JP2009188049A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトダイオード(PDA,PDB)と、転送トランジスタ(TXA,TXB)と、フローティングディフュージョンFDと、リセットトランジスタRSTと、増幅トランジスタ1STと、選択トランジスタXとを有する画素が半導体基板にマトリクス状に複数個集積されており、列方向に隣接する2つの画素間で、1つのフローティングディフュージョンFD、1つのリセットトランジスタRST及び1つの増幅トランジスタ1STが共有されており、フローティングディフュージョンFD、リセットトランジスタRST及び増幅トランジスタ1STが共有される箇所が、隣接する画素列で1画素分ずれて配置されている構成である。
【選択図】図1
Description
図13(A)は、第1従来例に係る上記のCMOSイメージセンサを構成する1画素の等価回路図である。
各画素は、光を受光して光電荷を生成及び蓄積するフォトダイオードPD、フォトダイオードPDからの光電荷を転送する転送トランジスタTX、転送トランジスタTXを通じて光電荷が転送されるフローティングディフュージョンFD、フローティングディフュージョンFDに接続して形成され、フローティングディフュージョンFD内の光電荷を排出するためのリセットトランジスタRST、ゲート電極がフローティングディフュージョンFDに接続して形成され、フローティングディフュージョンFD内の光電荷を電圧信号に増幅変換する増幅トランジスタ(ソースフォロワ)1ST、及び、増幅トランジスタに直列に接続して形成され、画素を選択するための選択トランジスタXを有して構成されている。選択トランジスタXがカラムラインCOLに接続されている。上記の4つのトランジスタはいずれもnチャネルMOSトランジスタである。
例えば、フォトダイオード(PD11〜PDX4)を含んで構成される画素が、行方向に図面上ROW1〜ROW4の4行、列方向にX列のマトリクス状に配置されている。同一の列の画素は共通のカラムラインCOL1〜COLXに接続されている。
各カラムラインCOL1〜COLXの端部には、容量素子C1〜CXからなるサンプルホールドキャパシタSHCが設けられている。
上記の画素からフォトダイオードに蓄積された光電荷に応じた信号を読み出すには、転送トランジスタの動作により蓄積された光電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、増幅トランジスタ1STによりフローティングディフュージョンFD中の光電荷量に応じた信号電位を得て、選択トランジスタXで選択した行毎に各カラムラインCOLに出力し、各信号電位に対応する信号電荷をサンプルホールドキャパシタSHCに保持する。
一方、これに先立って、リセットトランジスタRSTによるリセット直後の参照電位に対応する電荷を別途設けられた参照用のサンプルホールドキャパシタSHCに保持しておき、信号電位と参照電位の差分を演算処理することにより、ノイズをキャンセルした光信号を得ることができる。
画素面積の縮小化を図るには、画素の構成要素であるフローティングディフュージョンFD、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタ1ST及び選択トランジスタXなどを隣接する画素間で共有する構成とすることが提案されている。
一方の画素のフォトダイオードPDAと他方の画素のフォトダイオードPDBにそれぞれ転送トランジスタ(TXA,TXB)が設けられている。
転送トランジスタ(TXA,TXB)が接続されるフローティングディフュージョンFD以降は図13(A)と同様の1画素分の構成であり、フローティングディフュージョンFD、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタ1ST及び選択トランジスタXが2つの画素で共有されている。
上記の構成のCMOSイメージセンサの1画素あたりのトランジスタ数は2.5となり、図13(A)に示す画素を有するCMOSイメージセンサより画素面積を縮小することができる。
例えば、フォトダイオード(PD11〜PD(2X)4)を含んで構成される画素が、行方向に図面上ROW1〜ROW4の4行、列方向に2X列のマトリクス状に配置されている。
ここで、PD11を有する画素とPD21を有する画素など、2n−1番目の列と2n番目の列(nは整数)における行方向に隣接する2つの画素間で、図14(A)に示すようにフローティングディフュージョンFD、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタ1ST及び選択トランジスタXが共有される。
この場合、2n−1番目の列と2n番目の列(nは整数)における行方向に隣接する2つの画素列間でカラムラインCOL1〜COLXが共有される。
各カラムラインCOL1〜COLXの端部には、各画素列に対応するように、1つのカラムラインに対して2つの容量素子を有する、容量素子C1〜C2XからなるサンプルホールドキャパシタSHCが設けられている。
例えば、フォトダイオード(PD11〜PDX4)を含んで構成される画素が、行方向に図面上ROW1〜ROW4の4行、列方向にX列のマトリクス状に配置されている。
ここで、PD11を有する画素とPD12を有する画素など、2n−1番目の行と2n番目の行(nは整数)における列方向に隣接する2つの画素間で、図14(A)に示すようにフローティングディフュージョンFD、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタ1ST及び選択トランジスタXが共有される。
同一の列の画素は共通のカラムラインCOL1〜COLXに接続されている。
各カラムラインCOL1〜COLXの端部には、容量素子C1〜CXからなるサンプルホールドキャパシタSHCが設けられている。
また、隣接する画素信号の読み出しの同時性が保たれないために、画面上に横線で現れる固定パターンノイズ(FPN)が生じる。FPNについては、非特許文献2に詳細に記載されている。
フォトダイオードは、光を受光して光電荷を生成及び蓄積する。
転送トランジスタは、フォトダイオードから光電荷を転送する。
