JP2009167258A - 重合性含フッ素単量体および含フッ素重合体ならびにレジストパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
式(1):
−(M)−(N)− (I)
(式中、Mは前記式(1)で示される重合性単量体由来の構造単位;Nは式(1)で示される単量体と共重合可能な単量体由来の構造単位)で示され、構造単位Mを1〜100モル%、構造単位Nを0〜99モル%含む含フッ素重合体にも関する。
(I)基板および該基板上に形成されるフォトレジスト層を有する液浸リソグラフィー用のレジスト積層体を形成する工程、
(II)該レジスト積層体に所望のパターンを有するフォトマスクおよび縮小投影レンズを介し、該縮小投影レンズとレジスト積層体間を液体で満たした状態でエネルギー線を照射し、フォトレジスト層のフォトマスクパターンに対応した特定領域を選択的に露光する液浸露光工程、および
(III)該露光されたレジスト積層体を現像液で処理する工程
を含む液浸リソグラフィー法によるレジストパターン形成方法であって、
該フォトレジスト層が本発明の重合体を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法、または
(Ia)基板、該基板上に形成されるフォトレジスト層、および該フォトレジスト層上に形成される保護層を有する液浸リソグラフィー用のレジスト積層体を形成する工程、
(IIa)該レジスト積層体に所望のパターンを有するフォトマスクおよび縮小投影レンズを介し、該縮小投影レンズとレジスト積層体間を液体で満たした状態でエネルギー線を照射し、フォトレジスト層のフォトマスクパターンに対応した特定領域を選択的に露光する液浸露光工程、および
(IIIa)該露光されたレジスト積層体を現像液で処理する工程
を含む液浸リソグラフィー法によるレジストパターン形成方法であって、
該フォトレジスト層および/または保護層が本発明の重合体を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法にも関する。
−(M)−(N)− (I)
(式中、Mは、式(1):
ラ用レンズ、プロジェクター用フレネルレンズ、コンタクトレンズなどがあげられる。本発明の重合体は、透明性、耐熱性、成形加工性に優れ、これらの用途に好適である。
(I)基板および該基板上に形成されるフォトレジスト層を有する液浸リソグラフィー用のレジスト積層体を形成する工程、
(II)該レジスト積層体に所望のパターンを有するフォトマスクおよび縮小投影レンズを介し、該縮小投影レンズとレジスト積層体間を液体で満たした状態でエネルギー線を照射し、フォトレジスト層のフォトマスクパターンに対応した特定領域を選択的に露光する液浸露光工程、および
(III)該露光されたレジスト積層体を現像液で処理する工程
を含む液浸リソグラフィー法によるレジストパターン形成方法であって、
該フォトレジスト層が本発明の重合体を含むことを特徴とする。
まず、図1(a)に示すように基板(L0)にフォトレジスト組成物を回転塗布法等によって10〜5000nm、好ましくは50〜1000nm、より好ましくは100〜500nmの膜厚で塗布する。
図1(b)に示すように、乾燥後のフォトレジスト層(L1)上に、本発明の重合体を含むコーティング組成物を回転塗布法等によって塗布する。ついで、必要に応じてプリベークを行ない、保護層(L2)を形成する。
つぎに図1(c)に示すように、レジスト積層体(L1+L2)に、所望のパターンを有するマスク11および縮小投影レンズ14を介して、矢印13で示すようにエネルギー線を照射し、特定の領域12を選択的に露光することによってパターン描画を行なう。
ついで露光後ベーキングを行ったフォトレジスト層(L1)に対して現像液で現像処理を行うと、フォトレジスト層(L1)の未露光部分は現像液に対する溶解性が低いため基板上に残存するが、一方、上述したように露光領域12は現像液に溶解する。
(Ia)基板、該基板上に形成されるフォトレジスト層、および該フォトレジスト層上に形成される保護層を有する液浸リソグラフィー用のレジスト積層体を形成する工程、
(IIa)該レジスト積層体に所望のパターンを有するフォトマスクおよび縮小投影レンズを介し、該縮小投影レンズとレジスト積層体間を液体で満たした状態でエネルギー線を照射し、フォトレジスト層のフォトマスクパターンに対応した特定領域を選択的に露光する液浸露光工程、および
(IIIa)該露光されたレジスト積層体を現像液で処理する工程
を含む液浸リソグラフィー法によるレジストパターン形成方法であって、
該フォトレジスト層および/または保護層が本発明の重合体を含むことを特徴とする。
が好ましく利用でき、さらに具体的には
NMR測定装置:BRUKER社製
1H−NMR測定条件:400MHz(テトラメチルシラン=0ppm)
19F−NMR測定条件:376MHz(トリクロロフルオロメタン=0ppm)
(2−フルオロアクリル酸5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−イルの合成)
