JP2009200107A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】P型ウエル注入層とN型ウエル注入層の不純物の熱拡散が抑制され、PN分離幅が狭く形成された半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板1上にP型ウエル領域6aとN型ウエル領域7aとウエル分離領域20とが備えられた半導体装置101であって、前記P型ウエル領域6aと前記N型ウエル領域7aに素子分離溝4aが設けられ、区画された活性領域4bが形成され、前記P型ウエル領域6aにP型ウエル注入層6が形成され、前記N型ウエル領域7aにN型ウエル注入層7が形成され、前記ウエル分離領域20にウエル分離溝4cが設けられ、前記ウエル分離溝4cの溝底面22cの下に不純物拡散抑制層8が形成され、前記P型ウエル注入層6および前記N型ウエル注入層7が、前記素子分離溝4aよりも深く、前記ウエル分離溝4cよりも浅くされている半導体装置101により、上記課題を解決できる。
【選択図】図5
Description
まず、シリコン基板1表面にシリコン酸化膜2を形成し、さらに、シリコン酸化膜2上にシリコン窒化膜3を形成する。次に、図18に示すように、通常のフォトリソグラフィ・プロセスとドライエッチング・プロセスを用いてシリコン窒化膜3のパターンニングを行い、複数の離間されたシリコン窒化膜3からなるP型ウエル領域6aおよびN型ウエル領域7aと、窒化膜が除去されたウエル分離領域20とを形成する。
次に、図19に示すように、全面に素子分離酸化膜4を形成する。この結果、素子分離溝4aは素子分離絶縁膜4で埋設され、活性領域4bは絶縁分離される。
この後、注入不純物を活性化するための熱処理を行ない、図22(a)に示すように、P型ウエル領域6aおよびN型ウエル領域7aを形成する。
従来、これらの不都合を回避するために、ウエル分離領域20の幅L1を十分大きくした間隔で設計しており、半導体装置の高集積化を図る上で大きな障害となっていた。
本発明を実施形態である半導体装置および半導体装置の製造方法について、以下の実施形態に基づいて具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施形態にのみ限定されるものではない。
図5は、本発明の実施形態である半導体装置の一例を示す断面模式図である。
本発明の実施形態である半導体装置101は、シリコン基板1上に、P型ウエル領域6aと、N型ウエル領域7aと、ウエル分離領域20とが備えられて概略構成されている。ウエル分離領域20は、P型ウエル領域6aとN型ウエル領域7aを分離する構成とされている。
一方、ウエル分離領域20には、ウエル分離酸化膜5が埋設されたウエル分離溝4cが設けられている。
一方、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cの溝底面22cの下に、不純物拡散抑制層8が形成されている。不純物拡散抑制層8は、不純物拡散抑制用の元素が注入されて形成された層である。
このような構造とすることにより、P型ウエル注入層6とN型ウエル注入層7の不純物が熱拡散して、P型ウエル注入層6およびN型ウエル注入層7の下底部が、ウエル分離酸化膜5の下方に広がり、P型ウエル注入層6およびN型ウエル注入層7の広がった端が互いに接近することを抑制することができる。
炭素、窒素、フッ素またはゲルマニウムのいずれかの1種または2種以上の元素は、P型ウエル注入層6とN型ウエル注入層7に注入された不純物の拡散を阻害することができるので、ウエル分離溝4cの溝底面の下に、これらの元素を注入した不純物拡散抑制層8を形成することによって、P型ウエル注入層6とN型ウエル注入層7の不純物の熱拡散を阻害することができ、PN分離特性を向上させることができる。
不純物拡散抑制用の元素の濃度をP型ウエル注入層6およびN型ウエル注入層7に注入するドーパント元素の濃度と同程度とすることによって、不純物拡散抑制層8の不純物拡散抑制効果を高めることができる。
次に、本発明の実施形態である半導体装置の製造方法の一例について、図1〜図6を用いて説明する。
