JP2009147395A - Iii族窒化物薄膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 サファイアC面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてGaを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりGaN系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Gaとして、その強度(フラックス)が1×1013コ/cm2s〜1×1015コ/cm2sであるものを用い、該GaN系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Inを、照射する金属Gaの強度より1〜2桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を(0001)に制御する。
【選択図】 図2
Description
1.成長させるIII族窒化物薄膜の下地としては、GaN系(0001)膜、あるいはGaN系(000−1)膜、あるいは(0001)と(000−1)との混在した膜であればいずれの膜でも使用できる。例えば、サファイアC面基板21を加熱して(例えば、約800℃)清浄化した後、所定の厚さのGaN層を低温(例えば、約500℃)で堆積せしめ、次いでアニール処理することにより形成された低温バッファ層22でも(図2(A))、あるいは他の成長法(例えば、スパッタ、レーザーデポジションなど)で成長させた膜22’でも(図2(B))、上記結晶方位を有するものであれば使用できる。この低温バッファ層はGaNの核形成を促進させる。
1.金属Gaあるいは金属Alの照射温度は、室温〜600℃であれば良い。
1.窒素プラズマは、RFで生成されるものでもECRで生成されるものでも良い。
1.アンモニアは熱分解してあっても、してなくても良い。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
(実施例1)
通常の分子線エピタキシャル装置を用い、図2(A)および(B)に示したようなGaN系薄膜を以下のようにして形成した。
(実施例2)
本実施例では、清浄化されたサファイアC面基板上への低温バッファ層形成時に、基板が窒素プラズマに曝されるの抑制することによって、図3に示すようにサファイア基板31上にGaN系薄膜34を形成した。
(実施例3)
実施例1と同様にサファイアC面基板清浄化処理後、図4に示すように、基板41上に、結晶成長温度750℃で窒素プラズマおよび金属Alを照射してAlN膜42を成長せしめた。このAlN膜の極性は(0001)であった。次いで、得られたAlN(0001)膜上に、実施例1の場合と同じ条件で、窒素プラズマおよびIII族源としてのGaを主成分とする金属を照射してGaN系薄膜43を成長させた。得られた薄膜の極性は(0001)であった。
(実施例4)
実施例1と同様にサファイアC面基板清浄化処理後、図5に示すように、基板51上に900℃でアンモニアを照射して基板表面にAlNの層52を形成させた。得られたAlN層の極性は(0001)であった。次いで、実施例1の場合と同じ条件で、窒素プラズマおよびIII族源としてのGaを主成分とする金属を照射してGaN系薄膜53を成長させた。得られた薄膜の極性は(0001)であった。
21、31、41、51 サファイアC面基板
22、22’ 下地
23 In照射層
24 GaN系薄膜
32 金属Gaあるいは金属Alの原子層
33 GaN系低温バッファ層
34 GaN系薄膜
42 AlN膜
43 GaN系薄膜
52 AlN層
53 GaN系薄膜
Claims (2)
- サファイアC面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてGaを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりGaN系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Gaとして、その強度(フラックス)が1×1013コ/cm2s〜1×1015コ/cm2sであるものを用い、該GaN系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Inを、照射する金属Gaの強度より1〜2桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を(0001)に制御することを特徴とするIII族窒化物薄膜の形成方法。
- 前記基板を加熱して清浄化処理した後、金属Gaとして、その強度(フラックス)が1×1013コ/cm2s〜1×1015コ/cm2sであるものを用い、窒化プラズマとガス状のGa金属を照射しGaN系III属窒化物層を堆積し、アニールにより(0001)と(000−1)の複数の極性が混在する低温バッファ層を形成した後に、該GaN系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Inを、照射する金属Gaの強度より1〜2桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を(0001)に制御することを特徴とする請求項1記載のIII族窒化物薄膜の形成方法。
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CN106133914A (zh) * | 2014-02-12 | 2016-11-16 | 全斯鲁森特公司 | Si衬底上的Ⅲ‑N半导体层 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03252393A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-11 | Nec Corp | 表面プロセス制御方法及び装置 |
JPH10199812A (ja) * | 1996-06-01 | 1998-07-31 | Sharp Corp | 化合物半導体膜の形成方法 |
JP2000049378A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Rikagaku Kenkyusho | 発光素子用窒化物半導体及びその製造方法 |
JP2001185487A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Ulvac Japan Ltd | Iii族窒化物薄膜の形成方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03252393A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-11 | Nec Corp | 表面プロセス制御方法及び装置 |
JPH10199812A (ja) * | 1996-06-01 | 1998-07-31 | Sharp Corp | 化合物半導体膜の形成方法 |
JP2000049378A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Rikagaku Kenkyusho | 発光素子用窒化物半導体及びその製造方法 |
JP2001185487A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Ulvac Japan Ltd | Iii族窒化物薄膜の形成方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106133914A (zh) * | 2014-02-12 | 2016-11-16 | 全斯鲁森特公司 | Si衬底上的Ⅲ‑N半导体层 |
JP2017510064A (ja) * | 2014-02-12 | 2017-04-06 | トランスルーセント インコーポレイテッドTranslucent, Inc. | シリコン基板上のiii−n半導体層 |
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