窒素導入管、滴下漏斗、温度計、シリカゲル乾燥管、セプタムラバーキャップ、スタラーチップを装着した四つ口フラスコを乾燥し、5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−オール(5,5,5−trifluoro−4−hydroxy−4−(trifluoromethyl)pentan−2−ol)22.5g(100mmol)、ピリジン79g(100mmol)、THF50mlを加え氷−水浴で冷却した。攪拌しながら2−フルオロアクリル酸フルオライド10g(110mmol)を内温5℃以下でゆっくりと滴下した。その後窒素下室温で一夜間攪拌した。反応混合物に水100mlとジイソプロピルエーテル50mlを加え分液した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液2回、希塩酸水溶液1回、飽和食塩水2回でそれぞれ洗浄し無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。得られた溶液を濃縮し、ハイドロキノン存在下、減圧にて蒸留することにより無色透明の液体を得た。構造はIR、19F−NMR、1H−NMRにて調べ、2−フルオロアクリル酸5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−イルと同定した。収量19.5g(収率65.7%)、沸点57〜65℃(1.0mmHg)。
19F−NMR(アセトン−d6、ppm):−75.7(3F)、−76.9(3F)、−117.4(1F)
1H−NMR(アセトン−d6、ppm):1.41(3H、CH3)、2.29(1H、CH2)、2.54(1H、CH2)、5.44(2H、H2C=)、5.71(1H、CH)、6.92(1H、OH)
(2−フルオロアクリル酸5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−イルの単独重合体の合成)
窒素導入管、減圧ライン、温度計、セプタムラバーキャップ、スタラーチップを装着した三つ口フラスコを乾燥し、実施例1で合成した2−フルオロアクリル酸5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−イル3.0g(10mmol)、THF15mlを加えドライアイス−アセトン浴で冷却する。AIBN60mg(0.4mmol)を加えた後、攪拌しながら減圧して脱酸素を行った。窒素で置換した後水浴にて60℃に加温し3時間攪拌した、室温に戻して20時間攪拌した後、反応混合物をn−ヘキサン300mlに攪拌しながら投入し再沈殿にて目的とする樹脂を得た。構造は19F−NMR、1H−NMRにて調べ、2−フルオロアクリル酸5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−イルの単独重合体と同定した。GPCで測定したスチレン標準の数平均分子量は27580、重量平均分子量は30880であった。収量2.7g(収率90%)。
19F−NMR(アセトン−d6、ppm):−75.6(3F)、−76.9(3F)、−161.2〜−167.8(1F)
1H−NMR(アセトン−d6、ppm):1.42(3H、CH3)、2.24(1H、CH2)、2.47(3H、CH2)、5.22(1H、CH)、6.72(1H、OH)
(メタクリル酸5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−イルの単独重合体の合成)
2−フルオロアクリル酸フルオライドに代えてメタクリル酸フルオライドを用いたほかは実施例1と同様の方法でメタクリル酸5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−イルを得た。この単量体3.0g(10mmol)にTHF15mlを加えドライアイス−アセトン浴で冷却し、AIBN60mg(0.4mmol)を加えた後、攪拌しながら減圧して脱酸素を行った。窒素で置換した後水浴にて55℃に加温し2時間攪拌した、室温に戻して20時間攪拌した後、反応混合物をn−ヘキサン300mlに攪拌しながら投入し再沈殿にて目的とする樹脂を得た。構造は19F−NMR、1H−NMRにて調べ、メタクリル酸5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−イルの単独重合体と同定した。GPCで測定したスチレン標準の数平均分子量は18300、重量平均分子量は23130であった。収量0.84g(収率28%)。
溶媒(THF)を用いなかったほかは比較例1と同じ反応条件でメタクリル酸5,5,5−トリフルオロ−4−ヒドロキシ−4−(トリフルオロメチル)ペンタン−2−イルの単独重合体を得た。GPCで測定したスチレン標準の数平均分子量は207120、重量平均分子量は295720であった。収量2.1g(収率70%)。
実施例2ならびに比較例1および2でそれぞれ得た重合体について、つぎの方法で静的接触角、前進接触角、後退接触角、転落角を調べた。結果を表1に示す。
ガラス基板に実施例2ならびに比較例1および2でそれぞれ得た重合体の10質量%メチルアミルケトン(MAK)溶液をスピンコート(300rpm、3秒;2000rpm、25秒)し、110℃で180秒乾燥して、試料を作製する。
