JP2009204292A - ガラス基板の熱処理用セッター、その製造方法及びガラス基板の熱処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フラットパネルディスプレイ基板等のガラス基板がスリップしにくく、強度が高いガラス基板の熱処理用セッターを提供する。
【解決手段】上面にガラス基板を載せて熱処理するためのセッターであって、多孔質領域Ｐと緻密質領域Ｔとを有する。多孔質領域Ｐは、３次元網目構造の連通気孔を有し、その空気透過率は好ましくは０．５〜１０×１０^−３ｃｍ^２である。好ましくは、リチア系焼結体よりなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ基板などのガラス基板を載せて熱処理するためのガラス基板熱処理用セッター及びその製造方法と、この熱処理用セッターを用いたガラス基板の熱処理方法に関するものである。

プラズマディスプレイ等の表示部のフラットなディスプレイ基板は、ガラス基板上に電極、絶縁体、発光体等が複数積層された一体構造となっている。このディスプレイ基板を製作する工程の一つとして、ディスプレイ基板をガラス基板熱処理用セッターに載せて加熱装置内に配置（又は通過）させて熱処理（例えば、電極や絶縁体の焼付け処理）する工程がある。

このフラットパネルディスプレイ基板は、反りが小さいこと、及び表面の凹凸が小さいことが求められ、その製造のための棚板にも同様に反り・うねりが小さいこと、表面の凹凸が小さいことが求められる。特開２００２−１１４５３７号には、熱膨張係数が１５×１０^−７／Ｋ以下であり、表面の平坦度が０．３％以下であり、表面粗さＲａが０．１〜１μｍである結晶化ガラスよりなるガラス基板熱処理用セッターが記載されている。

このセッターの上にディスプレイ基板を載せる場合、セッターとディスプレイ基板との間に空気層が存在してディスプレイ基板がセッター上を滑り動き易い。特開２００１−３１６１８６号には、表面に１０〜１０００μｍの溝を設けることにより、ディスプレイ基板がセッター上を滑り動くことを防止するようにしたガラス基板の熱処理用セッターが記載されている。
特開２００２−１１４５３７号公報 特開２００１−３１６１８６号公報

上記各特許文献に記載のセッター（定盤）は、上面に載せたガラス基板が密着したり、あるいはスリップして位置ずれしたりしないようにするために、表面粗さをある程度粗くしたり、表面に溝を設けたものである。

上記特許文献１のようにガラス基板の熱処理用セッターの表面粗さをある程度粗くするだけでは、ガラス基板の滑動を十分に防ぐことはできない。また、上記特許文献２のように溝をセラミック製セッターの上面に設けることは、加工コストが嵩む。

本発明は、ガラス基板の滑動を十分に防止することができるガラス基板の熱処理用セッターを安価に提供することを目的とする。また、本発明は、この熱処理用セッターを用いたガラス基板の熱処理方法を提供することを目的とする。

請求項１のガラス基板熱処理用セッターは、上面にガラス基板を載せて熱処理するためのセッターであって、板状のセラミックス焼結体よりなるガラス基板熱処理用セッターにおいて、多孔質領域と、それよりも緻密な緻密質領域とを有したセラミックス焼結体よりなり、該多孔質領域は、連通気孔を備え、セッターの厚み方向に通気性を有することを特徴とするものである。

請求項２のガラス基板熱処理用セッターは、請求項１において、該セッターは方形の板状であり、前記緻密質領域は該セッターの一端辺から他端辺まで連続して延在していることを特徴とするものである。

請求項３のガラス基板熱処理用セッターは、請求項２において、前記緻密質領域は直交２方向に延在していることを特徴とするものである。

請求項４のガラス基板熱処理用セッターは、請求項２又は３において、前記緻密質領域の延在方向と直交方向の幅が１０〜３００ｍｍであり、セッター上面における多孔質領域の面積の割合が４０〜９５％であることを特徴とするものである。

