JP2009157663A - 調整機能付集積回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】 専用端子を使用することなく調整用データの書込みができて、誤書込みを回避できる調整機能付集積回路を提供する。
【解決手段】 本発明の調整機能付集積回路は、出力制御端子OEの状態により主回路1からの出力信号の送出乃至停止を制御する出力制御部2と、調整用のデータを記憶するEEPROMが組み込まれたデータレジスタ部3とを有し、出力制御端子OEにより出力端子OUTをディスエーブル状態にし、電源電圧VDDに所定の状態変化を与えた場合に調整機能設定モードが始まる。その調整機能設定モードの間、出力制御端子OE及び出力端子OUTを調整用データ設定のための端子として使用することにより、データレジスタ部3の中のEEPROMに前記調整データを書込めるようにした。
【選択図】 図1

Description

本発明は調整機能付集積回路に関し、特に回路機能及び特性の調整のための電気的書換え可能な不揮発性メモリ(以下、EEPROMと称す)を内蔵し、このEEPROMに調整用データを書込むことで回路機能及び特性の調整が可能な集積回路に適用して有用なものである。
近年、集積回路、特にアナログ集積回路において、その特性を調整したいという要望が強まってきている。すなわち、集積回路に搭載させたEEPROMにプログラムすることで内部のアナログ電圧等を目的に合わせて調整するといった自由度の高い集積回路の出現が望まれている。そこで、回路機能乃至特性の調整のためのEEPROMを内蔵し、このEEPROMに調整用データを書込むことで回路機能及び特性の調整が可能な集積回路が種々提案されている。
しかしながら、その多くは調整用データ書込みのための専用端子を設けたものである。このように専用端子を設けた場合、端子の増加によりコンパクトな集積回路を構成することが困難になり、調整機能を有しない集積回路とは異なるパッケージの使用、さらには設計基板の変更を余儀なくされる。
一方、最近になり調整用データ書込みのための専用端子を用いずにデータの書込みをできる集積回路も提案されている。
ただ、従来技術に係るこの種の集積回路は、通常動作時に当該集積回路に印加される予期しないノイズ等に起因した意図しない書込み、即ち誤書込みにより、EEPROMに書込まれた調整用データが消失する可能性が高い。また、EEPROMの書込みレベルを検証する等の機能追加が困難であるという問題がある。
なお、EEPROMに書込みを行う技術を開示する公知文献として特許文献1が挙げられる。
特開2003−6503号公報
本発明は、上記従来技術に鑑み、専用端子を使用することなく調整用データの設定ができ、かつ誤書込みの発生による調整用データの消失を事実上回避できる調整機能付集積回路を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の第1の態様は、
所定の出力信号を出力端子に送出する主回路と、出力制御端子により前記出力信号の送出乃至停止を制御する出力制御部と、前記主回路の回路機能乃至特性を調整するための調整用データを記憶している多段のデータレジスタ手段と、このデータレジスタ手段に組み込まれて電源オフ後もデータを保持する電気的書換え可能なEEPROMと、所定の状態変化を検出する状態変化検出手段とを有し、
前記データレジスタ手段に対して調整用データを設定する調整機能設定モードは前記出力制御端子が主回路の出力を停止しているスタンバイモードにあってかつ前記状態変化検出手段が所定の状態変化を検出した時に始まり、前記調整機能設定モードにおいて前記出力端子と前記出力制御端子は調整機能設定のための端子として機能することを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第2の態様は、
上記第1の態様に記載する調整機能付集積回路において、
前記調整機能設定モードは、前記EEPROMの既存データの消去、前記データレジスタ手段に対する調整用データの入力、データレジスタ手段から前記EEPROMへのデータ書込み、スタンバイモードへの復帰の少なくとも4つの処理ステップを有することを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第3の態様は、
上記第2の態様に記載する調整機能付集積回路において、
前記処理ステップは前記状態変化検出手段が前記状態変化を検出する度に順次進行すること特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第4の態様は、
上記第1乃至第3の態様の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
前記状態変化の回数を記録するカウント手段を有し、前記状態変化検出手段の出力信号と前記カウント手段の出力信号からなる状態信号に前記処理ステップを対応させることにより、前記状態信号を受けて各処理を実行するための信号を発生するデコード手段を具備したことを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第5の態様は、
