JP2009210538A - X線評価用試料及びその作製方法 - Google Patents
X線評価用試料及びその作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009210538A JP2009210538A JP2008056643A JP2008056643A JP2009210538A JP 2009210538 A JP2009210538 A JP 2009210538A JP 2008056643 A JP2008056643 A JP 2008056643A JP 2008056643 A JP2008056643 A JP 2008056643A JP 2009210538 A JP2009210538 A JP 2009210538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- sample
- rays
- measurement
- absorption film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
【解決手段】シリコン基板11に対し、実デバイス形成時と同様の工程を実施する。その後、シリコン基板11を切断して、測定部位13を含む所望の大きさの試料20を切り出す。次に、試料20の裏面側を研磨してX線が透過する厚さにした後、試料20の裏面にAu等の金属からなるX線吸収膜23を形成する。次いで、測定部位13の近傍に、試料20を貫通する参照光用穴24を形成する。また、X線吸収膜23をパターニングして、測定部位13の裏面側に物体光用開口部25を形成する。
【選択図】図7
Description
表面側に測定部位を有する基材の裏面側を削って測定に使用するX線が透過する厚さにする第1の工程と、
前記基材の裏面側に前記第1の工程で前記基材から削った部分よりも多くのX線を吸収するX線吸収膜を形成する第2の工程と、
前記測定部位に対応する位置に、前記X線吸収膜の開口部を形成する第3の工程と
を有することを特徴とするX線評価用試料の作製方法。
表面側に測定部位を有する基材の裏面側を削って測定に使用するX線が透過する厚さにする工程と、
前記基材の裏面側に、前記測定部位に対応する位置に開口部が設けられたX線吸収膜を貼り付ける工程と、
を有することを特徴とするX線評価用試料の作製方法。
一方の面側に測定部位を有する基材と、
前記基材の他方の面側に形成され、前記基材よりもX線透過率が低い材料からなるX線吸収膜と、
前記X線吸収膜の前記測定部位に対応する領域に形成されて前記基材が露出する開口部と、
前記基材及び前記X線吸収膜を貫通する参照光用穴と
を有することを特徴とするX線評価用試料。
12…薄膜、
13…測定部位、
20…試料、
21…ワッシャー、
23…X線吸収膜、
24,42a…参照光用穴、
25,41a…物体光用開口部、
30…検出器、
41,42…金属板。
Claims (5)
- X線評価用試料の作製方法において、
表面側に測定部位を有する基材の裏面側を削って測定に使用するX線が透過する厚さにする第1の工程と、
前記基材の裏面側に前記第1の工程で前記基材から削った部分よりも多くのX線を吸収するX線吸収膜を形成する第2の工程と、
前記測定部位に対応する位置に、前記X線吸収膜の開口部を形成する第3の工程と
を有することを特徴とするX線評価用試料の作製方法。 - 前記第2の工程又は前記第3の工程の後に、前記基材及び前記X線吸収膜を貫通する参照光用穴を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載のX線評価用試料の作製方法。
- 前記第1の工程では、前記基材を透過した後のX線の強度が、前記基材に入射するX線の強度の10%以上となる厚さまで前記基材を削ることを特徴とする請求項1又は2に記載のX線評価用試料の作製方法。
- X線評価用試料の作製方法において、
表面側に測定部位を有する基材の裏面側を削って測定に使用するX線が透過する厚さにする工程と、
前記基材の裏面側に、前記測定部位に対応する位置に開口部が設けられたX線吸収膜を貼り付ける工程と、
を有することを特徴とするX線評価用試料の作製方法。 - X線ホログラフィ測定に用いるX線評価用試料において、
一方の面側に測定部位を有する基材と、
前記基材の他方の面側に形成され、前記基材よりもX線透過率が低い材料からなるX線吸収膜と、
前記X線吸収膜の前記測定部位に対応する領域に形成されて前記基材が露出する開口部と、
前記基材及び前記X線吸収膜を貫通する参照光用穴と
を有することを特徴とするX線評価用試料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008056643A JP5358979B2 (ja) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | X線評価用試料の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008056643A JP5358979B2 (ja) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | X線評価用試料の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009210538A true JP2009210538A (ja) | 2009-09-17 |
JP5358979B2 JP5358979B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=41183832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008056643A Expired - Fee Related JP5358979B2 (ja) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | X線評価用試料の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5358979B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011099839A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-05-19 | Fujitsu Ltd | X線分析装置及びx線分析方法 |
JP2011257318A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Fujitsu Ltd | X線分析装置 |
JP2012132756A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Fujitsu Ltd | X線分析装置及びx線分析方法 |
JP2012237718A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Canon Inc | X線ホログラフィ光源素子及びそれを用いたx線ホログラフィシステム |
JP2013019814A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Fujitsu Ltd | X線分析装置及びx線分析方法 |
KR101939497B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2019-01-17 | 한국기초과학지원연구원 | 투과 전자 현미경의 고니오미터에 대한 틸팅 각도 제어 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10115596A (ja) * | 1996-08-21 | 1998-05-06 | Suzuki Motor Corp | X線回折装置用試料ホルダおよび試料固定方法 |
JPH10339692A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Nec Corp | 透過電子顕微鏡用試料およびその作製方法 |
WO1999029103A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif de capture d'images a semi-conducteurs et analyseur utilisant ledit dispositif |
JP2002236200A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | X線光学素子およびその製造方法 |
JP2003139667A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-14 | Sharp Corp | 分析試料の作成方法 |
JP2006349481A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 単結晶試料における面内配向した転位線を有する結晶欠陥のx線トポグラフによる撮影方法 |
