JP2009164472A - レーザ光源装置、それを用いた画像表示装置並びにモニタ装置、及び素子温度調整方法。 - Google Patents

レーザ光源装置、それを用いた画像表示装置並びにモニタ装置、及び素子温度調整方法。 Download PDF

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【課題】波長変換素子を用いるレーザ光源装置において、波長変換素子の温度を比較的短時間のうちに目標温度に到達させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】レーザ光源装置は、基本波光を射出する光源部と、基本波光を入射して波長変換を行い、波長変換後の変換光を射出する波長変換素子と、波長変換素子の温度を調整する調温部と、調温部を制御する調温制御部と、を備えている。調温制御部は、波長変換素子の素子温度が一定の変化率で変化する第1の期間と、第1の期間の後において素子温度が変化率を変えながら所定の目標温度に近づいていく第2の期間と、が生じるように調温部を制御する。
【選択図】図1

Description

本発明は、波長変換素子を備えたレーザ光源装置に関する。
近年、プロジェクタやモニタ装置等の照明用光源として、高効率なレーザ光源装置が用いられることがある。このレーザ光源装置として、非線形光学結晶等から成る波長変換素子を備え、この波長変換素子において赤外線を可視光(例えば、緑色光や青色光等)に波長変換して射出するものがある。一般に、波長変換素子における波長変換効率は、温度依存性を有する。そこで、ヒータを波長変換素子の表面に配置して、波長変換素子の温度を変換効率の高い最適な温度で一定に保つ構成が提案されている(下記特許文献1参照)。
特開平5−53163号公報
従来より、波長変換素子を備える光源装置において、電源をオンしてから短時間で点灯させたいという要請があった。そのため、電源オンの直後から比較的大きな出力を得るように波長変換素子の温度を最適な目標温度に瞬時に到達させたいという要請があった。また、光源装置の使用中に何らかの原因で波長変換素子の温度が急激に変化した場合に、素子温度を目標温度に瞬時に到達させたいという要請があった。
本発明は、波長変換素子を用いるレーザ光源装置において、波長変換素子の温度を比較的短時間のうちに目標温度に到達させることが可能な技術を提供する。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]レーザ光源装置であって、基本波光を射出する光源部と、前記基本波光を入射して波長変換を行い、波長変換後の変換光を射出する波長変換素子と、前記波長変換素子の素子温度を調整する調温部と、前記調温部を制御する調温制御部と、を備え、前記調温制御部は、前記素子温度が一定の変化率で変化する第1の期間と、前記第1の期間の後において前記素子温度が変化率を変えながら所定の目標温度に近づいていく第2の期間と、が生じるように前記調温部を制御する、レーザ光源装置。
適用例1のレーザ光源装置は、素子温度が一定の変化率で変化する第1の期間と、その後において素子温度が変化率を変えながら所定の目標温度に近づいていく第2の期間とを生じさせるので、素子温度の調整の当初より第2の期間が生じる構成に比べて、素子温度を比較的短時間のうちに目標温度に近づけることができる。なお、前述の「一定の変化率」とは、全く変化率が変わらない場合の他にも、変化率がほぼ一定であると認められる場合をも含む広い意味を有する。例えば、変化率の変動が5%以内に収まっている場合も「一定の変化率」であることを意味する。一方、素子温度の変化が開始した直後などにおいて、素子温度の変化率の変動が5%を超える期間が存在する場合には、この期間は、「第1の期間」に含まれない。また、素子温度が所定の目標温度に近づいた場合において素子温度の変化率の変動が5%を超える期間が存在する場合には、この期間は、「第2の期間」に含まれ得る。
[適用例2]適用例1に記載のレーザ光源装置において、前記調温制御部は、前記レーザ光源装置の起動時において、前記第1の期間と、前記第2の期間と、が生じるように前記調温部を制御する、レーザ光源装置。
このようにすることで、レーザ光源装置の起動時において比較的短時間のうちに素子温度を所定の目標温度に到達させることができるので、起動してから比較的短時間のうちに、比較的大きな光量で変換光を射出することができる。
[適用例3]適用例2に記載のレーザ光源装置であって、前記調温制御部は、前記素子温度を取得する素子温度取得部を備え、前記調温制御部は、(i)前記調温部を制御するための動作モードとして、所定の操作量を一定して前記調温部に供給する第1の制御モードと、前記素子温度取得部によって取得された素子温度に応じて操作量を決定して前記調温部に供給するフィードバック制御を行う第2の制御モードと、を有し、(ii)前記第1の制御モードで動作することで前記第1の期間を生じさせ、前記素子温度が前記所定の目標温度に至る前に前記第1の制御モードから前記第2の制御モードに切り替えて動作することで前記第2の期間を生じさせる、レーザ光源装置。
このようにすることで、調温制御部の動作モードを第1の制御モードから第2の制御モードに切り替えることで、第1の期間と第2の期間とを生じさせることができる。また、所定の目標温度に達する前に第1の制御モードから第2の制御モードに切り替えるので、第2の制御モードにおいてフィードバック制御を行った際に、比較的短時間のうちに、素子温度を所定の目標温度に近づけることができる。
[適用例4]レーザ光源装置であって、基本波光を射出する光源部と、前記基本波光を入射して波長変換を行い、波長変換後の変換光を射出する波長変換素子と、前記波長変換素子の素子温度を調整する調温部と、前記調温部を制御する調温制御部と、を備え、前記調温制御部は、前記素子温度を取得する素子温度取得部を有し、前記調温制御部は、(i)前記調温部を制御するための動作モードとして、所定の操作量を一定して前記調温部に供給する第1の制御モードと、前記素子温度取得部によって取得された素子温度に応じて操作量を決定して前記調温部に供給するフィードバック制御を行う第2の制御モードと、を有し、(ii)前記第1の制御モードで動作し、その後、前記素子温度が所定の目標温度に至る前に前記第1の制御モードから前記第2の制御モードに切り替えて動作する、レーザ光源装置。
適用例4のレーザ光源装置は、第1の制御モードで動作し、その後、所定の目標温度に至る前に第1の制御モードから第2の制御モードに切り替えるので、当初よりフィードバック制御(第2の制御モード)を行う構成に比べて、比較的短時間のうちに素子温度を所定の目標温度に近づけることができる。