上記第1乃至第4の態様の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
前記EEPROMのデータ消去あるいはデータ書込みに必要な電圧を発生するため、前記制御端子又は前記出力端子の何れか一方が消去あるいは書込み電圧を発生する昇圧回路へのクロック入力端子として使用されることを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第6の態様は、
上記第1乃至第5の態様の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
当該調整機能付集積回路の電源の投入時及び前記出力制御端子が前記主回路からの前記出力信号の送出を停止するディスエーブル状態から前記出力信号の送出を許容するエネーブル状態への移行時に、前記EEPROMのデータが対応する前記データレジスタ手段に読出されるように構成したことを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第7の態様は、
上記第1乃至第6の態様の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
前記調整機能の設定に続いてEEPROMの書込みレベルの検証ステップを追加し、EEPROMの書込みレベルの情報を出力端子若しくは出力制御端子へ取り出せるように構成したことを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第8の態様は、
上記第7の態様に記載する調整機能付集積回路において、
EEPROMの書込みレベルの検証は、検証すべきEEPROMを選択するため、前記データレジスタ手段へのアドレスデータの入力ステップを追加して行うようにしたことを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第9の態様は、
上記第1乃至第8の態様の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
予め定められた一連の処理の内容を表す複数種類の命令データが書込まれる命令レジスタ手段と前記命令データの入力ステップを決めるデコーダとを有し、入力された命令データに基づき、複数種類の所定の命令を独立したモードとして実行可能にしたことを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第10の態様は、
上記第9の態様に記載する調整機能付集積回路が
複数ブロックのデータレジスタ手段を含む場合において、
調整機能設定の命令データがデータレジスタ手段のブロックを指定するアドレス情報を持つことを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第11の態様は、
上記第9又は第10の態様に記載する調整機能付集積回路において、
前記命令レジスタに所定の命令データが書込まれていない場合、及び命令の実行が終了した後は、次に起きる状態変化によってスタンバイモードに復帰することを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第12の態様は、
上記第9乃至第11の態様の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
命令データが前記出力制御端子乃至前記出力端子を前記主回路の内部信号を取り出すための出力端子とする命令を含み、その命令の実行をなし得るように構成したことを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第13の態様は、
上記第9乃至第12の態様の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
前記命令データが、前記出力制御端子又は前記出力端子の一方を前記主回路の中の回路要素に信号を入れる入力端子とし、他方の端子をこの信号に対する前記回路要素の出力を取り出す出力端子とする命令を含み、その命令の実行をなし得るように構成したことを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第14の態様は、
上記第1乃至第13の態様の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
前記状態変化検出手段は電源電圧の変化を前記所定の状態変化として検出するものであることを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明の第15の態様は、
上記第1乃至第14の態様に記載する何れか一つの調整機能付集積回路において、
前記出力制御端子の機能を前記主回路の機能を停止させるためのチップ選択端子で代替させたことを特徴とする調整機能付集積回路にある。