請求項５のガラス基板熱処理用セッターは、請求項１ないし４のいずれか１項において、多孔質領域の嵩密度は緻密質領域の嵩密度の７０〜９５％であることを特徴とするものである。

請求項６のガラス基板熱処理用セッターは、請求項１ないし４のいずれか１項において、前記セラミックス焼結体は、２０〜６００℃の熱膨張係数が０〜１０×１０^−７／℃であり、かつ前記連通気孔は３次元網目構造の連通気孔であることを特徴とするものである。

請求項７のガラス基板熱処理用セッターは、請求項６において、前記多孔質領域のセッター厚み方向の空気透過率が０．５〜１０×１０^−３ｃｍ^２であることを特徴とするものである。

請求項８のガラス基板熱処理用セッターは、請求項１ないし７のいずれか１項において、該セッターの上面の表面粗さＲａが０．１〜２０μｍであることを特徴とするものである。

請求項９のガラス基板熱処理用セッターは、請求項１ないし８のいずれか１項において、前記セラミックス焼結体がリチア系セラミックス焼結体であることを特徴とするものである。

請求項１０のガラス基板熱処理用セッターの製造方法は、請求項１ないし９のいずれか１項のガラス基板熱処理用セッターを製造する方法であって、原料粉の泥漿を合成樹脂のスポンジに含浸させたものを前記多孔質領域に有する成形体を成形し、乾燥後、焼成し、その後、表面を研磨してガラス基板熱処理用セッターを製造することを特徴とするものである。

請求項１１のガラス基板熱処理用セッターの製造方法は、請求項１ないし９のいずれか１項のガラス基板熱処理用セッターを製造する方法であって、原料の粒状成形体及び／又は粒状焼成品と原料粉の泥漿とを混合して得た予備成形体を前記多孔質領域に有する成形体を成形し、この成形体を乾燥後、焼成し、その後、表面を研磨してガラス基板熱処理用セッターを製造することを特徴とするものである。この予備成形体は、焼成されることにより多孔質領域を形成する。

請求項１２のガラス基板の熱処理方法は、請求項１ないし９のいずれか１項に記載のガラス基板熱処理用セッターの上にガラス基板を載せて熱処理することを特徴とするものである。

本発明のガラス基板熱処理用セッターは、多孔質領域と緻密質領域とを有している。この多孔質領域は、連通気孔を備え、厚み方向に通気性を有している。そのため、ガラス基板を該セッターの上に載せた際に、ガラス基板とセッターとの間の空気が該連通気孔を通って流出するので、ガラス基板の滑動が十分に防止される。

本発明のガラス基板熱処理用セッターは、緻密質領域を有している。従って、全体を多孔質としたセッターに比べて強度が高い。

請求項２〜４の通り、緻密質領域をセッターの一端辺から他端辺まで延在させることにより、緻密質領域が梁のように作用し、セッターの強度が高くなる。

請求項３のように緻密質領域を直交２方向に設けることにより、セッターの強度が２方向において十分に高くなる。

請求項４のように、緻密質領域の幅を１０〜３００ｍｍとし、セッター上面における多孔質領域の面積の割合を４０〜９５％とすることにより、セッターの強度が高く、しかもセッターに十分な通気性を与えることができる。

請求項５の通り、多孔質領域の嵩密度は緻密質領域の嵩密度の７０〜９５％であることが好ましい。この緻密質領域は十分に緻密であり、強度が高い。

請求項６のセッターは、熱膨張が小さく、また多孔質領域が三次元網目構造の連通気孔を有するため、微細クラックが発生しても進行しにくい。また、内部まで熱が伝わり易いので、上下反り応力が小さくなる。このため、セッターは、繰り返し熱衝撃を与えても強度が低下しにくいものとなる。

請求項７の通り、この多孔質領域のセッター厚み方向の空気透過率を０．５〜１０×１０^−３ｃｍ^２とすることにより、ガラス基板の滑動が十分に防止されると共に、セッターの強度も高いものとなる。