[適用例5]適用例3または適用例4に記載のレーザ光源装置であって、前記調温制御部は、前記素子温度がしきい温度に達した場合に、前記第1の制御モードから前記第2の制御モードに切り替えて動作する、レーザ光源装置。
このようにすることで、素子温度が所定の目標温度に近づくまでの期間を比較的短くすることができるようなしきい温度を予め設定することによって、適切なタイミングで第1の制御モードから第2の制御モードに切り替えることができる。
[適用例6]適用例3または適用例4に記載のレーザ光源装置であって、さらに、前記レーザ光源装置が起動してからの経過時間を計測する計時部を備え、前記調温制御部は、前記経過時間が所定のしきい時間に達した場合に、前記第1の制御モードから前記第2の制御モードに切り替えて動作する、レーザ光源装置。
このようにすることで、素子温度を実際に測定することなく、適切なタイミングで第1の制御モードから第2の制御モードに切り替えることができる。
[適用例7]適用例3ないし適用例6のいずれか一項に記載のレーザ光源装置であって、さらに、前記フィードバック制御における操作量を記憶する記憶部を備え、前記調温制御部は、前記フィードバック制御を行う際に、前回の前記フィードバック制御における操作量を、今回の前記フィードバック制御における操作量の初期値として用いる、レーザ光源装置。
このようにすることで、素子温度が所定の目標温度に近づくまでに達するのに要する時間を比較的短くすることができる。これは、レーザ光源装置の置かれた環境温度の変化を無視すれば、前回のフィードバック制御における操作量は、今回のフィードバック制御においても到達することとなる操作量であるので、フィードバック制御の当初から到達すべき操作量を与えることができるからである。
[適用例8]適用例1ないし適用例7のいずれか一項に記載のレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光を画像信号に応じて変調する光変調部と、を備える画像表示装置。
このようにすることで、画像表示装置の電源がオンしてから比較的短時間の間に、画像を表示することができる。
[適用例9]適用例1ないし適用例7のいずれか一項に記載のレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置により照射された被写体を撮像する撮像部と、を備えるモニタ装置。
このようにすることで、画像表示装置の電源がオンしてから比較的短時間の間に、レーザ光源装置によって被写体を照射することができ、被写体を撮像することが可能となる。
[適用例10]レーザ光源装置が備える波長変換素子の素子温度を調整するための方法であって、(a)前記素子温度が一定の変化率で変化する第1の期間と、前記第1の期間の後において前記素子温度が変化率を変えながら変化して所定の目標温度に近づいていく第2の期間と、が生じるように前記素子温度を調整する工程を備える、素子温度調整方法。
適用例10の調温部制御方法では、素子温度が一定の変化率で変化する第1の期間と、その後において素子温度が変化率を変えながら所定の目標温度に近づいていく第2の期間とを生じさせるので、素子温度の調整の当初より第2の期間が生じる構成に比べて、素子温度を比較的短時間のうちに目標温度に近づけることができる。なお、前述の「一定の変化率」とは、全く変化率が変わらない場合の他にも、変化率がほぼ一定であると認められる場合をも含む広い意味を有する。例えば、変化率の変動が5%以内に収まっている場合も「一定の変化率」であることを意味する。一方、素子温度の変化が開始した直後などにおいて、素子温度の変化率の変動が5%を超える期間が存在する場合には、この期間は、「第1の期間」に含まれない。また、素子温度が所定の目標温度に近づいた場合において素子温度の変化率の変動が5%を超える期間が存在する場合には、この期間は、「第2の期間」に含まれ得る。
なお、本発明は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、上記調温部制御方法またはレーザ光源装置の機能を実現するためのコンピュータプログラム、そのコンピュータプログラムを記録した記録媒体、等の形態で実現することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を実施例に基づいて以下の順序で説明する。
A.第1の実施例:
B.第2の実施例:
C.第3の実施例:
D.第4の実施例:
E.第5の実施例:
F.第6の実施例:
G.第7の実施例:
H.変形例:
A.第1の実施例:
図1は、本発明の一実施例としてのレーザ光源装置の概略構成を示す説明図である。このレーザ光源装置100は、外部共振型のレーザ光源装置であって、レーザダイオード(以下、「LD」とも呼ぶ)10と、波長変換素子20と、外部共振器30と、LD駆動回路40と、DSP(Digital Signal Processor)50と、温度調節回路60と、ヒータ70と、サーミスタ75とを備えている。
LD10は、赤外光(基本波光)Laを射出する。LD10としては、例えば、面発光型のレーザ素子を用いることができ、このレーザ素子内における共振(内部共振)によって赤外光Laを発生する。なお、LD10を複数並べてレーザアレイを構成することもできる。LD駆動回路40は、LD10に印加する電圧値を調整することで、LD10の駆動を制御する。なお、LD駆動回路40は、印加電圧値に代えて電流値を調整することでLD10の駆動を制御することもできる。
波長変換素子20は、第2高調波発生(SHG:Second Harmonic Generation)の現象、すなわち、2個の光子が2倍の振動数をもつ1つの光子に変換される(1/2の波長の光に変換される)2次の非線形光学現象を引き起こす素子であり、強誘電体材料に分極反転構造が形成されたものである。波長変換素子20としては、例えば、PPLN(Periodically Poled LiNb3)を用いることができる。
外部共振器30は、図示せざる共振用ミラーを有しており、LD10から射出された赤外光Laのうち、波長変換素子20において波長変換されなかった光を反射してLD10に戻す。そして、レーザ光源装置100では、LD10内部のミラー(図示省略)と外部共振器30とによって赤外光の反射を繰り返すことで大きな出力を得ている。なお、外部共振器30の有する共振用ミラー(図示省略)は、波長変換後の光をほぼ100%透過する。したがって、波長変換後の変換光Lbは、外部共振器30を透過して透過光Lcとして射出される。
