JP2009190125A - ワークの両頭研削装置およびワークの両頭研削方法 - Google Patents

ワークの両頭研削装置およびワークの両頭研削方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ワークの両頭研削において、ワークのナノトポグラフィーを悪化させる要因となる、ワークを外周側から支持するワークホルダーの自転の軸方向に沿った位置を安定化させることが可能なワークの両頭研削装置および両頭研削方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、薄板状のワークを径方向に沿って外周側から支持する自転可能なワークホルダーと、該ワークホルダーの両側に位置し、ワークホルダーを自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持する一対の静圧支持部材と、ワークホルダーにより支持されたワークの両面を同時に研削する一対の砥石を具備するワークの両頭研削装置であって、ワークホルダーと静圧支持部材の間隔が50μm以下であり、かつ、静圧支持部材がワークホルダーを0.3MPa以上の流体の静圧で支持するものであるワークの両頭研削装置。
【選択図】図6

Description

本発明は、シリコンウエーハ等の薄板状のワークの両面を同時に研削するためのワークの両頭研削装置およびワークの両頭研削方法に関し、特には、ワークを支持するワークホルダーを非接触で支持してワークの両面を研削するワークの両頭研削装置およびワークの両頭研削方法に関する。
例えば直径300mmに代表される大口径シリコンウエーハを採用する先端デバイスでは、近年ナノトポグラフィーと呼ばれる表面うねり成分の大小が問題となっている。ナノトポグラフィーは、ウエーハの表面形状の一種で、ソリやwarpより波長が短く、表面粗さより波長の長い、0.2〜20mmの波長成分の凹凸を示すものであり、PV値は0.1〜0.2μmの極めて浅いうねり成分である。このナノトポグラフィーはデバイス工程におけるSTI(Shallow Trench Isolation)工程の歩留まりに影響すると言われ、デバイス基板となるシリコンウエーハに対し、デザインルールの微細化とともに厳しいレベルが要求されている。
ナノトポグラフィーは、シリコンウエーハの加工工程で作り込まれるものである。特に基準面を持たない加工方法、例えばワイヤーソー切断や両頭研削で悪化しやすく、ワイヤーソー切断における相対的なワイヤーの蛇行や、両頭研削におけるウエーハのユガミの改善や管理が重要である。
シリコンウエーハの鏡面研磨後のナノトポグラフィーは一般的には光学干渉式の測定機、Nanomapper(ADE Corp.製)やDynasearch(株式会社レイテックス製)によって測定される。
図9に示すものはNanomapperにより測定したナノトポグラフィーマップであり、ナノトポグラフィーの強度を濃淡で示したものである。図9(a)はナノトポグラフィーの強度のレベルが特に問題のないマップの例であり、図9(b)は両頭研削工程で作り込まれたレベルの悪い例である。
スライス工程や両頭研削工程等の工程中のワークが非鏡面ウエーハの場合、特許文献1に開示されているように、静電容量方式の測定機から得られたソリ形状に、算術的バンドパスフィルター処理を行うことにより、簡易的にナノトポグラフィーの測定が可能となっている。
図10(a)は、静電容量方式の測定機により測定された、両頭研削されたウエーハのソリ形状に、50mm−1mmのバンドパスフィルター処理をして得られた疑似ナノトポグラフィーの例である。なお、図10(b)は、Nanomapperにより測定した場合のナノトポグラフィーを示すグラフである。
最近要求として主流となりつつある、最終製品時に波長が10mmサイズのナノトポグラフィーレベルが15nm以下となる条件を満足するためには、中間工程における擬似ナノトポグラフィーは0.2μm以下であることが必要とされる。
図12に、両頭研削工程後における疑似ナノトポグラフィーの値と、最終工程後におけるナノトポグラフィーの値との関係を示す。両者の間には良い相関があることが分かる。
ここで、従来の両頭研削方法について説明する。
まず、両頭研削するときに用いられる従来のワークの両頭研削装置の一例を図8に示す。図8に示すように、両頭研削装置101は、薄板状のワークWを径方向に沿って外周側から支持する自転可能なワークホルダー102と、ワークホルダー102の両側に位置し、ワークホルダー102を自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持する一対の静圧支持部材103と、ワークホルダー102により支持されたワークWの両面を同時に研削する一対の砥石104を備えている。砥石104はモータ105に取り付けられており、高速回転できるようになっている。
このような両頭研削装置101を用い、ワークWの両面を研削するときは、まず、ワークWをワークホルダー102により支持する。なお、ワークホルダー102を自転させることにより、ワークWを自転させることができる。また、両側の各々の静圧支持部材103から流体をワークホルダー102と静圧支持部材103の間に供給し、ワークホルダー102を自転の軸方向に沿って流体の静圧によって支持する。そして、このようにしてワークホルダー102および静圧支持部材103で支持され、自転するワークWの両面を、モータ105により高速回転する砥石104を用いて研削する。
従来より、ワークを回転軸方向に支持する手段については、研削中のワークのゆがみが加工面の精度、ナノトポグラフィーに影響するため、さまざまな改良が検討されてきた。
例えば、特許文献2では、ワークの厚さの中心および/またはワークを支持する支持手段の中心と、一対の研削砥石の砥石面間隔の中心との相対位置を制御して研削する事が提案されている。
また、図8のような流体による静圧支持を採用した装置、例えば特許文献3では、ワークを軸方向に支持する表裏面の静圧支持方法に関し、複数のポケットが各々流体の供給孔を具備し、ポケット毎に流体の静圧を調整出来る静圧支持部材を採用する事により、従来装置の持つ調整機能、即ち砥石軸のチルト調整やシフト調整では改善し切れないナノトポグラフィー成分が改善される事を示している。
以上のように、従来の技術では、ワークを研削中に極力変形させないようにする事がナノトポグラフィーの観点から重要であり、砥石軸のチルト制御やシフト制御、ワークを回転軸方向に適正位置に支持する静圧の制御に力を注いできた。
しかしながら、このような従来の両頭研削装置、両頭研削方法を用いて両頭研削されたウエーハについて疑似ナノトポグラフィーを測定すると、ばらつきが多く、波長が10mmサイズのナノトポグラフィーレベルが、特には0.2μmを超える場合があった。このように、両頭研削工程での疑似ナノトポグラフィーが0.2μmを超えると、最終製品時にナノトポグラフィーレベルが15nmを超えてしまい、近年要求されつつあるレベルにナノトポグラフィーを抑制することが困難であった(図12)。
