JP2009177210A - 薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】透明基板上に、第1導電層と、第1太陽電池層と、第2太陽電池層とを備える薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法であって、前記第1導電層の前記透明基板と反対側の面に形成される凹凸部のピッチ及び高低差をそれぞれ所定値としたときの、前記第1太陽電池層の膜厚及び前記第2太陽電池層の膜厚と、該膜厚の組合せにおける太陽電池の安定化効率との関係を表すグラフを作成する工程と、該グラフに基づいて、所定の安定化効率が得られる前記第1太陽電池層の膜厚及び前記第2太陽電池層の膜厚を決定する工程と、該決定された膜厚となるように、前記第1太陽電池層及び前記第2太陽電池層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法。
【選択図】図6
Description
(1)太陽からの光を半導体材料により形成されるpin接合層などのエネルギー変換部にいかに効率良く取り込むか。
図2に、本実施の形態1に係わるタンデム構造を有した薄膜シリコン積層型太陽電池の積層構造を示す。
実施の形態2に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池の基本的な積層構成は、実施の形態1の薄膜シリコン積層型太陽電池と同じである。但し、本実施の形態においては、安定化効率が最大になるように、非晶質シリコン太陽電池150および結晶質シリコン太陽電池200の膜厚の値が最適化される。
実施の形態3に係わる、薄膜シリコン積層型太陽電池の概略積層構成を図4に示す。本実施の形態の基本的な積層構成は、実施の形態1に係わる薄膜シリコン系積層型太陽電池と同じである。しかし本実施の形態においては、非晶質シリコン太陽電池150と結晶質シリコン太陽電池200との間に、さらに透明中間層300が積層されている。
実施の形態4に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池においては、実施の形態3に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池の透明中間層300の膜厚の値が、安定化効率の向上のために最適化される。
実施の形態5に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池の基本的な積層構造は、実施の形態3の薄膜シリコン積層型太陽電池と同じである。但し、本実施の形態においては、安定化効率が最大になるように非晶質シリコン太陽電池150および結晶質シリコン太陽電池200の膜厚の値が最適化されている。
実施の形態6に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池においては、実施の形態3に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池のボトムセルである結晶質シリコン太陽電池200と裏面電極100との間に積層されている第2透明電極90(ZnO)の膜厚が、安定化効率の向上のために最適化される。
2、20…第1透明電極
3、30…p型シリコン層(アモルファスシリコン層)
4、40…i型シリコン層(アモルファスシリコン層)
5、50…n型シリコン層(アモルファスシリコン層)
6、60…p型シリコン層(多結晶シリコン層)
7、70…i型シリコン層(多結晶シリコン層)
8、80…n型シリコン層(多結晶シリコン層)
9、90…第2電極
10、100…裏面電極
150…非晶質シリコン太陽電池
200…結晶質シリコン太陽電池
300…透明中間層
Claims (3)
- 透明基板上に、第1導電層と、第1太陽電池層と、第2太陽電池層とを備える薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法であって、
前記第1導電層の前記透明基板と反対側の面に形成される凹凸部のピッチ及び高低差をそれぞれ所定値としたときの、前記第1太陽電池層の膜厚及び前記第2太陽電池層の膜厚と、該膜厚の組合せにおける太陽電池の安定化効率との関係を表すグラフを作成する工程と、
該グラフに基づいて、所定の安定化効率が得られる前記第1太陽電池層の膜厚及び前記第2太陽電池層の膜厚を決定する工程と、
該決定された膜厚となるように、前記第1太陽電池層及び前記第2太陽電池層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法。 - 透明基板上に、第1導電層と、第1太陽電池層と、第2太陽電池層と、前記第1太陽電池層と前記第2太陽電池層との間に透明中間層とを備える薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法であって、
前記第1導電層の前記透明基板と反対側の面に形成される凹凸部のピッチ及び高低差と、前記透明中間層の膜厚とをそれぞれ所定値としたときの、前記第1太陽電池層の膜厚及び前記第2太陽電池層の膜厚と、該膜厚の組合せにおける太陽電池の安定化効率との関係を表すグラフを作成する工程と、
該グラフに基づいて、所定の安定化効率が得られる前記第1太陽電池層の膜厚及び前記第2太陽電池層の膜厚を決定する工程と、
該決定された膜厚となるように、前記第1太陽電池層及び前記第2太陽電池層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法。 - 前記膜厚を決定する工程において、前記所定の安定化効率を満たす前記第1太陽電池層の膜厚範囲及び前記第2太陽電池層の膜厚範囲を特定し、該特定された膜厚範囲の中で最も小さい値を、前記第1太陽電池層の膜厚及び前記第2太陽電池層の膜厚とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175531A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Nippondenso Co Ltd | 積層型アモルファスシリコン太陽電池 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175531A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Nippondenso Co Ltd | 積層型アモルファスシリコン太陽電池 |
JP2000164904A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法 |
JP2000277773A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-10-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
JP2002033494A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光起電力装置およびその製造方法 |
JP2004095784A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Kyocera Corp | 薄膜光電変換装置 |
JP2004253417A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111554762A (zh) * | 2020-05-05 | 2020-08-18 | 河南工业职业技术学院 | 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法 |
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