本発明のガラス基板の熱処理用セッターは、研磨したセッターの表面粗さＲａを０．１〜２０μｍとすることにより、ガラス基板の密着（吸収）現象やスリップをより確実に防ぐことができる。

本発明のガラス基板の熱処理用セッターは、板状のセラミックス焼結体よりなるため、１回又は複数回使用した後、表面を研磨して繰り返し多数回使用することができる。

本発明のガラス基板の熱処理用セッターを構成するセラミックス焼結体は、ペタライトを原料に含むリチア系セラミックス焼結体であることが望ましい。かかるセラミックス焼結体は、耐熱衝撃性に優れる。

請求項１０，１１の製造方法によると、このような３次元網目構造の連通気孔を有した多孔質のセラミックス焼結体よりなるセッターを容易に製造することができる。

本発明のガラス基板熱処理用セッターは、連通気孔を備え、セッターの厚み方向に通気性を有した多孔質領域と、それよりも緻密な緻密質領域とを有したセラミックス焼結体よりなる。

本発明のセッターは、多孔質領域を有するため、ガラス基板を載せた際に空気が連通気孔から抜け易く、ガラス基板の滑動が防止される。また、緻密質領域を有するため、強度も高い。

第１図及び第３図は、本発明のセッターの一例を示す斜視図である。

第１図のセッター１０は、長方形の板状であり、緻密質領域Ｔが長手方向の両端側と中央部とに位置し、多孔質領域Ｐがそれらの間に配置されている。

緻密質領域Ｔ及び多孔質領域Ｐは、いずれもセッター１０の一方の長辺から他方の長辺にまで連続して延在している。

第３図のセッター１１は、長方形の板状であり、緻密質領域が長方形の長辺及び短辺と平行に格子状に延設されている。また、セッター１１の全周縁は緻密質領域となっている。多孔質領域Ｐは、方形であり、桝目状に配列されている。

なお、第１図及び第３図のセッター１０，１１は本発明の一例であり、多孔質領域の配置や数は図示のものに限定されない。

上記の多孔質領域Ｐは、連通気孔を有し、セッターの厚み方向に通気性を有している。

緻密質領域は、多孔質領域Ｐの嵩密度が緻密質領域Ｔの嵩密度の７０〜９５％、特に８０〜９０％となる程度に緻密であることが好ましい。このように緻密な焼結体よりなる緻密質領域は強度が十分に高い。

緻密質領域Ｔは、図示のようにセッターの一端側から他端側まで連続して延在することが好ましい。このように緻密質領域Ｔを延設することにより、セッターの強度特に曲げ強度が十分に高いものとなる。第３図のセッター１１のように、緻密質領域を格子状に設けることにより、セッターの長手方向及び短手方向の２方向の曲げ強度がいずれも十分に高いものとなる。

緻密質領域の延在方向と直交方向の幅は、過度に小さいと補強効果が低くなり、過度に大きいと多孔質領域の面積割合が小さくなるところから、１０〜３００ｍｍ特に２０〜１００ｍｍ程度が好適である。セッター上面における多孔質領域の面積は、過度に小さいとガラス基板が滑り易くなり、過度に大きいとセッターの強度が低くなるところから、４０〜９５％特に５０〜７０％程度が好適である。

多孔質領域Ｐのセッター厚み方向の空気透過率を０．５〜１０×１０^−３ｃｍ^２とすることにより、ガラス基板を載せた際に空気が連通気孔から抜け易く、しかも多孔質領域を構成するセラミックス焼結体の強度も高いものとなる。なお、空気透過率が１０×１０^−３ｃｍ^２よりも大きいと、ガラス基板の滑り防止効果は頭打ちとなると共に、多孔質領域を構成するセラミックス焼結体の強度が低くなるおそれがある。また、空気透過率が０．５×１０^−３ｃｍ^２よりも小さいと、ガラス基板を載せた際の空気の抜けが不十分になるおそれがある。