フローティングディフュージョンは、転送トランジスタを通じて光電荷が転送される。
リセットトランジスタは、付加容量素子またはフローティングディフュージョンに接続され、付加容量素子及び/またはフローティングディフュージョン内の光電荷を排出する。
増幅トランジスタは、フローティングディフュージョン中の光電荷量に応じた信号電位を得る。
ここで、列方向に隣接する2つの画素間で、1つのフローティングディフュージョン、1つのリセットトランジスタ及び1つの増幅トランジスタが共有されており、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタが共有される箇所は、隣接する画素列で1画素分ずれて配置されている構成である。
一方の画素と他方の画素に、光を受光して光電荷を生成及び蓄積するフォトダイオードPDAとフォトダイオードPDBがそれぞれ設けられ、このそれぞれのフォトダイオードに対して、フォトダイオード(PDA,PDB)からの光電荷を転送する転送トランジスタ(TXA,TXB)が設けられている。
転送トランジスタ(TXA,TXB)を通じて光電荷が転送されるフローティングディフュージョンFD、フローティングディフュージョンFDに接続して形成され、フローティングディフュージョンFD内の光電荷を排出するためのリセットトランジスタRST、ゲート電極がフローティングディフュージョンFDに接続して形成され、フローティングディフュージョンFD内の光電荷を電圧信号に増幅変換する増幅トランジスタ(ソースフォロワ)1ST、及び、増幅トランジスタに直列に接続して形成され、画素を選択するための選択トランジスタXは、2つの画素で共有されている。
上記の構成のCMOSイメージセンサの1画素あたりのトランジスタ数は2.5となり、従来例に係る1つの画素が4つのトランジスタを有するCMOSイメージセンサより画素面積を縮小することができる。
例えば、フォトダイオード(PD11〜PDX4)を含んで構成される画素が、行方向に図面上ROW1〜ROW4の4行、列方向にX列のマトリクス状に配置されている。
ここで、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び選択トランジスタが共有される箇所は、図1(B)中に矢印で示しており、これらの箇所は隣接する画素列で1画素分ずれて配置される。
例えば、1番目の列においては、PD11を有する画素とPD12を有する画素、PD13を有する画素とPD14を有する画素とが、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び選択トランジスタを共有している。
一方、例えば、2番目の列においては、PD22を有する画素とPD23を有する画素、PD24を有する画素とPD25を有する画素とが、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び選択トランジスタを共有している。
同一の列の画素は共通のカラムラインCOL1〜COLXに接続されている。
各カラムラインCOL1〜COLXの端部には、容量素子C1〜CXからなるサンプルホールドキャパシタSHCが設けられている。
PD11を有する画素とPD12を有する画素とが、図1(A)に示すようにフローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び選択トランジスタを共有しており、また、PD13を有する画素とPD14を有する画素もまた、同様にフローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び選択トランジスタを共有しており、これらの出力は共通のカラムラインCOL1に接続されている。
また、PD22を有する画素とPD23を有する画素とが、図1(A)に示すようにフローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び選択トランジスタを共有しており、この出力はカラムラインCOL2に接続されている。
上記において、PD12を有する画素とPD22を有する画素とは共通の転送トランジスタのゲート電極TX2に接続する配線に接続されており、PD13を有する画素とPD23を有する画素も同様に、共通の転送トランジスタのゲート電極TX3に接続する配線に接続されている。
リセットトランジスタのゲート電極に接続する配線(RST1,RST2,・・)と、選択トランジスタのゲート電極に接続する配線(X1,X2,・・)とは画素の行毎に設けられている。
リセットトランジスタのゲート電極に接続する配線(RST1,RST2,・・)は、共有される箇所において1列おきにリセットトランジスタのゲート電極に接続され、また、選択トランジスタのゲート電極に接続する配線(X1,X2,・・)は、共有される箇所において1列おきに選択トランジスタのゲート電極に接続されている。
また、配線X1は、PD11を有する画素とPD12を有する画素との共有箇所、PD31を有する画素とPD32を有する画素との共有される箇所において、また、配線X2は、PD22を有する画素とPD23を有する画素との共有箇所、PD42を有する画素とPD43を有する画素との共有される箇所において、それぞれ1列おきに選択トランジスタのゲート電極に接続されている。
例えば、まず、期間TROW2において2行目の画素から信号電位を読み出す場合、配線(X1,X2)をオンにして2行目の画素を選択する。
次に、配線(RST1,RST2)をオンにして2行目の画素のフォトダイオードから光電荷を転送するフローティングディフュージョンをリセットし、配線(RST1,RST2)をオフに戻した後、サンプルホールドキャパシタSHCに駆動信号SHRに応じて参照電位(参照電荷)を保持する。
次に、配線TX2をオンにして2行目の画素のフォトダイオードから光電荷をフローティングディフュージョンに転送し、配線TX2をオフに戻した後、サンプルホールドキャパシタSHCに駆動信号SHSに応じて信号電位(信号電荷)を保持する。
期間TROW3において3行目の画素を読み出すときには、配線(X2,X3)で3行目の画素を選択し、配線(RST2,RST3)をアクティブにしてリセット動作を行ない、配線TX2をオンにして信号電位を読み出す。
