JP2009200156A - 接合装置 - Google Patents
接合装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009200156A JP2009200156A JP2008038771A JP2008038771A JP2009200156A JP 2009200156 A JP2009200156 A JP 2009200156A JP 2008038771 A JP2008038771 A JP 2008038771A JP 2008038771 A JP2008038771 A JP 2008038771A JP 2009200156 A JP2009200156 A JP 2009200156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bonding
- substrates
- pair
- bonding apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
【課題】イオンなどの粒子を衝突させて接合面を活性化する際、その活性化状態を基板全
体にわたり均一にすることができ、広い面積にわたり均一な接合が可能となり接合精度を
向上できる接合装置を提供する。
【解決手段】基板同士を接合して一体化する接合装置であって、真空槽12にカソード1
3とアノード14とを対向して設け、このカソード13とアノード14間にプラズマを形
成すると共に、カソード13の近傍に磁力線同士が反発するように磁力発生機構20a、
20bを設け、磁力により平板状のプラズマ領域11を形成する手段と、前記平板状のプ
ラズマ領域11を挟んで対向する位置に配置され、電圧を印加することが可能な一対の基
板ホルダー16a、16bと、を有する構成とする。
【選択図】図1
体にわたり均一にすることができ、広い面積にわたり均一な接合が可能となり接合精度を
向上できる接合装置を提供する。
【解決手段】基板同士を接合して一体化する接合装置であって、真空槽12にカソード1
3とアノード14とを対向して設け、このカソード13とアノード14間にプラズマを形
成すると共に、カソード13の近傍に磁力線同士が反発するように磁力発生機構20a、
20bを設け、磁力により平板状のプラズマ領域11を形成する手段と、前記平板状のプ
ラズマ領域11を挟んで対向する位置に配置され、電圧を印加することが可能な一対の基
板ホルダー16a、16bと、を有する構成とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、接合装置に係るものであり、特に接合する二つの基板の接合表面を清浄化し
た後に、二つの基板を接触させて接合を完成させる接合装置に関するものである。
た後に、二つの基板を接触させて接合を完成させる接合装置に関するものである。
近年、電子デバイス形成においてMEMS技術などウエハ処理を利用した手法が用いら
れるようになってきている。これら電子デバイスの形成においては、ウエハ処理した基板
同士を積層、一体化する技術が必須のものとなってきている。
れるようになってきている。これら電子デバイスの形成においては、ウエハ処理した基板
同士を積層、一体化する技術が必須のものとなってきている。
このような電子デバイスの形成におけるウエハ処理した基板同士を接合して一体化する
技術として、例えば特許文献1に示すような接合装置が開示されている。図2は従来例に
おける接合装置を示す説明図である。以下、従来の接合装置について図を用いて説明する
。
技術として、例えば特許文献1に示すような接合装置が開示されている。図2は従来例に
おける接合装置を示す説明図である。以下、従来の接合装置について図を用いて説明する
。
図2は真空槽23の内部に対向して位置する一対の基板ホルダー24a、24bが設け
られ、この一対の基板ホルダー24a、24bに取り付けられる基板25a、25bそれ
ぞれに対して斜め方向からイオンなどの粒子を照射できる二つの粒子源26a、26bを
備える接合装置22である。
られ、この一対の基板ホルダー24a、24bに取り付けられる基板25a、25bそれ
ぞれに対して斜め方向からイオンなどの粒子を照射できる二つの粒子源26a、26bを
備える接合装置22である。
図2に示す接合装置22においては、まず、基板25aを真空槽23の内部に搬送し、
その基板25aを真空槽23の上方に設けられた基板ホルダー24aに取り付け、次に、
基板25bを真空槽23の内部に搬送し、その基板25bを真空槽23の下方に設けられ
た基板ホルダー24bに取り付け、排気口27から図示していない真空ポンプにより真空
層23の内部を減圧する。
その基板25aを真空槽23の上方に設けられた基板ホルダー24aに取り付け、次に、
基板25bを真空槽23の内部に搬送し、その基板25bを真空槽23の下方に設けられ
た基板ホルダー24bに取り付け、排気口27から図示していない真空ポンプにより真空
層23の内部を減圧する。
これに引き続き、基板25a、25bそれぞれの接合面に対して斜め方向に取り付けら
れた二つの粒子源26a、26bからイオンなどの粒子を基板25a、25bそれぞれの
接合面に照射し、基板25a、25bそれぞれの接合面の活性化を行う。
