JP2009152334A - GaN系LED素子、GaN系LED素子の製造方法およびGaN系LED素子製造用テンプレート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaN系LED素子100は、基板10と、GaN系半導体からなる第1の層11と、GaN系半導体からなり発光部を含む第2の層12と、をこの順に含む積層構造を備えている。第1の層11に形成されたボイドSを有し、ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した第1の層の端面11aが、ボイドS内に露出している。また、基板10がボイドS内に露出している。
【選択図】図1
Description
(1)基板と、GaN系半導体からなる第1の層と、GaN系半導体からなり発光部を含む第2の層と、をこの順に含む積層構造を備えたGaN系LED素子であって、前記第1の層に形成されたボイドを有し、ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した前記第1の層の端面が、前記ボイド内に露出している、GaN系LED素子。
(2)前記基板が前記ボイド内に露出している、前記(1)に記載のGaN系LED素子。
(3)前記基板と前記第1の層との間に形成されGaN系半導体からなる第3の層を有し、該第3の層の表面に形成されたマスク層が前記ボイド内に露出している、前記(1)に記載のGaN系LED素子。
(4)前記基板の表面に形成されたマスク層が前記ボイド内に露出している、前記(1)に記載のGaN系LED素子。
(5)前記基板がGaN系半導体基板である、前記(4)に記載のGaN系LED素子。
(6)(a)基板と、該基板の上に形成されGaN系半導体からなる第1の層と、を有する半導体構造であって、前記第1の層の表面に開口する凹部が設けられ、ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した前記第1の層の端面が前記凹部内に露出している、半導体構造を準備するステップと、(b)前記第1の層の上に、GaN系半導体からなり発光部を含む第2の層を、前記開口部を塞ぐように積層して、前記凹部の位置にボイドを形成するステップと、を有する、GaN系LED素子の製造方法。
(7)基板と、該基板の上に形成されGaN系半導体からなる第1の層と、を有するテンプレートであって、前記第1の層の表面に開口する凹部が設けられ、該凹部の開口部は5μmを超える直径を有する真球が通過できない大きさであり、ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した前記第1の層の端面が前記凹部内に露出している、GaN系LED素子製造用テンプレート。
本発明の第1の実施形態に係るGaN系LED素子の構造を図1に示す。図1(a)はLED素子を電極配置面側から見た平面図であり、図1(b)は図1(a)のX−X線の位置における断面図である。
第1の層の端面11aは、ウェットエッチングによって形成されたものであり、基板10側を向くように傾斜している。図1(a)では、第1の層の端面11aの上端(ボイド上面の輪郭でもある)を、破線で表示している。
なお、第2の層12を気相成長法により形成する際などに生じた堆積物が、ボイドS内に露出した第1の層の端面11aや基板10の表面を覆う場合があるが、発明の作用効果に影響しない程度であれば、端面11aや基板10の表面は露出しているものと見なす。
更に、ボイドSの側壁面をなす第1の層の端面11aが、基板10の表面に垂直ではなく、基板10側を向くように傾斜していることによって、LED素子100の内部を素子面に平行な方向(基板10の表面に平行な方向)に進む光が、この端面11aの影響によって、素子面と交わる方向に曲がり易くなる。曲がった光は、基板10が透明な場合には基板10を透過して、また、正側のオーミック電極E2aが透明な場合には該電極E2a透過して、LED素子100の外部に効果的に取り出されることになる。
第1の層11を構成するGaN系半導体の組成は特に限定されないが、好ましくは、高品質の単結晶層を比較的容易に得ることのできる、GaNである。ただし、LED素子の発光波長を紫外領域内に設定する場合には、該波長の光のエネルギーよりも広いバンドギャップを有するAlGaNとすることが好ましい。
第1の層11への不純物の添加は任意に行うことができるが、結晶性を悪くしないためには、少なくとも、基板10からの距離が2μm以下の領域には、不純物を添加しないようにすることが望ましい。なお、図1の例では、2つの電極E1、E2を共に第2の層12上に形成しているが、基板として導電性基板を用いる場合には、いずれか一方の電極を基板上に形成する構成を採用することができる。その場合には、基板と第2の層との間に電気的接続が形成されるようにする必要があるので、第1の層に不純物を添加して導電性を付与することが望ましい。
その他、第1の層11の内部には、応力歪の緩和、転位密度の低減、静電耐圧特性の改善その他、目的に応じて、様々なGaN系半導体層(積層体を含む)を設けることができる。
