JP2009135363A - 発光装置、電子機器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 145
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
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- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
【解決手段】発光装置は、基板10上に列をなすように形成された複数の発光素子2と、発光素子2と基板10との間の層に形成された光検出素子20とを備える。光検出素子20は、平面視で発光素子2の外縁に沿って形成されている。光検出素子20は、p型半導体層22、有感領域24、n型半導体層26を有するpinダイオードを含んで構成され、このうち有感領域24は、平面視で発光素子2の外縁2aに沿って形成されている。
【選択図】図3
Description
図1は、発光装置としての有機EL装置1の平面図である。有機EL装置1は、透光性を有する基板10を基体として構成されている。有機EL装置1は、基板10上に列をなすように形成された複数の発光素子2を有している。各発光素子2は、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下TFTと略す)素子30(図3(b))のドレインに電気的に接続されており、TFT素子30を介して流れる電流の大きさに応じた光量の発光を行う。TFT素子30のゲートには、第1容量素子(不図示)が電気的に接続されている。
続いて、第2の実施形態について説明する。本実施形態は、光検出素子20のうち有感領域24の形成領域が第1の実施形態と異なり、その他の構成、及びその構成による効果は第1の実施形態と同様である。以下では、第1の実施形態との差異を中心に説明する。
続いて、第3の実施形態について説明する。本実施形態は、光検出素子20のうちp型半導体層22及びn型半導体層26の形成領域が第1の実施形態と異なり、その他の構成、及びその構成による効果は第1の実施形態と同様である。以下では、第1の実施形態との差異を中心に説明する。
続いて、第4の実施形態について説明する。本実施形態は、光検出素子20の構成の一部が第3の実施形態と異なり、その他の構成、及びその構成による効果は第3の実施形態と同様である。以下では、第3の実施形態との差異を中心に説明する。
有機EL装置1は、電子機器に搭載する際には、例えば図7の斜視図に示すように、光書き込みヘッドモジュール101Kに組み込んで用いることができる。光書き込みヘッドモジュール101Kは、円柱状の感光体ドラム71Kと平行に、これと対向した状態で用いられる。光書き込みヘッドモジュール101Kは、感光体ドラム71Kと平行な方向に配設された箱体21と、箱体21と感光体ドラム71Kとの間に位置するように箱体21に取り付けられた光学部材23とを備えている。箱体21は、感光体ドラム71K側に開口部を有しており、その開口部に向かって光が射出されるように有機EL装置1が固定されている。光学部材23は、内部にセルフォック(登録商標)レンズアレイを備えており、有機EL装置1の発光素子2から射出され、一端に入射した光を、他端側から射出して感光体ドラム71Kの表面で集光、照射(描画)する。
光検出素子20は、必ずしも発光素子2の外縁2aの全周にわたって連続して形成されていなくてもよい。すなわち、一部が切り欠かれていてもよく、あるいは間欠的に配置されていてもよい。このとき、発光素子2の中心に対して点対称な領域に形成することで、発光素子2による発光領域の対称性を保つことができる。
Claims (10)
- 透光性を有する基板と、
前記基板上に列をなすように形成され、少なくとも前記基板側に光を射出する複数の発光素子と、
前記発光素子と前記基板との間の層に形成された光検出素子と、を備え、
前記光検出素子は、平面視で前記発光素子の外縁に沿って形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記光検出素子は、p型半導体層、有感領域、n型半導体層を有するpinダイオードを含んで構成され、
前記有感領域は、平面視で前記発光素子の外縁を含む領域に、前記外縁に沿って形成され、
前記p型半導体層は、平面視で前記発光素子と重ならない領域に形成され、
前記n型半導体層は、平面視で前記発光素子と重ならない領域であって、前記p型半導体層とは前記発光素子を挟んで反対側に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記光検出素子は、p型半導体層、有感領域、n型半導体層を有するpinダイオードを含んで構成され、
前記p型半導体層及び前記n型半導体層の一方は、平面視で前記発光素子と重なる領域に、前記発光素子の外縁に沿って形成され、
前記p型半導体層及び前記n型半導体層の他方は、平面視で前記発光素子と重ならない領域に、前記発光素子の外縁に沿って形成され、
前記有感領域は、平面視で前記発光素子の外縁を含む領域に、前記外縁に沿って形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項3に記載の発光装置であって、
前記p型半導体層及び前記n型半導体層のうち、平面視で前記発光素子と重ならない領域に形成された層は、平面視で前記発光素子の外縁に沿った領域に形成されたコンタクト領域を介して、前記層より前記発光素子側に配置された配線と接続されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項3又は4に記載の発光装置であって、
前記有感領域は、前記p型半導体層及び前記n型半導体層の間に配置されており、
前記p型半導体層と前記n型半導体層との間の長さは一定であることを特徴とする発光装置。 - 請求項3から5のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記p型半導体層及び前記n型半導体層のうち、平面視で前記発光素子と重なる領域に形成されている層は、平面視で前記発光素子と重ならない領域においてコンタクトホールを介して配線と接続されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記光検出素子は、平面視で前記発光素子の外側に形成され、
前記発光素子の外縁と、前記光検出素子の外縁の一部とが、平面視で一致していることを特徴とする発光装置。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記光検出素子は、平面視で前記発光素子の外縁に沿って、全周にわたって連続して形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記基板と前記発光素子との間に形成された、前記発光素子を駆動する薄膜トランジスタ素子を有し、
前記光検出素子は、前記薄膜トランジスタ素子の能動素子と同一の層に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007312071A JP4962289B2 (ja) | 2007-12-03 | 2007-12-03 | 発光装置、電子機器 |
US12/269,427 US7902559B2 (en) | 2007-12-03 | 2008-11-12 | Light emitting device and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007312071A JP4962289B2 (ja) | 2007-12-03 | 2007-12-03 | 発光装置、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009135363A true JP2009135363A (ja) | 2009-06-18 |
JP4962289B2 JP4962289B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=40674807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007312071A Expired - Fee Related JP4962289B2 (ja) | 2007-12-03 | 2007-12-03 | 発光装置、電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7902559B2 (ja) |
JP (1) | JP4962289B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019048425A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | コニカミノルタ株式会社 | 光書込装置、およびそれを備えた画像形成装置 |
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JP2001085160A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-03-30 | Nec Corp | 発光出力補正機能付き発光素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5753928A (en) * | 1993-09-30 | 1998-05-19 | Siemens Components, Inc. | Monolithic optical emitter-detector |
JP3501121B2 (ja) | 2000-12-14 | 2004-03-02 | 日本電気株式会社 | 光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装置 |
JP4033217B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2008-01-16 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP2007290329A (ja) | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子、発光装置、光ヘッド、及び画像形成装置 |
-
2007
- 2007-12-03 JP JP2007312071A patent/JP4962289B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-12 US US12/269,427 patent/US7902559B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7009856B2 (ja) | 2017-09-11 | 2022-01-26 | コニカミノルタ株式会社 | 光書込装置、およびそれを備えた画像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4962289B2 (ja) | 2012-06-27 |
US20090140265A1 (en) | 2009-06-04 |
US7902559B2 (en) | 2011-03-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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