れた二つの粒子源26a、26bからイオンなどの粒子を基板25a、25bそれぞれの
接合面に照射し、基板25a、25bそれぞれの接合面の活性化を行う。
基板25a、25bそれぞれの接合面の活性化の後に、加圧機構28により基板ホルダ
ー24aが対向する他方の基板ホルダー24bに向かって移動し、基板25a、25bそ
れぞれの接合面を重ね合わせることで接合が完了する。なお、基板25a、25bそれぞ
れの接合面を重ね合わせる際、必要に応じて所定の力で加圧する。
ー24aが対向する他方の基板ホルダー24bに向かって移動し、基板25a、25bそ
れぞれの接合面を重ね合わせることで接合が完了する。なお、基板25a、25bそれぞ
れの接合面を重ね合わせる際、必要に応じて所定の力で加圧する。
しかしながら、図2に示すように基板の斜め方向からイオンを照射する場合には、基板
の接合面近傍において、粒子源に近い側ではイオンの分布密度が高くなり、粒子源から離
れた側ではイオンの分布密度が低くなるので、基板面に対してイオンの分布を均一にする
ことは困難である。その結果、基板の接合面の活性化状態が不均一となってしまい、広い
面積の基板ほど不均一性は増大する。
の接合面近傍において、粒子源に近い側ではイオンの分布密度が高くなり、粒子源から離
れた側ではイオンの分布密度が低くなるので、基板面に対してイオンの分布を均一にする
ことは困難である。その結果、基板の接合面の活性化状態が不均一となってしまい、広い
面積の基板ほど不均一性は増大する。
このため、二つの基板同士を接合して一体化する場合、その接合の強さが基板の場所に
より不均一となってしまうため、たとえば、電子デバイスを構成するために、少なくとも
一方の基板が配列されたキャビティを有する基板の場合には、配列された各々のキャビテ
ィ部分の接合後の気密性にバラツキを生じることになる。したがって、気密性が特性に影
響するようなデバイスにおいては、デバイス特性もばらついてしまうという課題を有して
いた。
より不均一となってしまうため、たとえば、電子デバイスを構成するために、少なくとも
一方の基板が配列されたキャビティを有する基板の場合には、配列された各々のキャビテ
ィ部分の接合後の気密性にバラツキを生じることになる。したがって、気密性が特性に影
響するようなデバイスにおいては、デバイス特性もばらついてしまうという課題を有して
いた。
そこで本発明は、イオンなどの粒子を衝突させて接合面を活性化する際、その活性化状
態を基板全体にわたり均一にすることができ、広い面積にわたり均一な接合が可能となり
基板同士の接合精度を向上できる接合装置を提供することを目的とするものである。
態を基板全体にわたり均一にすることができ、広い面積にわたり均一な接合が可能となり
基板同士の接合精度を向上できる接合装置を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するため、本発明の接合装置は、真空槽にカソードとアノードとを対向
して設け、このカソードとアノード間にプラズマを形成すると共に、このプラズマ領域を
磁力により平板状に形成するプラズマ領域形成手段と、前記平板状のプラズマ領域を挟ん
で対向する位置に配置され、電圧を印加することが可能な一対の基板ホルダーとを有する
ことを特徴とする。
して設け、このカソードとアノード間にプラズマを形成すると共に、このプラズマ領域を
磁力により平板状に形成するプラズマ領域形成手段と、前記平板状のプラズマ領域を挟ん
で対向する位置に配置され、電圧を印加することが可能な一対の基板ホルダーとを有する
ことを特徴とする。
このような構成にすれば、平板状に均一に形成されたプラズマ領域を挟んで対向する位
置に設置される基板に電圧を印加することで、平板状のプラズマ領域から均一にイオンな
どの粒子を引き出し、それぞれの基板の接合面に照射させることが可能であるため、接合
面の活性化を均一に行え、基板全体にわたり均一な接合を達成することが可能となる。
置に設置される基板に電圧を印加することで、平板状のプラズマ領域から均一にイオンな
どの粒子を引き出し、それぞれの基板の接合面に照射させることが可能であるため、接合
面の活性化を均一に行え、基板全体にわたり均一な接合を達成することが可能となる。
本発明の接合装置は、一対の基板ホルダーの少なくとも一方が対向する基板ホルダーに
向かって移動可能な移動機構を有することができる。
向かって移動可能な移動機構を有することができる。
このような構成にすれば、接合面の活性化に引き続いて、装置の外部に基板を取り出す
ことなく、基板の接合面同士を接触させることができるため、活性化の効果が高い状態で
接合することが可能となる。また、必要に応じて接合面同士を加圧することも可能となる
。
ことなく、基板の接合面同士を接触させることができるため、活性化の効果が高い状態で
接合することが可能となる。また、必要に応じて接合面同士を加圧することも可能となる
。
さらに、本発明の接合装置は、一対の基板ホルダーの少なくとも一方にアライメント機
構を有することができる。
構を有することができる。
このような構成にすれば、一対の基板ホルダーの少なくとも一つにアライメント機構を
有しているため、一対の基板の接合面の活性化の後、装置の外部に基板を取り出すことな