水平に置いた試料の重合体膜表面にマイクロシリンジから水、n−ヘキサデカンを2μl滴下し、滴下1秒後の静止画をビデオマイクロスコープで撮影することにより求める。
水平に置いた試料の重合体膜表面にマイクロシリンジから、水の場合は20μl、n−ヘキサデカンの場合は5μl滴下し、試料基板を毎秒2°の速度で傾斜させ、液滴が転落し始めるまでを、ビデオマイクロスコープで動画として記録する。その動画を再生し、液滴が転落し始める角度を転落角とし、転落角における液滴の進行方向側の接触角を前進接触角、進行方向と反対側を後退接触角とする。
実施例2ならびに比較例1および2でそれぞれ得た重合体について、つぎの方法で標準現像液に対する溶解速度を調べた。結果を表1に示す。
金で被覆された直径24mmの水晶振動子板に実施例2ならびに比較例1および2でそれぞれ得た重合体10質量%MAK溶液をスピンコート(300rpm、5秒;2000rpm、30秒)し、110℃で90秒乾燥して、厚さ約100nmの重合体被膜を作製する。
標準現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、水晶振動子法(QCM法)により水に対する溶解速度を測定する。膜厚は水晶振動子板の振動数から換算して算出し測定する。
実施例2ならびに比較例1および2でそれぞれ得た重合体について、ガラス転移温度(Tg)および熱分解温度(Td)を測定した。結果を表1に示す。
示差走査熱量計(SEIKO社製、RTG220)を用いて、30℃から150℃までの温度範囲を10℃/分の条件で昇温−降温−昇温(2回目の昇温をセカンドランと呼ぶ)させて得られるセカンドランにおける吸熱曲線の中間点をTg(℃)とする。
島津製作所製TGA−50型熱天秤を用い、10℃/分の昇温速度で5%質量減少の始まる温度を測定する。
実施例2ならびに比較例1および2でそれぞれ得た重合体について、つぎの方法により透過率ならびに屈折率を測定した。結果を表1に示す。
8インチのシリコンウェハ基板に、実施例2ならびに比較例1および2でそれぞれ得た重合体10質量%MAK溶液のそれぞれを、スピンコーターを用いて、はじめに300rpmで3秒間、ついで4000rpmで20秒間ウェハを回転させながら塗布し、乾燥後約100nmの膜厚になるように調整しながら被膜を形成した。
分光エリプソメーター(J.A.Woollam社製のVASE ellipsometer)を用いて各波長光におけるk値、屈折率および膜厚を測定する。
(1)フォトレジスト層(L1)の形成
ArFリソグラフィー用フォトレジストTArF−P6071(東京応化工業(株)製)を、スピンコーターにて、8インチのシリコン基板上に回転数を変えながら200〜300nmの膜厚に調整して塗布した後、130℃で60秒間プリベークしてフォトレジスト層(L1)を形成した。
上記(1)で形成したフォトレジスト層(L1)上に、実施例2で得た単独重合体を含む塗布用組成物を、スピンコーターで、初めに300rpmで3秒間、ついで4000rpmで20秒間ウェハを回転させ膜厚約100nmに調整しながら保護層(L2)を形成し、フォトレジスト積層体を形成した。
上記(2)で得たレジスト積層体について、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量%の標準現像液で温度23℃、時間60秒間で静止パドル現像を行った後純水リンスを行った。
L1 フォトレジスト層
L2 保護層
11 マスク
12 露光領域
13 エネルギー線
14 縮小投影レンズ
15 純水
Claims (4)
- (I)基板および該基板上に形成されるフォトレジスト層を有する液浸リソグラフィー用のレジスト積層体を形成する工程、
(II)該レジスト積層体に所望のパターンを有するフォトマスクおよび縮小投影レンズを介し、該縮小投影レンズとレジスト積層体間を液体で満たした状態でエネルギー線を照射し、フォトレジスト層のフォトマスクパターンに対応した特定領域を選択的に露光する液浸露光工程、および
(III)該露光されたレジスト積層体を現像液で処理する工程
を含む液浸リソグラフィー法によるレジストパターン形成方法であって、
該フォトレジスト層が請求項2記載の重合体を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - (Ia)基板、該基板上に形成されるフォトレジスト層、および該フォトレジスト層上に形成される保護層を有する液浸リソグラフィー用のレジスト積層体を形成する工程、
(IIa)該レジスト積層体に所望のパターンを有するフォトマスクおよび縮小投影レンズを介し、該縮小投影レンズとレジスト積層体間を液体で満たした状態でエネルギー線を照射し、フォトレジスト層のフォトマスクパターンに対応した特定領域を選択的に露光する液浸露光工程、および
(IIIa)該露光されたレジスト積層体を現像液で処理する工程
を含む液浸リソグラフィー法によるレジストパターン形成方法であって、
該フォトレジスト層および/または保護層が請求項2記載の重合体を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
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