ヒータ70は、波長変換素子20に接するように配置されており、波長変換素子20の温度を上昇させることができる。温度調節回路60は、ヒータ70に供給する電力を調整することによってヒータ70の出力を調整する。なお、電力の調整は、電流値または電圧値を調整することで実行することができる。サーミスタ75は、波長変換素子20に接するように配置されており、波長変換素子20の温度(以下、「素子温度」と呼ぶ)を検出してDSP50に通知する。
DSP50は、内蔵するメモリ(図示省略)に記憶されているプログラムを実行することによって、温度調節制御部50aとして機能する。温度調節制御部50aは、温度調節回路60を制御することで、ヒータ70を用いて波長変換素子20の温度を調整する。また、DSP50は、内蔵メモリ(図示省略)において供給電力値格納部50bを備えている。
図2は、図1に示す波長変換素子20の変換効率の温度特性を模式的に示す説明図である。図2において横軸は波長変換素子20の温度(素子温度)を示し、縦軸は波長変換素子20における波長変換の変換効率を示す。図2の例では、素子温度がT0(℃)の場合に変換効率が100%となっており、この温度T0から1℃ずれると変換効率は90%に低下する。なお、以下において、変換効率が最も高い場合における温度T0を「目標温度」と呼ぶ。このように、波長変換素子20における変換効率は温度依存性が強い。そこで、レーザ光源装置100では、後述の供給電力調整処理を実行することで、レーザ光源装置100が起動してから短時間のうちに、素子温度を目標温度T0に近づけて比較的大きな光量で透過光Lcを射出するように構成されている。
なお、前述のLD10は、請求項における光源部に相当する。また、ヒータ70は請求項における調温部に、温度調節制御部50aと温度調節回路60とサーミスタ75とは請求項における調温制御部に、サーミスタ75は請求項における素子温度取得部に、供給電力値格納部50bは請求項における記憶部に、ヒータ70への供給電力は請求項における操作量に、それぞれ相当する。
図3は、レーザ光源装置100において実行される供給電力調整処理の手順を示すフローチャートである。レーザ光源装置100が起動すると、LD駆動回路40はLD10に所定の電圧を印加し、また、温度調節制御部50aはヒータ70に供給する電力を調整するために供給電力調整処理を開始する。
ステップS205では、温度調節制御部50aは、ヒータ70に供給する電力として、予め定められた電力P1(W)を温度調節回路60を介して供給する。ヒータ70に電力を供給しはじめると、波長変換素子20の温度は上昇を始める。そして、温度調節制御部50aは、サーミスタ75から通知される素子温度がT1(℃)に達するまで電力P1(W)を一定して供給し続ける(ステップS210)。なお、この予め定められた電力をヒータ70に一定して供給する制御を、以下において「オープンループ制御」と呼ぶ。そして、このオープンループ制御を行う動作モードは、請求項における第1の制御モードに相当する。
図4は、供給電力調整処理を実行した際の素子温度の推移の一例を示す説明図である。図4において、横軸は時刻を示し、縦軸は素子温度(℃)を示す。なお、本実施例における素子温度の推移ラインL1を実線で示し、従来における素子温度の推移ラインL0を破線で示す。
上述したように、ステップS205において電力P1(W)がヒータ70に一定して供給されるので、素子温度は上昇していく。ここで、波長変換素子20の動作温度範囲では、波長変換素子20の比熱はほぼ一定と考えられる。したがって、供給電力調整処理開始後の当初(時刻0〜時刻t1)において、素子温度が一定の変化率で上昇する期間(第1の期間)が生じている。ここで、「一定の変化率」とは、全く変化率が変わらない場合の他にも、変化率がほぼ一定であると認められる場合をも含む広い意味を有する。例えば、変化率の変動が5%以内に収まっている場合も「一定の変化率」であることを意味する。なお、電力供給を開始した直後においては、素子温度の変化率の変動が大きく例えば5%を超える場合も起こり得る。この場合、前述の「第1の期間」は、素子温度の変化率の変動が比較的大きな期間を除いた期間を意味する。また、一定の変化率で素子温度が上昇していき、素子温度が非常に高温となった場合などにおいても、素子温度の変化率の変動が比較的大きい場合が起こり得る。この場合においても、前述の「第1の期間」は、この素子温度の変化率の変動が比較的大きな期間を除いた期間を意味する。なお、素子温度が非常に高温になった場合において生じる素子温度の変化率の変動が比較的大きな期間については、後述する第2の期間に含まれ得る。
素子温度がT1(℃)になると、ステップS215(図3)において、温度調節制御部50aは、サーミスタ75から通知される素子温度と、目標温度T0とに基づいてフィードバック制御を行う。本実施例では、レーザ光源装置100は、フィードバック制御として、PID(Proportional Integral Differential)制御を行う。
具体的には、温度調節制御部50aは、下記式(1)及び式(2)に基づいて供給電力を決定して温度調節回路60を制御する。
Figure 2009164472
Figure 2009164472
上記式(1)において、MVnはn回目の制御タイミングにおける操作量(供給電力)を示し、MVn−1は、n−1回目の制御タイミングにおける操作量(供給電力)を示す。また、式(1),(2)において、ΔMVnは、n回目の制御タイミングにおける操作量(供給電力)とn−1回目の制御タイミングにおける操作量(供給電力)との差分を示す。また、式(2)において、enはn回目の制御タイミングにおける偏差(目標温度T0に対する素子温度の差分)を、en−1はn−1回目の制御タイミングにおける偏差を、en−2はn−2回目の制御タイミングにおける偏差を、それぞれ示す。また、式(2)において、KpはPID制御における比例項の係数を、Kiは積分項の係数を、Kdは微分項の係数を、それぞれ示す。
図4の例では、時刻t1において素子温度がT1(℃)に達し、その後PID制御が行われるため、時刻t1以降において、素子温度がT1(℃)から変化率を変えながら目標温度T0に次第に近づいていく期間(第2の期間)が生じている。この第2の期間内の時刻taにおいて、素子温度は目標温度T0の前後1℃の範囲(以下、「目標温度範囲」と呼ぶ)内でほぼ安定する。これに対して、従来のように起動直後からPID制御を行った場合には、推移ラインL0に示すように、素子温度が目標温度範囲内でほぼ安定する時刻tyは、時刻taに比べて非常に遅い時刻となっている。なお、上述したフィードバック制御(PID制御)を行う動作モードは、請求項における第2の制御モードに相当する。
