JP2009158592A - 半導体スピンデバイス及びスピンfet - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 スピンMOSFETにおけるソース側の界面抵抗とドレイン側の界面抵抗の値は本来異なっているが、この界面において不純物を添加することにより、これらを略一致させる。これにより、スピンMOSFETにおける電気的な対称性が確保され、この場合の条件を解析すると、MR比が高くなることが見出された。
【選択図】 図4
Description
・NS>ND
1×1017/cm3≦NS(/cm3)≦1×1020/cm3
1≦DS(nm)≦100
1×1016/cm3≦ND(/cm3)≦1×1020/cm3
1≦DD(nm)≦100
1×1018/cm3≦NS(/cm3)≦5×1020/cm3
1×1017/cm3≦ND(/cm3)≦1×1020/cm3
1×1016/cm3≦NS(/cm3)≦1×1021/cm3
1≦DS(nm)≦1000
1×1015/cm3≦ND(/cm3)≦1×1021/cm3
1≦DD(nm)≦1000
・NS>ND
ソース電極2Sの材料としては、Co及びFeなどの遷移金属、CoFeなどの遷移金属合金、Co2MnSi、Co2MnGe、Co2FeAl及びCo2FeSiなどのホイスラー合金、Fe3Siなどの強磁性シリサイド、或いは、CrO2、Fe3O4、及び(LaSr)MnO3などのハーフメタルを用いることができる。本例のソース電極2Sの材料はCoFe、電極の平面寸法は10μm×0.5μmとする。
ドレイン電極2Dの材料としては、Co及びFeなどの遷移金属、CoFeなどの遷移金属合金、Co2MnSi、Co2MnGe、Co2FeAl及びCo2FeSiなどのホイスラー合金、Fe3Siなどの強磁性シリサイド、或いは、CrO2、Fe3O4、及び(LaSr)MnO3などのハーフメタルを用いることができる。本例のドレイン電極2Dの材料はCoFe,電極の平面寸法は10μm×0.5μmとする。すなわち、ドレイン電極2Dには、ソース電極2Sの材料及び寸法と同じものを用いることができる。
・λN:半導体基板1A内のスピン拡散長
・λF:ソース電極2S及びドレイン電極2D内のスピン拡散長
・d:半導体基板1Aにおけるチャネル長
・RN:半導体基板1Aのスピン抵抗
・ρN:半導体基板1Aのチャネル抵抗率
・ρF:ソース電極2S及びドレイン電極2D内のチャネル抵抗率
・S:ソース/ドレイン間のチャネル断面積
・αC:一般的にポテンシャル障壁を与える領域内の分極率
・αC1:ソース電極2Sと半導体基板1Aとの間のポテンシャル障壁を与える領域1S内のスピン分極率
・αC3:ドレイン電極2Dと半導体基板1Aとの間のポテンシャル障壁を与える領域1D内のスピン分極率
・σ(up):磁性体内のアップスピン電子の伝導率
・σ(down):磁性体内のダウンスピン電子の伝導率
・σC(up):アップスピン電子のトンネル伝導率
・σC(down):ダウンスピン電子のトンネル伝導率
・αF:一般的な磁性体のスピン分極率
・αF1:ソース電極2Sのスピン分極率
・αF3:ドレイン電極2Dのスピン分極率
・QC:RNで規格化された界面抵抗
・QC1:RNで規格化された半導体基板1Aとソース電極2Sとの間の界面抵抗
・QC3:RNで規格化された半導体基板1Aとドレイン電極2Dとの間の界面抵抗
・RF:磁性体のスピン抵抗
・RF1:ソース電極2Sのスピン抵抗
・RF3:ドレイン電極2Dのスピン抵抗
・QF:RNで規格化された磁性体のスピン抵抗
・QF1:RNで規格化されたソース電極2Sのスピン抵抗
・QF3:RNで規格化されたドレイン電極2Dのスピン抵抗
・MR:磁気抵抗比(MR比)
・RC:障壁を与える領域1S又は1Dを通過する場合の抵抗(トンネル抵抗)
・RC1:領域1Sを通過する場合の抵抗
・RC3:領域1Dを通過する場合の抵抗
Claims (4)
- 固定層からなる第1電極と、
フリー層からなる第2電極と、
前記第1及び第2電極が設けられた半導体領域と、
を備え、
前記第1電極と前記半導体領域との界面における不純物濃度NSと、前記第2電極と前記半導体領域との界面における不純物濃度NDは、以下の関係式:
NS>ND
を満たすことを特徴とする半導体スピンデバイス。 - 請求項1に記載の半導体スピンデバイスを有するスピンFETにおいて、
前記第1電極をソース電極とし、
前記第2電極をドレイン電極とし、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記半導体領域のポテンシャルを制御するゲート電極を備えることを特徴とするスピンFET。 - 固定層からなる第1電極と、
フリー層からなる第2電極と、
前記第1及び第2電極が設けられた半導体領域と、
を備え、
前記半導体領域の前記第1電極との界面には不純物が添加され、
QC1を前記半導体領域と前記第1電極との間の規格化された界面抵抗、
QC3を前記半導体領域と前記第2電極との間の規格化された界面抵抗、
λNを前記半導体領域内のスピン拡散長、
dを前記半導体領域内における前記第1電極と前記第2電極との間のチャネル長、
αC1を前記第1電極と前記半導体領域との間のポテンシャル障壁を与える領域内のスピン分極率、
αC3を前記第2電極と前記半導体領域との間のポテンシャル障壁を与える領域内のスピン分極率、としたとき、
以下の式:
で与えられるMR比を満たすQC1及びQC3が、QC1=QC3の場合のMR比の1%以上を満たす、
ことを特徴とする半導体スピンデバイス。 - 上記MR比を満たすQC1及びQC3が、QC1=QC3の場合のMR比の10%以上を満たす、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体スピンデバイス。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10482987B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-11-19 | Tdk Corporation | Magnetic wall utilization spin MOSFET and magnetic wall utilization analog memory |
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JP2007194300A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | スピンfet及びスピンメモリ |
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US10482987B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-11-19 | Tdk Corporation | Magnetic wall utilization spin MOSFET and magnetic wall utilization analog memory |
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