本発明によれば、出力制御端子がディスエーブル状態にある初期状態(以降、スタンバイ状態と呼ぶ。)において、状態変化検出手段により所定の状態変化が検出されると、出力端子と前記出力制御端子とを調整機能設定のための端子として使用することができるようになる。従って、一方の端子からクロックを供給し、他方の端子から調整用データを供給する2端子のシリアルデータ転送方式により、機能調整設定のためのデータを入力することができる。さらには、入力されたデータをEEPROMに保存することができ、通常動作時には常に主回路をEEPROMに保存されたデータに基づき動作させることが可能となる。上述したように調整機能設定モードに入るには、出力制御端子がディスエーブルになっていて、かつ状態変化が検出された場合に限られているので、出力制御端子がイネーブルに設定されている通常動作時には、意図しない状態変化が発生しても誤って機能調整の設定が行われる事態を未然に防止し得る。
以下本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
図1は本発明の第1の実施の形態に係る調整機能付集積回路を示すブロック線図である。同図に示すように、主回路1は、例えば発振器、基準電圧発生器等を構成しており、当該集積回路の本来機能を発揮する部分である。本実施の形態において、最低限必要となる集積回路の外部端子は、出力端子OUT、出力制御端子OE、電力を供給するための接地端子と電源端子の4端子である。主回路1の出力信号は、出力制御部2を介して出力端子OUTから送出される。出力端子OUTから出力信号が送出されている通常動作モードにおいては、状態デコーダ70の出力OE1のみが「H」レベルで、他の出力CKE、ER、WR,TESTは「L」レベルとなっている。このため出力制御端子OEが「H」レベルである場合には、出力制御部2の制御入力OE2も「H」レベルとなり、出力制御部2は主回路1の出力を有効(イネーブル)にする。一方、出力制御端子OEが「L」レベルである場合には、制御入力OE2は「L」レベルとなり、出力制御部2は主回路1の出力を無効(ディスエーブル)にする。即ち、出力端子OUTが高インピーダンス状態となって主回路1の出力信号の送出が停止される。
本形態では、電源電圧VDDの変動を調整機能の設定をするための状態変化として使用する。電源電圧検出部5は状態変化を論理信号に変換する回路である。電源電圧検出部5は電源電圧VDDが定格動作電圧VDDL(例えば3V)である場合には「L」レベル、高電源電圧VDDH(例えば6V)である場合には「H」レベルの論理信号を出力Eoutから出力する。この論理信号は状態カウンタ6及び状態デコーダ70に供給されている。
状態カウンタ6は電源電圧検出部5が出力する論理信号の変化をカウントするものであるが、インヒビット端子INHが「H」レベルのときには状態カウンタ6のカウント機能は阻止される。一方、インヒビット端子INHが「L」レベルのときには、状態カウンタ6はクロック端子CLKに入力される出力Eoutの論理レベルの変化をカウントする。以下、電源電圧検出部5の出力Eoutと状態カウンタ6の出力Q1乃至Qnから送出される出力信号を併せて状態信号と呼ぶこととする。
調整機能設定に必要となる全ての処理ステップはこの状態信号に対応付けされているので、状態デコーダ70は状態信号をみることで各処理ステップに必要な信号(出力CKE、ER、WR、TEST、OE1)を送出することができる。
状態デコーダ70は状態信号が全て「L」レベルのときのみ出力OE1を「H」レベルにし、状態信号を受信する入力A0乃至Anの何れか一つでも「H」レベルとなればその出力OE1を「L」レベルにする構成となっている。
出力制御端子OEが「H」レベルの時に、電源電圧VDDが通常の動作電圧である定格動作電圧VDDLを超えて上昇すると、状態変化検出手段としての電源電圧検出部5が動作して、その出力Eoutが「H」レベルになる。これにより状態デコーダ70の出力OE1が「L」レベルとなると、出力制御部2の制御入力OE2も「L」レベルとなって、主回路1の機能を無効(ディスエーブル)する。しかしながら、状態変化の回数を数える状態カウンタ6は出力制御端子OEが「H」レベルのためそのインヒビット入力INHは「H」レベルとなっており状態変化をカウントしない。このため電源電圧が元の定格動作電圧VDDLに戻ると通常動作モードに復帰する。すなわち、通常動作モードにおいて状態変化が検出されたとしても、以下に説明する調整機能設定モードに移行することはない。
通常動作モードから出力制御端子OEが「L」レベルになると、状態信号は全て「L」レベルで出力制御部2の制御入力OE2も「L」レベルとなる。以下この状態をスタンバイモードと呼ぶ。
スタンバイモードから電源電圧が通常の動作電圧である定格動作電圧VDDLを超えて上昇し、電源電圧検出部5の出力Eoutが「H」レベルになると状態カウンタ6が動作する。一度、状態カウンタ6が動作して、その出力端子Q1乃至Qnの何れか一つでも「H」レベルになっている間は、電源電圧VDDが元の動作電圧である定格動作電圧に戻っても、また出力制御端子OEが「H」レベルになっても状態デコーダ70の出力OE1は「L」レベルに保たれ、主回路1の出力端子OUTは無効(ディスエーブル)状態に固定される。この状態になると、出力制御端子OEと出力端子OUTは調整機能の設定をするための端子として使用可能となり、調整機能を設定できる状態となる。この状態を調整機能設定モードと呼ぶことにする。