以降の行においても同様にして、信号電位を読み出すことができる。
また、各行の画素の読み出し期間の間は、カラム読み出し期間TCOLとなる。
図5は、本実施形態に係るCMOSイメージセンサの回路ブロック構成図である。
画素がマトリクス状に配置されている受光面PAの周辺回路として、水平方向に、行毎に設けられた配線(RST1,RST2,・・)、配線(X1,X2,・・)、及び配線(TX1,TX2,・・)を電圧駆動する行毎のシフトレジスタ(ROW1−SR,ROW2−SR,・・)と、それらを統括する行シフトレジスタROW−SRとが設けられ、さらに、垂直方向に列シフトレジスタCOL−SRが設けられている。
受光面PAと列シフトレジスタCOL−SRの間にサンプルホールドキャパシタSHCが設けられ、駆動信号(SHR,SHS)が入力される。
また、行シフトレジスタROW−SRには、タイミングジェネレータより選択信号X、リセット信号RST、転送信号TXの各クロック信号が入力され、行シフトレジスタROW−SRを経て、行毎のシフトレジスタ(ROW1,ROW2,・・)から、配線(RST1,RST2,・・)、配線(X1,X2,・・)、及び配線(TX1,TX2,・・)に駆動信号が供給される。
ある行の読み出し期間になると、選択信号Xがオンとなり、次にリセット信号RSTがオンとなり、参照電位を読み出すための駆動信号SHRがオンとなる。次に、転送信号TXがオンとなり、信号電位を読み出すための駆動信号SHSがオンとなる。
選択信号がオフとなったら、カラム読み出し期間TCOLとなる。
配線RST1と配線X1がアクティブとなるのは、シフトレジスタROW1−SR又はROW2−SRがオンを出力するときであり、これとクロック信号(RST,X)との積がとられて、配線RST1と配線X1の電位が出力される。
同様に、配線RST2と配線X2がアクティブとなるのは、シフトレジスタROW2−SR又はROW3−SRがオンを出力するときであり、これとクロック信号(RST,X)との積がとられて、配線RST2と配線X2の電位が出力される。
即ち、ある画素行から光電荷に対応する光信号を読み出すときに、画素行の両側に設けられている2本のリセットトランジスタのゲート電極に接続する配線と2本の選択トランジスタのゲート電極に接続する配線とがそれぞれのタイミングチャートに従ってアクティブとなるように、画素行のシフトレジスタ出力と画素行の1行後のシフトレジスタ出力の論理和がとられ、リセットトランジスタのゲート電極に接続する配線と選択トランジスタのゲート電極に接続する配線の電圧駆動がなされる。
図4及び図7の構成では、上記の論理和は画素行のシフトレジスタ出力と画素行の1行後のシフトレジスタ出力の論理和として説明しているが、配線のナンバリングにより、画素行のシフトレジスタ出力と画素行の1行前のシフトレジスタ出力の論理和をとる場合もある。
さらに、この構成では、わずかな論理和回路の追加のみで、タイミングジェネレータなどの冗長な回路を要することなく実現可能である。
図8は、上記の構成のCMOSイメージセンサを実現するためレイアウト図である。
各画素のフォトダイオード(PDA,PDB)、転送トランジスタ(TXA,TXB)、リセットトランジスタ(RST)、増幅トランジスタ(1ST)、選択トランジスタ(X)がそれぞれレイアウトされ、2つの画素間で、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ(RST)、増幅トランジスタ(1ST)、選択トランジスタ(X)が共有される。
図9(A)は、例えば、5行×4列の画素を有する受光面に設けられたカラーフィルタの配置を示すレイアウト図である。R,G,Bは、それぞれ赤、緑、青のカラーフィルタを示し、数字は画素の位置を示している。例えば、R11は、PD11を含む画素において、赤フィルタが設けられていることを示し、いわゆるベイヤー配列となっている。
上記の図9(B)は、上記のカラーフィルタを設けたCMOSイメージセンサにおいて、1つの水平出力が上下の出力よりも10%高い横ラインが発生した場合の、演算処理後のRGBの出力の垂直アドレスVAに対する平均出力AOを示す。図中、Xは上記本実施形態に係るCMOSイメージセンサの場合であり、Yは上述の第3従来例に係る場合である。
上記において、G32をG、R33をRとして、以下のように演算処理した。
G32:G=G32,R=(R31+R33)/2,B=(B22+B42)/2
R32:G=(G23+G32+G34+G43)/4,R=R33、B=(B22+B24+B42+B44)/4
図10は、上記の構成のCMOSイメージセンサを実現するためレイアウト図である。
各画素のフォトダイオード(PDA,PDB)で挟まれた領域に、転送トランジスタ(TXA,TXB)、リセットトランジスタ(RST)、増幅トランジスタ(1ST)、選択トランジスタ(X)がそれぞれレイアウトされている。2つの画素間で、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ(RST)、増幅トランジスタ(1ST)、選択トランジスタ(X)が共有される。
図11及び図12は、本実施形態に係るCMOSイメージセンサの変形例における、フローティングディフュージョンFD、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタ1ST及び選択トランジスタXを共有する隣接する2画素の等価回路図である。
図11においては、リセットトランジスタRSTと増幅トランジスタ1STにそれぞれ供給される電源電位VDDが別端子となっているものである。レイアウトの都合でこれらを別端子とすることが好ましい場合には、このように別にしてもよい。
また、図12に示すように、図1(A)に対して選択トランジスタを削除した形態も適用可能である。選択トランジスタを省略した構成は非特許文献3に詳細に記載されており、これに適用できる。
例えば、0.35μmルールで、3μm□のセルを設計すると、フローティングディフュージョン、VDD端子の共有化が可能であり、フォトダイオードの20%の面積拡大ができ、ダイナミックレンジと感度を20%向上できる。あるいは、ダイナミックレンジと感度を維持した場合には、画素面積を20%縮小でき、20%解像度を向上できる。