く、一対の基板の位置合わせをすることが可能となるため、活性化された接合面が外気と
反応して活性化の効果が失われることがなくなる。
有しているため、一対の基板の接合面の活性化の後、装置の外部に基板を取り出すことな
く、一対の基板の位置合わせをすることが可能となるため、活性化された接合面が外気と
反応して活性化の効果が失われることがなくなる。
さらに、本発明の接合装置の一対の基板ホルダーは、基板の非接合面を保持する基板保
持機構を有することができる。
持機構を有することができる。
このような構成にすれば、一対の基板ホルダーは基板の接合面とは反対の面(非接合面
)を保持する機構のため、基板の接合面に接触することがなく、基板の接合面への異物付
着を防ぐことが可能となる。
)を保持する機構のため、基板の接合面に接触することがなく、基板の接合面への異物付
着を防ぐことが可能となる。
さらに、本発明の接合装置は、一対の基板ホルダーが加熱機構および冷却機構を有する
ことができる。
ことができる。
このような構成にすれば、一対の基板ホルダーが加熱機構および冷却機構を備えている
ため、接合作業の前に加熱処理による基板の吸着成分の脱離除去が可能となる。また、冷
却機構もあわせ持つため、熱膨張の異なる材料同士の基板の接合であっても、加熱処理の
後、直ちに冷却でき、常温での接合が可能となるので、熱膨張の違いによる接合界面への
応力発生がなくなり、強度的に強い接合を実現することが可能となる。
ため、接合作業の前に加熱処理による基板の吸着成分の脱離除去が可能となる。また、冷
却機構もあわせ持つため、熱膨張の異なる材料同士の基板の接合であっても、加熱処理の
後、直ちに冷却でき、常温での接合が可能となるので、熱膨張の違いによる接合界面への
応力発生がなくなり、強度的に強い接合を実現することが可能となる。
さらに、本発明の接合装置は、一対の基板ホルダーに印加する電圧は、それぞれ独立し
た任意の電圧とすることができる。
た任意の電圧とすることができる。
このような構成にすれば、一対の基板ホルダーに印加する電圧は、それぞれ独立して任
意の電圧を印加できるため、接合する二つの基板の材料が異種の材料であっても、それぞ
れの材料に最適な活性化の条件を独立して設定可能となり、接合可能な基板の材料の組み
合わせの自由度を増すことが可能となる。
意の電圧を印加できるため、接合する二つの基板の材料が異種の材料であっても、それぞ
れの材料に最適な活性化の条件を独立して設定可能となり、接合可能な基板の材料の組み
合わせの自由度を増すことが可能となる。
本発明によれば、平板状に均一に形成されたプラズマ領域を挟んで対向する位置に設置
される基板に電圧を印加することで、平板状のプラズマ領域から均一にイオンなどの粒子
を引き出し、それぞれの基板の接合面に照射させることが可能であるため、接合面の活性
化を均一に行え、基板全体にわたり均一な接合を達成することが可能となる。
される基板に電圧を印加することで、平板状のプラズマ領域から均一にイオンなどの粒子
を引き出し、それぞれの基板の接合面に照射させることが可能であるため、接合面の活性
化を均一に行え、基板全体にわたり均一な接合を達成することが可能となる。
本発明の最良の実施形態について図1を用いて説明する。
図1は本実施例における接合装置の断面図であり、図1(a)は本実施例における接合
装置の側面から見た断面図、図1(b)は本実施例における接合装置の上面から見た断面
図である。
図1は本実施例における接合装置の断面図であり、図1(a)は本実施例における接合
装置の側面から見た断面図、図1(b)は本実施例における接合装置の上面から見た断面
図である。
図1(a)、(b)に示すように、本実施例の接合装置10は、真空槽12にカソード
13とアノード14とが対向して設けられ、平板状のプラズマ領域11を形成するために
同じ極同士の面を向い合せた構造の磁力発生機構20a、20bがカソード13の近傍の
プラズマを挟む位置に設けられている。カソード13で発生する電子はアノード14に引
き込まれるが、カソード13からアノード14への移動の際、真空槽12内に存在するガ
ス粒子の電離を引き起こして、通常は円筒状のプラズマが形成される。しかしながら、本
発明においては、磁力線同士が反発するようにカソード13の近傍に磁力発生機構20a
、20bを設けているため、プラズマの電場と磁力発生機構の磁場の相対的な関係で、電
子が通る領域が規制され平板状となり、結果として平板状のプラズマ領域11を形成する
ことができる。この平板状のプラズマ領域11を挟んで対向する位置に一対の基板ホルダ
ー16a、16bが設けられている。この基板ホルダー16a、16bは電圧を印加でき
る構造となっているとともに、一対の基板ホルダー16a、16bの少なくとも一方には
移動機構19が備わっており、他方の基板ホルダーとを結ぶ軸上を移動することが可能な
構造となっている。また、図示していないが、基板ホルダー16a、16bには、基板1
7a、17bを加熱あるいは冷却するための加熱機構ならびに冷却機構が備わった構造と
なっている。
13とアノード14とが対向して設けられ、平板状のプラズマ領域11を形成するために
同じ極同士の面を向い合せた構造の磁力発生機構20a、20bがカソード13の近傍の