国際公開第2006/018961 国際公開第2000/67950 特開2007−96015号公報
従来では、両頭研削装置において、ワークを径方向に沿って外周側から支持して回転させるワークホルダーについては、ナノトポグラフィー等のウエーハ品質に影響を与えるものではないと考えられてきた。しかし、本発明者らが、このような両頭研削における問題について調査を行ったところ、ナノトポグラフィーの制御に関し、上記砥石軸のチルト制御やシフト制御、ワークを自転の軸方向に適正位置に支持する静圧の制御よりむしろ、ワークの径方向に沿っての支持手段であるワークホルダーの自転の軸方向の位置の制御が重要な事が分かってきた。
そこで、本発明は、ワークの両頭研削において、ワークのナノトポグラフィーを悪化させる要因となる、ワークを外周側から支持するワークホルダーの自転の軸方向に沿った位置を安定化させることが可能なワークの両頭研削装置および両頭研削方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも、薄板状のワークを径方向に沿って外周側から支持する自転可能なワークホルダーと、該ワークホルダーの両側に位置し、ワークホルダーを自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持する一対の静圧支持部材と、前記ワークホルダーにより支持されたワークの両面を同時に研削する一対の砥石を具備するワークの両頭研削装置であって、
前記ワークホルダーと前記静圧支持部材の間隔が50μm以下であり、かつ、前記静圧支持部材が前記ワークホルダーを0.3MPa以上の前記流体の静圧で支持するものであることを特徴とするワークの両頭研削装置を提供する(請求項1)。
従来では、ワークホルダーの自転の軸方向に沿った位置がワークのナノトポグラフィーの悪化に与える影響は見出されておらず、例えばワークホルダーと静圧支持部材の間隔は200〜500μmが一般的であった。
しかしながら、本発明のように、ワークホルダーと静圧支持部材の間隔、すなわち、ワークホルダーにおいて非接触支持される面と、静圧支持部材においてワークホルダーを非接触支持する面の間隔が50μm以下であり、かつ、静圧支持部材がワークホルダーを0.3MPa以上の流体の静圧で支持する両頭研削装置であれば、両頭研削を行うときに、ワークを支持するワークホルダーの位置を安定化させることができ、それによってワークのナノトポグラフィーが悪化するのを著しく抑制することが可能なものとなる。
このとき、前記ワークホルダーは、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のものであるのが好ましい(請求項2)。
本発明のように、ワークホルダーと静圧支持部材の間隔が50μm以下に狭めたものの場合、ワークホルダーおよびワークホルダーに支持されたワークを自転させる際に負荷がかかりやすくなる。しかし、ワークホルダーの形状精度が、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のものであれば、上記負荷を十分に抑制することが可能になり、よりスムーズに両頭研削を行うことが可能である。
なお、ここでいうワークホルダーの平行度とは、表裏面の平面が平行であるべき位置からのひらき量を指し、平面度とは、その面におけるうねりのPV値を指す。
この場合、前記ワークホルダーにおいて、少なくとも非接触支持される面がアルミナセラミクスからなるものであるのが好ましい(請求項3)。
アルミナセラミクスであれば、加工性がよく、加工時の発熱により熱膨張し難く、ワークホルダーの非接触支持される面の形状精度がより高精度なものとなる。
また、前記静圧支持部材において、前記ワークホルダーを非接触支持する面は、平面度が20μm以下であるのが好ましい(請求項4)。
このようなものであれば、本発明のように、ワークホルダーと静圧支持部材の間隔が50μm以下に狭めたものであっても、ワークホルダーを自転させる際に負荷がかかりにくく、よりスムーズに両頭研削を行うことができるものとなる。
そして、前記砥石は、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材からなるものとすることができる(請求項5)。
近年、顧客の要求により、ワークの品質のみに止まらず、製造コストの削減が望まれているが、製造コストの削減には、各工程の加工量低減による原料原単位の削減や加工装置の生産性の向上が必須である。両頭研削工程においては、研削砥石のダイヤモンド砥粒を微細化することにより、後工程である両面研磨工程の研磨量を低減する事が大きな技術課題となる。従来は番手#3000、平均砥粒径4μmの砥石が使われてきたが、更に面粗さやダメージ深さを改善すべく、番手#6000〜8000のような平均砥粒径1μm以下の微細砥粒砥石も開発が進められている。
砥石が、例えばこのような平均砥粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材からなるものである場合、研削負荷が高くなり、従来の装置では、研削中にワークにかかる応力が大きくなり、流体の静圧による支持効果は得られずにワークホルダーが傾きやすく、ワークホルダーの位置制御は困難であった。しかしながら、本発明であれば、このような研削負荷が高くなる高番手の砥石を備えたものであっても、ワークホルダーの位置の制御が可能なものとなり、つまりはワークのナノトポグラフィーが悪化するのを十分に抑制することが可能である。
また、本発明は、少なくとも、ワークホルダーによって、薄板状のワークを径方向に沿って外周側から支持して自転させるとともに、前記ワークホルダーの両側に位置する一対の静圧支持部材によって、前記ワークホルダーを自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持し、一対の砥石によって、前記ワークホルダーにより支持したワークの両面を同時に研削するワークの両頭研削方法であって、
前記ワークホルダーと前記静圧支持部材の間隔を50μm以下とし、かつ、前記流体の静圧を0.3MPa以上に調節して、前記ワークの両面を研削することを特徴とするワークの両頭研削方法を提供する(請求項6)。
このように、ワークホルダーと静圧支持部材の間隔を50μm以下とし、かつ、流体の静圧を0.3MPa以上に調節して、ワークの両面を研削すれば、ワークを支持するワークホルダーの位置を安定化させながらワークの両頭研削を行うことができ、ワークのナノトポグラフィーの悪化を著しく抑制することができる。また、従来に比べてナノトポグラフィーレベルのばらつきは小さく、高レベルに改善することができる。
