JP2009125915A - Grinding wheel mounting mechanism - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a grinding wheel mounting mechanism for a grinding device allowing the simultaneous or separate mounting of two kinds of grinding wheels if necessary. <P>SOLUTION: A grinding wheel includes a first grinding wheel 30 composed of a plurality of first grinding wheels 34 and mounted to a first annular wheel base 32 having an inner diameter of a first dimension, and a second grinding wheel 38 composed of a plurality of second grinding wheels 42 and mounted to a second wheel base 40 having outer diameters of second dimensions smaller than the first dimension. A wheel mount 28 has a first annular mounting surface 28a to mount the first wheel base, and a second mounting surface 28b formed at an inner peripheral part of the first mounting surface to mount the second wheel base. When mounting the first grinding wheel and the second grinding wheel to the first mounting surface and the second mounting surface, respectively, end faces of the second grinding wheels of the second grinding wheel project by a predetermined distance from end faces of the first grinding wheels of the first grinding wheel. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、研削装置における研削ホイール装着機構に関する。   The present invention relates to a grinding wheel mounting mechanism in a grinding apparatus.

半導体デバイス製造工程においては、略円盤形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置で切断することにより、半導体ウエーハが個々の半導体チップに分割される。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as ICs and LSIs are placed in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut into individual semiconductor chips by cutting the semiconductor wafer along the streets with a cutting device.

分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に裏面を研削又はエッチングによって所定の厚さに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、ウエーハの厚さはより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。   The wafer to be divided is formed to a predetermined thickness by grinding or etching the back surface before cutting along the street. In recent years, in order to achieve weight reduction and miniaturization of electrical equipment, the thickness of the wafer is required to be thinner, for example, about 50 μm.

ウエーハの裏面を薄く研削する研削装置は、その要求に応じるべく、薄く且つ抗折強度の高いウエーハに仕上げるため、種々の工夫を行っているが、ウエーハが薄くなるにつれ、研削後の工程においてハンドリングが非常に困難になるという問題が発生してきた。   Grinding equipment that thinly grinds the backside of the wafer has been devised in various ways to finish it into a thin and high bending strength wafer in order to meet its requirements. However, as the wafer becomes thinner, it is handled in the post-grinding process. Has become a very difficult problem.

そこで、薄いウエーハと容易なハンドリング性を実現するため、ウエーハにICやLSI等のデバイスが形成されている部分のみ研削し、外周部の余剰領域に凸部を残す研削方法が、例えば特開平2007−19461号公報で提案されている。
特開2007−19461号公報
Therefore, in order to realize a thin wafer and easy handling, a grinding method for grinding only a portion where a device such as an IC or an LSI is formed on the wafer and leaving a convex portion in an excess area of the outer peripheral portion is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2007-2007. -19461.
JP 2007-19461 A

然しながら、上述した加工方法で用いる研削ホイールはウエーハ全面を研削するための研削ホイールとはホイールの外径や、環状に配設されている研削砥石の配列径が大きく異なる(比較すると小さい)ため、通常の研削ホイールとの兼用はできず、研削ホイールの交換が必要となる。   However, the grinding wheel used in the above-described processing method differs greatly from the grinding wheel for grinding the entire surface of the wafer in terms of the outer diameter of the wheel and the arrangement diameter of the grinding wheels arranged in an annular shape (small compared). It cannot be used as a normal grinding wheel, and it is necessary to replace the grinding wheel.

また、ウエーハにICやLSI等のデバイスが形成されているウエーハの中央部分のみ研削し、外周部の余剰領域に凸部を残す補強部形成工程を有する研削方法では、最終的に個々のデバイスに分割する直前に、凸部のみを研削してウエーハをある程度フラットにする必要がある。   In addition, a grinding method having a reinforcing portion forming step that grinds only the central portion of a wafer on which a device such as an IC or LSI is formed on the wafer and leaves a convex portion in an excess region of the outer peripheral portion. Immediately before the division, it is necessary to grind only the convex portions and make the wafer flat to some extent.