データレジスタ部3は、EEPROMと一体化したシフトレジスタを複数段ならべたもので、シフトレジスタのデータはEEPROMに書込むことができ、EEPROMあるデータはシフトレジスタに読出すこともできる構成となっている。本データレジスタ部3は多段のシフトレジスタとして機能するため、CK端子へのクロック入力により、Di端子にあるデータを読み込むことができる。また、シフトレジスタの出力がデータレジスタ部3の出力(Q1・・・Qn)となっており、これら出力により主回路1の調整が行なわれる。
電源電圧検出部5と状態カウンタ6の出力からなる状態信号により、状態デコーダ70の出力ERが「H」レベル(状態デコーダ70の他の出力は全て「L」レベルである。)になると、出力制御端子OEからのクロックが昇圧回路12に供給されて昇圧回路12が動作し、その出力端子VEから所定の高電圧を出力する。この高電圧により各EEPROMの記憶内容は一括して消去される。
更なる状態変化により、状態信号が変わって状態デコーダ70の出力CKEが「H」レベル(状態デコーダ70の他の出力は全て「L」レベルである。)になると、出力端子OUTからのクロック信号がデータレジスタ部3に供給されて、出力制御端子OE上の調整用データはデータレジスタ部3に読み込まれる。
更なる状態変化より、状態信号が変わって状態デコーダ70の出力WRが「H」レベル(この場合も状態デコーダ70の他の出力は全て「L」レベルである。)になり、その時の電源電圧VDDがEEPROMにデータを書込むために適切な電圧であれば、データレジスタ部3上の調整用データをEEPROMに書込むことができる。一方、電源電圧VDDではEEPROMにデータを書込むために十分な電圧が得られない場合には、消去の時と同様に昇圧回路を用意して出力制御端子OEからのクロックにより電源電圧VDDを昇圧し、その昇圧電圧でEEPROMに書込みをしてもよい。
更なる状態変化より、状態信号が変わって状態デコーダ70の出力TESTが「H」レベル(この場合も状態デコーダ70の他の出力は全て「L」レベルである)になると、EEPROMの書込みレベルの検証が可能となる。例えば出力TESTで駆動されるTinにより、特定のEEPROMのドレインとゲートをToutに導通させることができれば、出力端子OUTに印加した電圧とそこに流れる電流によりEEPROMの書込みレベルの検証をすることができる。なお、データレジスタ部3にある全てのEEPROMの書込みレベルを検証することも可能であるが、その方法については後に述べる。
更なる状態変化より、状態信号が変わって機能調整設定モードの終了を検出すると、状態デコーダ70はリセット出力R/Sより出力リセット信号を状態カウンタ6に送出し、状態カウンタ6の出力Q1乃至Qnを全て「L」レベルに設定する。これにより、本回路は出力制御端子OEが「L」レベルであればスタンバイモードに、出力制御端子OEが「H」レベルであれば通常動作モードに復帰する。
リードパルス発生器16は通常動作モードに移行する時、すなわち出力制御部2の制御入力OE2が「L」レベルから「H」レベルに変化する時に、その信号を受けてリードパルス信号を発生する。このリードパルス信号がデータレジスタ部3の入力端子READに供給されると、EEPROMの記憶内容が対応するシフトレジスタに読み出される。
パワーオンクリア部14は電源電圧VDDがゼロから立ち上がった時にパルス信号を発生する回路である。パルス信号はオアゲート15を介して状態カウンタ6をリセットする。これにより状態デコーダ70の出力OE1が「H」レベルに設定される。従って、出力制御端子OEが「H」レベルであれば出力OE1に同期して、また出力制御端子OEが「L」レベルであればOEが「H」レベルとなった時にはリードパルス発生器16にリードパルス信号を発生させる。従って、本形態に基づく調整機能付集積回路は、主回路1の出力が出力端子OUTから送出されている時には、主回路1は常にデータレジスタ内のEEPROMに保存された調整用データに基づいて動作することになる。
なお、機能設定のためにEEPROMの書込みレベルの検証機能は必ずしも必要なものではなく、省略することも可能である。
かかる実施の形態においては、調整機能設定モードの全ての動作は一連の連続した動作の中でしか実行できない。例えば、EEPROMにデータの書込みをしないで、EEPROMの書込みレベルの検証だけ実行することはできないという不都合がある。
図2は、上述の如き不都合を除去し得る本発明の第2の実施の形態に係る調整機能付集積回路を示すブロック線図である。同図に示す本形態では、図1に示す第1の実施の形態に対し、命令レジスタ9とこの命令レジスタ9への命令入力のステップを限定するための第1のデコーダ7とを有すると同時に、第1の実施の形態における状態デコーダ70の代わりに状態信号と命令データの両方の信号を受けて命令実行のための信号を発生する第2のデコーダ10を有している。
本形態では命令レジスタ9に所定の命令データを入力することにより、命令を個別に実行させることが可能となる。例えば、EEPROMの書込みレベルの検証などをEEPROMへのデータ書込みを経ることなく個別で実行できるようになる。