また、読み出し線が毎画素の配置となるので、画素の並進対称性を維持でき、水平解像度が向上する。さらに、行の読み出し期間中の読み出しを1回の読み出しで完了でき、1フレームの読み出し速度が20%向上し、動画再生性能が向上する。
1水平ラインの読み出し速度の同時性を保つことができ、フローティングディフュージョンの共有で生じる水平ラインの固定パターンノイズを低減できる。さらに、駆動タイミングが単純化されるので、タイミングジェネレータの回路をコンパクトにすることができる。
読み出し速度は、第3従来例程度に速く実施でき、垂直方向の水平方向の固定パターンノイズも改善されている。
周辺回路として冗長な回路が不要であるので、画素縮小の効果を最大限に活用でき、固体撮像装置の小型化を実現できる。
例えば、本実施形態においては1画素が4つのトランジスタを有するCMOSイメージセンサにおいて画素共有をした構成について説明したが、1画素が元々5個以上のトランジスタを有するCMOSイメージセンサにおいて画素共有を行なう構成にも適用できる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことが可能である。
Claims (8)
- 光を受光して光電荷を生成及び蓄積するフォトダイオードを有する画素が受光面にマトリクス状に配置されている固体撮像装置であって、
前記画素は、
前記フォトダイオードと、
前記フォトダイオードから光電荷を転送する転送トランジスタと、
前記転送トランジスタを通じて前記光電荷が転送されるフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンに接続され、前記フローティングディフュージョン内の光電荷を排出するためのリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンに接続するゲート電極を有する増幅トランジスタと、
を有し、
列方向に隣接する2つの画素間で、1つの前記フローティングディフュージョン、1つの前記リセットトランジスタ及び1つの前記増幅トランジスタが共有されており、
前記フローティングディフュージョン、前記リセットトランジスタ及び前記増幅トランジスタが共有される箇所は、隣接する画素列で1画素分ずれて配置されている構成である
固体撮像装置。 - 前記画素がさらに前記増幅トランジスタと直列に接続された前記画素を選択するための選択トランジスタを有し、
列方向に隣接する2つの前記画素間で1つの前記選択トランジスタが共有されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記リセットトランジスタのゲート電極に接続する配線と前記選択トランジスタのゲート電極に接続する配線とが画素の行毎に設けられており、
前記リセットトランジスタのゲート電極に接続する配線は、前記共有される箇所において1列おきに前記リセットトランジスタのゲート電極に接続され、前記選択トランジスタのゲート電極に接続する配線は、前記共有される箇所において1列おきに前記選択トランジスタのゲート電極に接続されている
請求項2に記載の固体撮像装置。 - ある画素行から前記光電荷に対応する光信号を読み出すときに、前記画素行の両側に設けられている2本の前記リセットトランジスタのゲート電極に接続する配線と2本の前記選択トランジスタのゲート電極に接続する配線とが、それぞれのタイミングチャートに従ってアクティブとなる
請求項2に記載の固体撮像装置。 - ある画素行から前記光電荷に対応する光信号を読み出すときに、前記画素行の両側に設けられている2本の前記リセットトランジスタのゲート電極に接続する配線と2本の前記選択トランジスタのゲート電極に接続する配線とがそれぞれのタイミングチャートに従ってアクティブとなるように、前記画素行のシフトレジスタ出力と前記画素行の1行前または1行後のシフトレジスタ出力との論理和がとられ、前記リセットトランジスタのゲート電極に接続する配線と前記選択トランジスタのゲート電極に接続する配線との電圧駆動がなされる
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 画素がマトリクス状に配置される固体撮像装置であって、
上記画素が、
光電変換素子としてのフォトダイオードと、
上記フォトダイオードの信号電荷を転送する転送トランジスタと、
上記転送トランジスタからの信号電荷を受ける浮遊拡散領域と、
上記浮遊拡散領域を所定の電位に電気的に結合して上記浮遊拡散領域をリセットするリセットトランジスタと、
上記浮遊拡散領域の電荷を電圧として出力する増幅トランジスタと、
を含み、
上記マトリクスの奇数列において、第1行の画素と第2行の画素とで上記浮遊拡散領域、上記リセットトランジスタ及び上記増幅トランジスタが共用され、
上記マトリクスの偶数列において、第2行の画素と第3行の画素とで上記浮遊拡散領域、上記リセットトランジスタ及び上記増幅トランジスタが共用されている、
固体撮像装置。 - 上記画素が、上記増幅トランジスタに接続された画素を選択するための選択トランジスタを更に有し、
上記マトリクスの各列において、上記選択トランジスタが、第1行の画素と第2行の画素又は第2行の画素と第3行の画素とで共用されている、
請求項6に記載の固体撮像装置。 - 上記マトリクスの行方向に配置され、上記転送トランジスタの制御端子に転送用駆動信号を供給する転送用駆動配線と、
上記マトリクスの行方向に配置され、上記リセットトランジスタの制御端子にリセット用駆動信号を供給するリセット用駆動配線と、
上記マトリクスの行方向に配置され、上記選択トランジスタの制御端子に選択用駆動信号を供給する選択用駆動配線と、
上記マトリクスの列方向に配置され、上記選択トランジスタに結合される信号用配線と、
を更に有する請求項7に記載の固体撮像装置。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181595A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびカメラ |
