JP2009188143A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009188143A5
JP2009188143A5 JP2008025891A JP2008025891A JP2009188143A5 JP 2009188143 A5 JP2009188143 A5 JP 2009188143A5 JP 2008025891 A JP2008025891 A JP 2008025891A JP 2008025891 A JP2008025891 A JP 2008025891A JP 2009188143 A5 JP2009188143 A5 JP 2009188143A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing chamber
ozone gas
substrate
buffer tank
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008025891A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4977636B2 (ja
JP2009188143A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008025891A priority Critical patent/JP4977636B2/ja
Priority claimed from JP2008025891A external-priority patent/JP4977636B2/ja
Publication of JP2009188143A publication Critical patent/JP2009188143A/ja
Publication of JP2009188143A5 publication Critical patent/JP2009188143A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4977636B2 publication Critical patent/JP4977636B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2008025891A 2008-02-06 2008-02-06 基板処理装置および半導体装置の製造方法 Active JP4977636B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008025891A JP4977636B2 (ja) 2008-02-06 2008-02-06 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008025891A JP4977636B2 (ja) 2008-02-06 2008-02-06 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009188143A JP2009188143A (ja) 2009-08-20
JP2009188143A5 true JP2009188143A5 (https=) 2011-01-27
JP4977636B2 JP4977636B2 (ja) 2012-07-18

Family

ID=41071109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008025891A Active JP4977636B2 (ja) 2008-02-06 2008-02-06 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4977636B2 (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6415215B2 (ja) * 2014-09-26 2018-10-31 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07118522B2 (ja) * 1990-10-24 1995-12-18 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 基板表面を酸化処理するための方法及び半導体の構造
JP4361179B2 (ja) * 1999-12-27 2009-11-11 東京エレクトロン株式会社 オゾン処理装置及びオゾン処理方法
JP4071968B2 (ja) * 2002-01-17 2008-04-02 東芝三菱電機産業システム株式会社 ガス供給システム及びガス供給方法
JP2005277294A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Nissin Electric Co Ltd 膜形成方法及び膜形成装置
WO2006038659A1 (ja) * 2004-10-07 2006-04-13 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8202367B2 (en) Atomic layer growing apparatus
JP2012212854A5 (https=)
JP5886531B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
JP5157147B2 (ja) カーボンナノチューブ製造装置及びその製造方法
JP2015070177A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2011023706A5 (https=)
US20090088001A1 (en) Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP2009152576A5 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP5968996B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2009188143A5 (https=)
JP2017034013A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2005158926A5 (https=)
JP2010111916A (ja) 真空蒸着装置、蒸着源、成膜室、蒸着容器交換方法
JP2008135633A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP2009246318A5 (https=)
JP2012222157A5 (https=)
JP5357083B2 (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JP2004228602A5 (https=)
JP2021158133A5 (https=)
KR102125473B1 (ko) 박막 증착 방법
JP2010202912A (ja) 原子層成長装置および方法
JP2008227143A5 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2012126976A (ja) 真空成膜装置及び成膜方法
JP2004260204A5 (https=)
JP4977636B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法