（２６）アルキルもしくはアリールスルホニルアミノ基
好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ（例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）

（２７）メルカプト基

（２８）アルキルチオ基
好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基（例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）

（２９）アリールチオ基
好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ（例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）

（３０）ヘテロ環チオ基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基（例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）

（３１）スルファモイル基
好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基（例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）

（３２）スルホ基

（３３）アルキルもしくはアリールスルフィニル基
好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）

（３４）アルキルもしくはアリールスルホニル基
好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）

（３５）アシル基
好ましくは、ホルミル基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基（例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）

（３６）アリールオキシカルボニル基
好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）

（３７）アルコキシカルボニル基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）

（３８）カルバモイル基
好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル（例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）

（３９）アリール又はヘテロ環アゾ基
好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基（例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）

（４０）イミド基
好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド

（４１）ホスフィノ基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基（例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）

（４２）ホスフィニル基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基（例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）

（４３）ホスフィニルオキシ基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基（例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）

（４４）ホスフィニルアミノ基
好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基（例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）

（４５）ホスホ基

（４６）シリル基
好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基（例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）

（４７）ヒドラジノ基
好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のヒドラジノ基（例えば、トリメチルヒドラジノ）

（４８）ウレイド基
好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のウレイド基（例えばＮ，Ｎ−ジメチルウレイド）

また、２つのＷが共同して環を形成することもできる。このような環としては芳香族、または非芳香族の炭化水素環、またはヘテロ環や、これらがさらに組み合わされて形成された多環縮合環が挙げられる。例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、及びフェナジン環が挙げられる。これらの中で好ましい環は、ベンゼン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環である。

上記の置換基Ｗの中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていても良い。そのような置換基の例としては、−ＣＯＮＨＳＯ₂−基（スルホニルカルバモイル基、カルボニルスルファモイル基）、−ＣＯＮＨＣＯ−基（カルボニルカルバモイル基）、−ＳＯ₂ＮＨＳＯ₂−基（スルフォニルスルファモイル基）が挙げられる。

より具体的には、アルキルカルボニルアミノスルホニル基（例えば、アセチルアミノスルホニル）、アリールカルボニルアミノスルホニル基（例えば、ベンゾイルアミノスルホニル基）、アルキルスルホニルアミノカルボニル基（例えば、メチルスルホニルアミノカルボニル）、アリールスルホニルアミノカルボニル基（例えば、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル）が挙げられる。

前記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｐｃ−２）で表される化合物であることがより好ましい。

（式中、ＸはＦ又はＣｌを表し、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎのいずれかを表し、Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表す。）

前記一般式（Ｐｃ−２）において、Ｘは、フッ素原子または塩素原子である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかであり、最も好ましくはＳｎである。Ｒは、炭素数１〜３０の置換基を表し、前記一般式（Ｐｃ−１）におけるＲと同義であり、好ましい範囲も同様である。

前記一般式（Ｐｃ−２）で表される化合物は、下記一般式（Ｐｃ−３）で表される化合物であることが更に好ましい。

（式中、ＸはＦ又はＣｌを表し、Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表す。ただし、Ｒは、Ｓｎと結合する部分が−Ｃ又は−ＯＳｉである（ここで、前記Ｒは、−の側でＳｎと結合する。）。）

前記一般式（Ｐｃ−３）において、Ｘは、フッ素原子または塩素原子である。Ｒは、炭素数１〜３０の置換基を表し、前記一般式（Ｐｃ−１）におけるＲと同義であり、好ましい範囲も同様である。ただし、Ｒは、Ｓｎと結合する部分が−Ｃ又は−ＯＳｉである（ここで前記Ｒは−の側でＳｎと結合する。）。

以下に、前記一般式（Ｐｃ−１）〜（Ｐｃ−３）のいずれかで表される化合物の好ましい具体例を示す。ただし本発明は以下の例に限定されるものではない。本明細書において、Ｂｕはブチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｅｔはエチル基をそれぞれ表す。

前記一般式（Ｐｃ−１）〜（Ｐｃ−３）のいずれかで表されるフタロシアニン類の合成は、白井汪芳、小林長夫編・著「フタロシアニン−化学と機能−」（アイピーシー社、１９９７年刊）の１〜６２頁、廣橋亮、坂本恵一、奥村映子編「機能性色素としてのフタロシアニン」（アイピーシー社、２００４年刊）の２９〜７７頁に準じて行うことができる。

フタロシアニン類の代表的な合成法としては、これらの文献に記載のワイラー法、フタロニトリル法、リチウム法、サブフタロシアニン法、および塩素化フタロシアニン法などが挙げられる。本発明においては、いかなる反応条件を用いても良い。環形成反応においては、フタロシアニン類の中心金属となる種々の金属を添加することが好ましいが、中心金属を持たないフタロシアニン類を合成後に、所望の金属を導入しても良い。