ここで、第1のデコーダ7には電源電圧検出部5と状態カウンタ6の出力からなる状態信号がその入力A0,A1,・・・Anを介して入力されている。状態信号が所定の状態になるとデコーダ7がその出力Cgateから「H」レベルの信号を出力すると、アンドゲート8は開かれる。この状態において出力制御端子OEと出力端子OUTから命令データ及びクロック信号が供給されると、命令データが命令レジスタ9に書込まれる。
第2のデコーダ10には、状態信号がその入力A0,A1,・・・Anを介して入力され、命令レジスタ9に書込まれた命令データがその入力B1,・・・Bnとして供給される。従って、第2のデコーダ10は状態信号と命令データに基づき、出力CKE、WR,Test1乃至Testnの何れかを「H」レベルにする。
第2のデコーダ10は命令毎に命令に対する処理の終了を判断してリセットパルスをRS端子から出力するだけでなく、命令レジスタ9に命令データが書込まれていない場合や、命令データが予め定めたデータと一致しない場合にもリセットパルスを出力する。これにより、回路外部からのノイズによる意図しない処理の発生防止機能を第1の実施の形態に較べてより強化することができる。
パワーオンクリア部14は、電源電圧VDDが立ち上がったときにオアゲート15を介して状態カウンタ6の他に命令レジスタ9の内容もリセットして初期化する。
以下、これら種々の命令に対する処理モードについて具体的に詳述する。
<調整機能設定モード>
図3は調整機能設定モードについて、命令入力から命令の実行と終了迄のタイミングチャートを示している。この場合、調整機能設定モードは「命令入力」、EEPROMに書込まれている既存データの「消去」、「状態切替」、「調整データ入力」及びEEPROMへの「書込み」の5回のステップを経てスタンバイモードに復帰している。
また、図3(a)は電源電圧VDDの波形を示しており、電源電圧VDDが定格動作電圧VDDL及び高電源電圧VDDHの間を上下する様子を示している。同図(b)は電源電圧検出部5の出力Eoutの出力信号で、図(a)の電源電圧VDDの状態変化に同期して「L」乃至「H」レベルの論理信号に変換される様子を示している。以下、同図(c)は入力端子化した出力端子OUTに供給されるクロック信号の波形、同図(d)は出力制御端子OEに供給される調整用データの一例を示す波形、同図(e)は電源電圧VDDの波形に対する電源電圧検出部5及びVDD状態カウンタ6の出力からなる状態信号の変化の様子を示している。状態信号の「0」はスタンバイモードにおいて電源電圧検出部5が「L」レベルで、状態カウンタ6がリセットされた状態にあることを示している。スタンバイモードにおいて、最初の状態変化により電源電圧VDDが定格動作電圧VDDLから高電源電圧VDDHに変化すると、電源電圧検出部5の出力Eoutは「L」レベルから「H」レベルになり、状態カウンタ6は“1”をカウントし、“1”に対応する信号をQ1からQnから出力する。その時の状態信号を「1H」と表記している。状態カウンタ6は電源電圧検出部の出力Eoutが「L」レベルから「H」レベルへの立ち上がりのみをカウントする回路とすると、電源電圧VDDが高電源電圧VDDHから通常動作電圧VDDLに変化したときには、電源電圧検出部の出力Eoutは「L」で状態カウンタ6は“1”のままであるので、その時の状態信号を「1L」と表記している。以降、電源電圧VDDの昇降により状態信号は「2H」、「2L」、「3H」と変化することになる。
図3では、状態信号「1H」に命令入力ステップを対応させている。調整機能設定モードにするための命令データ(図3ではこの命令データの例として「110」コードを使っている。)の入力により、その後の状態信号「1L」、「2H」、「2L」、「3H」に対して、それぞれEEPROMの「消去」、「状態切替」、「調整用データ入力」、EEPROMへの「書込み」の処理ステップが割当てられる。命令入力がされた後のこれらの処理は第1の実施の形態における説明と同様である。図3では、状態信号「1L」に対して「消去」を割当てたが、状態信号「1L」に「状態切替」を割当て「2H」に「消去」を割当てても良く、状態信号に対する処理ステップの割当て方は、図3に限定されるものでないことは言うまでもない。
状態信号「3H」の後、高電源電圧VDDHから定格電源電圧VDDLへ変化すると、この状態変化を第2のデコーダ10が検出して出力端子R/Sからリセット信号を送出する。このリセット信号により状態カウンタ6及び命令レジスタ9がリセットされて、スタンバイモードに戻る。
かかるスタンバイモードにおいて、出力制御端子OEを「H」レベルとすると、出力制御部2の制御入力OE2が「H」レベルとなり通常動作モードに移行する。このときリードパルス発生器16が動作してデータレジスタ部3のREAD端子にリードパルス信号が供給される。この結果EEPROMの記憶内容が対応するシフトレジスタに読出されるので、主回路1は調整機能設定モードで設定されたデータに基づき動作することになる。
かかる一連の動作内容を纏めて表1に示す。
Figure 2009157663