このとき、前記ワークホルダーを、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のものとするのが好ましい(請求項7)。
このようにすれば、ワークホルダーおよびワークホルダーに支持されたワークを自転させる際の負荷を十分に抑制することができ、よりスムーズに両頭研削を行うことができる。
そして、前記ワークホルダーにおいて、少なくとも非接触支持される面を、アルミナセラミクスからなるものとするのが好ましい(請求項8)。
アルミナセラミクスであれば、ワークホルダー成型時の加工性がよく、ワークホルダーが加工時の発熱により熱膨張し難く、ワークホルダーの非接触支持される面の形状精度をより高精度にすることができ、両頭研削時にかかる負荷をより低減することができる。
また、前記静圧支持部材において、前記ワークホルダーを非接触支持する面を、平面度が20μm以下のものとするのが好ましい(請求項9)。
このようにすれば、ワークホルダーを自転させる際に負荷がかかりにくく、よりスムーズに両頭研削を行うことができる。
そして、前記砥石を、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材からなるものとすることができる(請求項10)。
砥石をこのような研削負荷が高くなるものにしても、ワークホルダーの位置の制御が可能であり、ワークのナノトポグラフィーが悪化するのを十分に抑制することが可能である。
本発明のワークの両頭研削装置およびワークの両頭研削方法であれば、両頭研削後のワークにおいて、ばらつきも小さくナノトポグラフィーを格段に抑制することができる。特には、平均粒径1μm以下の微細砥粒からなる高番手砥石を用い、後工程での加工量低減による製造コストの削減かつ高精度なナノトポグラフィーを得る事が可能となる。
以下では、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明者らは、両頭研削装置および両頭研削方法と研削後のワークのナノトポグラフィーとの関係について鋭意研究を行った結果、ワークの径方向に沿った支持手段であるワークホルダーの自転の軸方向の位置制御が重要であることを見出した。従来では、これはナノトポグラフィー等のウエーハ品質には影響のないものとして考えられていた。
そして、さらに研究をすすめたところ、ワークホルダーと静圧支持部材の間隔(つまりはワークホルダーにおいて非接触支持される面と、静圧支持部材においてワークホルダーを非接触支持する面の間隔)は、200〜500μmが従来では一般的であったが、この寸法では、流体の静圧による支持効果は得られないことが分かった。すなわち、ワークホルダーの自転の軸方向に沿ったワークホルダーの位置の制御が出来ない事が判明した。従って、図11に示すように、姿勢が倒れやすく、ワークホルダーの自転の軸方向での位置が固定されていない事が分かった。ワークホルダーの研削中の倒れは、挿入されるワークの自転の軸方向の位置ズレを生じさせ、ナノトポグラフィーの悪化を招く。
また、特に、上記のワークホルダーの倒れは、研削負荷の高い微細砥粒(例えば1μm以下)の高番手砥石の場合に顕著となることも本発明者らは発見した。
そして、本発明者らは、特にこのような高番手の砥石を用い、両頭研削後の工程である両面研磨工程の研磨量等を低減することによるコスト改善や、面粗さやダメージ深さの改善を考慮しつつ、研削後のワークのナノトポグラフィーの改善を図るには、ワークホルダーと静圧支持部材の間隔を50μm以下とし、かつ、ワークホルダーを静圧支持するための流体の静圧を0.3MPa以上に調節して、ワークホルダーにより支持されたワークの両面を研削すれば良いことを見出した。このような条件であれば、研削中にワークホルダーは安定して支持され、位置制御も適切に行われることを見出し、本発明を完成させた。
図1は、本発明の両頭研削装置の一例を示す概略図である。両頭研削装置1は、主に、ワークWを支持するワークホルダー2と、ワークホルダー2を流体の静圧により非接触支持する一対の静圧支持部材3と、ワークWの両面を同時に研削する一対の砥石4を備えている。
ここで、まず、ワークホルダー2について述べる。図2にワークホルダー2の概要を示す。図2(a)の全体図、(b)の断面図に示すように、ワークホルダー2は、主として、リング状で断面がL字のリング部6、ワークWと接触してワークWの径方向に沿って外周側から支持する支持部7、ワークホルダー2を自転させるために用いられる内歯車部8を有し、リング部6のL字の内側に支持部7を介して内歯車部8がねじで留められている。
また、ワークホルダー2を自転させるために、モータ9に接続された駆動歯車10が配設されており、これは内歯車部8と噛合っており、駆動歯車10をモータ9により回転させることによって、内歯車部8を通じてワークホルダー2を自転させることが可能である。そして、図2(a)に示すように、支持部7の縁部の一部に、内側に向かって突出した突起が形成されており、ワークWの周縁部に形成されたノッチと呼ばれる切り欠きの形状に適合し、ワークホルダー2の回転動作をワークWに伝達することができるようになっている。
また、ワークホルダー2は、回転する軸回りに自由に回転する3個以上のローラ11により回転可能に支持されている。図2(a)に示す例では、このローラ11が4個配置されているが、これに限定されない。
静圧支持部材3によって非接触支持される面を有するリング部6は例えば、アルミナセラミクスからできている。このように材質がアルミナセラミクスのものであれば、加工性が良く、加工時にも熱膨張し難いため、非接触支持される面を所望形状に高精度に加工されたものとすることができる。
また、例えば、支持部7の材質は樹脂、内歯車部8および駆動歯車10の材質はSUSとすることができるが、これらに限定されるものではない。
次に、静圧支持部材3について説明する。
図3に静圧支持部材3の概要を示す。まず、図3(a)は静圧支持部材3の全体を示している。外周側がワークホルダー2を非接触支持するワークホルダー静圧部であり、内周側がワークWを非接触支持するワーク静圧部となっている。また、静圧支持部材3には、ワークホルダー2を自転させるのに用いられる駆動歯車10を挿入するための穴や、砥石4を挿入するための穴が形成されている。
図3(b)に、ワークホルダー静圧部の一部を拡大したものを示す。また、図3(c)は、図3(b)のA−A’における断面図である。
図3(b)(c)に示すように、表面には土手12と、土手12に囲まれた凹部であるポケット13を有しており、各ポケット13には、流体供給口からポケット13へ流体(例えば水)を供給するための供給孔14が形成されている。
