KR102125473B1 - 박막 증착 방법 - Google Patents

박막 증착 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102125473B1
KR102125473B1 KR1020160157561A KR20160157561A KR102125473B1 KR 102125473 B1 KR102125473 B1 KR 102125473B1 KR 1020160157561 A KR1020160157561 A KR 1020160157561A KR 20160157561 A KR20160157561 A KR 20160157561A KR 102125473 B1 KR102125473 B1 KR 102125473B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
thin film
plasma
supply
chamber
Prior art date
Application number
KR1020160157561A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180058897A (ko
Inventor
김태식
최대준
김용진
백춘금
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020160157561A priority Critical patent/KR102125473B1/ko
Publication of KR20180058897A publication Critical patent/KR20180058897A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102125473B1 publication Critical patent/KR102125473B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 기술의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은 챔버 상부의 가스 공급 장치를 통해, 챔버 내부로 캐리어 가스, 환원 가스 및 제 1 소스가스를 공급하고 플라즈마를 생성하여 박막을 증착하는 증착 단계, 캐리어 가스 및 환원 가스의 공급을 유지하고, 제 1 소스가스의 공급을 중단하며, 플라즈마가 유지된 상태로 기 설정된 제 1 시간 동안 퍼지하는 플라즈마 퍼지 단계 및, 캐리어 가스 및 환원 가스의 공급을 유지하고, 플라즈마가 생성되는 것을 중단하여 기 설정된 제 2 시간 동안 퍼지하는 가스 퍼지 단계를 포함하도록 구성될 수 있다.

Description

박막 증착 방법{Deposition Method of Thin Film}
본 발명은 반도체막 형성 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 박막 증착 방법에 관한 것이다.
플라즈마 증가 화학기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)은 반응 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 공정가스들의 화학적 반응에 의해 막(박막)을 증착하는 방법이다. PECVD 방식은 공정가스들이 플라즈마에 의해 에너지를 얻기 때문에 저온 증착이 가능한 특징이 있다.
PECVD 방식의 증착 공정을 간단히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 챔버에 고전압을 인가하여 챔버 내에 플라즈마를 발생시킨다. 그리고, 공정가스들을 주입하게 되는데, 챔버 내에 이미 발생되어 있는 플라즈마에 의해 공정가스가 이온 상태 즉, 플라즈마 상태로 변화된다. 챔버 내 서셉터 상에 안착된 대상물(기판)이 기 설정된 온도로 가열되면, 대상물 표면과 증착하고자 하는 물질이 화학반응하게 된다. 화학반응에 의해 대상물 표면에 결합 즉, 증착된 물질을 제외한 나머지 물질들은 외부로 배출된다.
그런데, PECVD 방식으로 막(박막) 증착시 챔버 내에 공정가스가 미반응 상태로 잔류할 수 있다. 잔류하는 공정가스는 후속해서 유입되는 공정가스와 화학적으로 반응할 수 있고, 이는 증착 막(박막) 상에 파티클이 형성되는 결과를 초래할 수 있다.
본 기술의 실시예는 챔버 내로 공급된 공정가스가 미반응 상태로 잔류하는 것을 방지할 수 있는 박막 증착 방법을 제공할 수 있다.
본 기술의 실시예는 챔버 내로 공급된 공정가스를 완전히 소진할 수 있는 박막 증착 방법을 제공할 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은 챔버 상부의 가스 공급 장치를 통해, 상기 챔버 내부로 캐리어 가스, 환원 가스 및 제 1 소스가스를 공급하고 플라즈마를 생성하여 박막을 증착하는 증착 단계; 상기 캐리어 가스 및 상기 환원 가스의 공급을 유지하고, 상기 제 1 소스가스의 공급을 중단하며, 상기 플라즈마가 유지된 상태로 기 설정된 제 1 시간 동안 퍼지하는 플라즈마 퍼지 단계; 및 상기 캐리어 가스 및 상기 환원 가스의 공급을 유지하고, 상기 플라즈마가 생성되는 것을 중단하여 기 설정된 제 2 시간 동안 퍼지하는 가스 퍼지 단계;를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 기술에 의하면 공정가스의 공급 중단 후 기 설정된 시간 동안 챔버 내에 플라즈마가 생성된 상태를 유지하여, 미반응 상태로 잔류하는 공정가스를 모두 소진시킬 수 있다. 따라서, 잔류 공정가스가 후속하여 공급되는 다른 공정가스와 화학반응을 일으키는 것을 원천적으로 차단할 수 있다.
더욱이, 미반응 상태의 잔류 공정가스가 모두 증착에 기여할 수 있으므로 증착 효율 또한 증대시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 박막 증착 장치의 구성도이다.
도 2는 일 실시예에 의한 박막 증착 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 3은 일 실시예에 의해 박막이 형성된 반도체 소자의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 일 실시예에 의한 박막 증착 장치의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 박막 증착 장치(10)는 챔버(100), 가스 제공부(200), 전원공급 및 정합부(300)를 포함할 수 있다.
챔버(100)는 상부가 개방된 본체(110) 및 본체(110) 상단을 폐쇄하도록 구성되는 가스 공급 장치(120)를 포함할 수 있다.
챔버(100) 내부 공간은 증착 공정 등 기판(W)에 대한 처리가 이루어지는 공간일 수 있다. 본체(110) 측면의 지정된 위치에는 기판(W)이 반입 및 반출되는 게이트(G)가 마련될 수 있다. 본체(110)의 저면에는 기판(W)이 안착되는 서셉터(130)의 지지축(140)이 삽입되는 관통공이 형성될 수 있다.
서셉터(130)는 상면에 적어도 하나의 기판(W)이 안착되도록 전체적으로 평판 형상을 가지며, 가스 공급 장치(120)에 대향하여 수평 방향으로 설치될 수 있다. 지지축(140)은 서셉터(130) 후면에 수직 결합되며, 챔버(100) 저부의 관통공을 통해 외부의 구동부(미도시)와 연결되어, 서셉터(130)를 승강 및/또는 회전시키도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 서셉터(130)는 전극(제 2 전극)으로 작용할 수 있다.
서셉터(130)의 내부에는 히터(132)가 구비되어 상부에 안착된 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 전원부(170)는 히터(132)로 전원을 공급하여 히터(132)가 발열하도록 구성될 수 있다.
챔버(100) 내부는 일반적으로 진공 분위기로 형성되어야 하므로, 본체(110)의 지정된 위치, 예를 들어 저면에는 배기구(150)가 형성될 수 있다. 배기구(150)는 외부의 펌프(160)와 연결될 수 있다. 배기구(150)를 통해 챔버(100) 내부를 진공 상태로 만들 수 있고, 공정 후 발생하는 가스를 배출할 수 있다.
도 1에는 배기구(150)가 챔버(200)의 저부에 형성된 경우를 예로 들어 도시하였으나, 배기구(150)는 챔버(200)의 측면에 형성될 수도 있다.
가스 공급 장치(120)는 본체(110) 상부에 서셉터(130)와 대향하도록 설치될 수 있다. 가스 공급 장치(120)는 가스 제공부(200)로부터 공급되는 다양한 공정가스를 챔버(100) 내부로 분사할 수 있다. 가스 공급 장치(120)는 샤워헤드 타입, 인젝터 타입, 노즐 타입 등 다양한 방식의 가스 공급 장치 중에서 선택될 수 있다. 일 실시예에서, 가스 공급 장치(120)는 전극(제 1 전극)으로 작용할 수 있다.
가스 제공부(200)는 가스 공급원(210), 밸브(220) 및 가스 공급라인(230)을 포함할 수 있다.
가스 공급원(210)은 복수의 가스 공급원을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 공급원(210)은 제 1 공정가스, 제 2 공정가스, 제 3 공정가스 및 제 4 공정가스를 각각 공급하는 제 1 가스 공급원(211), 제 2 가스 공급원(213), 제 3 가스 공급원(215) 및 제 4 가스 공급원(217)을 포함할 수 있다.
밸브(220)는 가스 공급원(210)과 가스 공급라인(230) 간에 설치되어, 각 공정가스가 가스 공급라인(230)으로 공급되거나 차단되도록 할 수 있다. 밸브(220)는 제 1 내지 제 4 가스 공급원(211, 213, 215, 217)과 각 가스 공급라인(231, 233, 235, 237) 간에 각각 접속되는 제 1 내지 제 4 밸브(221, 223, 225, 227)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 공정가스는 캐리어 가스일 수 있고, 제 2 공정가스는 환원가스일 수 있으며, 제 3 공정가스 및 제 4 공정가스는 각각 제 1 및 제 2 소스가스일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전원공급 및 정합부(300)는 기 설정된 주파수 대역을 갖는 고주파 전원을 플라즈마 전원 소스로 제공하도록 구성될 수 있다. 또한, 고주파 전원의 출력 임피던스와 챔버(100) 내의 부하 임피던스를 상호 매칭시켜 고주파 전원이 챔버(100)로부터 반사됨에 따른 반사 손실을 제거하도록 구성될 수 있다.