表1は「状態信号」欄に各ステップにおける状態信号を示し、「OE」欄に各処理ステップにおける出力制御端子OEの状態と役割、「VDD」欄に各処理ステップにおける電源電圧VDDの具体的な値、「OUT」欄に各処理ステップにおける出力端子OUTの状態と役割、「命令REG」欄は各処理ステップにおける命令レジスタ9のデータ内容、「データREG」欄は各ステップにおけるデータレジスタ部3のシフトレジスタのデータ内容、「説明」欄に各処理ステップの補足説明を示している。
<第1のTESTモード>
図3における命令入力ステップにおいて、EEPROMの書込みレベルを検証するための命令入力がされた場合の動作を表2にまとめた。ここで、EEPROMの書込みレベルの検証とは、EEPROMの「ON」乃至「OFF」の程度を調べるテストである(以下、このテストのモードを第1のTESTモードという)。第1のTESTモードでは各EEPROMゲート及びドレインを出力端子OUTと導通させて、出力端子OUTに所定の電圧を印加して流れる電流を出力端子OUTを介して検出する。すなわち、EEPROMのI−V特性を検出する。ここで、例えば、2Vの電圧を印加したとき電流が流れなければ十分OFFしている(「L」レベル)と判断し、0.1Vの電圧を印加したとき電流が流れれば十分ONしていると判断する。
表2はかかる第1のTESTモードの動作内容を纏めたものである。
Figure 2009157663
表2における各欄は表1と同じである。表2の第1のTESTモードと表1の調整機能設定モードとを比較すると、命令入力後においては同じ状態信号に対し異なる処理がなされている。第1のTESTモードにおける各処理ステップは表3で十分説明されているので、ここでは状態信号が「1L」の時にデータレジスタに入力されるアドレスデータの役割について説明をする。アドレスデータは多数あるEEPROMの中からテスト対象とするEEPROMを選択するために入力される。アドレスデータは選択したいEEPROMが入っているシフトレジスタを「H」レベル(逆に「L」レベルでも良い)に設定するデータである。「状態切替」を経た後の検証ステップで第2のデコーダ10の出力端子Test1が「H」レベルになった時に、アドレスデータで選択されたEEPROMのゲートとドレインだけを出力端子OUTに接続し、選択されていないEEPROMのゲートとドレインは出力端子OUTに接続されないようにすれば、選択されたEEPROMのI−V特性だけを出力端子OUTから検証することができるようになる。
<第2のTESTモード>
表3は主回路1内の動作を検証するため第2のTESTモードの動作内容を纏めたものである。ここで、主回路1内の動作の検証とは、例えば主回路1の内部電圧がどの程度であるかを調べるテストである。このモードにおいては、書込まれた命令データにより状態信号が「2H」となった後の状態変化で、第2のデコーダ10がそのRS出力からのリセット信号を出力することによりスタンバイモードに戻している。このように第2のTESTモードは、他のモードに較べて少ないステップで終了できるが、状態信号に基づきステップを踏んで処理が進行する基本的な態様は、表1や表2の場合と同じである。
Figure 2009157663
表3に基づき第2のTESTモードの具体的な態様を説明しておく。命令レジスタ9に書込まれた第2のTEST命令の内容に基づき、第2のデコーダ10の出力端子Test2・・・Testnのいずれかが「H」レベルとなると、この信号により端子Tout2・・・Toutnを介して主回路1の所定の内部ノードが出力端子OUTに接続される。かくして出力端子OUTを介しそのノードの電圧測定などが可能となる。また、異なる第2のTEST命令により第2のデコーダ10の異なる出力端子を「H」レベルにすることで、主回路1の他のノードを出力端子OUTに接続し、その状態を外部に取り出すこともできる。
また、第2のTEST命令により主回路1のあるノードを出力制御端子OEと接続し、他のノードを出力端子OUTに接続することで一方の端子から信号を入力し他方の端子からその信号に対する出力を観測することもできる。
<電源ON時の動作モード>
表4は電源ON時の動作モードを纏めたものである。
Figure 2009157663
同表に示すように、出力制御端子OEが「L」レベルの時は、出力端子OUTが高インピーダンス状態となり、パワーオンクリア部14からの信号により、状態カウンタ6及び命令レジスタ9が初期化される。この状態ではデータレジスタ部3の内容はEEPROMのデータと一致していないが、出力制御端子OEが「H」レベルなって通常動作モードになると、リードパルス発生器16が動作してデータレジスタ部3にはEEPROMの調整用データが読み出されてデータレジスタ部3はEEPROMの調整用データと一致する。
一方、出力制御端子OEが「H」レベルの時には、出力端子OUTを介して主回路1の出力信号の送出が開始されるとともに、パワーオンクリア部14により命令レジスタ9が初期化され、同時にリードパルス発生器が動作してデータレジスタ部3にはEEPROMの調整用データが読み出される。
なお、上記実施の形態では、状態変化に関する情報は電源電圧VDDの変化を利用して検出している。電源電圧VDDを印加するための端子は必ず有しているので、この電源電圧VDDの状態変化を検出するのが最も簡便であるが、状態変化に関する情報を得る手段はこれに限るものではない。
