JP2009174940A - 試料断面作製装置の遮蔽材保持機構 - Google Patents

試料断面作製装置の遮蔽材保持機構 Download PDF

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【課題】本発明は試料断面作製装置の遮蔽材保持機構に関し、試料に熱が伝わらないようにした試料断面作製装置の遮蔽材保持機構を提供することを目的としている。
【解決手段】イオンビームにより試料1をエッチングして試料観察面を作製するようにした試料作製装置に用いられる遮蔽材保持機構であって、試料表面にイオンビームが照射されることを遮蔽する遮蔽材を用いる遮蔽材保持機構において、試料1の上に載置され、試料1を直接遮蔽する遮蔽板3と、該遮蔽板3の上に該遮蔽板3を覆うように配置された遮蔽ブロック5と、を設けて構成される。
【選択図】図1

Description

本発明は試料断面作製装置の遮蔽材保持機構に関し、更に詳しくは試料の温度上昇を抑制することができるようにした試料断面作製装置の試料遮蔽機構に関する。
試料の断面画像を撮影するために、試料の断面をエッチング(ミリング)により削るCP(クロスセクション・ポリッシャ:イオンビームによる試料断面作製装置)が知られている。この装置は、遮蔽材を試料の上部に設け、エッチング時に遮蔽材が試料の所定の領域を遮蔽し、試料のエッチング部以外の領域がイオンビームの照射を受けることを防いでいる。
従来のこの種の装置としては、真空チャンバ内に配置され、試料にイオンビームを照射するためのイオンビーム照射手段と、前記真空チャンバ内に配置され、前記試料を保持する試料ホルダとを備え、前記試料ホルダは、前記イオンビーム照射手段からのイオンビームが進入するイオンビーム進入孔を有して、イオンビームにより試料ホルダがエッチングされないようにした技術が知られている(例えば特許文献1参照)。
特開2005−77359号公報(段落0010〜0017、図3)
CPは、試料に遮蔽板を密着させてセットして、試料と遮蔽板に直接イオンビームが照射される。この場合において、熱に弱い試料を発熱させないようにするため、試料と試料に密着した遮蔽板を冷却する必要があるが、試料の加工に関与しない部分にもイオンビームが照射されるため、冷却効率が悪くなり、主に遮蔽板の温度が上昇する。このため、以下に示すような問題が発生する。
1)試料加工位置はイオンビーム下遮蔽材部分と接していることから、遮蔽板輻射熱で試料上が高温となる。
2)遮蔽板冷却は、イオンビーム照射範囲から外れた箇所から熱伝導を利用して冷却しなければならない。
3)試料の冷却もイオンビーム照射範囲から外れた箇所からの熱伝導でないと冷却できない。
4)特に熱伝導の悪い試料の場合、3)に記載の熱伝導により冷却されることから、効果的に冷却できない。
このような理由により、熱に弱い試料の作製が困難であるという問題があった。本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、試料に熱が伝わらないようにした試料断面作製装置の遮蔽材保持機構を提供することを目的としている。
(1)請求項1記載の発明は、イオンビームにより試料をエッチングして試料観察面を作製するようにした試料作製装置に用いられる遮蔽材保持機構であって、試料表面にイオンビームが照射されることを遮蔽する遮蔽材を用いる遮蔽材保持機構において、試料の上に載置され、試料を直接遮蔽する遮蔽板と、該遮蔽板の上に該遮蔽板を覆うように配置された遮蔽ブロックと、を設けたことを特徴とする。
(2)請求項2記載の発明は、イオンビームにより試料をエッチングして試料観察面を作製するようにした試料作製装置に用いられる遮蔽材保持機構であって、試料表面にイオンビームが照射されることを遮蔽する遮蔽材を用いる遮蔽材保持機構において、試料の上に載置され、試料を直接遮蔽する遮蔽板と、該遮蔽板の上に該遮蔽板を覆うように配置された遮蔽ブロックと、を有し、前記遮蔽板を保持する機構と前記遮蔽ブロックを保持する機構を一体化したことを特徴とする。
(3)請求項3記載の発明は、イオンビームにより試料をエッチングして試料観察面を作製するようにした試料作製装置に用いられる遮蔽材保持機構であって、試料表面にイオンビームが照射されることを遮蔽する遮蔽材を用いる遮蔽材保持機構において、試料の上に載置され、試料を直接遮蔽する遮蔽板と、該遮蔽板の上に該遮蔽板を覆うように配置された遮蔽ブロックと、を断熱材を介して一体構造としたことを特徴とする。
(4)請求項4記載の発明は、前記遮蔽材を支持する第1の支持部材と、前記試料を支持する第2の支持部材に冷却伝導用編組線を接続して、前記第1の支持部材と第2の支持部材を冷却手段により冷却するように構成したことを特徴とする。
(1)請求項1記載の発明によれば、遮蔽板の上にこれを覆う遮蔽ブロックを設けたので、遮蔽板がイオンビームの照射により発熱することがなくなり、試料に熱が伝わらないようにした試料断面作製装置の遮蔽材保持機構を提供することができる。
(2)請求項2記載の発明によれば、請求項1記載の効果に加えて、試料を遮蔽する遮蔽板と該遮蔽板の上に配置された遮蔽ブロックを一体化することで、試料の位置合わせを正確に行なうことができる。
(3)請求項3記載の発明によれば、試料を遮蔽する遮蔽板と該遮蔽板の上に配置された遮蔽ブロックを断熱材を介して一体構造にすることにより、請求項1記載の効果に加えて、試料の位置合わせを正確に行なうことができる。
(4)請求項4記載の発明によれば、遮蔽材を支持する第1の支持部材と試料を保持する第2の支持部材を冷却することで、試料が加熱されることがなくなり、温度に弱い試料も加工することができるようになる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は本発明の第1の実施の形態を示す構成図である。図において、IBはイオン源(図示せず)から出射されるイオンビームで、Aはその照射領域を示している。1は試料、2は該試料1を支持する試料支持部材である。3は試料1の上に載置され、試料1を直接遮蔽する遮蔽板、4は該遮蔽板3を支持する遮蔽板支持部材である。5は遮蔽板3の上に該遮蔽板3を覆うように配置された遮蔽ブロック、6は該遮蔽ブロック5を支持する遮蔽ブロック支持部材である。試料支持部材2としては例えばモリブデンが使用され、遮蔽板支持部材4,遮蔽ブロック支持部材6としては例えばアルミニウムが使用される。