また、図3(d)は、流体を各供給孔14へと供給するためのラインを示したものであり、各ラインにはバルブ15および圧力計16が備えられている。これらによって、供給孔14を通してポケット13へと供給される流体の静圧を調整することができる。実際に両頭研削を行う場合には、0.3MPa以上の静圧に調整され、その静圧でワークホルダー2を非接触支持する。
そして、図1に示すように静圧支持部材3はワークホルダー2の両側に配設されている。また、各静圧支持部材3は、その位置を調整する手段(不図示)に取り付けられており、両頭研削時には、ワークホルダー2と各静圧支持部材3との間隔、すなわち、図3(c)に示すようにワークホルダー2において非接触支持される面と、静圧支持部材3においてワークホルダーを非接触支持する面の間隔Dが50μm以下に設定される。
なお、ワーク静圧部の構成は特に限定されず、流体を供給する機構を備えていないものとすることもできるし、あるいは、特許文献3と同様に、土手やポケット、供給孔を備え、流体をワークWと静圧支持部材3間に供給可能なものとすることもできる。
また、砥石4は特に限定されず、例えば従来と同様に、平均砥粒径が4μmの番手#3000のものを用いることができる。さらには、番手#6000〜8000の高番手のものとすることも可能である。この例としては、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材からなるものが挙げられる。なお、砥石4はモータ5に接続されており、高速回転できるようになっている。
従来装置では、ワークホルダーにおいて非接触支持される面と、静圧支持部材においてワークホルダーを非接触支持する面の間隔は200〜500μmであったが、特に上記のような高番手の砥石を用いる場合、研削負荷が高く、ワークホルダーを自転の軸方向に沿った位置を安定化させることが困難である。
しかしながら、本発明の両頭研削装置1では、このような高番手の砥石4であっても、間隔Dが50μm以下、かつ0.3MPa以上の流体の静圧でワークホルダー2を支持するものであるので、ワークホルダー2の自転の軸方向に沿った位置を十分に安定化させることができる。そのため、高負荷がかかる高番手の砥石を用いた研削が可能になり、ナノトポグラフィーの悪化を従来に比べて格段に抑制することができ、高品質にワークを研削することが可能である。
加えて、このような高番手の砥石4を採用したものであれば、両頭研削後の両面研磨工程での研磨量の低減化を図ることができ、生産性の向上、コストの削減を達成することができるとともに、両頭研削での面粗さやダメージ深さを改善することができる。
以上のように、本発明の両頭研削装置1のワークホルダー2、静圧支持部材3、砥石4等の各構成について説明してきたが、ここで、ワークホルダー2および静圧支持部材3に関して、さらにより好ましい実施形態について説明する。
まず、本発明者らは、本発明の両頭研削装置1におけるワークホルダー2および静圧支持部材3の形状精度についての調査を行った。
具体的には、ワークホルダー2と静圧支持部材3との間隔Dを50μm以下に設定するために、ワークホルダー2の平面度と平行度、静圧支持部材3のワークホルダー2を非接触支持する面の平面度を変更して組み合わせた装置を用い、水の静圧によりワークホルダー2を非接触支持し、ワークホルダー2を自転させて、その回転状況を調べる実験を行った。砥石には高番手の#8000のものを用いた。
まず、複数の静圧支持部材3と複数のワークホルダー2を準備し、三次元測定機ZYZAXRVA−A(株式会社東京精密製)を用いて、静圧支持部材3については2水準(平面度が15μm、20μm)、ワークホルダー2については3水準(平面度が50μmで平行度が10μm、平面度が15μmで平行度が10μm、平面度が5μmで平行度が5μm)を選別した。静圧支持部材の形状測定の結果の一例を図4に示す。
これらを組み合わせて、ワークホルダー2と静圧支持部材3との間隔Dを50μmに設定した後に、ワークホルダー2の自転の回転状況を調査した。なお、供給する水の静圧は0.3MPaとした。
表1に、ワークホルダー2や静圧支持部材3の平面度、平行度の組み合わせや、回転状態について示す。
Figure 2009190125
表1に示すように、平面度と平行度の大きいものの組み合わせでは、ワークホルダー2が回転しても駆動歯車10を回転させるモータの負荷が通常より高い現象が確認され、ワークホルダー2と静圧支持部材3が接触していることが分かった。
ワークホルダー2と静圧支持部材3の間隔Dと各々の形状との関係は、図5に示す通り、eを静圧支持部材3の平面度、fをワークホルダー2の平行度、h−gをワークホルダー2の平面度、更に静圧水膜の厚さをαとすると、ワークホルダー2と静圧支持部材3との間隔Dは、D=e+f+(h−g)/2+αと表される。ここで、静圧水膜厚さαが測定困難なため、他の寸法を規定する事は出来ないが、表1の回転状態の結果より、e+f+(h−g)/2の数値が30μm以下である事が必要条件となる。
但し、静圧支持部材3とワークホルダー2の加工時の形状精度は、その形状が単純であるワークホルダー2の方が出しやすく、複雑な形状を持つ静圧支持部材3ではその形状精度には限界がある。そこで、e+f+(h−g)/2の数値が30μm以下である事を満たし、かつ現実的な形状精度としては、静圧支持部材3の平面度が20μm以下、ワークホルダー2の平面度が5μm以下、平行度が5μm以下であるのが好ましい。
特に、ワークホルダー2の平面度が5μm以下、平行度が5μm以下の精度は、従来用いられてきた熱膨張係数が約17×10−6/℃のSUS304では、加工時の発熱のために得る事が出来ない。ワークホルダー2のリング部6を熱膨張係数が6×10−6/℃のアルミナセラミクスとする事で容易に達成出来る精度である。
尚、e+f+(h−g)/2の数値が30μm以下である2水準の組み合わせ(ワークホルダー2の平行度が5μmかつ平面度が5μmであり、静圧支持部材3のワークホルダーを非接触支持する面の平面度が20μmまたは15μm)については、ワーク研削後に測定した擬似ナノトポグラフィーは、0.2μmを下回り、極めて良好なレベルである事を確認している。
以上のような調査から、ワークホルダー2は、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のものであり、静圧支持部材3は、ワークホルダー2を非接触支持する面の平面度が20μm以下のものが好ましいことが判った。なお、両側の静圧支持部材3の平行度は、組み付け時に平行調整を行っておけば良い。
そして、このような条件を満たす両頭研削装置であれば、ワークホルダー2と静圧支持部材3の間隔Dが50μm以下という小さい値であっても、駆動歯車10のモータ9の負荷が上昇して、内歯車部8と駆動歯車10の間で磨耗による発塵が生じ、発塵した異物がワークホルダー2と静圧支持部材3との隙間に混入するのを効果的に防ぐことができることを本発明者らは見出した。そして、これにより、ワークホルダー2の回転を妨げる現象等が発生するのを予防することが可能である。