中心金属に置換基（軸配位子）を有するフタロシアニンの合成法としては、下記スキーム（上段）に示すように金属塩化物（ＭＣｌ_n+2）を中心金属源として用いて、Ｍ−Ｃｌ結合を有するクロロ体やジクロロ体を合成した後に、塩素原子を所望の置換基Ｒに変換する方法が一般的である（従来法）。しかし、この方法では溶解性の極めて低い合成中間体を経ることになり、合成できないか、または収率が極めて低くなることが多かった。
これに対し、本発明の方法は、下記スキーム（下段）に示すように、あらかじめ所望の置換基Ｒが１つ又は２つ金属原子に結合された化合物（Ｒ₂ＭＣｌ₂など）を中心金属源として環化反応を行う工程を含む。本発明の方法によれば、少ないステップ数で、より高い収率で本発明の化合物を製造することが可能である。
本発明の化合物は、前記の従来法により調製してもよいが、上述の本発明の方法により調製することが好ましい。

上記スキームでは原料としてジニトリルの例を示したが、上記のフタロシアニン化合物の合成に使用する原料としては、ジニトリル（フタロニトリル等）以外にも、無水フタル酸、フタルイミド、フタル酸およびその塩、フタル酸ジアミド、１，３−ジイミノイソインドリンなどの各種誘導体を用いることができる。これらの原料は任意の方法で合成することができる。

本発明の方法において、中心金属源として用いる金属化合物は、任意の方法で合成することができる。反応溶媒としては、いかなる溶媒を用いても良いが、好ましくは高沸点の溶媒である。高沸点の溶媒の好ましい例としては、例えば、キノリン、テトラリン、クロロナフタレン、キシレン、トルエン、ピコリン、ピリジン、ペンタノール、ブタノール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。また、環形成反応促進のために、酸または塩基を用いることが好ましく、特に塩基を用いることが好ましい。最適な反応条件は、目的とするフタロシアニン化合物の構造により異なるが、上述した文献に記載された具体的な反応条件を参考に設定することができる。

前記一般式（Ｐｃ−１）〜（Ｐｃ−３）のいずれかで表される化合物は、通常のフタロシアニン化合物と比べて電子欠乏性であるため、酸化が起こりにくく、従って大気中での化学的安定性が高い。また、前記一般式（Ｐｃ−１）〜（Ｐｃ−３）のいずれかで表される化合物は、溶媒中で均一に溶解または分散し、均一溶液や均一微粒子分散液を得ることができる。特に均一微粒子分散液は、均一溶液に近い吸収特性を示しながら、微粒子であるため、顔料と同様の非常に高い耐候性を示す。
このため、前記一般式（Ｐｃ−１）〜（Ｐｃ−３）のいずれかで表される化合物は、ｎ型有機半導体材料としての使用のみならず、耐候性の高い色素としての使用にも適する。

前記一般式（Ｐｃ−１）〜（Ｐｃ−３）のいずれかで表される化合物を色素として使用する場合、本発明の化合物単独で用いてもよいし、他の材料や各種溶媒と混合して色素組成物として用いてもよい。色素組成物として用いる場合、該色素組成物の示す吸収が主に本発明の化合物の吸収に由来するものであることが好ましい。本発明の化合物の極大吸収波長は、６００〜１０００ｎｍにあることが好ましい。
前記一般式（Ｐｃ−１）〜（Ｐｃ−３）のいずれかで表される化合物を含む色素組成物は、有機電子デバイスの他、各種のインクや染料などに適用することができる。

前記一般式（Ｐｃ−１）〜（Ｐｃ−３）のいずれかで表される化合物は、混合する溶媒の種類を選ぶことで、簡便に均一溶液や微粒子分散液を得ることができる。混合する溶媒の種類はいかなるものでもよいが、好ましい例としては、例えば、アセトン、酢酸エチル、アセトニトリル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ヘキサン、トルエン、ジエチルエーテル、ＴＨＦ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。微粒子の均一分散液を得るためには、本発明の化合物を０．１〜１００ｇ／Ｌの濃度で用いることが好ましく、０．５〜１０ｇ／Ｌの濃度で用いることが特に好ましい。

前記一般式（Ｐｃ−１）〜（Ｐｃ−３）のいずれかで表される化合物の溶液または微粒子分散液を塗布・乾燥することにより、簡便に良質な薄膜を得ることができる。塗布方法の詳細は後述の有機半導体薄膜の形成方法と同様である。
薄膜の膜厚は、好ましくは１ｎｍ〜１００μｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍである。薄膜中に占める本発明の化合物の割合（濃度）は、いかなるものでもよいが、好ましくは１質量％以上であり、より好ましくは５質量％以上であり、さらに好ましくは１０質量％以上である。
本発明の化合物を含んでなる薄膜は、各種有機電子デバイスの他、カラーフィルターや光記録媒体（光ディスクなど）などに適用することができる。

次に、本発明の有機半導体材料について説明する。
本発明における有機半導体材料とは、半導体の特性を示す有機材料のことであり、本発明においてはキャリア（正孔または電子）を輸送する能力を有する有機材料と言い換えてもよい。無機材料からなる半導体と同様に、正孔（ホール）をキャリアとして伝導するｐ型有機半導体材料（正孔輸送材料と言ってもよい。）と、電子をキャリアとして伝導するｎ型有機半導体材料（電子輸送材料と言ってもよい。）がある。本発明の有機半導体材料は、特にｎ型有機半導体としての利用に適している。