Bは遮蔽板3の上に遮蔽ブロック5が配置されることによって、遮蔽板3の上に形成される影である。遮蔽ブロック5が無ければ、この部分もイオンビームIBの照射を受けることになる。7は試料支持部材2と接続される冷却伝導用編組線、8は遮蔽板支持部材4と接続される冷却伝導用編組線である。これら冷却伝導用編組線7,8は他端が冷却装置(図示せず)に接続され、−160℃から−180℃程度の冷却部と接続される。このような低温を試料支持部材2と遮蔽板支持部材4に伝達してこれら部材を冷却するため、冷却伝導用編組線7,8の材料としては熱伝導率のよいもの、例えば銅線が用いられる。このように構成された機構の動作を以下に説明する。
先ず、試料1の上に直接遮蔽板3を乗せているので、遮蔽板3で覆われている部分の試料にはイオンビームIBが照射されることはない。このままだと遮蔽板3が熱を持つので、該遮蔽板3の上に更に遮蔽ブロック5を配置している。この結果、Bに示す領域は遮蔽板3にイオンビームIBが照射されることはない。従って、遮蔽板3に照射されるイオンビームIBの量は大幅に少なくなる。
それでも遮蔽板3にはイオンビームIBが照射される領域があるので、該遮蔽板3は発熱する。この発熱は、遮蔽板3を支持する遮蔽板支持部材4を冷却伝導用編組線8により冷却されていることから、遮蔽板3は冷却され、発熱を抑えることができる。一方、試料支持部材2にも冷却伝導用編組線7が接続され、試料1を冷却している。従って、温度に弱い試料であっても熱のために変形することがなくなる。
このように第1の実施の形態によれば、遮蔽板の上にこれを覆う遮蔽ブロックを設けたので、遮蔽板がイオンビームの照射により発熱することがなくなり、試料に熱が伝わらないようにした試料断面作製装置の遮蔽材保持機構を提供することができる。更に、遮蔽板3を支持する第1の支持部材4と試料1を保持する第2の支持部材2を冷却することで、試料1が加熱されることがなくなり、温度に弱い試料も正確に加工することができるようになる。
(実施の形態2)
図2は本発明の第2の実施の形態を示す構成図である。図1と同一のものは、同一の符号を付して示す。図に示す実施の形態は、図1に示す遮蔽板支持部材4と遮蔽ブロック支持部材6を一体化したものである。図において、10は遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材である。該遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材10には、断熱材9を介して遮蔽板支持部材4が取り付けられ、一体構造となっている。従って、遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材10は、遮蔽ブロック5に加えて遮蔽板3を支持することになる。その他の構成は、図1に示す実施の形態と同じなので、説明は省略する。このように構成された機構の動作を説明すれば、以下の通りである。
遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材10は図の矢印方向に移動可能に構成されている。従って、該遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材10を矢印方向に移動させると、遮蔽板支持部材4もそれと同期して同一方向に移動する。従って、この発明によれば、遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材10を移動させることによって、試料1のエッチング部分を1μmのオーダで位置決めすることができる。即ち、試料1の位置合わせを正確に行なうことができる。
また、試料1の遮蔽に関しては、遮蔽板3で試料1を直接遮蔽し、更にその上を遮蔽ブロック5で覆うことにより、遮蔽板3にイオンビームIBが直接照射されることが少なくなるので、遮蔽板3が発熱するのを防ぐことができる。更に、試料支持部材2と遮蔽板支持部材4を冷却伝導用編組線7,8で冷却することにより、試料の温度上昇を極めて効果的に抑制することができる。従って、温度に弱い試料も正確に加工することができるようになる。
(実施の形態3)
図3は本発明の第3の実施の形態を示す構成図である。図1と同一のものは、同一の符号を付して示す。図に示す実施の形態は、図1に示す遮蔽板3と遮蔽ブロック5を断熱材15を介して一体化したものである。図において、15は遮蔽板3と遮蔽ブロック5間をつなぐ断熱材である。該断熱材15としては既存の断熱材料を用いることができる。この実施の形態では、遮蔽板3と遮蔽ブロック5とが断熱材15を介して一体構造となっている。その他の構成は、図1に示す実施の形態と同じなので、説明は省略する。このように構成された機構の動作を説明すれば、以下の通りである。
遮蔽板支持部材4は図の矢印方向に移動可能に構成されている。従って、該遮蔽板支持部材4を矢印方向に移動させると、遮蔽ブロック5もそれと同期して同一方向に移動する。従って、この発明によれば、遮蔽板支持部材4を移動させることによって、試料1のエッチング部分を1μmのオーダで位置決めすることができる。即ち、試料1の位置合わせを正確に行なうことができる。
また、試料1の遮蔽に関しては、遮蔽板3で試料1を直接遮蔽し、更にその上を遮蔽ブロック5で覆うことにより、遮蔽板3にイオンビームIBが直接照射されることが少なくなるので、遮蔽板3が発熱するのを防ぐことができる。更に、試料支持部材2と遮蔽板支持部材4を冷却伝導用編組線7,8で冷却することにより、試料の温度上昇を極めて効果的に抑制することができる。従って、温度に弱い試料も正確に加工することができるようになる。
以上、詳細に説明したように、本発明によれば試料に熱が伝わらないようにした試料断面作製装置の遮蔽材保持機構を提供することができる。
本発明の第1の実施の形態を示す構成図である。 本発明の第2の実施の形態を示す構成図である。 本発明の第3の実施の形態を示す構成図である。
符号の説明
1 試料
2 試料支持部材
3 遮蔽板
4 遮蔽板支持部材
5 遮蔽ブロック
6 遮蔽ブロック支持部材
7 冷却伝導用編組線
8 冷却伝導用編組線
9 断熱材
10 遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材
15 断熱材