次に、本発明のワークの両頭研削方法について述べる。
ここでは、図1に示す本発明の両頭研削装置1を用いた場合について説明するが、これに限定されず、ワークホルダー2と静圧支持部材3の間隔Dを50μm以下とし、かつ、流体の静圧を0.3MPa以上に調節して、ワークWの両面を研削する方法であれば良い。
ワークW(例えばシリコンウエーハ)をワークホルダー2の支持部7によって、ワークWの径方向に沿って外周側から保持することにより支持する。
ワークWを支持するワークホルダー2を、一対の静圧支持部材3の間に、静圧支持部材3とワークホルダー2が隙間を有するように支持する。このとき、静圧支持部材3の各ポケット13の供給孔14から流体である水を供給し、各ポケット13ごとに静圧を0.3MPa以上に調節する。また、静圧支持部材3とワークホルダー2との間隔Dを50μm以下に調節する。
このようにして、ワークWを外周側から支持するワークホルダー2を、静圧支持部材3を用いて水の静圧により非接触で支持し、また、駆動歯車10によりワークホルダー2を自転させつつ、モータ5により砥石4を回転させ、ワークWの両面を同時に研削する。
ワークWのナノトポグラフィーの悪化を防ぐにあたっては、ワークWを支持するワークホルダー2の自転の軸方向に沿った位置の制御は重要な要素である。上記のような本発明の両頭研削方法によって、ワークホルダー2を自転の軸方向に沿って適正な位置に制御しつつ、ワークWの両頭研削を行うことが可能なため、従来に比べてばらつきも少なく高レベルのナノトポグラフィーに改善することができる。例えば、両頭研削時に疑似ナノトポグラフィーを0.2μm以下にすることができ、これによって、最終製品時にナノトポグラフィーを15nm以下に抑制できる。これは近年の顧客からの要望を十分に満たすことのできるレベルである。
なお、ワークホルダー2において、非接触支持される面を有するリング部6をアルミナセラミクスからなるものとすれば、その非接触支持される面を形状精度高く加工することが可能であり、特には、平行度が5μm以下、かつ平面度が5μm以下のワークホルダー2とすることができる。
また、静圧支持部材3において、平面度が20μm以下のものとするのが好ましい。
このような形状のワークホルダー2や静圧支持部材3を用いて両頭研削を行えば、研削中、ワークホルダー2と静圧支持部材3の間隔Dが50μm以下と狭くても、互いに接触せず、ワークホルダー2の回転への影響をなくすことが可能である。
また、砥石4として、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材からなるような高番手のものを用いることができる。従来では、このような高番手のものを用いた場合、研削時の負荷によりワークホルダーの位置制御ができず、ワークWにおけるナノトポグラフィーを悪化させてしまっていた。しかしながら、本発明であれば、高番手のものを用いても、ワークホルダーの位置制御が可能であり、ワークのナノトポグラフィーの悪化を十分に抑制することができる。しかも、高番手のものを用いることにより、後の両面研磨工程での研磨量を減少させることができ、コスト削減や、面粗さやダメージ深さの改善を図ることができる。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
(実施例1)
図1に示す本発明のワークの両頭研削装置1を用い、本発明の両頭研削方法により、ワーク(直径300mm)の両頭研削を行った。
ワークホルダーとしてはリング部がアルミナセラミクスからなるものを用いた。ワークホルダーの平面度は5μm、平行度は5μm、静圧支持部材の平面度は15μmである。
ワークホルダーと静圧支持部材との間隔は30μmに設定した。また、静圧支持部材の供給孔から水を供給し、0.6MPaの静圧により、ワークホルダーを非接触支持した。さらに、砥石としては、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンドからなるSD#3000砥石とSD#8000砥石(株式会社アライドマテリアル製 ビトリファイドボンド砥石)を用いた。
研削量は30μmである。
ワークホルダーと静圧支持部材の間隔と研削されたワークの擬似ナノトポグラフィーの結果を図6に示す。
図6に示すように、どちらの砥石を用いた場合であっても、後述する比較例に比べてばらつきば小さく、かつ、疑似ナノトポグラフィーを0.2μm以下という良好なレベルに抑制することができた。特に、高番手のSD#8000砥石を用いた場合であっても優れた結果を示していることが分かる。
(比較例1)
ワークホルダーと静圧支持部材との間隔を100μmまたは200μmに設定する以外は実施例1と同様にしてワークの両頭研削を行った。
図6に示すように、実施例1に比べて疑似ナノトポグラフィーのばらつきは大きく、かつ0.2μmを超える場合がある。確実に0.2μm以下に抑制するには、本発明のように、静圧支持部材とワークホルダーの間隔を50μm以下にする必要があることが分かる。
なお、静圧支持部材とワークホルダーの間隔が狭くなるほど疑似ナノトポグラフィーの値が低減していることがわかる。さらには、SD#8000砥石を使用した場合にはこの傾向が更に顕著となり、ワークホルダーと静圧支持部材との間隔が広いほど急激に擬似ナノトポグラフィーは悪化する。
(実施例2、比較例2)
砥石にSD#8000砥石を用い、水による静圧値を変えて設定した以外は実施例1と同様にしてワークの両頭研削を行った。
水による静圧は、0.3MPa、0.8MPa、1.0MPa(以上実施例2)、0.2MPa(比較例2)とした。
水による静圧値と研削されたワークの擬似ナノトポグラフィーの結果を図7に示す。なお、実施例1のときの疑似ナノトポグラフィーの値を参考に載せておく(静水圧0.6MPaにおける値)。
比較例2では疑似ナノトポグラフィーが0.8μmと大きく、実施例2ではいずれも0.2μm以下に抑えられた。
このように、静圧値が0.3MPaより小さいと疑似ナノトポグラフィーが著しく大きくなってしまい、高品質の研削後のワークを得ることができない。静圧値を0.3MPa以上とすることによって優れたレベルの疑似ナノトポグラフィーに抑制できていることが分かる。
また、実施例1、2、比較例1、2より、高レベルの疑似ナノトポグラフィーの研削後のワークを得るには、本発明のように、ワークホルダーと静圧支持部材の間隔を50μm以下とするとともに、0.3MPa以上の静圧により、静圧支持部材でワークホルダーを非接触支持することが必須であることが分かる。
(比較例3)
従来の両頭研削装置を用いてワーク(直径300mm)の両頭研削を行った。