本発明の実施形態である半導体装置101の製造方法は、基板の一面に、酸化膜および窒化膜を順次形成する工程(酸化膜・窒化膜形成工程)と、前記窒化膜、前記酸化膜および前記基板に素子分離溝を設けて活性領域を形成した後、前記素子分離溝を埋めるように素子分離酸化膜を形成する工程(素子分離溝および素子分離酸化膜形成工程)と、前記窒化膜、前記酸化膜および前記基板にウエル分離溝を設けた後、前記ウエル分離溝の溝底面の下に、不純物拡散抑制用の元素を注入して不純物拡散抑制層を形成する工程(ウエル分離溝および不純物拡散抑制層形成工程)と、前記ウエル分離溝を埋めるように、ウエル分離酸化膜を形成する工程(ウエル分離酸化膜形成工程)と、P型ウエル注入層およびN型ウエル注入層が前記素子分離溝よりも深くされ、かつ、前記ウエル分離溝よりも浅くされるように、前記活性領域にP型のドーパント元素またはN型のドーパント元素を注入してP型ウエル注入層およびN型ウエル注入層を形成する工程(P型ウエル注入層およびN型ウエル注入層形成工程)と、を有する。
まず、シリコン基板1の一面1aに、熱酸化法により、厚さ10nmのシリコン酸化膜2を形成する。
次に、前記シリコン酸化膜2上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、厚さ80nmのシリコン窒化膜3を形成する。
次に、通常のフォトリソグラフィ・プロセスにより、所定のフォトレジストパターンを形成した後、そのフォトレジストパターンをマスクとしてシリコン窒化膜3をドライエッチングする。
図1に示すように、P型ウエル領域6aとN型ウエル領域7a内に、一定のピッチ間隔P3で離間されてなるシリコン窒化膜3が形成されるとともに、P型ウエル領域6aとN型ウエル領域7aの間には、幅W20のウエル分離領域20が形成される。たとえば、ピッチ間隔P3は100nmとし、幅W20は300nmとする。
たとえば、素子分離溝4aおよび開口部22の深さd4aは100nmとする。
素子分離酸化膜4の膜厚は、ピッチ間隔P3の1/2の厚さよりは厚く、ウエル分離領域20の幅W20の1/2の厚さよりは薄くなるように形成することが好ましい。たとえば、ピッチ間隔P3を100nmとし、ウエル分離領域20の幅W20を300nmとした場合には、素子分離酸化膜4の膜厚は、50nmより厚く150nmより薄くすることが好ましい。たとえば、素子分離酸化膜4の膜厚は70nmとする。
このようにすることにより、素子分離溝4aを素子分離酸化膜4によって完全に埋めることができるとともに、ウエル分離領域20を素子分離酸化膜4によって完全に埋めないようにすることができる。その結果、次のウエル分離溝形成工程において、除去する素子分離酸化膜4の量を少なくすることができ、ウエル分離溝を効率よく形成することができる。
次に、シリコン窒化膜3の一面3a上およびウエル分離領域20のシリコン基板1の一面1a’上に形成された素子分離酸化膜4をドライエッチング法によりエッチバックして除去する。
さらに、マイクロローディング効果を用いて、ウエル分離領域20内で露出されたシリコン基板1の一面1a’をドライエッチング法により100nmの深さだけエッチングする。ウエル分離溝4cが深さd4cで形成される。
マイクロローディング効果とは、ウエハのチップパターンの粗密によりエッチング速度が異なる現象であり、密のチップパターンの場所ではエッチング速度が遅くなり、粗のチップパターンの場所ではエッチング速度が速くなる現象である。
本発明においては、P型ウエル領域6aとN型ウエル領域7aには、垂直断面形状が櫛状とされた活性領域4bが形成されて密のチップパターンの場所とされ、ウエル分離領域20は粗のチップパターンの場所とされる構成なので、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cに埋設されたシリコン酸化膜4をエッチングする速度が、素子分離溝4aに埋設されたシリコン酸化膜4をエッチングする速度よりも速くなる。そのため、ウエル分離領域20により深いウエル分離溝4cを効率的に、かつ、容易に形成することができる。
不純物拡散抑制層8のイオン注入条件は、たとえば、注入する元素として炭素を用い、20keVのエネルギーで1E15/cm2で注入させる条件などを挙げることができる。
不純物拡散抑制用の元素は、炭素に限るものではなく、窒素、フッ素またはゲルマニウムのいずれか1種を用いることができ、また、2種以上を混在させて用いることもできる。