JP2012019366A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
WO2013084406A1 (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-13 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
JP2013219815A (ja) * | 2013-06-12 | 2013-10-24 | Sony Corp | 固体撮像素子、電子装置 |
US9001239B2 (en) | 2008-06-20 | 2015-04-07 | Sony Corporation | Image processing apparatus, image processing method and manufacturing apparatus |
JP2015142114A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
KR101756057B1 (ko) | 2009-09-25 | 2017-07-07 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
CN109842769A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-06-04 | 比亚迪股份有限公司 | 固定模式噪声消除方法、装置、图像传感器及电子设备 |
WO2020149181A1 (ja) * | 2019-01-17 | 2020-07-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
WO2021124974A1 (ja) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5029624B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2012-09-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR101633282B1 (ko) * | 2009-09-09 | 2016-06-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서와 상기 이미지 센서를 포함하는 이미지 픽업 장치 |
JP5126291B2 (ja) | 2010-06-07 | 2013-01-23 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
CN101917538B (zh) * | 2010-08-26 | 2012-09-12 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | Cmos图像传感器像素采样方法 |
JP5785398B2 (ja) | 2011-02-17 | 2015-09-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び画像信号処理装置 |
US11323643B2 (en) | 2018-09-12 | 2022-05-03 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | CMOS sensor architecture for temporal dithered sampling |
JP7005459B2 (ja) | 2018-09-13 | 2022-01-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002325204A (ja) * | 2002-04-08 | 2002-11-08 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2004172950A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2006270658A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子及び固体撮像装置 |
WO2006122068A2 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Micron Technology, Inc. | Pixel with gate contacts over active region and method of forming same |
WO2006124383A2 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-23 | Micron Technology, Inc. | High fill factor multi-way shared pixel |
JP2007081033A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6160281A (en) | 1997-02-28 | 2000-12-12 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor with inter-pixel function sharing |
US6107655A (en) | 1997-08-15 | 2000-08-22 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
US7391066B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Imager floating diffusion region and process for forming same |
KR100674925B1 (ko) | 2004-12-07 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | 허니콤 구조의 능동 픽셀 센서 |