プラズマを挟む位置に設けられている。カソード13で発生する電子はアノード14に引
き込まれるが、カソード13からアノード14への移動の際、真空槽12内に存在するガ
ス粒子の電離を引き起こして、通常は円筒状のプラズマが形成される。しかしながら、本
発明においては、磁力線同士が反発するようにカソード13の近傍に磁力発生機構20a
、20bを設けているため、プラズマの電場と磁力発生機構の磁場の相対的な関係で、電
子が通る領域が規制され平板状となり、結果として平板状のプラズマ領域11を形成する
ことができる。この平板状のプラズマ領域11を挟んで対向する位置に一対の基板ホルダ
ー16a、16bが設けられている。この基板ホルダー16a、16bは電圧を印加でき
る構造となっているとともに、一対の基板ホルダー16a、16bの少なくとも一方には
移動機構19が備わっており、他方の基板ホルダーとを結ぶ軸上を移動することが可能な
構造となっている。また、図示していないが、基板ホルダー16a、16bには、基板1
7a、17bを加熱あるいは冷却するための加熱機構ならびに冷却機構が備わった構造と
なっている。
次に本実施例の接合装置により、基板同士を接合する方法について説明する。
まず、基板17aを真空槽12の内部に搬送し、その基板17aを真空槽12の上方に
設けられた基板ホルダー16aに取り付ける。取り付け手段としては、基板ホルダー16
aに設けた基板保持機構、例えば、静電チャック手法により、基板17aの非接合面を静
電気力により貼り付け保持する構成とすることができる。次に、基板17bを真空槽12
の内部に搬送し、その基板17bを真空槽12の下方に設けられた基板ホルダー16bに
取り付ける。取り付け手段は、前記した基板17aの基板ホルダー16aへの取り付け手
段と同様の構成とすることができる。これら二枚の基板17a、17bは、対向するカソ
ード13とアノード14とを結ぶ仮想線を挟んで向かい合う位置に配備される。
まず、基板17aを真空槽12の内部に搬送し、その基板17aを真空槽12の上方に
設けられた基板ホルダー16aに取り付ける。取り付け手段としては、基板ホルダー16
aに設けた基板保持機構、例えば、静電チャック手法により、基板17aの非接合面を静
電気力により貼り付け保持する構成とすることができる。次に、基板17bを真空槽12
の内部に搬送し、その基板17bを真空槽12の下方に設けられた基板ホルダー16bに
取り付ける。取り付け手段は、前記した基板17aの基板ホルダー16aへの取り付け手
段と同様の構成とすることができる。これら二枚の基板17a、17bは、対向するカソ
ード13とアノード14とを結ぶ仮想線を挟んで向かい合う位置に配備される。
その後、真空槽12の内部を図示していない真空ポンプ等で排気口18から減圧した後
、この対向する二枚の基板17a、17bの間に平板状のプラズマ領域11を形成し、基
板ホルダー16a、16bそれぞれにプラズマ電位に対して負の電圧を印加することで、
プラズマ領域11からイオンを基板17a、17bそれぞれに衝突させ、基板17a、1
7bそれぞれの接合面を活性化する。
、この対向する二枚の基板17a、17bの間に平板状のプラズマ領域11を形成し、基
板ホルダー16a、16bそれぞれにプラズマ電位に対して負の電圧を印加することで、
プラズマ領域11からイオンを基板17a、17bそれぞれに衝突させ、基板17a、1
7bそれぞれの接合面を活性化する。
基板17a、17bそれぞれの接合面を活性化した後、プラズマを停止して、例えば、
一方の基板ホルダー16aが移動機構19により対向する他方の基板ホルダー16bの方
向に移動し、二枚の基板17a、17bの活性化した接合面を接触させ、二枚の基板17
a、17bの接合を完了する。なお、基板17a、17bそれぞれの接合面を重ね合わせ
る際、必要に応じて所定の力で加圧することもできる。
一方の基板ホルダー16aが移動機構19により対向する他方の基板ホルダー16bの方
向に移動し、二枚の基板17a、17bの活性化した接合面を接触させ、二枚の基板17
a、17bの接合を完了する。なお、基板17a、17bそれぞれの接合面を重ね合わせ
る際、必要に応じて所定の力で加圧することもできる。
図1(a)、(b)に示すように、本実施例の接合装置10においては、広い範囲に渡
り均一な平板状のプラズマ領域11を二枚の基板17a、17bの間に形成しているため
、広い面積の基板であっても、図1(b)に示すように、前記基板17a、17bは、そ
の基板面全域に渡って均一な平板状のプラズマ領域11に覆われた構成となるので、基板
の均一な活性化が可能となる。よって、基板の全域に渡り、均一な接合を達成することが
可能となる。
り均一な平板状のプラズマ領域11を二枚の基板17a、17bの間に形成しているため
、広い面積の基板であっても、図1(b)に示すように、前記基板17a、17bは、そ
の基板面全域に渡って均一な平板状のプラズマ領域11に覆われた構成となるので、基板
の均一な活性化が可能となる。よって、基板の全域に渡り、均一な接合を達成することが
可能となる。
また、二枚の基板17a、17bは、図示していないアライメント機構により、接合す
る前に位置合わせをすることも可能である。
る前に位置合わせをすることも可能である。