図3に戻って、温度調節制御部50aは、起動の直後から、外部より駆動停止信号が入力されるか否かを監視しており、駆動停止信号が入力されるまで前述のステップS215の処理を実行する(ステップS220)。そして、駆動停止信号が入力されると、温度調節制御部50aは、そのときの供給電力値を供給電力値格納部50bに格納して(ステップS225)、供給電力調整処理は終了する。
ここで、前述のステップS225において供給電力値格納部50bに格納された供給電力値は、上述したステップS215において、フィードバック制御(PID制御)における初期値として用いられる。具体的には、オープンループ制御からPID制御に移行して最初に決定される供給電力(MV1:初期値)は、上記式(1)に基づき算出すると、「MVn−1」及び「ΔMVn」が0なので「0」となってしまう。しかしながら、レーザ光源装置100では、この初期値(MV1)については、例外的に、上記式(1)を用いて算出せずに、前回PID制御を行った際の駆動停止直前の供給電力値に設定するように構成されている。
図5は、PID制御の初期値が異なる3つのケースにおける素子温度の推移を模式的に示す説明図である。なお、図5における横軸及び縦軸は、図4における横軸及び縦軸と同じである。図5において実線の推移ラインL1は、本実施例の素子温度の推移を示す。上述したように、本実施例では、PID制御の初期値として、前回の供給電力調整処理の終了時点における供給電力(MVe)を用いている。これに対して、初期値をこのMVeよりも大きくした場合の素子温度の推移を推移ラインL2として示す。また、初期値をMVeよりも小さくした場合の素子温度の推移を推移ラインL3として示す。
PID制御の初期値をMVeよりも大きくした場合には、素子温度はPID制御当初において比較的高い温度でとどまるため、冷却されて目標温度範囲内で安定するまでに比較的長い時間を要することとなる。また、初期値をMVeよりも小さくした場合には、素子温度はPID制御当初において比較的低い温度を目指して変化するため、その後温度が上昇して目標温度範囲内で安定するまでに比較的長い時間を要することとなる。
ここで、レーザ光源装置100では、設置場所が変わるなどして環境温度が急激に変化することがなければ、今回のPID制御において素子温度が目標温度範囲内で安定する際の供給電力は、前回のPID制御において素子温度が安定した際の供給電力(MVe)とほぼ同じとなる。したがって、PID制御の初期値としてMVeを与えた場合、PID制御の当初から最終的に目指すべき供給出力を与えることができるので、推移ラインL1に示すように、素子温度の推移においてオーバーシュートが比較的小さくなり、素子温度は比較的短時間のうちに目標温度範囲内で安定することとなる。
なお、上述したオープンループ制御において供給する電力(以下、「初期供給電力」と呼ぶ)P1(W)は、実験により求めることができる。具体的には、想定される環境温度の下、異なる初期供給電力を供給して素子温度が安定するまでの時間を計り、より短い時間で安定する際の供給電力を初期供給電力とする。
図6は、初期供給電力が異なる3つのケースにおける素子温度の推移を模式的に示す説明図である。なお、図6における横軸及び縦軸は、図4における横軸及び縦軸と同じである。図6において実線の推移ラインL1は、本実施例の推移ラインL1を示す。すなわち、初期供給電力はP1(W)である。これに対して、初期供給電力をP1(W)よりも大きくした場合の素子温度の推移を推移ラインL4として示す。また、初期供給電力をP1(W)よりも小さくした場合の素子温度の推移を推移ラインL5として示す。これらの推移ラインL1,L4,L5は、初期供給電力を変えて行った実験によって得ることができる。なお、各ケースにおいて、PID制御における各種パラメータ(初期値等)はいずれも同一のものを用いている。
初期供給電力をP1(W)よりも大きくした場合には、素子温度は上述した実施例よりも大きな変化率で上昇していく。そして、素子温度がT1(℃)に達してPID制御に切り替わった際には供給電力を低下させるように制御が行われる。ところが、波長変換素子20の構造に起因する応答遅延によって素子温度の上昇は急には停止しない。それゆえ、素子温度は、大きくオーバーシュートして目標温度範囲内で安定するまでに比較的長い時間を要することとなる。また、初期供給電力をP1(W)よりも小さくした場合には、素子温度は上述した実施例よりも小さな変化率で上昇していく。この場合、PID制御に切り替わって供給電力が低下した場合、上述した実施例の場合や初期供給電力がP1(W)よりも大きい場合に比べて短時間のうちに素子温度の上昇は停止する。このとき、目標温度範囲内に至る前に素子温度の上昇が停止すると、改めて素子温度を上昇させるように供給電力を上昇させる。しかしながら、波長変換素子20の応答遅延によって素子温度は急には上昇を開始しないので、目標温度範囲内で安定するまでに比較的長い時間を要することとなる。以上の図6の例では、実験の結果、初期供給電力として電力P1(W)を決定することができる。
なお、オープンループ制御からPID制御への切り替える際のタイミングを決定するために用いるしきい温度T1(℃)も、初期供給電力と同様に実験によって求めることができる。すなわち、初期供給電力としきい温度とを変えて実験を行って、素子温度が短時間で安定するケースのしきい温度を供給電力調整処理で用いるしきい温度として求めることができる。
以上説明したように、レーザ光源装置100において、温度調節制御部50aは、素子温度がほぼ一定の変化率で上昇する第1の期間が生じ、その後、素子温度がT1(℃)から変化率を変えながら目標温度T0に次第に近づいていく第2の期間を生じるように、供給電力を調整するようにしている。したがって、起動当初より変化率を変えながら変化して目標温度T0に近づく場合に比べて、素子温度を比較的短時間のうちに目標温度T0に到達させることができる。また、第2の期間においてPID制御を開始する際の初期値として、前回PID制御を行った際の駆動停止直前の供給電力値を用いるようにしているので、第2の期間において、素子温度が目標温度範囲内で安定するまでの期間を比較的短くすることができる。
B.第2の実施例:
図7は、第2の実施例における供給電力調整処理の手順を示すフローチャートである。第2の実施例におけるレーザ光源装置100は、供給電力調整処理において、ステップS205の前に、ステップS202とステップS204とを追加した点において、レーザ光源装置100(図1,図3)と異なり、他の構成については第1の実施例と同じである。第2の実施例のレーザ光源装置100は、供給電力調整処理におけるオープンループ制御において、供給電力を途中で切り替えるように構成されている。