この空気透過率は、規定面積のセッターの一方の面に空気を供給し、他方の面から流出する空気量と、通気差圧を測定し、次式によって算出した値である（京都工芸繊維大学，「セラミックス実験マニュアル」，ｐ１２７−１２８，（日刊工業新聞社））。
空気透過率＝［（流量）・（空気粘性）・（セッター厚さ）］／［（通気面積）・（差圧）］
この計算式における各数値の単位は次の通りである。
空気透過率：ｃｍ^２
流量：ｃｍ^３／ｓ
空気粘性：ｍＰａ・ｓ（２５℃では０．０１８ｍＰａ・ｓ）
セッター厚さ：ｃｍ
通気面積：ｃｍ^２
差圧：Ｐａ

本発明のセッターを構成するセラミックス焼結体は、主成分としてのＬｉ_２Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３・ｎＳｉＯ_２を原料の総量に対して９６重量％以上含有するように、且つｎが１．８〜１２．５でＬｉ_２ＯとＡｌ_２Ｏ_３との比率Ｌｉ_２Ｏ／Ａｌ_２Ｏ_３が２．０〜０．５の範囲となるように調製された原料粉を主原料に用いて製造されたセラミックス焼結体であることが望ましい。

このセラミックス焼結体は、特に、ペタライト（Ｌｉ_２Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３・８ＳｉＯ_２）を原料として含むリチア系セラミックスよりなることが好ましい。

このリチア系セラミックス焼結体は、ペタライト５０〜９０重量％好ましくは６０〜８０重量％に対し、融剤としてガラスフリットを好ましくは５〜３０重量％特に好ましくは１０〜２５重量％を配合すると共に、成形時の可塑性を付与する成分として粘土を好ましくは３〜２０重量％特に好ましくは５〜１５重量％を配合し、水及び必要に応じポリビニルアルコール、メチルセルロース等の成形助剤を添加して混合した泥漿を用いて成形体を成形し、これを焼成することにより製造されるのが好ましい。ペタライト、ガラスフリット及び粘土１００重量部に対する水の添加量は４０〜７０重量部特に５０〜６０重量部程度が好ましい。この泥漿中の固形分（ペタライト、ガラスフリット及び粘土）の平均粒子径は０．００１〜０．０１ｍｍ程度が好適である。この平均粒子径は、顕微鏡写真から計測される値である。

多孔質領域と緻密質領域とを有するセラミックス焼結体を製造する好適な方法としては、次の（１）〜（３）の方法が例示される。

（１）合成樹脂のスポンジを用いる方法
３次元網目構造の合成樹脂製スポンジを用いる方法である。合成樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ウレタンなど、焼成時に炭酸ガスと水のみを発生させるものが好ましい。スポンジの孔径などは、製造される多孔質セラミックス焼結体の３次元網目構造の連通気孔の孔径などに応じて選定されればよいが、通常は線径０．０５〜１ｍｍ特に０．１〜０．３ｍｍ程度で嵩密度が０．０２〜０．０５ｇ／ｃｍ^３程度のものを用いればよい。

第２図に示すように、多孔質合成樹脂板、石膏板などの吸水性多孔質板１の上に枠２を設置して、浅い容器状の成形型３を構成する。この成形型３内に所定量の上記泥漿４を注ぎ込んだ後、スポンジ５をこの泥漿４中に静かに沈めてスポンジ５に泥漿を含浸させる。この際、スポンジ５を多孔質領域Ｐの形成予定領域に位置させる。なお、先にスポンジ５を成形型３内に配置しておき、泥漿を後から流し込んで含浸させてもよい。

この状態で泥漿中の水分の一部を多孔質板１に吸収させ、泥漿が脱水されて保形可能な状態の成形体となったならば、脱型し、次いで成形体を乾燥させる。脱型時の水分が１８〜２５重量％程度であれば、成形体はハンドリングに支障のない保形性を有する。