図1では、基板ホルダー16a、16bの一方が他方に向かって移動する場合を示した
が、基板ホルダー16a、16bの双方が互いに近づく場合でも、同様に接合を達成する
ことが可能である。
が、基板ホルダー16a、16bの双方が互いに近づく場合でも、同様に接合を達成する
ことが可能である。
また、図1に示すように、二つの基板ホルダー16a、16bに電圧を印加する電源2
1a、21bを設け、各印加電圧をそれぞれ独立に制御することにより、二枚の基板17
a、17bがそれぞれ異なる材料であっても、基板17a、17bそれぞれの活性化に適
する電圧を選択することが可能となり、接合できる材料の組み合わせの範囲を拡大するこ
とも可能となる。
1a、21bを設け、各印加電圧をそれぞれ独立に制御することにより、二枚の基板17
a、17bがそれぞれ異なる材料であっても、基板17a、17bそれぞれの活性化に適
する電圧を選択することが可能となり、接合できる材料の組み合わせの範囲を拡大するこ
とも可能となる。
図1には図示していないが、二つの基板ホルダー16a、16bにヒーター等を設ける
ことにより、接合前に基板17a、17bを加熱することが可能となり、基板に吸着して
いる水分等の脱ガス処理を行うことが可能である。また、水冷等による冷却機構を備える
ことにより、加熱処理後、直ちに常温まで戻すことが可能となり、二つの基板の材質が異
なる場合など、熱膨張率の差に起因する残留応力の発生による接合強度の劣化を抑えるこ
とができる。
ことにより、接合前に基板17a、17bを加熱することが可能となり、基板に吸着して
いる水分等の脱ガス処理を行うことが可能である。また、水冷等による冷却機構を備える
ことにより、加熱処理後、直ちに常温まで戻すことが可能となり、二つの基板の材質が異
なる場合など、熱膨張率の差に起因する残留応力の発生による接合強度の劣化を抑えるこ
とができる。
10 接合装置
11 プラズマ領域
12 真空槽
13 カソード
14 アノード
16a、16b 基板ホルダー
17a、17b 基板
18 排気口
19 移動機構
20a、20b 磁力発生機構
21a、21b 電源
22 接合装置
23 真空槽
24a、24b 基板ホルダー
25a、25b 基板
26a、26b 粒子源
27 排気口
28 加圧機構
11 プラズマ領域
12 真空槽
13 カソード
14 アノード
16a、16b 基板ホルダー
17a、17b 基板
18 排気口
19 移動機構
20a、20b 磁力発生機構
21a、21b 電源
22 接合装置
23 真空槽
24a、24b 基板ホルダー
25a、25b 基板
26a、26b 粒子源
27 排気口
28 加圧機構
Claims (6)
- 基板同士を接合して一体化する接合装置であって、真空槽にカソードとアノードとを対
向して設け、このカソードとアノード間にプラズマを形成すると共に、このプラズマ領域
を磁力により平板状に形成するプラズマ領域形成手段と、前記平板状のプラズマ領域を挟
んで対向する位置に配置され、電圧を印加することが可能な一対の基板ホルダーとを有す
ることを特徴とする接合装置。 - 前記一対の基板ホルダーの少なくとも一方が対向する基板ホルダーに向かって移動可能
な移動機構を有することを特徴とする請求項1に記載する接合装置。 - 前記一対の基板ホルダーの少なくとも一方にアライメント機構を有することを特徴とす
る請求項1又は2に記載する接合装置。 - 前記一対の基板ホルダーは、前記基板の非接合面を保持する基板保持機構を有すること
を特徴とする請求項1〜3の何れか1つに記載する接合装置。 - 前記一対の基板ホルダーは、加熱機構および冷却機構を有することを特徴とする請求項
1〜4の何れか1つに記載する接合装置。 - 前記一対の基板ホルダーに印加する電圧は、それぞれ独立して任意の電圧を印加できる
ことを特徴とする請求項1〜5の何れか1つに記載する接合装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008038771A JP2009200156A (ja) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | 接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008038771A JP2009200156A (ja) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | 接合装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009200156A true JP2009200156A (ja) | 2009-09-03 |
Family
ID=41143373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008038771A Pending JP2009200156A (ja) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | 接合装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009200156A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011105326A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置 |