有機半導体中のキャリアの流れやすさはキャリア移動度μで表される。用途によっても異なるが、一般に移動度は高い方がよく、１０^-7ｃｍ²／Ｖｓ以上であることが好ましく、１０^-5ｃｍ²／Ｖｓ以上であることがより好ましい。移動度は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子を作製したときの特性や飛行時間計測（ＴＯＦ）法により求めることができる。

本発明の有機半導体材料は、良質な薄膜を形成しやすく、薄膜としての利用に適している。薄膜の形成に際し、バインダー材料や他の有機半導体材料などと混合した膜として用いることも好ましいが、この場合、膜中に本発明の化合物を１質量％以上含有していることが好ましく、５質量％以上含有していることがより好ましく、１０質量％以上含有していることがさらに好ましい。膜厚は、電子デバイスの種類などにより特に制限はないが、好ましくは１ｎｍ〜１ｍｍ、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍである。

本発明の有機半導体材料を含む薄膜を形成する方法は、いかなる方法でも良いが、乾式プロセスあるいは湿式プロセスにより成膜される。好ましくは湿式プロセスによる成膜である。乾式プロセス成膜の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法などの物理気相成長法あるいはプラズマ重合などの化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が挙げられる。湿式プロセス成膜は、有機化合物を溶解させることができる溶媒中に溶解させ、あるいは均一に分散した分散液とし、その溶液または分散液を用いて成膜する方法であり、具体的にはキャスト法、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、ディッピング（浸漬）コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法、インクジェット法、スピンコート法、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）法などが挙げられ、キャスト法、スピンコート法およびインクジェット法を用いることが好ましい。

湿式プロセスを用いて有機半導体膜を形成する場合、有機半導体材料、あるいはその材料とバインダー樹脂を適当な有機溶媒および／または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により薄膜を形成することができる。その塗布液中の本発明の有機半導体材料の濃度を好ましくは０．１〜８０質量％、より好ましくは０．１〜１０質量％とすることにより、任意の厚さの膜を形成できる。
前記有機溶媒としては、例えば、炭化水素系溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メチルナフタレン、１，２−ジクロロベンゼン等）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、ハロゲン化炭化水素系溶媒（例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等）、エステル系溶媒（例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等）、アルコール系溶媒（例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等）、エーテル系溶媒（例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等）、極性溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１−メチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキサイド等）などが挙げられる。

樹脂バインダーを用いる場合、樹脂バインダーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの絶縁性ポリマー、およびこれらの共重合体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどの光伝導性ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレンなどの導電性ポリマーを挙げることができる。樹脂バインダーは、単独で使用してもよく、あるいは複数併用しても良い。膜の機械的強度を考慮するとガラス転移温度の高い樹脂バインダーが好ましく、電荷移動度を考慮すると極性基を含まない構造の樹脂バインダーや光伝導性ポリマー、導電性ポリマーが好ましい。樹脂バインダーは使わない方が有機半導体の特性上好ましいが、目的によっては使用することもある。使う場合の樹脂バインダーの使用量は、特に制限はないが、有機半導体膜中、好ましくは０．１〜９０質量％、より好ましくは０．１〜５０質量％、さらに好ましくは０．１〜３０質量％で用いられる。

基板表面は凹凸や平滑性、親水性・疎水性、分子間相互作用などを制御し、膜のモルフォロジーや分子配向状態を制御するために処理がなされていてもよく、例としては、二酸化ケイ素表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）やオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の塗布により表面処理する方法、金表面をアルカンチオールで表面処理する方法などが挙げられる。

成膜の際、基板を加熱または冷却してもよく、基板の温度を変化させることで膜のモルフォロジーや分子配向状態を制御することが可能である。基板の温度としては特に制限はないが、０℃〜２００℃の間であることが好ましい。

以下、本発明の有機電子デバイスについて、さらに詳細に説明する。

本発明の有機電子デバイスはいかなるものでも良いが、膜構造を有するエレクトロニクス要素を用いたデバイスとすることが好ましい。本発明のエレクトロニクス要素（ｎ型有機半導体材料）を用いた有機電子デバイスとしては、例えば、有機光電変換素子、有機トランジスタ、有機電界発光素子、ガスセンサ、有機整流素子、有機インバータ、情報記録素子が挙げられる。有機光電変換素子は、光センサ用途（固体撮像素子）、エネルギー変換用途（有機太陽電池）のいずれにも用いることができる。有機電子デバイスとして、好ましくは、有機光電変換素子、有機トランジスタ、有機電界発光素子であり、さらに好ましくは有機光電変換素子、有機トランジスタである。以下、これらのものの好ましい態様のうち代表的なものについて、図面を参照しながら詳しく説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。

