JP2009141077A - 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記電極間に設けられたキャリア輸送層および有機発光層を含む発光媒体層とを備えた有機EL素子において、前記キャリア輸送層は、成膜した後に酸化処理を行うことで得られた無機酸化物層であることを特徴とする有機EL素子。
【選択図】 図1
Description
このような無機酸化物としては遷移金属の酸化物や酸窒化物若しくは酸化物半導体などを用いることができ、遷移金属酸化物が特に好ましい。遷移金属酸化物として遷移金属は複数の酸化数をとるため、これにより複数の電位レベルを取ることができて、正孔注入が容易になり駆動電圧の低減が可能になるためである。
図1に示すように、厚さ0.7mm、100mm四方のガラス基板を透光性基板101とし、ITOをスパッタリングすることによりこの基板101上に透明導電層を成膜した後、フォトリソグラフィーで800μmピッチ(L/S=700/100)のITOラインをパターニングし、透光性の第一電極102とした。その後、各パターニングされたITOラインの端部をカバーするために、絶縁性レジストを基板全面に塗布した後、隣り合う透明電極202のパターンの端部を覆うようにフォトリソグラフィーでパターニングし、絶縁性隔壁205を設けた。
X線源:MgKα(15kV−200W)
取り出し角:15−90度(角度分解測定により均一性を確認)
分析面積:φ0.8mm
パスエネルギ:23.5eV
積算回数:20〜50回
帯電補正:C1s=285.0eVとして補正
続いて、有機発光材料であるPPV系高分子材料1体積%、溶媒としてトルエン84体積%およびアニソール15体積%を含む塗布液を調製し、凸版印刷法によりRGB各色にパターン形成して有機発光層103bとした。最後に対向電極104としてMgAgを2元蒸着法により蒸着し、透光性の第一電極101と直交するストライプ状に、150nmの厚みで800μmピッチ(L/S=700/100)のラインをフォトリソグラフィーでパターニングした。その後、ガラスキャップと接着剤を用いて密閉封止し、パッシブ駆動型の有機EL素子を作成した。
実施例2においては、図1に示すように正孔輸送層103aとして三酸化モリブデンMoO3を真空蒸着法により厚さ30nmに成膜し、250℃、2時間程度乾燥空気中で熱酸化処理を行った。その他の条件は実施例1と同様である。得られた正孔輸送層103aの透過率は91%(550nm)であり、導電率は5.60×10-4S/cmであった。
実施例3においては、図1に示すように正孔輸送層103aとして三酸化モリブデンMoO3をスパッタ法により厚さ30nmに成膜し、酸素プラズマ装置を用いて酸素ガス圧力0.002Torr、投入電力100Wで20秒間酸化処理を行った。その他の条件は実施例1と同様である。得られた正孔輸送層103aの透過率は95%(550nm)であり、導電率は1.10×10-5S/cmであった。
実施例4においては、図2に示すように、正孔輸送層203aとして三酸化モリブデンMoO3を、真空蒸着法により、マスクを用いて厚さ30nmにパターニングして成膜し、250℃、2時間程度乾燥空気中で熱酸化処理を行った。その他の条件は実施例1と同様である。得られた正孔輸送層203aの透過率は91%(550nm)であり、導電率は5.60×10-4S/cmであった。
実施例5においては、図1に示すように正孔輸送層103aとして三酸化モリブデンMoO3を真空蒸着法により厚さ30nmに成膜し、紫外線照射装置(低圧水銀ランプ使用)を用いオゾン濃度100±50ppm、紫外線強度10.0mW/cm2(254nm)、照射距離20mmで10分間UV照射を行った。その他の条件は実施例1と同様である。得られた正孔輸送層103aの透過率は89%(550nm)であり、導電率は7.30×10-4S/cmであった。
正孔輸送層として五酸化バナジウムV2O5を真空蒸着法により厚さ70nmに成膜したものを用い、酸化処理を行わなかった。その他の条件は実施例1と同様である。得られた正孔輸送層の透過率は79%(550nm)であり、導電率は4.10×10-2S/cmであった。また、得られたV2O5の表面を実施例1と同様にXPS装置で分析した結果、VとOのピーク比は2:3.7であった。
正孔輸送層として三酸化モリブデンMoO3を真空蒸着法により厚さ30nmに成膜したものを用い、酸化処理を行わなかった。その他の条件は実施例2と同様である。得られた正孔輸送層の透過率は85%(550nm)であり、導電率は1.60×10-3S/cmであった。また、得られたMoO3の表面を実施例2と同様にXPS装置で分析した結果、MoとOのピーク比は1:2.3であった。