成形体を乾燥後、好ましくは１０５０〜１２５０℃程度特に好ましくは１１００〜１２２０℃程度で８〜２０時間程度焼成することにより、セラミックス焼結体（原板）が製造される。この焼成時に合成樹脂スポンジが酸化して焼失し、スポンジの焼失痕が気孔として残留することにより多孔質領域Ｐが形成される。スポンジを配置していなかった部分は緻密質領域となる。

（２）焼成骨材を用いる方法
リチア系セラミックス焼結体よりなる骨材を用いる方法である。このリチア系セラミックス焼結体としては、上記の泥漿の原料と同様の、ペタライト５０〜９０重量％好ましくは６０〜８０重量％に対し、融剤としてガラスフリットを好ましくは５〜３０重量％特に好ましくは１０〜２５重量％を配合すると共に、粘土を好ましくは３〜２０重量％特に好ましくは５〜１５重量％を配合し、水及び必要に応じポリビニルアルコール、メチルセルロース等の成形助剤を添加して混合した混合物を成形し、乾燥後、同様の焼成条件で焼成し、得られた焼成品を必要に応じ、破砕し、目的粒度に篩分けにより整粒したものが好適である。目的粒度としては、各粒子の粒径が０．３〜８ｍｍ特に０．５〜５ｍｍの範囲に納まる程度が好適である。

なお、転動造粒などの造粒法による場合には、予め目的粒度となるように造粒することにより、破砕及び整粒は不要となる。成形及び乾燥をスプレードライ法によって行なう場合も、目的粒度となるようにスプレードライ操作を行うことにより、破砕及び整粒は不要となる。

この骨材と上記（１）で用いたものと同様の泥漿とを、骨材１００重量部に対し泥漿２０〜４０重量部、特に２５〜３５重量部の割合で混合して混合スラリーとする。

この混合スラリーを吸水性の成形型に流し込んで多孔質領域と同じ大きさの予備成形体を形成する。この予備成形体を第２図に示した成形型３内の多孔質領域形成予定域に配置した後、その周囲に泥漿を流し込む。なお、先に泥漿の少なくとも一部を成形型３内に注いでおき、その中に予備成形体を入れるようにしてもよい。この予備成形体は、焼成されることにより多孔質領域となるものである。

その後、成形体が保形性を有する程度にまで水分を成形型３に吸収させた後、脱型し、乾燥後、上記（１）と同様に焼成することにより多孔質セラミックス焼結体が製造される。

この予備成形体の骨材粒子同士の間に存在していた泥漿の乾燥物は、骨材に比べて嵩密度が著しく小さいものであり、焼成により多孔質となる。これにより、得られた焼結体の多孔質領域にあっては、骨材同士の間の泥漿乾燥物由来の部分が連通気孔を有した３次元網目構造の多孔質部分となる。

（３）非焼成骨材を用いる方法
上記（２）の方法において、焼成骨材の代りに非焼成骨材を用いる方法である。この非焼成骨材としては、上記（１）の泥漿の原料と同様の、ペタライト５０〜９０重量％好ましくは６０〜８０重量％に対し、融剤としてガラスフリットを好ましくは５〜３０重量％特に好ましくは１０〜２５重量％を配合すると共に、粘土を好ましくは３〜２０重量％特に好ましくは５〜１５重量％を配合し、水及び必要に応じポリビニルアルコール、メチルセルロース等の成形助剤を添加して混合した混合物を成形及び乾燥し、必要に応じ、破砕し、目的粒度に篩分けにより整粒したものが好適である。目的粒度としては、各粒子の粒径が０．３〜８ｍｍ特に０．５〜５ｍｍの範囲に納まる程度が好適である。

なお、転動造粒などの造粒法による場合には、予め目的粒度となるように造粒することにより、破砕及び整粒は不要となる。成形及び乾燥をスプレードライ法によって行なう場合も、目的粒度となるようにスプレードライ操作を行うことにより、破砕及び整粒は不要となる。

この非焼成骨材と上記（１）で用いたものと同様の泥漿とを、非焼成骨材１００重量部に対し泥漿２０〜４０重量部、特に２５〜３５重量部の割合で混合して混合スラリーとする。