ボイドSの台形状断面における上底の幅(ボイド上面の幅)は、例えば、0.1μm〜5μmとすることができる。この幅を0.1μmより狭くしてもLED素子に特性上の問題は生じないが、製造に高精度の加工技術が必要となることから、製造コストが上昇する。この幅を5μmより大きくした場合には、第2の層12の成長時に、第1の層の端面11a上や、基板10の露出面上にGaN系半導体が堆積し易くなるので、ボイドSの形状制御が難しくなる。また、ひとつのLED素子に設けることのできるボイドSの数が少なくなる。よって、ボイド上面の幅は、より好ましくは3μm以下であり、更に好ましくは1μm以下である。
ボイドSはできるだけ密に形成することが、LED素子100の光取り出し効率を高めるうえで好ましい。ボイドSを密に形成するほど、ひとつのLED素子に含まれる、傾斜したボイド側面の面積が増えるからである。ただし、ボイドSの数を増やし過ぎると、基板10と第1の層11との接合部の面積が小さくなるので、剥離の問題が生じる可能性がある。
また、ボイド上面の形状は、ボイドSのようなストライプ状に限定されるものではなく、長方形、正方形、正六角形などの多角形としてもよいし、円形などの、曲線で囲まれた形状とすることもできる。
ボイド上面を、多角形、円形等のドット状に形成する場合、ドットの配置はランダムであってもよいが、好ましくは、正方格子、斜方格子、三角格子、六角格子などの格子位置に規則的に配置する。
ボイド上面の形状はネット形状にすることもできる。ネット形状の例として、図2(a)〜(f)のそれぞれに示す形状が挙げられる(黒く塗り潰した領域がネット形状を構成している)。
一例として、第2の層12を、第1の層11と接する側から順に、n型GaNコンタクト層(Si濃度5×1018cm−3、膜厚3μm)、5層のn型GaN障壁層(膜厚10nm)と4層のn型InGaN井戸層(膜厚5nm)とを交互に積層してなるMQW層、p型Al0.12Ga0.88Nクラッド層(Mg濃度8×1019cm−3、膜厚100nm)、p型Al0.02Ga0.98Nコンタクト層(Mg濃度8×1019cm−3、膜厚50nm)をこの順に積層した構造とすることができる。この場合、n型GaNコンタクト層とMQW層がn型層12aに含まれ、p型Al0.12Ga0.88Nクラッド層とp型Al0.02Ga0.98Nコンタクト層がp型層12bに含まれる。
この例において、n型GaNコンタクト層は、負電極が形成される層であるが、負電極から供給される電流を素子面に平行な方向に拡散させる役割も担っている。また、n型GaNコンタクト層は、ダブルヘテロ−MQW型の発光部を構成するn型クラッド層としての役割も担っている。n型GaNコンタクト層にn型クラッド層を兼用させる代わりに、n型コンタクト層とMQW層との間に、n型AlGaNクラッド層を設けることもできる。
また、第1の層を分断しないようにボイドを形成する場合には、n型コンタクト層を第1の層に設けることもできる。
その他、第2の層の内部には、応力歪の緩和、転位密度の低減、静電耐圧特性の改善、発光効率の改善、接触抵抗の低下その他、目的に応じて、様々なGaN系半導体層(積層体を含む)を設けることができる。
この金属層の表層部は、ボンディングに用いられるワイヤまたはハンダの材料に応じて、Ag(銀)、Au(金)、Sn(錫)、In(インジウム)、Bi(ビスマス)、Cu(銅)、Zn(亜鉛)などから選ばれる金属の単体または合金を用いて形成することができる。
ウェットエッチングは、例えば、ウェハをエッチング液である約200℃のピロリン酸に浸漬することにより行うことができる。エッチング液としては、ピロリン酸の他に、オルトリン酸、硫酸、KOHなどを用いることができる。エッチング液の温度は、150℃〜300℃とすることが好ましい。第1の層の端面を傾斜面とするうえで好ましい温度範囲は200℃〜300℃である。
なお、第1の層に、ウェットエッチング法により傾斜した端面を形成する方法については、特許文献1〜3を参照してもよい。
ウェットエッチング後、フッ酸を用いてSiO2マスクを除去する。SiO2マスクの除去後における凹部Tの開口部のサイズが小さいほど、後に第2の層を形成する工程において該開口部が早く塞がるので、好ましい。よって、該開口部は、5μmを超える直径を有する真球が通過できない大きさとすることが好ましく、3μmを超える直径を有する真球が通過できない大きさとすることがより好ましく、1μmを超える直径を有する真球が通過できない大きさとすることが更に好ましい。該開口部の大きさが、上記SiO2マスクに設ける窓部の大きさによって制御できることは、いうまでもない。
第2の層12の形成は、MOVPE法またはMBE法を用いて行うことが好ましい。ラテラル成長が促進される条件を用いることにより、凹部T内にGaN系半導体が堆積する前に、凹部Tの開口部を塞ぐことができる。MOVPE法の場合には、成長温度を高くするほど、また、成長炉内の水素分圧を低くするほど、GaN系半導体のラテラル成長が促進されることが知られている。減圧条件を用いることも、ラテラル成長を促進するうえで好ましく、その場合、成長炉内のアンモニア分圧を高くすることが、より好ましい。