次に、HDP(High Density Plasma:高密度プラズマ)法を用いて、表面側全面を覆うとともに、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cを埋めるように、厚さ300nmのシリコン酸化膜からなるウエル分離酸化膜5を形成する。
次に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、表面側のウエル分離酸化膜5をシリコン窒化膜3の表面3aが露出するまで削り取る。
図4に示すように、表面側が平坦化され、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cにシリコン酸化膜からなるウエル分離酸化膜5が埋設される。
次に、シリコン酸化膜のウエットエッチングを行って、素子分離酸化膜4およびウエル分離酸化膜5の表面側をシリコン窒化膜3の厚さだけエッチング除去した後、シリコン窒化膜のウエットエッチングを行って、シリコン窒化膜3を取り除いて、シリコン酸化膜2の一面2aを露出させる。
なお、このイオン注入工程においては、P型ウエル注入層6の深さd67が、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cの深さd4cよりも浅く、素子分離溝4aの深さd4aよりも深くなるように、イオン注入を行う。
なお、このイオン注入工程においても同様に、N型ウエル注入層7の深さd67が、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cの深さd4cよりも浅く、素子分離溝4aの深さd4aよりも深くなるように、イオン注入を行う。
図11は、本発明の実施形態である半導体装置の別の一例を示す断面模式図である。
本発明の実施形態である半導体装置102は、ウエル分離領域20のウエル分離幅W4cが、実施形態1のウエル分離幅W4cよりも狭くされたことの除いては実施形態1と同様の構成とされている。なお、実施形態1の部材と同一の部材については同一の符号を付して示している。
次に、本発明の実施形態である半導体装置102の製造方法の一例について、図6〜図11を用いて説明する。
本発明の実施形態である半導体装置102の製造方法は、ウエル分離溝をフォトリソグラフィック・プロセスにより形成することを除いては、実施形態1と同様のプロセスとされている。
(酸化膜・窒化膜形成工程)
まず、シリコン基板1の一面1aに、熱酸化法により、厚さ10nmのシリコン酸化膜2を形成する。
次に、前記シリコン酸化膜2上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、厚さ80nmのシリコン窒化膜3を積層する。
次に、通常のフォトリソグラフィ・プロセスにより、所定のフォトレジストパターンを形成した後、そのフォトレジストパターンをマスクとしてシリコン窒化膜3をドライエッチングする。
図6に示すように、P型ウエル領域6aとN型ウエル領域7a内に、一定のピッチ間隔P3で離間されてなるシリコン窒化膜3が形成されるとともに、P型ウエル領域6aとN型ウエル領域7aの間には、幅W20のウエル分離領域20が形成される。たとえば、ピッチ間隔P3は100nmとし、幅W20は300nmとする。
たとえば、素子分離溝4aおよび開口部23の深さd4aは100nmとする。
次に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、表面側の素子分離酸化膜10をシリコン窒化膜3の表面3aが露出するまで削り取る。
図8に示すように、表面側が平坦化され、素子分離溝4aおよびウエル分離領域20の開口部23にシリコン酸化膜からなる素子分離酸化膜10が埋設される。
次に、シリコン酸化膜のウエットエッチングを行って、素子分離酸化膜10の表面側をシリコン窒化膜3の厚さだけエッチング除去した後、シリコン窒化膜のウエットエッチングを行って、シリコン窒化膜3を取り除いて、シリコン酸化膜2の一面2aを露出させる。
次に、図9に示すように、CVD法により、シリコン酸化膜2の一面2a側に、厚さ80nmのシリコン窒化膜からなる保護窒化膜9を形成する。
このようにして、たとえば、ウエル分離幅W4cが150nm、深さd30が240nmのウエル分離溝4cが形成される。
次に、HDP(High Density Plasma:高密度プラズマ)法を用いて、表面側全面を覆うとともに、ウエル分離溝30を埋めるように、厚さ300nmのシリコン酸化膜からなるウエル分離酸化膜10を形成する。