図１は、本発明のエレクトロニクス要素（ｎ型有機半導体材料）を用いた代表的な有機トランジスタ素子の構造を概略的に示す断面図である。本発明の有機トランジスタはいかなる構造のものでもよいが、最も好ましいのは図１に示す電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）構造である。このトランジスタは積層構造を基本構造として有するものであり、最下層に基板１１（例えば、ポリエチレンナフトエート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステルフイルム、ポリイミドフィルム、セラミック、シリコン、石英、ガラスなど）を配置し、その上面の一部にゲート電極１２を設け、さらに該電極を覆い、かつ電極以外の部分で基板と接するように絶縁体層１３を設けている。さらに絶縁体層１３の上面に有機半導体層１４を設け、その上面の一部にソース電極１５ａとドレイン電極１５ｂとを隔離して配置している。電極１２、電極１５ａ及び電極１５ｂの構成材料は、導電性を示すものであれば特に制限なく用いることができ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、ＮｉあるいはＮｄなどの金属材料やこれらの合金材料、あるいはカーボン材料、導電性高分子など、既知の導電性材料であれば特に制限することなく使用できる。なお、図１の構成はトップコンタクト型素子と呼ばれるが、電極１５ａと１５ｂが有機半導体層の下部にあるボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。また、キャリアが有機半導体膜の膜厚方向に流れる縦型トランジスタ構造であってもよい。

ゲート幅（チャンネル幅）Ｗとゲート長（チャンネル長）Ｌに特に制限はないが、これらの比Ｗ／Ｌが１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましい。

各層の厚さに特に制限はないが、より薄いトランジスタとする必要がある場合には、例えばトランジスタ全体の厚さを０．１〜０．５μｍとすることが好ましく、そのために各層の厚さを１０〜４００ｎｍとすることが好ましく、電極の厚さを１０〜５０ｎｍとすることが好ましい。

絶縁層を構成する材料は必要な絶縁効果が得られれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエステル絶縁材料、ポリカーボネート絶縁材料、アクリルポリマー系絶縁材料、エポキシ樹脂系絶縁材料、ポリイミド絶縁材料、ポリパラキシリレン樹脂系絶縁材料などが挙げられる。

素子を大気や水分から遮断し、素子の保存性を高めるために、素子全体を金属の封止缶やガラス、窒化ケイ素、アルミナなどの無機材料、パリレンなどの高分子材料などで封止しても良い。

図２は、本発明のエレクトロニクス要素（ｎ型有機半導体材料）を用いた有機薄膜光電変換素子の構造を概略的に示す断面図である。図２の素子は積層構造を有するものであり、最下層に基板２１（例えば、ポリエチレンナフトエート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステルフイルム、ポリイミドフィルム、セラミック、シリコン、石英、ガラスなど）を配置し、その上面に電極層２２を設け、さらにその上層としてｐ型有機半導体および／またはｎ型有機半導体を含む光電変換層２３を設け、さらにその上面に電極層２４を設けている。光電変換層２３は、ｐ型有機半導体材料またはｎ型有機半導体材料を含む単一層でもよく、ｐ型有機半導体材料を含む層とｎ型有機半導体材料を含む層の積層構造（この場合、積層の順番や積層数はいかなるものでもよい）でもよく、ｐ型有機半導体材料とｎ型有機半導体材料をいずれも含む層（この場合、分子レベルで両者が完全に混ざり合っていてもよく、何らかの相分離構造を形成していてもよい）であってもよい。電極層２２や２４と光電変換層２３との間には、表面の平滑性を高めるバッファ層、ホールまたは電子の電極からの注入を促進するキャリア注入層、ホールまたは電子を輸送するキャリア輸送層、ホールまたは電子を阻止するキャリアブロック層などが含まれていてもよい。

電極層２２として用いる材料は、可視光または赤外光を透過し、導電性を示すものであれば特に制限はない。可視光または赤外光の透過率は、６０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが最も好ましい。そのような材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ₂、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化スズ）、ＺｎＯ、ＡＺＯ（Ａｌドープ酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＴｉＯ₂、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）などの透明導電性酸化物が好ましく、プロセス適性や平滑性の観点からＩＴＯまたはＩＺＯが特に好ましい。

電極層２４として用いる材料は、前述のトランジスタのものと同様、導電性を示すものであれば特に制限はないが、光利用効率を高める観点からは、光反射性の高い材料が好ましく、特に好ましいのはＡｌ、Ｐｔ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｎである。

各層の厚さに特に制限はなく、好ましい素子全体の厚さ、各層の厚さ、電極層の厚さなどは、前述のトランジスタのものと同様である。

素子の保存性を高めるためには、前述のトランジスタのものと同様に素子全体を封止してもよく、好ましい封止用材料も同様である。

光電変換素子をエネルギー変換用途の太陽電池として用いる場合、太陽光を効率良く吸収し、エネルギー変換効率を高めるために、６００ｎｍ以上の長波長域まで、特に好ましくは７００ｎｍ以上の近赤外領域まで光を吸収し、光電変換する材料を光電変換層に用いることが好ましい。