Claims (4)

  1. イオンビームにより試料をエッチングして試料観察面を作製するようにした試料作製装置に用いられる遮蔽材保持機構であって、試料表面にイオンビームが照射されることを遮蔽する遮蔽材を用いる遮蔽材保持機構において、
    試料の上に載置され、試料を直接遮蔽する遮蔽板と、
    該遮蔽板の上に該遮蔽板を覆うように配置された遮蔽ブロックと、
    を設けたことを特徴とする試料断面作製装置の遮蔽材保持機構。
  2. イオンビームにより試料をエッチングして試料観察面を作製するようにした試料作製装置に用いられる遮蔽材保持機構であって、試料表面にイオンビームが照射されることを遮蔽する遮蔽材を用いる遮蔽材保持機構において、
    試料の上に載置され、試料を直接遮蔽する遮蔽板と、
    該遮蔽板の上に該遮蔽板を覆うように配置された遮蔽ブロックと、
    を有し、
    前記遮蔽板を保持する機構と前記遮蔽ブロックを保持する機構を一体化したことを特徴とする試料断面作製装置の遮蔽材保持機構。
  3. イオンビームにより試料をエッチングして試料観察面を作製するようにした試料作製装置に用いられる遮蔽材保持機構であって、試料表面にイオンビームが照射されることを遮蔽する遮蔽材を用いる遮蔽材保持機構において、
    試料の上に載置され、試料を直接遮蔽する遮蔽板と、該遮蔽板の上に該遮蔽板を覆うように配置された遮蔽ブロックと、を断熱材を介して一体構造としたことを特徴とする試料断面作製装置の遮蔽材保持機構。
  4. 前記遮蔽材を支持する第1の支持部材と、前記試料を支持する第2の支持部材に冷却伝導用編組線を接続して、前記第1の支持部材と第2の支持部材を冷却手段により冷却するように構成したことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の試料断面作製装置の遮蔽材保持機構。
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