用いた両頭研削装置XSG−320(光洋機械工業株式会社製)は、従来の標準的なものであり、三次元形状測定機ZYZAXRVA−A(株式会社東京精密製)による実測で、ワークホルダーは平行度が10μm、平面度が50μmのSUS製のもので、静圧支持部材の平面度は20μmであった。
ワークホルダーと静圧支持部材との間隔は標準的な200μmで、静水圧は0.6MPaに設定した。そして、砥石にはビトリファイドボンドのSD#3000の直径160mm砥石(株式会社アライドマテリアル製ビトリファイドボンド砥石)を用いた。
研削量は30μmである。
研削後のワークについて擬似ナノトポグラフィーを計測した結果、非常にばらつきが大きく、平均で0.6μm、最大で1.2μmとばらつく結果となった。疑似ナノトポグラフィー目標値0.2μmを満足する事は出来なかった。この原因は、200μmの隙間の中でワークホルダーが倒れやすく、ワークホルダーが倒れる事により、ワークの中心位置がずれ、ワークの変形を生じさせていると考えられる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
本発明の両頭研削装置の一例を示す概略図である。 ワークホルダーの一例を示す概略図である。(a)全体図、(b)断面図。 静圧支持部材の一例を示す概略図である。(a)全体図、(b)ワークホルダー静圧部の拡大図、(c)A−A’における断面図、(d)流体の供給ライン。 静圧支持部材の形状測定結果の一例を示す測定図である。 ワークホルダーと静圧支持部材の形状および位置関係を示す説明図である。 実施例1、比較例1の疑似ナノトポグラフィーの測定結果である。 実施例2、比較例2の疑似ナノトポグラフィーの測定結果である。 従来の両頭研削装置の一例を示す概略図である。 Nanomapperにより測定したナノトポグラフィーマップの例を示す測定図である。(a)ナノトポグラフィーレベルが良い場合。(b)ナノトポグラフィーレベルが悪い場合。 (a)静電容量方式の測定機で測定されたソリ形状にバンドパスフィルター処理を施して得られた疑似ナノトポグラフィーの一例を示すグラフである。(b)Nanomapperで測定されたナノトポグラフィーの一例を示すグラフである。 従来の両頭研削方法において、ワークホルダーが、位置が固定されず、倒れている様子を示す説明図である。 両頭研削工程後における疑似ナノトポグラフィーの値と、最終工程後におけるナノトポグラフィーの値との関係を示すグラフである。
符号の説明
1…本発明の両頭研削装置、 2…ワークホルダー、 3…静圧支持部材、
4…砥石、 5…モータ(砥石用)、 6…リング部、 7…支持部、
8…内歯車部、 9…モータ(ワークホルダー用)、 10…駆動歯車、
11…ローラ、 12…土手、 13…ポケット、 14…供給孔、
15…バルブ、 16…圧力計、 W…ワーク。

Claims (10)

  1. 少なくとも、薄板状のワークを径方向に沿って外周側から支持する自転可能なワークホルダーと、該ワークホルダーの両側に位置し、ワークホルダーを自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持する一対の静圧支持部材と、前記ワークホルダーにより支持されたワークの両面を同時に研削する一対の砥石を具備するワークの両頭研削装置であって、
    前記ワークホルダーと前記静圧支持部材の間隔が50μm以下であり、かつ、前記静圧支持部材が前記ワークホルダーを0.3MPa以上の前記流体の静圧で支持するものであることを特徴とするワークの両頭研削装置。
  2. 前記ワークホルダーは、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のものであることを特徴とする請求項1に記載のワークの両頭研削装置。
  3. 前記ワークホルダーにおいて、少なくとも非接触支持される面がアルミナセラミクスからなるものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のワークの両頭研削装置。
  4. 前記静圧支持部材において、前記ワークホルダーを非接触支持する面は、平面度が20μm以下であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のワークの両頭研削装置。
  5. 前記砥石は、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材からなるものであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のワークの両頭研削装置。
  6. 少なくとも、ワークホルダーによって、薄板状のワークを径方向に沿って外周側から支持して自転させるとともに、前記ワークホルダーの両側に位置する一対の静圧支持部材によって、前記ワークホルダーを自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持し、一対の砥石によって、前記ワークホルダーにより支持したワークの両面を同時に研削するワークの両頭研削方法であって、
    前記ワークホルダーと前記静圧支持部材の間隔を50μm以下とし、かつ、前記流体の静圧を0.3MPa以上に調節して、前記ワークの両面を研削することを特徴とするワークの両頭研削方法。
  7. 前記ワークホルダーを、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のものとすることを特徴とする請求項6に記載のワークの両頭研削方法。
  8. 前記ワークホルダーにおいて、少なくとも非接触支持される面を、アルミナセラミクスからなるものとすることを特徴とする請求項6または請求項7に記載のワークの両頭研削方法。
  9. 前記静圧支持部材において、前記ワークホルダーを非接触支持する面を、平面度が20μm以下のものとすることを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか一項に記載のワークの両頭研削方法。
  10. 前記砥石を、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材からなるものとすることを特徴とする請求項6から請求項9のいずれか一項に記載のワークの両頭研削方法。
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KR1020107017740A KR101549055B1 (ko) 2008-02-14 2009-01-23 워크의 양두 연삭 장치 및 워크의 양두 연삭 방법
DE112009000334.6T DE112009000334B4 (de) 2008-02-14 2009-01-23 Doppelscheibenschleifvorrichtung für Werkstücke und Doppelscheibenschleifverfahren für Werkstücke