以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

製造例１
（例示化合物１の製造）

テトラフルオロフタロニトリル（１０．０ｇ、５０．０ｍｍｏｌ）、二塩化ジブチルスズ（７．６０ｇ、２５．０ｍｍｏｌ）、１−クロロナフタレン（５０ｍＬ）を、窒素雰囲気下、２３０℃で４時間攪拌した。室温まで冷却した後、ヘキサンを約２００ｍＬ添加し、ろ過すると緑色粉末が得られた。この粉末をヘキサンでよく洗浄した後、ヘキサン２００ｍＬで２回煮沸洗浄し、真空乾燥することで例示化合物１を８００ｍｇ（収率６％）得た。有機トランジスタ素子、有機光電変換素子の作製用には、さらにＨＰＬＣグレードのアセトニトリルで煮沸洗浄した後、電子工業グレードのイソプロパノール、電子工業グレードのアセトンで順次洗浄し、真空乾燥したものを用いた。
¹⁹Ｆ ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ₆，ＣＦ₃ＣＯＯＨ＝０ｐｐｍ）δ＝６４．６，７０．８ｐｐｍ。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（ＤＭＦ、ｎｅｇａ）ｍ／ｚ＝９７７（[Ｍ−Ｂｕ]^-）（文献Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍ．，１９８８，３４１，１６５−１７９．等で公知なように、軸配位子を有するフタロシアニン類のＭＳにおいては、本例のように軸配位子１つ分少ない分子量で検出されることが多い。以下の化合物でも同様。）。融点＞２００℃

製造例２
（例示化合物２の製造）
二塩化ジブチルスズの代わりに二塩化ジ（ｔ−ブチル）スズを用いたこと以外は製造例１と同様にして例示化合物２（２．３７ｇ、収率７４％）を得た。
¹⁹Ｆ ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ₆，ＣＦ₃ＣＯＯＨ＝０ｐｐｍ）δ＝６４．６，７０．８ｐｐｍ。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（ＤＭＦ、ｎｅｇａ）ｍ／ｚ＝９７７（[Ｍ−ｔ-Ｂｕ]^-）。融点＞２００℃

製造例３
（例示化合物３の製造）
二塩化ジブチルスズの代わりに二塩化ジフェニルスズを用いたこと以外は製造例１と同様にして例示化合物３（３２ｍｇ、収率１％）を得た。
¹⁹Ｆ ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ₆，ＣＦ₃ＣＯＯＨ＝０ｐｐｍ）δ＝６４．６，７０．８ｐｐｍ。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（ＤＭＦ、ｎｅｇａ）ｍ／ｚ＝９９７（[Ｍ−Ｐｈ]^-）。

製造例４
（例示化合物２３の製造）
（１）合成中間体１の調製

テトラクロロフタロニトリル（１０．４ｇ、３７．６ｍｍｏｌ）、ホルムアミド（２００ｍＬ）、水酸化ナトリウム（６．１ｇ、１５２ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（２００ｍＬ）を、窒素雰囲気下、５０℃で４時間攪拌した。室温まで冷却した後、氷水２Ｌに投入し、ろ過し、よく水で洗うことにより合成中間体１を得た（８．２４ｇ、収率７５％）。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（ＤＭＦ、ｐｏｓｉ）ｍ／ｚ＝２８１．８（[Ｍ＋Ｈ]⁺）。融点＞２００℃

（２）例示化合物２３の調製

合成中間体１（４００ｍｇ、１．４１ｍｍｏｌ）、二塩化ジブチルスズ（２１５ｍｇ、０．７１ｍｍｏｌ）、１−クロロナフタレン（７ｍＬ）を、窒素雰囲気下、１５０℃で３時間攪拌した。室温まで冷却した後、ヘキサンを約３０ｍＬ添加し、ろ過すると緑色粉末が得られた。この粉末をトルエン、ＴＨＦ、アセトンで順次洗浄し、真空乾燥することで例示化合物２３を１５０ｍｇ（収率３３％）得た。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（ＤＭＦ、ｎｅｇａ）ｍ／ｚ＝１２３２．５（[Ｍ−Ｂｕ]^-）。融点＞２００℃

製造例５
（例示化合物３９の製造）

２，３−ジシアノピラジン（１．００ｇ、６．３２ｍｍｏｌ）、尿素（４１９ｍｇ、６．９５ｍｍｏｌ）、二塩化ジブチルスズ（９６０ｍｇ、３．１６ｍｍｏｌ）、トリブチルアミン（２．３３ｇ、１２．６ｍｏｌ）、１−クロロナフタレン（５ｍＬ）を、窒素雰囲気下、１５０℃で３時間攪拌した。室温まで冷却した後、ヘキサンを約３０ｍＬ添加し、ろ過すると紫色粉末が得られた。この粉末をトルエン、ＴＨＦ、アセトンで順次洗浄し、真空乾燥することで例示化合物３９を５２０ｍｇ（収率４４％）得た。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（ＤＭＦ、ｎｅｇａ）ｍ／ｚ＝６９７（[Ｍ−Ｂｕ]^-）。融点＞２００℃

参考例
（例示化合物２５の調製）
本発明の好ましい具体例として挙げたその他の例示化合物も上記製造例１〜５に準じて調製することができるが、前述の従来法に従って調製することもできる。従来法によって調製する場合の例として、例示化合物２５の従来法による合成スキームを以下に示す。