このように外周凸部のみを研削してウエーハをある程度フラットにする研削においても、研削装置が用いられ、且つ、粗い砥粒の砥石と細かい砥粒の砥石で研削する必要があるため、二種類の研削砥石を有する二種類の研削ホイールが必要となり、研削ホイールをいちいち交換して所望とする研削を達成する必要がある。   In this way, even in the grinding where only the outer peripheral convex part is ground and the wafer is flattened to some extent, a grinding apparatus is used, and it is necessary to grind with a grindstone of coarse abrasive grains and a grindstone of fine abrasive grains. Therefore, it is necessary to replace the grinding wheel one by one to achieve the desired grinding.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、二種類の研削砥石を必要に応じて同時に又は別個に装着可能な研削装置の研削ホイール装着機構を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a grinding wheel mounting mechanism of a grinding apparatus capable of mounting two types of grinding wheels simultaneously or separately as necessary. That is.

本発明によると、研削装置のスピンドルに固定されたホイールマウントに研削ホイールを着脱自在に装着する研削ホイール装着機構であって、前記研削ホイールは、第1の寸法の内径を有する環状の第1ホイールベースと、該第1ホイールベースに取り付けられた複数の第1研削砥石とから構成される第1研削ホイールと、前記第1の寸法より小さな第2の寸法の外径を有する第2ホイールベースと、該第2ホイールベースに取り付けられた複数の第2研削砥石とから構成される第2研削ホイールとを含み、前記ホイールマウントは、前記第1研削ホイールの第1ホイールベースが装着される環状の第1装着面と、該第1装着面の内周部に設けられ、前記第2研削ホイールの第2ホイールベースが装着される第2装着面とを有し、前記第1研削ホイール及び前記第2研削ホイールをそれぞれ前記第1装着面及び前記第2装着面に装着した際、前記第2研削ホイールの前記第2研削砥石の端面が前記第1研削ホイールの前記第1研削砥石の端面より所定距離突出することを特徴とする研削ホイール装着機構が提供される。   According to the present invention, there is provided a grinding wheel mounting mechanism for detachably mounting a grinding wheel on a wheel mount fixed to a spindle of a grinding apparatus, wherein the grinding wheel has an annular first wheel having an inner diameter of a first dimension. A first grinding wheel comprising a base and a plurality of first grinding wheels attached to the first wheel base; a second wheel base having an outer diameter of a second dimension smaller than the first dimension; A second grinding wheel composed of a plurality of second grinding wheels attached to the second wheel base, and the wheel mount is an annular shape on which the first wheel base of the first grinding wheel is mounted. A first mounting surface; and a second mounting surface that is provided on an inner peripheral portion of the first mounting surface and on which a second wheel base of the second grinding wheel is mounted. When the wheel and the second grinding wheel are mounted on the first mounting surface and the second mounting surface, respectively, the end surface of the second grinding wheel of the second grinding wheel is the first grinding wheel of the first grinding wheel. A grinding wheel mounting mechanism is provided that protrudes a predetermined distance from the end face of the grinding wheel.

好ましくは、研削ホイール装着機構は、前記ホイールマウントの中央部に装着された研削水を噴出する研削水ノズルを含み、該研削水ノズルの突出高さは前記第1及び第2研削砥石の突出高さより低くなっている。   Preferably, the grinding wheel mounting mechanism includes a grinding water nozzle that ejects grinding water mounted on a central portion of the wheel mount, and the protruding height of the grinding water nozzle is the protruding height of the first and second grinding wheels. It is lower than this.

更に好ましくは、前記第1及び第2研削ホイールが前記ホイールマウントに装着された状態で、該第1及び第2研削ホイールのいずれも他方に干渉せずに着脱可能である。   More preferably, in a state where the first and second grinding wheels are mounted on the wheel mount, both the first and second grinding wheels can be attached and detached without interfering with the other.

本発明によれば、ホイールマウントが第1装着面と第2装着面を有しているため、通常の外径の第1研削ホイールと、外径の小さな第2研削ホイールとを同時にホイールマウントに装着することが可能であり、或いは必要に応じて片方のみの研削ホイールを装着することも可能であるので、一本のスピンドルで被加工物の全面研削、被加工物の外周部の余剰領域に凸部を残す補強部形成工程の研削、凸部のみの研削の全てを行うことができる。   According to the present invention, since the wheel mount has the first mounting surface and the second mounting surface, the first grinding wheel having a normal outer diameter and the second grinding wheel having a small outer diameter are simultaneously used as the wheel mount. Since it is possible to mount, or if necessary, only one grinding wheel can be mounted, it is possible to grind the entire surface of the work piece with one spindle, and to the extra area of the outer periphery of the work piece It is possible to perform all of the grinding of the reinforcing part forming step that leaves the convex part and the grinding of only the convex part.