次に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、表面側のウエル分離酸化膜10を保護窒化膜9の一面9aが露出するまで削り取る。
表面側が平坦化され、ウエル分離溝30にシリコン酸化膜からなるウエル分離酸化膜5が形成される。
次に、シリコン酸化膜のウエットエッチングを行って、ウエル分離酸化膜5の表面側を保護窒化膜9の厚さだけエッチング除去した後、シリコン窒化膜のウエットエッチングを行って、保護窒化膜9を取り除いて、シリコン酸化膜2の一面2aを露出させる。
なお、このイオン注入工程においては、P型ウエル注入層6の深さd67が、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cの深さd4cよりも浅く、素子分離溝4aの深さd4aよりも深くなるように、イオン注入を行う。
なお、このイオン注入工程においても同様に、N型ウエル注入層7の深さd67が、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cの深さd4cよりも浅く、素子分離溝4aの深さd4aよりも深くなるように、イオン注入を行う。
次に、本発明の実施形態である半導体装置102の製造方法の別の一例について、図12〜図17を用いて説明する。
本発明の実施形態である半導体装置102の別の製造方法は、基板の一面に、酸化膜および窒化膜を順次形成する工程(酸化膜・窒化膜形成工程)と、前記窒化膜、前記酸化膜および前記基板にウエル分離溝を設けた後、前記ウエル分離溝の溝底面の下に、不純物拡散抑制用の元素を注入して不純物拡散抑制層を形成する工程(ウエル分離溝および不純物拡散抑制層形成工程)と、前記ウエル分離溝を埋めるように、ウエル分離酸化膜を形成する工程(ウエル分離酸化膜形成工程)と、前記窒化膜、前記酸化膜および前記基板に素子分離溝を設けて活性領域を形成した後、前記素子分離溝を埋めるように素子分離酸化膜を形成する工程(素子分離溝および素子分離酸化膜形成工程)と、P型ウエル注入層およびN型ウエル注入層が前記素子分離溝よりも深くされ、かつ、前記ウエル分離溝よりも浅くされるように、前記活性領域にP型のドーパント元素またはN型のドーパント元素を注入してP型ウエル注入層およびN型ウエル注入層を形成する工程(P型ウエル注入層およびN型ウエル注入層形成工程)と、を有する。
まず、シリコン基板1の表面1aに、熱酸化法により、厚さ10nmのシリコン酸化膜2を形成する。
次に、CVD法により、厚さ80nmのシリコン窒化膜3を積層する。
次に、通常のフォトリソグラフィ・プロセスにより、ウエル分離溝用のフォトレジストパターンを形成した後、そのフォトレジストパターンをマスクとしてシリコン窒化膜3をドライエッチングする。
図12に示すように、シリコン窒化膜3にウエル分離溝4cが形成される。たとえば、ウエル分離溝4cのウエル分離幅W4cは150nmとする。
次に、HDP(High Density Plasma:高密度プラズマ)法を用いて、表面側全面に、かつ、ウエル分離溝30を埋めるように、厚さ300nmのシリコン酸化膜からなるウエル分離酸化膜5を形成する。
次に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、表面側のウエル分離酸化膜5をシリコン窒化膜3の一面3aが露出するまで削り取る。
図14に示すように、表面側が平坦化され、ウエル分離溝4cにシリコン酸化膜からなるウエル分離酸化膜5が埋設される。
次に、シリコン酸化膜のウエットエッチングを行い、シリコン酸化膜からなるウエル分離酸化膜5の表面側をシリコン窒化膜3の厚さだけエッチングした後、シリコン窒化膜のウエットエッチングを行い、シリコン窒化膜3を取り除いて、シリコン酸化膜2の表面2aを露出させる。
次に、図15に示すように、CVD法により、シリコン酸化膜2の表面2a側に、厚さ80nmのシリコン窒化膜からなる保護窒化膜9を形成する。
たとえば、ピッチ間隔P3が100nmの保護窒化膜9を形成する。また、ウエル分離領域20の幅W20は150nmとする。
たとえば、素子分離溝4aおよび開口部45の深さd4aは100nmとする。