キノリン中、合成中間体１とＳｉＣｌ₄を１８０℃で約３時間攪拌することによりテトラクロロシリコンフタロシアニンのジクロロ体が得られる。ジクロロ体を濃硫酸中、室温で約２時間攪拌し、氷にあけてろ過、水洗した後、ピリジン中、ＮａＯＨと加熱還流下、２時間攪拌することでジヒドロキシ体が得られる。得られたジヒドロキシ体を、β−ピコリン中、トリエチルシラノール、ｎ−トリブチルアミンと加熱還流下、３時間攪拌することで例示化合物２５が得られる。

実施例１
（分散液および溶液の作製）
例示化合物１〜３を、それぞれ１ｇ／Ｌの濃度となるようにアセトンと混合し、動的光散乱式粒度分布測定器（日機装製、商品名、ＵＰＡ−ＥＸ１５０）により粒度分布を測定した。測定結果を図３（ａ）に示す。
また、例示化合物２３又は３９を、それぞれ０．５ｇ／Ｌの濃度となるようにアセトンと混合し、５分間超音波照射した後に、上記と同様にして粒度分布を測定した。測定結果を図３（ｂ）に示す。
図３（ａ）及び（ｂ）の結果から明らかなように、いずれの化合物も微粒子分散液であることが分かった。特に、例示化合物１〜３は分散性が高く、ナノメートルサイズの微粒子の分散液となることがわかった。

また、濃度依存性を調べるために、例示化合物１の濃度を１ｇ／Ｌから１０ｇ／Ｌに変更したこと以外は上記と同様にして調製し粒度分布測定を行った。その結果、最頻値を示す粒径が１３ｎｍから３６ｎｍになる程度で、相変わらず高い分散性を示すことがわかった。

また、例示化合物１〜３を、それぞれ１ｇ／Ｌの濃度となるようにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）と混合し、５分間超音波照射した後に、上記と同様にして粒度分布を測定した。その結果、測定可能範囲である０．８ｎｍ〜６．５μｍの範囲に粒子の存在が確認されず、均一溶液であることが分かった。

本発明の好ましい具体例として挙げたその他の例示化合物も、溶媒を選ぶことで上記と同様にして均一溶液または微粒子分散液を調製することができる。

比較例１
例示化合物１の代わりにフッ素化銅フタロシアニン（Ｆ₁₆ＣｕＰｃ、Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を用いたこと以外は上記と同様にして実験を行ったところ、全く溶解も分散もしなかった。

実施例２
（塗布膜の作製）
例示化合物１を２ｇ／Ｌの濃度でアセトンと混合して溶液を調製し、５分間超音波照射した後に、当該溶液を石英基板上にキャストし、シャーレで覆ってアセトン飽和蒸気下で乾燥させることで、良質な固体膜が得られた。固体膜表面を光学顕微鏡（キーエンス社製、商品名、ＶＨＸ−２００）で観察を行った（倍率５００倍）。結果を図４に示す。図４から明らかなように、得られた固体膜は均一な表面状態の固体膜であることが分かった。
また、例示化合物１を例示化合物２、３、２３又は３９に代えたこと以外は同様にして溶液（濃度１０^-5〜１０^-6ｍｏｌ／Ｌ）を調製し、塗布膜を作製した。
図５に、これらの溶液および塗布膜の吸収スペクトルを示す。図５（ａ）は例示化合物１、図５（ｂ）は例示化合物２、図５（ｃ）は例示化合物３、図５（ｄ）は例示化合物２３、図５（ｅ）は例示化合物３９の溶液および塗布膜の吸収スペクトルをそれぞれ示す。吸収スペクトルは紫外可視近赤外分光光度計（島津製作所製、商品名、ＵＶ−３６００）を用いて測定した。
図５（ａ）〜（ｅ）の結果から明らかなように、いずれの化合物も膜状態では溶液状態に比べて吸収スペクトルがブロード化していた。このことから、膜中では分子同士が分子間相互作用していることが分かった。

比較例２
例示化合物１の代わりにＦ₁₆ＣｕＰｃ（Ａｌｄｒｉｃｈ社より購入し、昇華精製したもの）を用いたこと以外は実施例２と同様の方法で基板上に塗布しようと試みた。しかしながら、全く溶解も分散もせず、塗布法で固体膜を得ることはできなかった。

実施例３
（有機トランジスタ素子の作製）
例示化合物１のアセトン分散液（電子工業グレード）２ｇ／ＬまたはＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）溶液（ＨＰＬＣグレード）２ｇ／Ｌをトランジスタ特性評価用基板上にキャストし、シャーレで密閉してアセトン飽和蒸気下で乾燥させることで厚さ１μｍ以下の固体膜を形成させることで有機トランジスタ素子を得た。トランジスタ特性評価用基板としては、図６に示すボトムコンタクト構造の基板を用いた。図６に示すように、最下層に基板３１を配置し、その上面に電極３２を設け、さらに該電極３２を覆い、かつ電極３２以外の部分で基板３１と接するように絶縁体層３３を設けた。絶縁膜３３としてはＳｉＯ₂（膜厚２００ｎｍ）を用いた。さらに絶縁体層３３の上面の一部に電極３４ａと電極３４ｂとを隔離して配置した。電極３４ａ及び３４ｂとしては、くし型に配置された金／クロム（ゲート幅Ｗ＝１０００００μｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）を用いた。さらに電極３４ａ及び３４ｂを覆い、かつ電極３４ａ及び３４ｂ以外の部分で絶縁体層３３と接するようにｎ型有機半導体を含む層３５を設けた。