US12/812,959 US8029339B2 (en) 2008-02-14 2009-01-23 Workpiece double-disc grinding apparatus and workpiece double-disc grinding method
CN2009801044273A CN101939136B (zh) 2008-02-14 2009-01-23 工件的双面磨削装置及工件的双面磨削方法
PCT/JP2009/000247 WO2009101766A1 (ja) 2008-02-14 2009-01-23 ワークの両頭研削装置およびワークの両頭研削方法
TW098103571A TWI422465B (zh) 2008-02-14 2009-02-04 Double - sided grinding of workpiece and double - sided grinding of workpiece

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010064214A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Koyo Mach Ind Co Ltd 両頭平面研削盤及びワークの両面研削方法
JP2013524484A (ja) * 2010-03-26 2013-06-17 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 同時両面ウエハ研削盤における静水圧パッド圧力調節
WO2014006818A1 (ja) * 2012-07-03 2014-01-09 信越半導体株式会社 両頭研削装置及びワークの両頭研削方法
CN106061679A (zh) * 2014-03-14 2016-10-26 信越半导体株式会社 双面研磨装置用载体的制造方法及双面研磨装置用载体并用的双面研磨方法
WO2018193758A1 (ja) * 2017-04-20 2018-10-25 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法および両面研磨装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7930058B2 (en) * 2006-01-30 2011-04-19 Memc Electronic Materials, Inc. Nanotopography control and optimization using feedback from warp data
US9104993B2 (en) 2011-04-28 2015-08-11 Lantronix, Inc. Asset management via virtual tunnels
CN102275108A (zh) * 2011-08-25 2011-12-14 濮阳贝英数控机械设备有限公司 圆柱滚子双端面磨削装置及磨削方法
CN103998183A (zh) * 2011-12-30 2014-08-20 圣戈班磨料磨具有限公司 具有双功能研磨段的研磨环
CN102814562B (zh) * 2012-08-27 2015-08-12 大连工业大学 离散悬浮阴极电化学加工装置
JP6040947B2 (ja) * 2014-02-20 2016-12-07 信越半導体株式会社 ワークの両頭研削方法
JP6250435B2 (ja) * 2014-02-26 2017-12-20 光洋機械工業株式会社 両頭平面研削法
TWD174921S (zh) 2014-12-17 2016-04-11 日本碍子股份有限公司 複合基板之部分
USD809804S1 (en) * 2014-12-17 2018-02-13 Ngk Insulators, Ltd. Composite substrate for acoustic wave device
JP6285375B2 (ja) * 2015-02-17 2018-02-28 光洋機械工業株式会社 両頭平面研削装置
JP6383700B2 (ja) * 2015-04-07 2018-08-29 光洋機械工業株式会社 薄板状ワークの製造方法及び両頭平面研削装置
KR101865797B1 (ko) * 2017-01-03 2018-06-11 주식회사 엘지화학 변성 공액디엔계 중합체 및 이를 포함하는 고무 조성물
JP6431560B2 (ja) * 2017-03-08 2018-11-28 日清工業株式会社 両頭平面研削盤および研削方法
JP7159861B2 (ja) * 2018-12-27 2022-10-25 株式会社Sumco 両頭研削方法
CN115723035A (zh) * 2022-09-08 2023-03-03 西安奕斯伟材料科技有限公司 用于监控研磨装置的加工状态的系统、方法及双面研磨装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0732252A (ja) * 1993-07-22 1995-02-03 Hitachi Ltd ワーク自転型研削加工方法、ワーク自転型研削盤及びシリコンウェハ並びにセラミック基板
JP2002124490A (ja) * 2000-08-03 2002-04-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体ウェーハの製造方法
JP2003124167A (ja) * 2001-10-10 2003-04-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd ウエハ支持部材及びこれを用いる両頭研削装置
JP2007096015A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの両頭研削装置、静圧パッドおよびこれを用いた両頭研削方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6296553B1 (en) * 1997-04-02 2001-10-02 Nippei Toyama Corporation Grinding method, surface grinder, workpiece support, mechanism and work rest
JP3951496B2 (ja) 1999-03-30 2007-08-01 光洋機械工業株式会社 薄板円板状ワークの両面研削装置