次に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、表面側の素子分離酸化膜10を保護窒化膜9の表面9aが露出するまで削り取る。
表面側が平坦化され、素子分離溝4aおよび開口部45に素子分離酸化膜10が埋設される。
次に、シリコン酸化膜のウエットエッチングを行って、素子分離酸化膜10の表面側を保護窒化膜9の厚さだけエッチング除去した後、シリコン窒化膜のウエットエッチングを行って、保護窒化膜9を取り除いて、シリコン酸化膜2の一面2aを露出させる。
なお、このイオン注入工程においては、P型ウエル注入層6の深さd67が、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cの深さd4cよりも浅く、素子分離溝4aの深さd4aよりも深くなるように、イオン注入を行う。
なお、このイオン注入工程においても同様に、N型ウエル注入層7の深さd67が、ウエル分離領域20のウエル分離溝4cの深さd4cよりも浅く、素子分離溝4aの深さd4aよりも深くなるように、イオン注入を行う。
Claims (6)
- 基板上に、P型ウエル領域と、N型ウエル領域と、前記P型ウエル領域と前記N型ウエル領域を分離するウエル分離領域とが備えられた半導体装置であって、
前記P型ウエル領域および前記N型ウエル領域にはそれぞれ、素子分離酸化膜が埋設された素子分離溝が設けられるとともに、前記素子分離溝によって区画された活性領域が形成され、前記P型ウエル領域の活性領域にP型のドーパント元素が注入されてP型ウエル注入層が形成され、前記N型ウエル領域の活性領域にN型のドーパント元素が注入されてN型ウエル注入層が形成され、
前記ウエル分離領域には、ウエル分離酸化膜が埋設されたウエル分離溝が設けられ、前記ウエル分離溝の溝底面の下に、不純物拡散抑制用の元素が注入されて不純物拡散抑制層が形成され、
前記P型ウエル注入層および前記N型ウエル注入層が、前記素子分離溝よりも深くされ、かつ、前記ウエル分離溝よりも浅くされていることを特徴とする半導体装置。 - 前記不純物拡散抑制用の元素が、炭素、窒素、フッ素またはゲルマニウムのいずれかの1種または2種以上の元素であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 基板の一面に、酸化膜および窒化膜を順次形成する工程と、
前記基板に素子分離溝を設けて活性領域を形成した後、前記素子分離溝を埋めるように素子分離酸化膜を形成する工程と、
前記基板にウエル分離溝を設けた後、前記ウエル分離溝の溝底面の下に、不純物拡散抑制用の元素を注入して不純物拡散抑制層を形成する工程と、
前記ウエル分離溝を埋めるように、ウエル分離酸化膜を形成する工程と、
P型ウエル注入層およびN型ウエル注入層が前記素子分離溝よりも深くされ、かつ、前記ウエル分離溝よりも浅くされるように、前記活性領域にP型のドーパント元素またはN型のドーパント元素を注入してP型ウエル注入層およびN型ウエル注入層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の一面に、酸化膜および窒化膜を順次形成する工程と、
前記基板にウエル分離溝を設けた後、前記ウエル分離溝の溝底面の下に、不純物拡散抑制用の元素を注入して不純物拡散抑制層を形成する工程と、
前記ウエル分離溝を埋めるように、ウエル分離酸化膜を形成する工程と、
前記基板に素子分離溝を設けて活性領域を形成した後、前記素子分離溝を埋めるように素子分離酸化膜を形成する工程と、
P型ウエル注入層およびN型ウエル注入層が前記素子分離溝よりも深くされ、かつ、前記ウエル分離溝よりも浅くされるように、前記活性領域にP型のドーパント元素またはN型のドーパント元素を注入してP型ウエル注入層およびN型ウエル注入層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ウエル分離溝をマイクロローディング効果により形成することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウエル分離溝をフォトリソグラフィック・プロセスにより形成することを特徴とする請求項3または請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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