さらに、上記実施の形態では、調整機能設定モード及び第1のTESTモードにおいてデータは出力制御端子OEより供給され、クロック信号は出力端子OUTから供給されているが、出力制御端子OEと出力端子OUTの役割を入れ替えてもよいことは勿論である。また、第1と第2のテストモードにおいても、出力制御端子OEと出力端子OUTの役割を入れ替えてもよいことは言うまでもない。
本発明は集積回路を製造・販売する産業分野において有効に利用し得る。
本発明の第1の実施の形態に係る調整機能付集積回路を示すブロック線図である。 本発明の第2の実施の形態に係る調整機能付集積回路を示すブロック線図である。 本発明の実施の形態における書込みモードの場合のタイミングチャートを示しており、(a)が電源電圧VDDの波形、(b)が出力Eoutから送出される状態信号の波形、(c)が出力端子OUTに供給するクロック信号の波形、(d)が出力制御端子OEに供給される調整用データの一例を示す波形、(e)が電源電圧検出部及び状態カウンタの出力からなる状態信号を示している。
符号の説明
1 主回路
2 出力制御部
3 データレジスタ部
5 電源電圧検出部
6 状態カウンタ
7 第1のデコーダ
9 命令レジスタ
10 第2のデコーダ
12 昇圧回路
14 パワーオンクリア部
16 リードパルス発生器
70 状態デコーダ

Claims (15)

  1. 所定の出力信号を出力端子に送出する主回路と、出力制御端子により前記出力信号の送出乃至停止を制御する出力制御部と、前記主回路の回路機能乃至特性を調整するための調整用データを記憶している多段のデータレジスタ手段と、このデータレジスタ手段に組み込まれて電源オフ後もデータを保持する電気的書換え可能な不揮発性メモリと、所定の状態変化を検出する状態変化検出手段とを有し、
    前記データレジスタ手段に対して調整用データを設定する調整機能設定モードは前記出力制御端子が主回路の出力を停止しているスタンバイモードにあってかつ前記状態変化検出手段が所定の状態変化を検出した時に始まり、前記調整機能設定モードにおいて前記出力端子と前記出力制御端子は調整機能設定のための端子として機能することを特徴とする調整機能付集積回路。
  2. 請求項1に記載する調整機能付集積回路において、
    前記調整機能設定モードは、前記不揮発性メモリの既存データの消去、前記データレジスタ手段に対する調整用データの入力、データレジスタ手段から前記不揮発性メモリへのデータ書込み、スタンバイモードへの復帰の少なくとも4つの処理ステップを有することを特徴とする調整機能付集積回路。
  3. 請求項2に記載する調整機能付集積回路において、
    前記処理ステップは前記状態変化検出手段が前記状態変化を検出する度に順次進行すること特徴とする調整機能付集積回路。
  4. 請求項1乃至請求項3の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
    前記状態変化の回数を記録するカウント手段を有し、前記状態変化検出手段の出力信号と前記カウント手段の出力信号からなる状態信号に前記処理ステップを対応させることにより、前記状態信号を受けて各処理を実行するための信号を発生するデコード手段を具備したことを特徴とする調整機能付集積回路。
  5. 請求項1乃至請求項4の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
    前記不揮発性メモリのデータ消去あるいはデータ書込みに必要な電圧を発生するため、前記制御端子又は前記出力端子の何れか一方が消去あるいは書込み電圧を発生する昇圧回路へのクロック入力端子として使用されることを特徴とする調整機能付集積回路。
  6. 請求項1乃至請求項5の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
    当該調整機能付集積回路の電源の投入時及び前記出力制御端子が前記主回路からの前記出力信号の送出を停止するディスエーブル状態から前記出力信号の送出を許容するエネーブル状態への移行時に、前記不揮発性メモリのデータが対応する前記データレジスタ手段に読出されるように構成したことを特徴とする調整機能付集積回路。
  7. 請求項1乃至請求項6の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
    前記調整機能の設定に続いて不揮発性メモリの書込みレベルの検証ステップを追加し、不揮発性メモリの書込みレベルの情報を出力端子若しくは出力制御端子へ取り出せるように構成したことを特徴とする調整機能付集積回路。
  8. 請求項7に記載する調整機能付集積回路において、
    不揮発性メモリの書込みレベルの検証は、検証すべき不揮発性メモリを選択するため、前記データレジスタ手段へのアドレスデータの入力ステップを追加して行うようにしたことを特徴とする調整機能付集積回路。
  9. 請求項1乃至請求項8の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