WO2011105325A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2019012781A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 株式会社 セルバック | 接合装置 |
-
2008
- 2008-02-20 JP JP2008038771A patent/JP2009200156A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011105326A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置 |
WO2011105325A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011181633A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | 接合装置 |
US8819923B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-09-02 | Tokyo Electron Limited | Joint apparatus |
TWI474420B (zh) * | 2010-02-26 | 2015-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 接合裝置 |
JP2019012781A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 株式会社 セルバック | 接合装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5270310B2 (ja) | 静電チャック及び基板処理装置 | |
KR102445060B1 (ko) | 기판끼리의 접합 방법, 기판 접합 장치 | |
US7645681B2 (en) | Bonding method, device produced by this method, and bonding device | |
KR102175862B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
WO2017155002A1 (ja) | 基板接合方法 | |
JP5936361B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4935143B2 (ja) | 載置台及び真空処理装置 | |
JP2009010263A (ja) | 基板接合装置 | |
TWI525697B (zh) | Gas spray construction and substrate processing device | |
US20120028057A1 (en) | Ceramic-metal bonded body and method of producing the same | |
JP4695014B2 (ja) | 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置 | |
JP2011119654A (ja) | 静電チャック用基板及び静電チャック | |
JP5082246B2 (ja) | プラズマ発生用の電極、プラズマ処理装置及びプラズマ発生用の電極の製造方法 | |
WO2012043054A1 (ja) | 常温接合装置および常温接合方法 | |
JP2009200156A (ja) | 接合装置 | |
JP6052184B2 (ja) | 静電クランプおよびイオン注入システム | |
JP6469985B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20090088041A1 (en) | Display substrate manufacturing method and vacuum processing apparatus | |
JP2008166586A (ja) | 接合方法 | |
JP2005191556A (ja) | ガス封入金接合方法及び装置 | |
JP2005187321A (ja) | 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置 | |
JP2009099957A (ja) | 表示用基板の製造方法および真空処理装置 | |
JP2011025302A (ja) | プラズマ基板表面処理接合方法とその装置 | |
JP5086206B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH07231034A (ja) | 板状物の固定方法および装置ならびにプラズマ処理装置 |