なお、第2の層12を構成する層のうち、ラテラル成長が促進される条件で成長させるのは、初期に形成する層(凹部Tの開口部が塞がる時点までに形成する層)だけであってもよい。凹部Tの開口部が塞がった後に形成する層は、それぞれの層にとって最適な成長条件を用いて成長させればよい。
本発明の第2の実施形態に係るGaN系LED素子の構造を図7に示す。図7(a)はLED素子を電極配置面側から見た平面図であり、図7(b)は図7(a)のX−X線の位置における断面図である。
第2の層12は、更に、pn接合型の発光部が構成されるように、n型層12aとp型層12bとを積層した構造を備えている。n型層12aの一部露出された表面上には負電極E1が形成されている。p型層12b上には、オーミック電極E2aと、その一部上に形成されたボンディングパッドE2bとからなる、正電極E2が設けられている。
第1の層の端面11aは、ウェットエッチングによって形成されたものであり、基板10側を向くように傾斜している。図7(a)では、第1の層の端面11aの上端(ボイド上面の輪郭でもある)を、破線で表示している。
なお、第2の層12を気相成長法により形成する際などに生じた堆積物が、ボイドS内に露出した第1の層の端面11aやマスク層Mの表面を覆う場合があるが、発明の作用効果に影響しない程度であれば、端面11aやマスク層Mの表面は露出しているものと見なす。
第1の層11を形成した後の、第2の層12、負電極E1および正電極E2の形成は、第1の実施形態の場合と同様にして行うことができる。
本発明の第3の実施形態に係るGaN系LED素子の構造を図8に示す。図8(a)はLED素子を電極配置面側から見た平面図であり、図8(b)は図8(a)のX−X線の位置における断面図である。
第2の層12は、更に、pn接合型の発光部が構成されるように、n型層12aとp型層12bとを積層した構造を備えている。n型層12aの一部露出された表面上には負電極E1が形成されている。p型層12b上には、オーミック電極E2aと、その一部上に形成されたボンディングパッドE2bとからなる、正電極E2が設けられている。
第1の層の端面11aは、ウェットエッチングによって形成されたものであり、基板10側を向くように傾斜している。図8(a)では、第1の層の端面11aの上端(ボイド上面の輪郭でもある)を、破線で表示している。
なお、第2の層12を気相成長法により形成する際などに生じた堆積物が、ボイドS内に露出した第1の層の端面11aやマスク層Mの表面を覆う場合があるが、発明の作用効果に影響しない程度であれば、端面11aやマスク層Mの表面は露出しているものと見なす。
第1の層11を形成した後の、第2の層12、負電極E1および正電極E2の形成は、第1の実施形態の場合と同様にして行うことができる。
10 基板
11 第1の層
11a 第1の層の端面
12 第2の層
12a n型層
12b p型層
13 第3の層
E1 負電極
E2 正電極
S ボイド
T 凹部
M マスク層
Claims (7)
- 基板と、GaN系半導体からなる第1の層と、GaN系半導体からなり発光部を含む第2の層と、をこの順に含む積層構造を備えたGaN系LED素子であって、
前記第1の層に形成されたボイドを有し、
ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した前記第1の層の端面が、前記ボイド内に露出している、
GaN系LED素子。 - 前記基板が前記ボイド内に露出している、請求項1に記載のGaN系LED素子。
- 前記基板と前記第1の層との間に形成されGaN系半導体からなる第3の層を有し、該第3の層の表面に形成されたマスク層が前記ボイド内に露出している、請求項1に記載のGaN系LED素子。
- 前記基板の表面に形成されたマスク層が前記ボイド内に露出している、請求項1に記載のGaN系LED素子。
- 前記基板がGaN系半導体基板である、請求項4に記載のGaN系LED素子。
- (a)基板と、該基板の上に形成されGaN系半導体からなる第1の層と、を有する半導体構造であって、前記第1の層の表面に開口する凹部が設けられ、ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した前記第1の層の端面が前記凹部内に露出している、半導体構造を準備するステップと、
(b)前記第1の層の上に、GaN系半導体からなり発光部を含む第2の層を、前記開口部を塞ぐように積層して、前記凹部の位置にボイドを形成するステップと、
を有する、GaN系LED素子の製造方法。 - 基板と、該基板の上に形成されGaN系半導体からなる第1の層と、を有するテンプレートであって、前記第1の層の表面に開口する凹部が設けられ、該凹部の開口部は5μmを超える直径を有する真球が通過できない大きさであり、ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した前記第1の層の端面が前記凹部内に露出している、GaN系LED素子製造用テンプレート。
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