正孔輸送層として三酸化モリブデンMoO3をスパッタ法により厚さ30nmに成膜したものを用い、酸化処理を行わなかった。その他の条件は実施例3と同様である。得られた正孔輸送層の透過率は91%(550nm)であり、導電率は9.90×10-4S/cmであった。また、得られたMoO3の表面を実施例3と同様にXPS装置で分析した結果、MoとOのピーク比は1:2.4であった。
正孔輸送層として三酸化モリブデンMoO3をマスクを用いて真空蒸着法により厚さ30nmにパターニング成膜したもの(図2を参照)を用い、酸化処理を行わなかった。その他の条件は実施例4と同様である。得られた正孔輸送層の透過率は85%(550nm)であり、導電率は1.60×10-3S/cmであった。また、得られたMoO3の表面を実施例4と同様にXPS装置で分析した結果、MoとOのピーク比は1:2.3であった。
正孔輸送層として三酸化モリブデンMoO3を真空蒸着法により厚さ30nmに成膜したものを用い、成膜後、UV処理を行わなかった。その他の条件は実施例5と同様である。
102,202…透明導電層
103,203…発光媒体層
103a,203a…無機酸化物の正孔輸送層
103b,203b…有機発光層
104,204…対向電極
105,205…絶縁性隔壁
301…インクタンク
302…インキチャンバー
303…アニックスロール
304…インキ
305…印刷用凸版
306…版胴
307…基板固定台
308…被印刷基板
Claims (15)
- 第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記電極間に設けられたキャリア輸送層および有機発光層を含む発光媒体層とを備えた有機EL素子において、前記キャリア輸送層は、成膜した後に酸化処理を行うことで得られた無機酸化物層であることを特徴とする有機EL素子。
- 前記キャリア輸送層が正孔輸送層であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記酸化処理が酸素プラズマ処理であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL素子。
- 前記酸化処理が熱酸化処理であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL素子。
- 前記酸化処理がUV処理であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL素子。
- 前記無機酸化物が遷移金属酸化物であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機EL素子。
- 前記遷移金属酸化物が酸化モリブデンであることを特徴とする請求項6に記載の有機EL素子。
- 前記遷移金属酸化物が酸化バナジウムであることを特徴とする請求項6に記載の有機EL素子。
- 前記第一電極はパターニングされており、パターニングされた電極間に、隣り合うパターンの端部を覆うように絶縁性隔壁を具備することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の有機EL素子。
- 前記無機酸化物が前記絶縁性隔壁間に設けられていることを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子。
- 前記無機酸化物が前記絶縁性隔壁間および前記絶縁性隔壁上に連続して設けられていることを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の有機EL素子の製造方法であって、前記キャリア輸送層として無機酸化物層を成膜する工程と、前記無機酸化物層を酸化処理する工程とを含むことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
- 請求項12に記載の有機EL素子の製造方法であって、前記無機酸化物層を酸化処理する工程の後に、前記発光媒体層を湿式成膜法で成膜する工程を含むことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
- 前記湿式成膜法が、印刷法であることを特徴とする請求項13に記載の有機EL素子の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の有機EL素子を備えたことを特徴とする表示装置。
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