具体的には、温度調節制御部50aは、供給電力調整処理が開始されると、供給電力として電力P1(W)に代えて所定の電力P2(W)を一定供給する(ステップS202)。なお、電力P2(W)は、電力P1(W)よりも大きい。そして、温度調節制御部50aは、素子温度がT2(℃)(<T1(℃))に達するまで、この電力P2(W)を一定して供給し続ける(ステップS204)。素子温度がT2(℃)に達すると、温度調節制御部50aは、上述したステップS205を実行する。
図8は、第2の実施例において供給電力調整処理を実行した際の素子温度の推移の一例を示す説明図である。図8における横軸及び縦軸は、図4における横軸及び縦軸と同じである。図8において実線の推移ラインL10は、第2の実施例における素子温度の推移を示す。比較のために、第1の実施例における素子温度の推移を破線の推移ラインL1として示す。なお、図8では、説明の便宜上、図4に比べて比較的短い期間内の素子温度の推移を示している。
起動直後において、電力P1(W)よりも大きい電力P2(W)を供給するので、素子温度の変化率は第1の実施例に比べて大きくなり、素子温度は急激に上昇する。図8の例では、時刻t11に素子温度はT2(℃)に達している。時刻t11からは供給電力はP1(W)となるので、素子温度の変化率は第1の実施例と同じとなる。そして、時刻t1よりも早い時刻t12には素子温度はT1(℃)に達している。したがって、オープンループ制御からPID制御に切り替わるタイミングが第1の実施例に比べて早くなるので、第2の実施例において素子温度が目標温度範囲内で安定する時刻tcは、第1の実施例において素子温度が安定する時刻taに比べて早くなる。
以上の構成を有する第2の実施例のレーザ光源装置100は、第1の実施例のレーザ光源装置100と同じ効果を有する。また、起動当初において、初期供給電力として電力P1(W)よりも大きな電力P2(W)を与えているので、起動当初より電力P1(W)を与える構成に比べて、比較的短時間のうちにオープンループ制御からフィードバック制御に移行することができる。また、第1の期間において、初期供給電力をP2(W)からP1(W)に切り替えるようにしているので、PID制御に切り替わる直前の供給電力として、実験で求めた適切な電力P1(W)を供給することができる。したがって、オープンループ制御からPID制御に切り替わった後において、比較的短時間のうちに素子温度を目標温度範囲内で安定させることができる。
C.第3の実施例:
図9は、第3の実施例における供給電力調整処理の手順を示すフローチャートである。第3の実施例におけるレーザ光源装置100は、供給電力調整処理において、ステップS205に代えてステップS205aを実行する点と、ステップS210に代えてステップS210aを実行する点とにおいてレーザ光源装置100(図1,図3)と異なり、他の構成については第1の実施例と同じである。第1の実施例のレーザ光源装置100は、オープンループ制御からPID制御に移行するタイミングを素子温度に基づいて決定していたが、第3の実施例のレーザ光源装置100は、起動してからの経過時間に基づいてこの移行タイミングを決定するように構成されている。
具体的には、温度調節制御部50aは、供給電力調整処理が開始されると、供給電力として電力P1(W)を供給し、かつ、起動してからの経過時間を計る(ステップS205a)。そして、温度調節制御部50aは、所定時間が経過するまで電力P1を一定に供給し続け(ステップS210a)、所定時間が経過すると、上述したステップS215を実行してPID制御を開始する。このような構成としているのは以下の理由による。環境温度の変化を無視すると、同じ電力P1(W)を供給した場合に、素子温度がオープンループ制御からPID制御に移行するのに適した温度(例えば、温度T1(℃))まで上昇するのに要する時間は、ほぼ一定となる。したがって、本実施例のように、起動してからの経過時間に基づいてオープンループ制御からPID制御に切り替えることで、素子温度がほぼ適切な温度に達したタイミングで制御の切り替えを行うことができるからである。
以上の構成を有する第3の実施例のレーザ光源装置100は、第1の実施例のレーザ光源装置100と同じ効果を有する。なお、本実施例では、温度調節制御部50aは、請求項における調温制御部と計時部とに相当する。
D.第4の実施例:
図10は、第4の実施例における供給電力調整処理の手順を示すフローチャートである。第4の実施例におけるレーザ光源装置100は、供給電力調整処理において、ステップS205に代えてステップS205aを実行する点と、ステップS205aとS210との間にステップS207を加えた点とにおいてレーザ光源装置100(図1,図3)と異なり、他の構成については第1の実施例と同じである。第1の実施例のレーザ光源装置100は、ステップS210(図3)において用いる素子温度としてサーミスタ75から通知された温度を用いていたが、第4の実施例のレーザ光源装置100は、起動してからの経過時間に基づき所定の計算式を用いて素子温度を算出して用いるように構成されている。
具体的には、温度調節制御部50aは、上述した第3の実施例と同様に、供給電力調整処理が開始されると、供給電力として電力P1(W)を供給し、かつ、起動してからの経過時間を計る(ステップS205a)。ステップS207では、温度調節制御部50aは、経過時間に基づいて所定の計算式を用いて素子温度を算出する(ステップS207)。そして、温度調節制御部50aは、上述したステップS210を実行し、ステップS207で導出した素子温度が、所定の温度T1(℃)になるまでステップS205a,S207を繰り返し実行する。
図11は、ステップS207において用いる計算式を模式的に示す説明図である。なお、第4の実施例において供給電量調整処理を実行する際の素子温度の推移を推移ラインL1として示す。ステップS205において一定の電力P1(W)を供給すると、素子温度は、第1の実施例と同様にほぼ一定の変化率で上昇する。このときの素子温度の変化は、一次関数の近似式として表すことができる。具体的には、例えば、起動時における素子温度をB(℃)とし、素子温度の変化率(傾き)をAとすると、第1の期間における素子温度T(℃)は、時刻tの一次関数である下記式(3)で表すことができる。
Figure 2009164472
上記式(3)が前述の計算式に相当する。そして、この計算式におけるパラメータA,Bを、予め温度調節制御部50aのメモリ(図示省略)に設定しておき、ステップS207では、これらパラメータA,Bを読み出して、上記式(3)を用いて素子温度を算出することができる。このとき、算出された素子温度は、ほぼ実際の素子温度と一致することとなる。このようにして、本実施例では、上記式(3)を用いて算出した温度によって実際の素子温度を推定して、オープンループ制御からフィードバック制御への切り替えタイミングの判断において用いる。