JP2007263610A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Osaka Univ | X線回折測定用シリコン基板 |
-
2008
- 2008-03-06 JP JP2008056643A patent/JP5358979B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10115596A (ja) * | 1996-08-21 | 1998-05-06 | Suzuki Motor Corp | X線回折装置用試料ホルダおよび試料固定方法 |
JPH10339692A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Nec Corp | 透過電子顕微鏡用試料およびその作製方法 |
WO1999029103A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif de capture d'images a semi-conducteurs et analyseur utilisant ledit dispositif |
JP2002236200A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | X線光学素子およびその製造方法 |
JP2003139667A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-14 | Sharp Corp | 分析試料の作成方法 |
JP2006349481A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 単結晶試料における面内配向した転位線を有する結晶欠陥のx線トポグラフによる撮影方法 |
JP2007263610A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Osaka Univ | X線回折測定用シリコン基板 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6012039140; Lensless imaging of magnetic nanostructures by X-ray spectro-holography: 'S. Eisebitt他' Nature 432, 20041216, 885-888 * |
JPN6012039141; W. F. Schlotter他: 'Multiple reference Fourier transform holography with soft x rays' Appl. Phys. Lett. 89, 20061016, 163112-1 - 163112-3 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011099839A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-05-19 | Fujitsu Ltd | X線分析装置及びx線分析方法 |
JP2011257318A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Fujitsu Ltd | X線分析装置 |
JP2012132756A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Fujitsu Ltd | X線分析装置及びx線分析方法 |
JP2012237718A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Canon Inc | X線ホログラフィ光源素子及びそれを用いたx線ホログラフィシステム |
JP2013019814A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Fujitsu Ltd | X線分析装置及びx線分析方法 |
KR101939497B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2019-01-17 | 한국기초과학지원연구원 | 투과 전자 현미경의 고니오미터에 대한 틸팅 각도 제어 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5358979B2 (ja) | 2013-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5358979B2 (ja) | X線評価用試料の作製方法 | |
JP3485707B2 (ja) | 透過型電子顕微鏡用の平面サンプルの作製方法及びその透過型電子顕微鏡による欠陥測定方法 | |
JP6356397B2 (ja) | 基板の外位置分析システムおよび方法 | |
CN105229776B (zh) | 防护膜组件及含有其的euv曝光装置 | |
US10483079B2 (en) | Method for manufacturing radiation window and a radiation window | |
JP2012073069A (ja) | 半導体デバイス基板の欠陥部観察用試料の作製方法 | |
US7355176B2 (en) | Method of forming TEM specimen and related protection layer | |
KR20170041158A (ko) | 미세구조 진단을 위한 샘플을 제조하기 위한 방법, 및 미세구조 진단을 위한 샘플 | |
JP2009216478A (ja) | 透過型電子顕微鏡観察用薄膜試料の作製方法 | |
JP5672693B2 (ja) | X線分析方法 | |
EP3922752A1 (en) | A method for preparing a sample for transmission electron microscopy | |
JP2015004514A (ja) | 基板内欠陥に対する解析方法 | |
TWI255339B (en) | Method of applying micro-protection in defect analysis | |
Vaxelaire et al. | Sub-micrometre depth-gradient measurements of phase, strain and texture in polycrystalline thin films: a nano-pencil beam diffraction approach | |
JP2019054065A (ja) | 半導体基板の評価方法及びデバイスチップの評価方法 | |
LEE et al. | Post‐thinning using Ar ion‐milling system for transmission electron microscopy specimens prepared by focused ion beam system | |
JP5332843B2 (ja) | X線ホログラフィ測定方法 | |
TW472141B (en) | A method for preparing a sample for a transmission electron microscope | |
JP5482367B2 (ja) | X線ホログラム撮像用の試料構造体及びその製造方法。 | |
JP2004253232A (ja) | 試料固定台 | |
JP2006343101A (ja) | 半導体装置の不良箇所観察のためのサンプル作製方法 | |
KR100620728B1 (ko) | 투과 전자현미경 분석용 시편 제조방법 | |
JP3836454B2 (ja) | 電子顕微鏡の観察用試料の作製方法および作製装置 | |
Veĭko et al. | Study of low-threshold mechanisms for modifying the structure of thin chromium films under the action of supershort laser pulses | |
EP2511911A2 (en) | Diffraction grating for x-ray talbot interferometer, method of manufacturing the same, and x-ray talbot interferometer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101018 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130819 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |