JP2009188133A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 第１シリコン膜の上に第１炭化シリコン膜を形成する第１工程と、
   前記第１炭化シリコン膜の上に第２シリコン膜を形成する第２工程と、
   前記第２シリコン膜の上にレーザを照射することにより、第２炭化シリコン膜を形成する第３工程と、
   前記第２炭化シリコン膜の上に第３炭化シリコン膜を形成する第４工程と、
   を含むことを特徴とする半導体膜の製造方法。
2. 前記第１工程において、前記第１シリコン膜の上に炭素源ガスが供給され、
   前記第４工程は前記第３工程の後に行われ、
   前記第４工程において、前記第２炭化シリコン膜の上に炭素源ガスおよびシリコン源ガスが供給されることを特徴とする請求項１記載の半導体膜の製造方法。
3. 前記第１シリコン膜は、シリコン基板であり、前記第２シリコン膜はアモルファスシリコン膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体膜の製造方法。
4. 前記第３工程は、前記第１炭化シリコン膜の結晶性を向上させ、前記第２炭化シリコン膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体膜の製造方法。
5. 前記第３工程は、前記第１炭化シリコン膜又は前記第１炭化シリコン膜と第２シリコン膜の界面において、前記レーザ照射によりシリコンおよび炭化シリコンを溶融し、炭化シリコンを再結晶化させる工程であることを特徴とする請求項４記載の半導体膜の製造方法。
6. 前記第２シリコン膜の膜厚は、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法。
7. 前記レーザは、ＸｅＣｌレーザ、ＫｒＦレーザ、ＡｒＦレーザ又はＦ₂レーザであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法。
8. 前記レーザの強度は、前記第２シリコン膜にアブレーションを生じさせる強度より小さいことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法。
9. 前記第３工程と第４工程の間に、
   前記第１炭化シリコン膜の上に残存する第２シリコン膜を除去する工程を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項１０記載の半導体装置の製造方法を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
12. 第１炭化シリコン膜と第２シリコン膜との積層膜にレーザを照射することにより形成された第２炭化シリコン膜をシード膜として成長した第３炭化シリコン膜を有することを特徴とする半導体膜。
13. 請求項１２記載の半導体膜を有することを特徴とする電子機器。