これらの作製した有機トランジスタ素子を光学顕微鏡および電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、商品名、ＴＭ−１０００）で観察した。結果を図７及び図８に示す。図７は、例示化合物１を用いた有機トランジスタ素子の光学顕微鏡写真であり（倍率５００倍）、図７（ａ）はアセトン分散液から得られた素子、図７（ｂ）はＤＭＡｃ溶液から得られた素子をそれぞれ示す。なお、図中の縦縞はソース電極およびドレイン電極を示す。図８は、例示化合物１を用いた有機トランジスタ素子の電子顕微鏡写真であり（倍率１００００倍）、図８（ａ）はアセトン分散液から得られた素子、図８（ｂ）はＤＭＡｃ溶液から得られた素子をそれぞれ示す。
図７及び図８の結果、光学顕微鏡レベルでは図７に示すようにいずれも膜質の良質な均一膜となっているが、電子顕微鏡レベルでは、図８に見られるように、アセトン分散液から得られた膜は微粒子が凝集してできた膜、ＤＭＡｃ溶液から得られた膜は均一膜であることが分かった。

これらの素子のトランジスタ特性をセミオートプローバー（ベクターセミコン社製、商品名、ＡＸ−２０００）を接続した半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、商品名、４１５６Ｃ）を用いて常圧・窒素雰囲気下（グローブボックス中）で測定したところ、ｎ型のトランジスタ特性を示す。キャリア移動度は、ドレイン電流Ｉ_dを表わす式Ｉ_d＝（ｗ／２Ｌ）μＣ_i（Ｖ_g−Ｖ_th）²（式中、Ｌはゲート長、Ｗはゲート幅、Ｃ_iは絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖ_gはゲート電圧、Ｖ_thは閾値電圧を表す）により計算できる。
本発明の好ましい具体例として挙げたその他の例示化合物を用いた場合も、上記と同様にして有機トランジスタ素子を作製することができ、これらもｎ型のトランジスタ特性を示す。

比較例３
例示化合物１の代わりにＦ₁₆ＣｕＰｃ（Ａｌｄｒｉｃｈ社より購入し、昇華精製したもの）を用いたこと以外は実施例３と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、同様の測定条件でトランジスタ特性を調べたところ、全くトランジスタ特性を示さなかった。また、測定に用いた素子を光学顕微鏡および電子顕微鏡で観察したところ、薄膜を形成していないことが分かった。

実施例４
（有機光電変換素子の作製）
ＩＴＯ電極がパターニングされたガラス基板（２．５ｃｍ×２．５ｃｍ）を、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄した後、乾燥した。さらに、ＩＴＯ電極表面の有機汚染物質を除去するためにＵＶオゾン処理を３０分間行った。次に、ＩＴＯ基板上にＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）水溶液（ＢａｙｔｒｏｎＰ（標準品））をスピンコート（４０００ｒｐｍ、６０秒間）し、１２０℃で１０分間乾燥することにより、膜厚約５０ｎｍのバッファ層を形成させた。

グローブボックス（窒素雰囲気）中でＰ３ＨＴ（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ、Ｍｗ〜８７０００、Ａｌｄｒｉｃｈ社製）６ｍｇおよび例示化合物１ ３ｍｇをクロロホルム（スペクトルグレード）／アセトン（電子工業グレード）混合溶媒（体積比１：１）２ｍＬに溶解させ、この溶液を５分間超音波照射した後、先のバッファ層の上にキャストし、シャーレで密閉してアセトン飽和蒸気下で乾燥させることで厚さ１μ以下の光電変換層を形成させた。この光電変換層の上に、アルミニウムを８０ｎｍの厚さになるように真空蒸着することにより金属電極を形成させた。真空を保ったままグローブボックスへと移し、窒素雰囲気下でガラス製の封止缶とＵＶ硬化樹脂を用いて封止することにより、有効面積０．０４ｃｍ²の有機光電変換素子を得た。

この得られた素子にソーラーシミュレーター（Ｏｒｉｅｌ社製、１５０Ｗ簡易型）を用いてＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ²の擬似太陽光を照射し、電気化学アナライザー（ＢＡＳ社製、商品名、ＡＬＳモデル６６０Ｂ）を用いてＩ−Ｖ特性を測定したところ、光照射により光電流が発生することがわかった。
この素子の光電変換層の吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計（島津製作所製、商品名、ＵＶ−３６００）を用いて測定した（図９）。図９に示すように、この有機光電変換素子の光電変換層は、紫外〜可視〜近赤外域におよぶ幅広い波長域で効率的に光を吸収することが分かった。このことから、本発明の有機光電変換素子は、太陽電池として高い性能を示すことがわかった。
本発明の好ましい具体例として挙げたその他の例示化合物を用いた場合も上記と同様にして有機光電変換素子を作製することができる。