    予め定められた一連の処理の内容を表す複数種類の命令データが書込まれる命令レジスタ手段と前記命令データの入力ステップを決めるデコーダとを有し、入力された命令データに基づき、複数種類の所定の命令を独立したモードとして実行可能にしたことを特徴とする調整機能付集積回路。
  10. 請求項9に記載する調整機能付集積回路が
    複数ブロックのデータレジスタ手段を含む場合において、
    調整機能設定の命令データがデータレジスタ手段のブロックを指定するアドレス情報を持つことを特徴とする調整機能付集積回路。
  11. 請求項9又は請求項10に記載する調整機能付集積回路において、
    前記命令レジスタに所定の命令データが書込まれていない場合、及び命令の実行が終了した後は、次に起きる状態変化によってスタンバイモードに復帰することを特徴とする調整機能付集積回路。
  12. 請求項9乃至請求項11の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
    命令データが前記出力制御端子乃至前記出力端子を前記主回路の内部信号を取り出すための出力端子とする命令を含み、その命令の実行をなし得るように構成したことを特徴とする調整機能付集積回路。
  13. 請求項9乃至請求項12の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
    前記命令データが、前記出力制御端子又は前記出力端子の一方を前記主回路の中の回路要素に信号を入れる入力端子とし、他方の端子をこの信号に対する前記回路要素の出力を取り出す出力端子とする命令を含み、その命令の実行をなし得るように構成したことを特徴とする調整機能付集積回路。
  14. 請求項1乃至請求項13の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
    前記状態変化検出手段は電源電圧の変化を前記所定の状態変化として検出するものであることを特徴とする調整機能付集積回路。
  15. 請求項1乃至請求項14の何れか一つに記載する調整機能付集積回路において、
    前記出力制御端子の機能を前記主回路の機能を停止させるためのチップ選択端子で代替させたことを特徴とする調整機能付集積回路。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62102315A (ja) * 1985-10-29 1987-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロコンピユ−タのメモリバツクアツプ装置
JPS62150599A (ja) * 1985-12-24 1987-07-04 Nec Corp メモリ回路
JPH07146820A (ja) * 1993-04-08 1995-06-06 Hitachi Ltd フラッシュメモリの制御方法及び、それを用いた情報処理装置
JP2000010867A (ja) * 1998-06-18 2000-01-14 Olympus Optical Co Ltd 書換え可能な不揮発性メモリを備えたカメラ
JP2003059297A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置およびそれを用いた半導体モジュール
JP2003345672A (ja) * 2002-05-23 2003-12-05 Mitsubishi Electric Corp コンピュータのデータ保護システム及びデータ保護のプログラム
JP2006004478A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62102315A (ja) * 1985-10-29 1987-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロコンピユ−タのメモリバツクアツプ装置
JPS62150599A (ja) * 1985-12-24 1987-07-04 Nec Corp メモリ回路
JPH07146820A (ja) * 1993-04-08 1995-06-06 Hitachi Ltd フラッシュメモリの制御方法及び、それを用いた情報処理装置
JP2000010867A (ja) * 1998-06-18 2000-01-14 Olympus Optical Co Ltd 書換え可能な不揮発性メモリを備えたカメラ
JP2003059297A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置およびそれを用いた半導体モジュール
JP2003345672A (ja) * 2002-05-23 2003-12-05 Mitsubishi Electric Corp コンピュータのデータ保護システム及びデータ保護のプログラム
JP2006004478A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置

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