예를 들어, 제 2 전극으로서의 서셉터(130)에 기판(W)을 안착시키고 챔버(100) 내부를 진공 상태로 만든 후, 가스 공급 장치(120)를 통해 공정가스를 주입함과 동시에 전원공급 및 정합부(300)에 의해 제 1 전극으로서의 가스 공급 장치(120)에 고주파를 인가함으로써, 가스 공급 장치(120)와 서셉터(130) 사이에 플라즈마를 형성할 수 있다.
이에 따라, 공정가스가 플라즈마 상태로 변화되고, 서셉터(130) 상에 안착된 기판(W)이 히터(132)에 의해 기 설정된 온도를 갖게 되면, 기판(W) 표면과 증착하고자 하는 물질이 화학반응하여 목적하는 박막이 증착되게 된다. 화학반응에 의해 기판(W) 표면에 증착된 물질을 제외한 나머지 물질들은 외부로 배출된다.
이러한 박막 증착 장치(10)에서의 본 기술에 따른 박막 증착 방법을 도 2를 참조하여 설명하며 다음과 같다.
도 2는 일 실시예에 의한 박막 증착 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
일 실시예에서, 박막 증착 공정은 증착 단계(T1~T3), 플라즈마 퍼지 단계(T3~T4), 제 1 가스 퍼지 단계(T4~T5), 후처리 단계(T5~T6) 및 제 2 가스 퍼지 단계(T6~T7)을 포함할 수 있다.
먼저, 서셉터(130) 상에 안착된 기판(W)을 히터(132)에 의해 기 설정된 온도로 가열할 수 있다.
그리고, 챔버(100) 내의 압력이 기 설정된 압력이 되도록 기 설정된 압력 및 유량으로 제 1 내지 제 3 공정가스를 공급할 수 있다(T1). 이에 따라 챔버(100) 내부는 공정 동안 기 설정된 압력으로 유지될 수 있다. 제 1 내지 제 3 공정가스는 각각 제 1 내지 제 3 가스 공급라인(231, 233, 235)를 통해 가스 공급 장치(120)로 제공된 후 챔버(100) 내부로 분사될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 공정가스는 캐리어가스일 수 있고, 제 2 공정가스는 환원가스일 수 있으며, 제 1 및 제 2 공정가스는 공정이 종료될 때까지 챔버(100) 내부에 공급될 수 있다. 또한, 제 3 공정가스는 제 1 소스가스일 수 있다.
티타늄 박막을 증착하는 경우, 제 3 공정가스는 티타늄을 포함하는 가스, 예를 들어 염화티타늄(TiClx) 계열의 가스일 수 있다. 이 때, 캐리어 가스 즉, 제 1 공정가스로는 아르곤(Ar)을 포함하는 가스가 이용될 수 있고, 환원 가스 즉, 제 2 공정가스로는 수소(H2)를 포함하는 가스가 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이후, 전원공급 및 정합부(300)에 의해 제 1 전극으로서의 가스 공급 장치(120)에 고주파 전원을 인가하여 챔버(100) 내부에 플라즈마를 생성할 수 있다(T2).
이에 따라, 가스 공급 장치(120)를 통해 분사되는 제 1 내지 제 3 공정가스가 플라즈마 상태가 된다.
결국, 플라즈마화된 제 1 소스가스(제 3 공정가스)는 플라즈마화된 환원가스(제 2 공정가스)에 의해 환원되어, 기판(W) 상에 목적하는 박막이 증착되게 된다.
예시적으로, 티타늄 박막을 증착하는 경우 제 1 소스가스(제 3 공정가스) 및 환원가스(제 2 공정가스)에 의한 반응식은 하기와 같다.
TiClx + H* → Ti + nHCl
제 3 공정가스의 공급시간은 제 3 공정가스의 유량, 챔버(100) 내부의 압력, 박막의 증착 목표 두께에 따라 결정될 수 있다. 그러므로, 제 3 공정가스의 공급은 기 결정된 시점(T3)에 중지될 수 있다.
이 때, 전원공급 및 정합부(300)는 제 3 공정가스의 공급이 중지된 후에도 일정 시간(ΔT=T4-T3)동안 가스 공급 장치(120)에 고주파 전원의 공급을 유지하여, 챔버(100) 내부에 플라즈마가 생성된 상태를 유지하도록 할 수 있다.
제 3 밸브(225)를 오프하여 제 3 공정가스가 챔버(100) 내부로 공급되는 것을 차단하여도, 가스 공급라인(235) 상에 잔존하는 제 3 공정가스가 챔버(100) 내부로 유입될 수 있다.
제 3 밸브(225)를 오프하면서 플라즈마의 생성 또한 중지하게 되면, 잔존하는 제 3 공정가스는 미분해 상태로 챔버(100) 내에 존재하게 된다. 이는 후속하여 공급되는 제 4 공정가스와 반응하여 박막 상에 파티클을 형성하는 원인이 될 수 있다.
따라서, 본 기술에서는 제 3 공정가스의 공급을 차단한 후, 기 설정된 시간(ΔT) 동안 챔버(100) 내부의 플라즈마 생성 상태를 유지하는 플라즈마 퍼지 단계를 수행한다. 그러면, 잔존하는 제 3 공정가스가 모두 분해되어 증착에 기여할 수 있고, 결국 잔존하는 제 3 공정가스를 모두 소진시킬 수 있게 된다.
제 3 공정가스의 공급 차단 후, 플라즈마 생성 상태를 유지하는 시간(ΔT)은 제 3 가스 공급라인(235)의 길이, 구경 등에 따라 결정될 수 있다. 즉, 플라즈마 생성 상태 유지 시간(ΔT)은 제 3 밸브(225)를 오프시킨 후, 챔버(100) 내부로 유입될 수 있는 제 3 공정가스가 모두 소진될 수 있는 시간으로 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 플라즈마 퍼지 단계에서의 플라즈마 인가 시간은 증착 단계에서의 플라즈마 인가 시간보다 짧은 시간으로 결정될 수 있다.
플라즈마 생성 상태 유지 시간(ΔT) 후에는, 전원공급 및 정합부(300)를 오프시켜 챔버(100) 내에 플라즈마가 생성되는 것을 차단하고 퍼지 공정을 실시할 수 있다(제 1 가스 퍼지). 이에 따라, 챔버(100) 내의 반응 부산물이 외부로 배기되게 된다.
퍼지가 완료되면(T5) 기 설정된 압력 및 유량으로 제 4 공정가스를 공급하는 한편, 전원공급 및 정합부(300)에 의해 챔버(100) 내에 플라즈마를 생성하여 후처리 단계를 진행할 수 있다.
일 실시예에서, 제 4 공정가스는 제 2 소스가스일 수 있다.
이전 공정 단계에서 예를 들어 티타늄 박막을 증착한 경우, 제 4 공정가스는 티타늄 박막 표면을 질화시킬 수 있는 질소 함유 가스, 예를 들어 암모니아(NH3)일 수 있다. 이 경우, 티타늄 박막 표면이 질화처리될 수 있다.
기 설정된 시간 동안 제 4 공정가스를 공급한 후에는 제 4 공정가스의 공급 및 플라즈마 생성을 차단할 수 있다(T6). 그리고, 반응 부산물을 배기하기 위한 퍼지 공정이 완료되면, 제 1 및 제 2 공정가스의 공급을 차단(T7)할 수 있다(제 2 가스 퍼지).
도 3은 일 실시예에 의해 박막이 형성된 반도체 소자의 단면도이다.
도 1에 도시한 박막 증착 장치(10)에서, 도 2에 도시한 것과 같은 절차로 기판(410) 상에 제 3 공정가스에 의해 제 1 박막(420)을 증착할 수 있다. 제 1 박막(420) 증착시 제 3 공정가스의 공급을 차단한 상태에서, 일정 시간 동안 챔버(100) 내부에 플라즈마 생성 상태를 유지함으로써, 챔버(100) 내로 유입되는 제 3 공정가스가 모두 증착에 기여하면서 소진될 수 있다.
이후, 제 4 공정가스에 의해 제 1 박막(420) 표면을 질화처리할 수 있다. 이에 의해 제 1 박막(420) 표면에 질화처리막(430)이 형성될 수 있다. 제 1 박막(420) 증착을 위해 공급된 제 3 공정가스가 제 1 박막(420) 증착시 모두 소진된 상태에서 제 4 공정가스가 공급되므로, 파티클 없이 무결한 박막을 형성할 수 있다.