この混合スラリーを用いて予備成形体を成形する。この予備成形体は、焼成により多孔質領域となるものである。この予備成形体を用い、上記（２）と同様にして成形、乾燥、及び焼成することにより、多孔質セラミックス焼結体が製造される。この焼結体においても、予備成形体中の泥漿に由来する部分が連通気孔を有した３次元網目構造となっている。なお、非焼成骨材由来の部分も、上記（２）の焼成骨材由来の部分に比べて、通気性が高いものとなる。

上記（１）〜（３）のようにして製造した多孔質セラミックス焼結体よりなる原板を平面研磨盤等により、好ましくは表面粗さＲａが０．１〜２０μｍ特に０．１〜１０μｍとなるように研磨することにより、ガラス基板熱処理用セッターが製造される。

上記の条件で製造されたリチア系セラミックスは、２０℃〜６００℃の熱膨張係数が０〜１０×１０^−７／℃以下であり、耐熱衝撃性に優れる。また、研磨により３次元網目構造の気孔が表面に露呈する。このように表面に露呈した連通気孔は、空気が出入りし易いので、ガラス基板をセッター上に載せたときのガラス基板の滑り（スリップ）が防止される。また、この連通気孔は、ガラス基板の熱処理の過程で発生する低融点金属の蒸気や、その他の昇華物を吸収ないし包蔵するようになり、これがガラス基板の表面に析出することが防止ないし抑制される。これにより高品質の熱処理ガラス基板が製造される。

なお、本発明のセッターを構成するセラミックス焼結体は、β−スポジュメン（Ｌｉ_２Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３・４ＳｉＯ_２）系セラミックス又はβ−ユークリプタイト（Ｌｉ_２Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）系セラミックスであってもよい。いずれもリチア系セラミックスであり、ペタライド、ガラスフリット、粘土の配合比を適宜変更することで、製造設備を変更することなく、セッターを製造することができる。
また、多孔質領域と緻密質領域の成分は、同一であることが好ましい。両領域成分を同一とすることで、熱膨張係数を一致させ、耐熱衝撃性が良好となる。

製造されたセッターの組成の好適な範囲は次の通りである。

ＳｉＯ_２ ６５〜７９重量％
Ａｌ_２Ｏ_３ １２〜２３重量％
Ｌｉ_２Ｏ ３〜１０重量％
Ｎａ_２Ｏ １重量％以下
Ｋ_２Ｏ １重量％以下
ＣａＯ １重量％以下
Ｆｅ_２Ｏ_３ １重量％以下
ＴｉＯ_２ １重量％以下

本発明のセッターは、各種ディスプレイ用ガラス基板の熱処理に用いることができる。このセッターは、例えば１辺が５００ｍｍ以上の大形のフラットパネルディスプレイ基板の熱処理にも用いることができる大きさとしうる。なお、このセッターの厚さは３〜１５ｍｍ特に５〜１０ｍｍ程度が好適である。

このセッターを用いてガラス基板を熱処理するには、該ガラス基板をセッターの上面に載せ、熱処理炉に導入し、所定の温度（例えば５００〜７００℃）に所定時間保持した後、取り出せばよい。なお、ガラス基板は１つの多孔質領域にのみ重なるように載置されてもよく、複数の多孔質領域にまたがって載置されてもよい。

実施例１（スポンジ利用）
表１に示す組成のペタライト７０重量％、ガラスフリット２０重量％及び蛙目粘土１０重量％の調合物１００重量部に対し水４０重量部及び成形助剤を添加し、ボールミルを用いて平均粒径が５μｍとなるように細磨混合して泥漿を製造した。この泥漿を、第２図に示す成形型３に深さ１．５ｃｍとなるように流し込んだ。枠２の内法寸法は３００ｃｍ×３５０ｃｍである。

次いで、線径０．２ｍｍ、高比重０．０３ｇ／ｃｍ^３のポリエチレン製スポンジ（１６０ｃｍ×１２０ｃｍ×１．３ｃｍ）を４個この泥漿中に静かに沈めた。

１０時間放置して泥漿中の水分を成形型３に吸収させた後、脱型した。脱型して得た成形体の水分は２０重量％であった。

この成形体を、乾燥後、１１００℃×１２時間の焼成を行って焼結体よりなる原板とした。この原板をダイヤモンド砥石（粗さ＃１００）を用いた平面研磨盤を用いて表面研磨して第１図に示す厚さ５ｍｍのセッターとした。表面粗さＲａは０．５３μｍであった。

このようにして製造したセッターについて、多孔質領域及び緻密質領域の嵩密度、多孔質領域の空気透過率、２０〜６００℃の熱膨張係数、及び、短手方向の３点曲げ強度を測定した。結果を表２に示す。

［ガラス板のスリップ試験］
このセッターを水平に設置し、その上面の多孔質領域で１００×１００×２ｍｍのガラス板を鉛直に起立させた。このガラス板を軽く押し、セッター上に重力によって倒伏させたときの滑り量（スリップ距離）を測定した。この結果を表２に併せて示す。

［熱耐久性試験］
このセッターを用いてフラットパネルディスプレイ基板を７５０℃で熱処理したところ、表面性状が良好なフラットパネルディスプレイ基板が得られた。

このセッターを、この熱処理に繰り返し使用し、短手方向の３点曲げ強度がどのように変化するか測定した。結果を表３に示す。

実施例２（焼成骨材利用）
［焼成骨材の製造］
表１のペタライト７０重量部、フリット２０重量部及び粘土１０重量部を乾式混合した後、プレスして板状とした後、１１００℃×１２時間焼成した。焼成品を破砕し、０．５〜５ｍｍに篩分けして整粒した。

［セッターの製造］
実施例１で用いたものと同じ泥漿１００重量部と上記焼成骨材３０重量部とを混合してスラリーとした。このスラリーを用いて８０ｃｍ×１２０ｃｍ×１．５ｃｍの大きさの予備成形体（水分１８％）を成形した。この予備成形体を第２図に示す成形型３内に配置した。次いで、実施例１で用いたものと同じ泥漿を予備成形体の周囲に流し込み、成形、脱型、乾燥した。次いで、実施例１と同一条件で焼成及び研磨してセッターを製造した。

嵩密度、空気透過率、２０〜６００℃の熱膨張係数、及び短手方向の３点曲げ強度を測定した結果を表２に示す。

ガラス板のスリップ試験及びセッターの熱耐久性の測定を実施例１と同様に行い、結果を表２，３に示した。

実施例３（非焼成骨材利用）
［非焼成骨材の製造］
実施例１で用いたものと同一の泥漿を加熱乾燥して、板状とした後、破砕し、０．５〜５ｍｍに篩分けして整粒した。

［セッターの製造］
実施例１で用いたものと同じ泥漿１００重量部と上記非焼成骨材２５０重量部とを混合してスラリーとした。このスラリーを用いて８０ｃｍ×１２０ｃｍ×１．５ｃｍの大きさの予備成形体（水分１８％）を成形した。この予備成形体を第２図に示す成形型３内に配置した。次いで、実施例１で用いたものと同じ泥漿を予備成形体の周囲に流し込み、成形、脱型、乾燥した。次いで、実施例１と同一条件で焼成及び研磨してセッターを製造した。

嵩密度、空気透過率、２０〜６００℃の熱膨張係数、及び、３点曲げ強度を測定した結果を表２に示す。また、ガラス板のスリップ試験及びセッターの熱耐久性の測定を実施例１と同様に行い、結果を表２，３に示した。

比較例１
スポンジを浸漬せずに泥漿のみを用いたこと以外は実施例１と同様にしてセッターを製造した。

嵩密度、空気透過率、２０〜６００℃の熱膨張係数、及び、短手方向の３点曲げ強度を測定した結果を表２に示す。また、スリップ試験及びセッターの熱耐久性試験結果を表２，３に示す。