比較例４
例示化合物１の代わりにＦ₁₆ＣｕＰｃ（Ａｌｄｒｉｃｈ社より購入し、昇華精製したもの）を用いたこと以外は実施例４と同様にして光電変換素子を作製し、同様の方法でＩ−Ｖ特性を測定しようと試みた。しかしながら、凹凸の大きな膜となってしまったため電気的にショートしてしまい、太陽電池としての特性を示さなかった。

以上のように、本発明の特定の構造を有するフタロシアニン化合物からなるｎ型有機半導体材料は、均一溶液または微粒子分散液とすることができ、これらの溶液または分散液を塗布・乾燥することにより簡便に良質な固体膜が得られ、各種有機電子デバイス（特に有機トランジスタ、有機光電変換素子）への適用に適することがわかった。

本発明の有機トランジスタ素子の構造を概略的に示す断面図である。 本発明の有機光電変換素子の構造を概略的に示す断面図である。 例示化合物１〜３、２３、３９のアセトン分散液の粒度分布測定結果を示すグラフである。 例示化合物１からなる塗布薄膜の表面の光学顕微鏡写真である。 本発明の化合物の溶液および塗布膜の吸収スペクトル測定結果を示す図である（（ａ）例示化合物１、（ｂ）例示化合物２、（ｃ）例示化合物３、（ｄ）例示化合物２３、（ｅ）例示化合物３９）。 本発明で用いた有機トランジスタ特性測定用基板を概略的に示す断面図である。 例示化合物１を用いた有機トランジスタ素子の光学顕微鏡写真である（倍率５００倍）。 例示化合物１を用いた有機トランジスタ素子の電子顕微鏡写真である（倍率１００００倍）。 例示化合物１を用いた有機光電変換素子の光電変換層の吸収スペクトルを示す図である。

符号の説明

１１ 基板
１２ ゲート電極
１３ 絶縁体層
１４ 有機半導体層
１５ａ ソース電極
１５ｂ ドレイン電極
２１ 基板
２２ 電極
２３ 光電変換層
２４ 電極
３１ 基板
３２ 電極
３３ 絶縁体層
３４ａ、３４ｂ 電極
３５ 有機半導体層

Claims (17)

1. 下記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物からなるｎ型有機半導体材料。
   （式中、Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、または電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは中心金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。）
2. 前記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物が下記一般式（Ｐｃ−２）で表される化合物である、請求項１記載のｎ型有機半導体材料。
   （式中、ＸはＦ又はＣｌを表し、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎのいずれかを表し、Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表す。）
3. 前記の置換基Ｒにおける中心金属Ｍと結合する部分が−Ｃ又は−ＯＳｉである（ここで前記Ｒは−の側でＭと結合する。）、請求項１又は２に記載のｎ型有機半導体材料。
4. 前記中心金属ＭがＳｎである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のｎ型有機半導体材料。
5. 前記ｎ型有機半導体材料が有機トランジスタ用ｎ型有機半導体材料である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のｎ型有機半導体材料。
6. 前記ｎ型有機半導体材料が有機光電変換素子用ｎ型有機半導体材料である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のｎ型有機半導体材料。
7. 下記一般式（Ｐｃ−３）で表される化合物。
   （式中、ＸはＦ又はＣｌを表し、Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表す。ただし、Ｒは、Ｓｎと結合する部分が−Ｃ又は−ＯＳｉである（ここで、前記Ｒは、−の側でＳｎと結合する。）。）
8. 炭素数１〜３０の置換基Ｒが１つ又は２つ金属原子Ｍに結合した化合物を中心金属源として環化反応を行う工程を含む、下記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を製造する方法。
   （式中、Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、または電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。）
9. 下記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を含む色素組成物であって、該色素組成物の示す吸収が主に前記化合物の吸収に由来するものである色素組成物。
   （式中、Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、または電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。）
10. 下記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を質量濃度０．１〜１００ｇ／Ｌの範囲で含む溶液。
    （式中、Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、または電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。）
11. 下記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を質量濃度０．１〜１００ｇ／Ｌの範囲で含む微粒子分散液。
    （式中、Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、または電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。）
12. 下記一般式（Ｐｃ−１）で表される化合物を含む薄膜。
    （式中、Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、または電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。）
13. 請求項１１記載の微粒子分散液を塗布・乾燥することにより得られる、請求項１２記載の薄膜。
14. 前記化合物を膜中に５質量％以上含む、請求項１２又は１３に記載の薄膜。
15. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のｎ型有機半導体材料を用いてなる有機電子デバイス。
16. 前記有機電子デバイスが有機トランジスタである請求項１５記載の有機電子デバイス。
17. 前記有機電子デバイスが有機光電変換素子である請求項１５記載の有機電子デバイス。