US7238926B2 (en) | 2005-06-01 | 2007-07-03 | Eastman Kodak Company | Shared amplifier pixel with matched coupling capacitances |
JP2007184368A (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
KR100818724B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2008-04-01 | 삼성전자주식회사 | Cmos 이미지 센서와 이를 이용한 이미지 센싱 방법 |
JP2008205638A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Texas Instr Japan Ltd | 固体撮像装置及びその動作方法 |
JP5076635B2 (ja) | 2007-05-17 | 2012-11-21 | ソニー株式会社 | イメージセンサ |
KR100904716B1 (ko) | 2007-06-13 | 2009-06-29 | 삼성전자주식회사 | 수광 효율이 향상된 이미지 센서 |
-
2008
- 2008-02-04 JP JP2008024178A patent/JP4952601B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-30 US US12/363,090 patent/US8125553B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002325204A (ja) * | 2002-04-08 | 2002-11-08 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2004172950A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2006270658A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子及び固体撮像装置 |
WO2006122068A2 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Micron Technology, Inc. | Pixel with gate contacts over active region and method of forming same |
WO2006124383A2 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-23 | Micron Technology, Inc. | High fill factor multi-way shared pixel |
JP2007081033A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9001239B2 (en) | 2008-06-20 | 2015-04-07 | Sony Corporation | Image processing apparatus, image processing method and manufacturing apparatus |
KR101756057B1 (ko) | 2009-09-25 | 2017-07-07 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
JP2011181595A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびカメラ |
JP2012019366A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
WO2013084406A1 (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-13 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
JPWO2013084406A1 (ja) * | 2011-12-08 | 2015-04-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
US9106856B2 (en) | 2011-12-08 | 2015-08-11 | Panasonic Intellectual Property Mangement Co., Ltd. | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
JP2013219815A (ja) * | 2013-06-12 | 2013-10-24 | Sony Corp | 固体撮像素子、電子装置 |
JP2015142114A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
CN109842769A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-06-04 | 比亚迪股份有限公司 | 固定模式噪声消除方法、装置、图像传感器及电子设备 |
CN109842769B (zh) * | 2017-11-28 | 2021-07-16 | 比亚迪半导体股份有限公司 | 固定模式噪声消除方法、装置、图像传感器及电子设备 |
WO2020149181A1 (ja) * | 2019-01-17 | 2020-07-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
WO2021124974A1 (ja) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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