EP1118429B1 (en) 1999-05-07 2007-10-24 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Method and device for simultaneously grinding double surfaces, and method and device for simultaneously lapping double surfaces
JP2003236746A (ja) 2002-02-14 2003-08-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd ワーク研削装置
CN100380600C (zh) * 2002-03-28 2008-04-09 信越半导体株式会社 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法
JP2004106173A (ja) * 2002-08-29 2004-04-08 Fujikoshi Mach Corp 両面研磨装置
DE102004005702A1 (de) * 2004-02-05 2005-09-01 Siltronic Ag Halbleiterscheibe, Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
DE102004011996B4 (de) * 2004-03-11 2007-12-06 Siltronic Ag Vorrichtung zum simultanen beidseitigen Schleifen von scheibenförmigen Werkstücken
CN1933940B (zh) * 2004-03-19 2010-05-05 Memc电子材料有限公司 用于双面研磨机的晶片夹持装置
WO2006018961A1 (ja) 2004-08-17 2006-02-23 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 半導体ウェーハの測定方法、その製造工程の管理方法、及び半導体ウェーハの製造方法
JP4798480B2 (ja) * 2005-05-25 2011-10-19 Sumco Techxiv株式会社 半導体ウェーハの製造方法および両面研削方法並びに半導体ウェーハの両面研削装置
JP4752475B2 (ja) * 2005-12-08 2011-08-17 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの両頭研削装置、静圧パッドおよびこれを用いた両頭研削方法
DE102006032455A1 (de) * 2006-07-13 2008-04-10 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben sowie Halbleierscheibe mit hervorragender Ebenheit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0732252A (ja) * 1993-07-22 1995-02-03 Hitachi Ltd ワーク自転型研削加工方法、ワーク自転型研削盤及びシリコンウェハ並びにセラミック基板
JP2002124490A (ja) * 2000-08-03 2002-04-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体ウェーハの製造方法
JP2003124167A (ja) * 2001-10-10 2003-04-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd ウエハ支持部材及びこれを用いる両頭研削装置
JP2007096015A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの両頭研削装置、静圧パッドおよびこれを用いた両頭研削方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010064214A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Koyo Mach Ind Co Ltd 両頭平面研削盤及びワークの両面研削方法
JP2013524484A (ja) * 2010-03-26 2013-06-17 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 同時両面ウエハ研削盤における静水圧パッド圧力調節
WO2014006818A1 (ja) * 2012-07-03 2014-01-09 信越半導体株式会社 両頭研削装置及びワークの両頭研削方法
JP2014008594A (ja) * 2012-07-03 2014-01-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両頭研削装置及びワークの両頭研削方法
CN104411455A (zh) * 2012-07-03 2015-03-11 信越半导体股份有限公司 双面磨削装置及工件的双面磨削方法
CN104411455B (zh) * 2012-07-03 2016-08-17 信越半导体股份有限公司 双面磨削装置及工件的双面磨削方法
US9669513B2 (en) 2012-07-03 2017-06-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Double-disc grinding apparatus and workpiece double-disc grinding method
DE112013003038B4 (de) 2012-07-03 2021-12-23 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Doppelseitenschleifmaschine und Doppelseitenschleifverfahren für Werkstücke
CN106061679A (zh) * 2014-03-14 2016-10-26 信越半导体株式会社 双面研磨装置用载体的制造方法及双面研磨装置用载体并用的双面研磨方法
CN106061679B (zh) * 2014-03-14 2017-07-21 信越半导体株式会社 双面研磨装置用载体的制造方法及双面研磨装置用载体并用的双面研磨方法
WO2018193758A1 (ja) * 2017-04-20 2018-10-25 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法および両面研磨装置
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