比較例２
スポンジを成形型３内の全体に浸漬したこと以外は実施例１と同様にしてセッターを製造した。

嵩密度、空気透過率、２０〜６００℃の熱膨張係数、及び、短手方向の３点曲げ強度を測定した結果を表２に示す。また、スリップ試験及びセッターの熱耐久性試験結果を表２，３に示す。

表２より、実施例１〜３に係るセッターは、その上に載置したガラス板が比較例１に比べて滑りにくいものであることが明瞭に認められる。また、表３より、実施例１〜３のセッターは、比較例１に比べて耐熱耐久性に優れており、比較例２に比べて曲げ強度が高いことが認められる。

セッターの斜視図である。 成形型の断面図である。 セッターの斜視図である。

符号の説明

１：多孔質板
２：枠
３：成形型
４：泥漿
５：スポンジ
１０，１１：セッター

Claims (12)

1. 上面にガラス基板を載せて熱処理するためのセッターであって、板状のセラミックス焼結体よりなるガラス基板熱処理用セッターにおいて、
   多孔質領域と、それよりも緻密な緻密質領域とを有したセラミックス焼結体よりなり、
   該多孔質領域は、連通気孔を備え、セッターの厚み方向に通気性を有することを特徴とするガラス基板熱処理用セッター。
2. 請求項１において、該セッターは方形の板状であり、前記緻密質領域は該セッターの一端辺から他端辺まで連続して延在していることを特徴とするガラス基板熱処理用セッター。
3. 請求項２において、前記緻密質領域は直交２方向に延在していることを特徴とするガラス基板熱処理用セッター。
4. 請求項２又は３において、前記緻密質領域の延在方向と直交方向の幅が１０〜３００ｍｍであり、セッター上面における多孔質領域の面積の割合が４０〜９５％であることを特徴とするガラス基板熱処理用セッター。
5. 請求項１ないし４のいずれか１項において、多孔質領域の嵩密度は緻密質領域の嵩密度の７０〜９５％であることを特徴とするガラス基板熱処理用セッター。
6. 請求項１ないし４のいずれか１項において、前記セラミックス焼結体は、２０〜６００℃の熱膨張係数が０〜１０×１０^−７／℃であり、かつ前記連通気孔は３次元網目構造の連通気孔であることを特徴とするガラス基板熱処理用セッター。
7. 請求項６において、前記多孔質領域のセッター厚み方向の空気透過率が０．５〜１０×１０^−３ｃｍ^２であることを特徴とするガラス基板熱処理用セッター。
8. 請求項１ないし７のいずれか１項において、該セッターの上面の表面粗さＲａが０．１〜２０μｍであることを特徴とするガラス基板の熱処理用セッター。
9. 請求項１ないし８のいずれか１項において、前記セラミックス焼結体がリチア系セラミックス焼結体であることを特徴とするガラス基板の熱処理用セッター。
10. 請求項１ないし９のいずれか１項のガラス基板熱処理用セッターを製造する方法であって、
    原料粉の泥漿を合成樹脂のスポンジに含浸させたものを前記多孔質領域に有する成形体を成形し、乾燥後、焼成し、その後、表面を研磨してガラス基板熱処理用セッターを製造することを特徴とするガラス基板熱処理用セッターの製造方法。
11. 請求項１ないし９のいずれか１項のガラス基板熱処理用セッターを製造する方法であって、
    原料の粒状成形体及び／又は粒状焼成品と原料粉の泥漿とを混合して得た予備成形体を前記多孔質領域に有する成形体を成形し、
    この成形体を乾燥後、焼成し、その後、表面を研磨してガラス基板熱処理用セッターを製造することを特徴とするガラス基板熱処理用セッターの製造方法。
12. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載のガラス基板熱処理用セッターの上にガラス基板を載せて熱処理することを特徴とするガラス基板の熱処理方法。

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