한편, 제 3 공정가스의 공급을 중지한 후, 챔버(100) 내에 잔존하는 제 3 공정가스가 박막 증착에 관여하는 정도는 전체 박막 두께의 일정 부분을 차지할 수 있다. 따라서, 잔존하는 제 3 공정가스에 의한 박막 증착 정도를 고려하여, 제 3 공정가스의 공급시간 또는 공급량을 조절할 수 있으며, 이는 제 3 공정가스의 사용량을 저감할 수 있는 이점으로 작용할 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 박막 증착 장치
100 : 챔버
200 : 가스 제공부
300 : 전원공급 및 정합부

Claims (8)

  1. 챔버 상부의 가스 공급 장치를 통해, 상기 챔버 내부로 캐리어 가스, 환원 가스 및 제 1 소스가스를 공급하고 플라즈마를 생성하여 박막을 증착하는 증착 단계;
    상기 캐리어 가스 및 상기 환원 가스의 공급을 유지하고, 상기 제 1 소스가스의 공급을 중단하며, 상기 플라즈마의 생성을 유지하여, 지속적으로 공급되는 상기 환원 가스와 공급이 중단된 후 잔존하는 상기 제 1 소스 가스를 반응시켜 기 설정된 제 1 시간 동안 퍼지하는 플라즈마 퍼지 단계; 및
    상기 캐리어 가스 및 상기 환원 가스의 공급을 유지하고, 상기 플라즈마가 생성되는 것을 중단하여 기 설정된 제 2 시간 동안 퍼지하는 가스 퍼지 단계;
    를 포함하도록 구성되는 박막 증착 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 퍼지 단계 이후, 상기 캐리어 가스 및 상기 환원 가스의 공급을 유지한 상태에서, 제 2 소스가스를 추가로 공급하고 플라즈마를 생성하여, 기 설정된 제 3 시간 동안 퍼지하는 후처리 단계를 더 포함하도록 구성되는 박막 증착 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 시간은 상기 증착 단계의 플라즈마 인가시간보다 짧은 시간으로 결정되는 박막 증착 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 소스가스는 티타늄을 포함하는 가스 중에서 선택되는 박막 증착 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐리어 가스는 아르곤을 포함하는 가스인 박막 증착 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 환원 가스는 수소를 포함하는 가스인 박막 증착 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 소스가스는 티타늄을 포함하는 가스 중에서 선택되고, 상기 제 2 소스가스는 질소 함유 가스 중에서 선택되는 박막 증착 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 소스가스는 암모니아 가스를 포함하도록 구성되는 박막 증착 방법.
KR1020160157561A 2016-11-24 2016-11-24 박막 증착 방법 KR102125473B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160157561A KR102125473B1 (ko) 2016-11-24 2016-11-24 박막 증착 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160157561A KR102125473B1 (ko) 2016-11-24 2016-11-24 박막 증착 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180058897A KR20180058897A (ko) 2018-06-04
KR102125473B1 true KR102125473B1 (ko) 2020-06-24

Family

ID=62628119

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160157561A KR102125473B1 (ko) 2016-11-24 2016-11-24 박막 증착 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102125473B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102489561B1 (ko) * 2018-12-06 2023-01-18 주식회사 원익아이피에스 박막 증착 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006169640A (ja) * 2001-12-25 2006-06-29 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160077557A (ko) * 2014-12-23 2016-07-04 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006169640A (ja) * 2001-12-25 2006-06-29 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180058897A (ko) 2018-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102604354B1 (ko) 막 균일성 및 두께 프로파일 조절을 위한 멀티-사이클 ald 프로세스
US8012261B2 (en) ALD apparatus and method
KR101701024B1 (ko) 컨포멀한 알루미늄 질화물을 위한 고 성장 레이트 프로세스
US20050223982A1 (en) Apparatus and method for depositing thin film on wafer using remote plasma
US7344755B2 (en) Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US20040058293A1 (en) Assembly line processing system
US20040026374A1 (en) Assembly line processing method
TWI591201B (zh) 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體
US10224185B2 (en) Substrate processing apparatus
US20130243971A1 (en) Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition with Horizontal Laser
JP2006049809A (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2023103367A (ja) マルチステーション型堆積システムにおける膜厚整合のための、サイクル及び時間が可変のｒｆ活性化方法
US20100015811A1 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method for forming film
TW201817912A (zh) 成膜裝置及其所用之氣體吐出構件
JP2013151722A (ja) 半導体装置の製造方法
KR102125473B1 (ko) 박막 증착 방법
TWI715736B (zh) 成膜裝置及成膜方法
KR102489561B1 (ko) 박막 증착 방법
JP3960987B2 (ja) 反応容器
KR102534290B1 (ko) 히터 및 샤워헤드의 원자층 박막 코팅을 위한 원자층 박막 증착 코팅 장치
KR100517550B1 (ko) 원자층 증착 장치
JP2011142347A (ja) 基板処理装置
US20200149164A1 (en) Thermal metal chemical vapor deposition apparatus and process
KR20210075266A (ko) 박막 증착 방법
JP2004228602A (ja) 縦型半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant