JP2009209335A - 蛍光体及びこれを用いた表示パネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】蛍光体は、化学的に不安定な第1母体材料を含む第1蛍光体材料と、前記第1蛍光体材料の周囲を覆い、化学的に安定で前記第1母体材料よりもバンドギャップが大きい第2母体材料を含む第2蛍光体材料とを有する。
【選択図】図1
Description
230(1972))に明確に述べられているように、SrGa2S4及びCaGa2S4は、SrSやCaSに比べて加水分解しないため耐湿性があり、化学的安定性の点で優れた性質を有していることが知られている。
実施例1では、埋め込まれる蛍光体に硫化ストロンチウム:セリウム(SrS:Ce)を用い、埋め込む側のワイドギャップ母体材料としてストロンチウムチオガレイト(SrGa2S4)を用いた薄膜状蛍光体の作製方法について説明する。ここでは、薄膜状蛍光体の作製方法として、MBE(Molecular Beam Epitaxy)装置による多源蒸着法を用いる。
MBE装置のクヌーセンセル(Knudsen Cell,以下、「Kセル」と称す)に充填された原料は、それぞれの温度で蒸発し、基板上では、以下の化学反応によりストロンチウムチオガレイト(SrGa2S4)母体結晶薄膜が成長する。
なお、(1)式において、硫化ガリウム(GaS)は基板上で全て再蒸発し、ストロンチウムチオガレイト(SrGa2S4)中に硫化ガリウム(GaS)は残留しない。
なお、(2)式において、硫化ガリウム(GaS)は基板上で全て再蒸発し、硫化ストロンチウム(SrS)中に硫化ガリウム(GaS)は残留しない。
実施例2では、埋め込まれる蛍光体の粒径をナノメートル程度(1〜10nm)に制御する。ここでは埋め込まれる蛍光体材料として硫化ストロンチウム:セリウム(SrS:Ce)を用い、周囲の材料側のワイドギャップ母体材料としてストロンチウムチオガレイト(SrGa2S4)を用いる。
実施例3では、埋め込まれる蛍光体として硫化ストロンチウム:セリウム(SrS:Ce)を用い、埋め込む側のワイドギャップ材料としてSrGa2S4:Ce,Mnの赤色発光を用いて、白色発光を得ることのできる薄膜状蛍光体を作製する方法について説明する。
図5は、薄膜状蛍光体と電子源を対向させた構造を持つFED素子を示す図であり、図6は、薄膜状蛍光体を発光層とする薄膜EL素子を示す図である。
2 超微粒子蛍光体
3、7 ガラス基板
4、8 導電性薄膜
5、9 薄膜状蛍光体
6 電子放出源
10a 第1絶縁層
10b 第2絶縁層
11 背面電極
Claims (8)
- 化学的に不安定な第1母体材料を含む第1蛍光体材料と、
前記第1蛍光体材料の周囲を覆い、化学的に安定で前記第1母体材料よりもバンドギャップが大きい第2母体材料を含む第2蛍光体材料と
を有する蛍光体。 - 前記第1母体材料は、SrS、CaS、又は、ZnxMg1−xS(x=0.50〜0.95)であり、前記第2母体材料は、SrxCa1−x(GayAl1−y)2S4(x=0〜1、y=0〜1)である、請求項1に記載の蛍光体。
- 前記第1母体材料と前記第2母体材料は同一組成を有する、請求項1又は2に記載の蛍光体。
- 前記第1蛍光体材料は、母体材料に発光中心材料が注入された、SrS:Ce、SrS:Cu、CaS:Cu、CaS:Eu、又は、ZnxMg1−xS:Mn(x=0.50〜0.95)である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蛍光体。
- 前記第2蛍光体材料は、母体材料に発光中心材料として、Mn、Ce、Eu、又はTbのうちの少なくともいずれか一つが注入されている、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の蛍光体。
- 前記第1蛍光体材料はSrS:Ceであり、前記第2蛍光体材料はSrGa2S4又はSrGa2S4:Ce,Mnである、請求項1に記載の蛍光体。
- 前記第1蛍光体材料は粒径が1〜10nmに超微粒子化されている、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の蛍光体。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の蛍光体を用いた表示パネル。
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