以上の構成を有する第4の実施例のレーザ光源装置100は、第1の実施例のレーザ光源装置100と同じ効果を有する。
E.第5の実施例:
図12は、第5の実施例における供給電力調整処理の手順を示すフローチャートである。第5の実施例におけるレーザ光源装置100は、供給電力調整処理において、ステップS215とS220との間においてステップS217を加えた点においてレーザ光源装置100(図1,図3)と異なり、他の構成については第1の実施例と同じである。第5の実施例のレーザ光源装置100は、起動時に加えて何らかの原因(環境温度の急激な変化など)で素子温度が急激に変化した場合にも、上述したステップS205,S210を実行するように構成されている。
具体的には、温度調節制御部50aは、ステップS215を実行した後(より正確には、ステップS215においてフィードバック制御を実行して、新たな供給電力を決定して供給した後)、素子温度が温度T1(℃)よりも低いか否かを判定する(ステップS207)。そして、素子温度がT1(℃)以上であれば、温度調節制御部50aはステップS220を実行し、駆動停止信号が入力されるまで(ステップS220)、フィードバック制御を行う(ステップS215)。一方、環境温度の変化等によって素子温度が急激に低下して温度T1(℃)よりも低くなった場合、ステップS205に戻って、温度調節制御部50aは再び初期供給電力である電力P1(W)を供給する。
以上の構成とすることで、環境温度の変化等によって低温となった素子温度は、ステップS205,S210の実行によって急激に上昇して、比較的短時間のうちに目標温度範囲内で安定することとなる。したがって、レーザ光源装置100は、環境温度が変化した場合でも、比較的短時間のうちに安定した光量で透過光Lcを射出することができるようになる。また、第1の実施例と同様に、起動時においてもステップS205,S210を実行するので、第5の実施例のレーザ光源装置100は、第1の実施例のレーザ光源装置100と同じ効果を有する。
F.第6の実施例:
図13は、本発明のレーザ光源装置を適用したモニタ装置の概略構成図である。このモニタ装置400は、装置本体410と、光伝送部420と、を備えている。装置本体410は、上述した第1の実施例におけるレーザ光源装置100(図1)を備えている。また、装置本体410は、集光レンズ350と、カメラ411と、を備えている。
光伝送部420は、光を送る側のライトガイド421と、光を受ける側のライトガイド422と、を備えている。各ライトガイド421,422は、多数本の光ファイバを束ねたものであり、レーザ光を遠方に送ることができる。光を送る側のライトガイド421の入射側にはレーザ光源装置100が配置され、他方の射出側には拡散板423が配置されている。光を受ける側のライトガイド422の入射側には結像レンズ424が配置されている。
レーザ光源装置100から射出されたレーザ光は、集光レンズ350で集められ、ライトガイド421を伝って拡散板423により拡散されて被写体を照射する。そして、被写体からの反射光は、結像レンズ424に入射して、ライトガイド422を伝ってカメラ411に送られる。このようにして、レーザ光源装置100により射出したレーザ光によって被写体を照射したことで得られる反射光に基づく画像を、カメラ411で撮像することができる。なお、カメラ411は、請求項における撮像部に相当する。
G.第7の実施例:
図14は、本発明のレーザ光源装置を適用したプロジェクタの概略構成図である。このプロジェクタ500は、赤色光を射出するレーザ光源装置100Rと、緑色光を射出するレーザ光源装置100Gと、青色光を射出するレーザ光源装置100Bと、を備えている。
レーザ光源装置100Rは、概ね585nm〜780nmの波長域に包含される光(赤色光)を射出する。また、レーザ光源装置100Gは、概ね495nm〜585nmの波長域に包含される光(緑色光)を射出する。また、レーザ光源装置100Bは、概ね380nm〜495nmの波長域に包含される光(青色光)を射出する。これらのレーザ光源装置100R,100G,100Bの構成は、LD10の射出する基本波光の波長が互いに異なる点においてレーザ光源装置100(図1)の構成と異なり、他の構成についてはレーザ光源装置100と同じである。
また、プロジェクタ500は、各レーザ光源装置100R,100G,100Bから射出された各色のレーザ光LBr,LBg,LBbをパソコン(図示省略)等から送られてきた画像信号に応じてそれぞれ変調する液晶ライトバルブ504R,504G,504Bを備えている。また、プロジェクタ500は、液晶ライトバルブ504R,504G,504Bから射出された光を合成するクロスダイクロイックプリズム506と、投写レンズ507と、を備えている。
さらに、プロジェクタ500は、レーザ光源装置100R,100G,100Bから射出されたレーザ光の照度分布を均一化させるため、各レーザ光源装置100R,100G,100Bよりも光路下流側に、均一化光学系502R,502G,502Bを備えている。プロジェクタ500は、これらの均一化光学系502R,502G,502Bによって照度分布が均一化された光で液晶ライトバルブ504R,504G,504Bを照射している。なお、均一化光学系502R,502G,502Bは、例えば、ホログラムとフィールドレンズとの組み合わせによって構成することができる。
各液晶ライトバルブ504R,504G,504Bによって変調された3色の光は、クロスダイクロイックプリズム506に入射する。このクロスダイクロイックプリズム506は、4つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。そして、合成された光は投写レンズ507によってスクリーン510上に投写され、拡大された画像が表示される。
以上の構成を有するプロジェクタ500では、各レーザ光源装置100R,100G,100Bにおいて、素子温度を比較的短時間のうちに目標温度に達することができる。したがって、プロジェクタ500の電源をオンしてから比較的短時間のうちに、比較的大きな光量で画像を投写表示することができる。なお、プロジェクタ500は請求項における画像表示装置に相当し、3つの液晶ライトバルブ504R,504G,504Bは請求項における光変調部に相当する。
H.変形例:
なお、上記各実施例における構成要素の中の、独立クレームでクレームされた要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。また、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
H1.変形例1:
上述した各実施例では、レーザ光源装置100は、波長変換素子20の温度を調整するための装置としてヒータ70を備えるものとしたが、ヒータ70に代えて又はヒータ70に加えて冷却装置を備えることもできる。このような冷却装置としては、例えば、ペルチェ素子を採用することができる。そして、冷却装置のみを備える構成では、例えば、環境温度が高く、起動当初から素子温度が目標温度に比べて高い状態の場合、冷却装置を用いて素子温度を低下させて比較的短時間のうちに目標温度範囲内で安定させることができる。また、ヒータ70と共に冷却装置を備える構成では、例えば、起動当初における素子温度を検出し、検出した素子温度に応じて、ヒータ70又は冷却装置を選択的に用いて素子温度を上昇又は低下させることもできる。さらに、フィードバック制御(ステップS215)の後に、素子温度が所定のしきい温度よりも高いか否かを判定し、素子温度がしきい値よりも高くなった場合には、冷却装置をオープン制御して素子温度を短時間のうちに低下させることもできる。このようにすることで、素子温度が環境温度の変化によって急激に上昇しても、短時間のうちに素子温度を低下させて目標温度範囲内で安定させることができる。以上の例からも理解できるように、一般には、供給電力に応じて波長変換素子の温度を調整可能な任意の装置を、本発明のレーザ光源装置に採用することができる。
H2.変形例2:
上述した各実施例では、オープンループ制御からフィードバック制御に切り替えるタイミングは、目標温度範囲に到達する前であるものとしたが、これに代えて、目標温度に達した後の任意のタイミングとすることもできる。すなわち、予め実験等によって、目標温度に達した後において制御の切り替えを行った場合に比較的短時間のうちに素子温度が目標温度範囲内で安定するような、初期供給電力及びフィードバック制御の初期値を求めて設定することもできる。なお、上述した変形例1のように、ヒータ70と共に冷却装置も備える構成であれば、起動当初はヒータ70によって素子温度を上昇させ、素子温度が目標温度に達した後にヒータ70の動作を停止させ、冷却装置をフィードバック制御して素子温度を目標温度範囲内で安定させることもできる。すなわち、一般には、オープンループ制御を行い、その後にフィードバック制御を行う任意の構成を本発明のレーザ光源装置において採用することができる。そして、本発明のレーザ光源装置では、これらの制御の切り替えを任意のタイミングで行うことができる。
H3.変形例3:
上述した各実施例では、上記式(1)において、フィードバック制御(PID制御)に移行した直後の操作量(供給電力)の初期値(MV1)として、前回の供給電力調整処理においてPID制御を行った際の駆動停止直前の操作量を用いるものとしたが、これに代えて、前回の供給電力調整処理においてフィードバック制御に移行してから所定の期間経過後における操作量を用いることもできる。すなわち、一般には、前回フィードバック制御を行った際の操作量を今回のフィードバック制御における操作量の初期値(MV1)として用いる構成を本発明のレーザ光源装置において採用することができる。また、前回フィードバック制御を行った際の操作量に代えて、「0」などの固定値を操作量の初期値(MV1)として用いることもできる。また、例えば、予め素子温度に応じて初期値を定めてテーブルとして記憶させておき、供給電力調整処理の開始前にサーミスタ75から通知される素子温度に基づき、このテーブルを参照して初期値(MV1)を決定することもできる。
H4.変形例4:
上述した第2の実施例では、オープンループ制御を行う際に供給電力を途中で1回切り替えていたが、このオープンループ制御実行中の供給電力の切り替えを複数回行うこともできる。例えば、供給電力調整処理の当初においては電力P2(W)よりも大きな電力を与えて、素子温度が所定の温度(<T2(℃))に達した場合に電力P2(W)に切り替え、さらに、素子温度がT2(℃)に達した場合に電力P1(W)に切り替えることもできる。このようにすることで、オープンループ制御からフィードバックループ制御に切り替わるタイミングをより早くすることができ、素子温度が目標温度範囲内で安定するまでに要する時間をより短くすることができる。
H5.変形例5:
上述した各実施例では、オープンループ制御の後に実行されるフィードバック制御はPID制御であるものとしたが、これに代えて、P(Proportional)制御や、PI(Proportional Integral)制御や、PD(Proportional Differential)制御などとすることもできる。すなわち、一般には、サーミスタ75によって検出された素子温度に応じて供給電力を決定してヒータ70に供給するフィードバック制御を、本発明のレーザ光源装置において採用することができる。なお、これらPID制御等の古典制御に代えて、現代制御によるフィードバック制御を実行してもよい。また、フィードバック制御と共にフィードフォワード制御を実行してもよい。
H6.変形例6:
上述した第5の実施例では、オープンループ制御において供給電力を変えない第1の実施例を元に、フィードバック制御実行後に素子温度がしきい温度よりも低下した場合に再びオープンループ制御に戻る構成であったが、これに代えて、第2の実施例を元とする構成とすることもできる。具体的には、例えば、フィードバック制御(図7、ステップS215)を実行した後、素子温度がT1(℃)よりも低下したか否かを判定する。そして、素子温度がT1(℃)よりも低下したと判定した場合には、さらに、素子温度がT2(℃)よりも低下したか否かを判定する。以上の判定によって、素子温度がT2(℃)よりも低下した場合には、ステップS202に戻り、素子温度がT2(℃)以上でT1(℃)よりも低い状態の場合には、ステップS205に戻るように構成することもできる。
H7.変形例7:
上述したレーザ光源装置は外部共振型のレーザ光源装置であったが、これに代えて、外部共振を行わず内部共振のみを行うレーザ光源装置とすることもできる。また、LD10は、面発光型のレーザ素子であるものとしたが、これに代えて、端面発光型のレーザ素子等他の任意の形式のレーザ素子を用いることもできる。
H8.変形例8:
上述した第7の実施例では、プロジェクタ500における光変調手段としては、液晶ライトバルブを用いるものであったが、液晶ライトバルブに限らず、DMD(デジタルマイクロミラーデバイス:米国Texas Instruments社の商標)など、他の任意の変調手段を用いる構成であってもよい。また、上述した各実施例のレーザ光源装置100は、モニタ装置(第6の実施例)及びプロジェクタ(第7の実施例)以外にも、照明装置など、光源を必要とする任意の装置に用いることができる。
H9.変形例9:
上述した実施例において、ハードウェアによって実現されていた構成の一部をソフトウェアに置き換えるようにしてもよく、逆に、ソフトウェアによって実現されていた構成の一部をハードウェアに置き換えるようにしてもよい。
本発明の一実施例としてのレーザ光源装置の概略構成を示す説明図。 図1に示す波長変換素子20の変換効率の温度特性を模式的に示す説明図。 レーザ光源装置100において実行される供給電力調整処理の手順を示すフローチャート。 供給電力調整処理を実行した際の素子温度の推移の一例を示す説明図。 PID制御の初期値が異なる3つのケースにおける素子温度の推移を模式的に示す説明図。 初期供給電力が異なる3つのケースにおける素子温度の推移を模式的に示す説明図。 第2の実施例における供給電力調整処理の手順を示すフローチャート。 第2の実施例において供給電力調整処理を実行した際の素子温度の推移の一例を示す説明図。 第3の実施例における供給電力調整処理の手順を示すフローチャート。 第4の実施例における供給電力調整処理の手順を示すフローチャート。 ステップS207において用いる計算式を模式的に示す説明図。 第5の実施例における供給電力調整処理の手順を示すフローチャート。 本発明のレーザ光源装置を適用したモニタ装置の概略構成図。 本発明のレーザ光源装置を適用したプロジェクタの概略構成図。
符号の説明
10…レーザダイオード(LD)
20…波長変換素子
30…外部共振器
40…LD(レーザダイオード)駆動回路
50…DSP
50a…温度調節制御部
50b…供給電力値格納部
60…温度調節回路
70…ヒータ
75…サーミスタ
100,100R,100G,100B…レーザ光源装置
350…集光レンズ
400…モニタ装置
410…装置本体
411…カメラ
420…光伝送部
421,422…ライトガイド
423…拡散板
424…結像レンズ
500…プロジェクタ
502R,502G,502B…均一化光学系
504R,504G,504B…液晶ライトバルブ
506…クロスダイクロイックプリズム
507…投写レンズ
510…スクリーン
L0〜L5…推移ライン

Claims (10)

  1. レーザ光源装置であって、
    基本波光を射出する光源部と、
    前記基本波光を入射して波長変換を行い、波長変換後の変換光を射出する波長変換素子と、
    前記波長変換素子の素子温度を調整する調温部と、
    前記調温部を制御する調温制御部と、
    を備え、
    前記調温制御部は、前記素子温度が一定の変化率で変化する第1の期間と、前記第1の期間の後において前記素子温度が変化率を変えながら所定の目標温度に近づいていく第2の期間と、が生じるように前記調温部を制御する、レーザ光源装置。
  2. 請求項1に記載のレーザ光源装置において、
    前記調温制御部は、前記レーザ光源装置の起動時において、前記第1の期間と、前記第2の期間と、が生じるように前記調温部を制御する、レーザ光源装置。
  3. 請求項2に記載のレーザ光源装置であって、
    前記調温制御部は、前記素子温度を取得する素子温度取得部を有し、
    前記調温制御部は、
    (i)前記調温部を制御するための動作モードとして、所定の操作量を一定して前記調温部に供給する第1の制御モードと、前記素子温度取得部によって取得された素子温度に応じて操作量を決定して前記調温部に供給するフィードバック制御を行う第2の制御モードと、を有し、
    (ii)前記第1の制御モードで動作することで前記第1の期間を生じさせ、前記素子温度が前記所定の目標温度に至る前に前記第1の制御モードから前記第2の制御モードに切り替えて動作することで前記第2の期間を生じさせる、レーザ光源装置。
  4. レーザ光源装置であって、
    基本波光を射出する光源部と、
    前記基本波光を入射して波長変換を行い、波長変換後の変換光を射出する波長変換素子と、
    前記波長変換素子の素子温度を調整する調温部と、
    前記調温部を制御する調温制御部と、
    を備え、
    前記調温制御部は、前記素子温度を取得する素子温度取得部を有し、
    前記調温制御部は、
    (i)前記調温部を制御するための動作モードとして、所定の操作量を一定して前記調温部に供給する第1の制御モードと、前記素子温度取得部によって取得された素子温度に応じて操作量を決定して前記調温部に供給するフィードバック制御を行う第2の制御モードと、を有し、
    (ii)前記第1の制御モードで動作し、その後、前記素子温度が所定の目標温度に至る前に前記第1の制御モードから前記第2の制御モードに切り替えて動作する、レーザ光源装置。
  5. 請求項3または請求項4に記載のレーザ光源装置であって、
    前記調温制御部は、前記素子温度がしきい温度に達した場合に、前記第1の制御モードから前記第2の制御モードに切り替えて動作する、レーザ光源装置。
  6. 請求項3または請求項4に記載のレーザ光源装置であって、さらに、
    前記レーザ光源装置が起動してからの経過時間を計測する計時部を備え、
    前記調温制御部は、前記経過時間が所定のしきい時間に達した場合に、前記第1の制御モードから前記第2の制御モードに切り替えて動作する、レーザ光源装置。
  7. 請求項3ないし請求項6のいずれか一項に記載のレーザ光源装置であって、さらに、
    前記フィードバック制御における操作量を記憶する記憶部を備え、
    前記調温制御部は、前記フィードバック制御を行う際に、前回の前記フィードバック制御における操作量を、今回の前記フィードバック制御における操作量の初期値として用いる、レーザ光源装置。
  8. 請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載のレーザ光源装置と、
    前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光を画像信号に応じて変調する光変調部と、
    を備える画像表示装置。
  9. 請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載のレーザ光源装置と、
    前記レーザ光源装置により照射された被写体を撮像する撮像部と、
    を備えるモニタ装置。
  10. レーザ光源装置が備える波長変換素子の素子温度を調整するための方法であって、
    (a)前記素子温度が一定の変化率で変化する第1の期間と、前記第1の期間の後において前記素子温度が変化率を変えながら変化して所定の目標温度に近づいていく第2の期間と、が生じるように前記素子温度を調整する工程を備える、素子温度調整方法。
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