また、第1及び第2研削ホイールを自由に選択してホイールマウントに装着でき、片方の研削ホイールの研削砥石が破損したり磨耗したりしてしまった場合には、当該研削ホイールのみを交換することができ経済的である。更に、二本以上のスピンドルを持つ研削装置に比べて大幅に安価で小スペースな研削装置を提供でき、経済的にもスペース的にも利点がある。   In addition, the first and second grinding wheels can be freely selected and mounted on the wheel mount. If the grinding wheel of one of the grinding wheels is damaged or worn, only the grinding wheel is replaced. Can be economical. Furthermore, it is possible to provide a grinding device that is significantly less expensive and has a smaller space than a grinding device having two or more spindles, which is advantageous both in terms of economy and space.

以下、本発明実施形態の研削ホイール装着機構を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC,LSI等のデバイス15が形成されている。   Hereinafter, a grinding wheel mounting mechanism according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer before being processed to a predetermined thickness. A semiconductor wafer 11 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of streets 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a, and a plurality of streets partitioned by the plurality of streets 13 are formed. A device 15 such as an IC or LSI is formed in the region.

このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。   The semiconductor wafer 11 configured as described above includes a device region 17 in which the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 that surrounds the device region 17. A notch 21 is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 11 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。   A protective tape 23 is attached to the surface 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape attaching process. Therefore, the front surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23, and the back surface 11b is exposed as shown in FIG.

以下、このように構成された半導体ウエーハ11の裏面11bを所定厚さに研削する研削装置2を図3を参照して説明する。研削装置2のハウジング4は、水平ハウジング部分6と、垂直ハウジング部分8から構成される。   Hereinafter, a grinding apparatus 2 for grinding the back surface 11b of the semiconductor wafer 11 thus configured to a predetermined thickness will be described with reference to FIG. The housing 4 of the grinding device 2 is composed of a horizontal housing part 6 and a vertical housing part 8.

垂直ハウジング部分8には上下方向に伸びる1対のガイドレール12,14が固定されている。この一対のガイドレール12,14に沿って研削手段(研削ユニット)16が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット16は支持部20を介して一対のガイドレール12,14に沿って上下方向に移動する移動基台18に取り付けられている。   A pair of guide rails 12 and 14 extending in the vertical direction are fixed to the vertical housing portion 8. A grinding means (grinding unit) 16 is mounted along the pair of guide rails 12 and 14 so as to be movable in the vertical direction. The grinding unit 16 is attached to a moving base 18 that moves up and down along a pair of guide rails 12 and 14 via a support portion 20.

研削ユニット16は、支持部20に取り付けられたスピンドルハウジング22と、スピンドルハウジング22中に回転可能に収容されたスピンドル24と、スピンドル24を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。研削手段(研削ユニット)16にはホース36を介して研削水が供給される。好ましくは、研削水としては純水が使用される。   The grinding unit 16 includes a spindle housing 22 attached to the support portion 20, a spindle 24 rotatably accommodated in the spindle housing 22, and a servo motor 26 that rotationally drives the spindle 24. Grinding water is supplied to the grinding means (grinding unit) 16 via a hose 36. Preferably, pure water is used as the grinding water.

研削装置2は、研削ユニット16を一対の案内レール12,14に沿って上下方向に移動する研削ユニット送り機構44を備えている。研削ユニット送り機構44は、ボールねじ46と、ボールねじ46の一端部に固定されたパルスモータ48から構成される。パルスモータ48をパルス駆動すると、ボールねじ46が回転し、移動基台18の内部に固定されたボールねじ46のナットを介して移動基台18が上下方向に移動される。   The grinding apparatus 2 includes a grinding unit feed mechanism 44 that moves the grinding unit 16 in the vertical direction along the pair of guide rails 12 and 14. The grinding unit feed mechanism 44 includes a ball screw 46 and a pulse motor 48 fixed to one end of the ball screw 46. When the pulse motor 48 is pulse-driven, the ball screw 46 rotates and the moving base 18 is moved in the vertical direction via the nut of the ball screw 46 fixed inside the moving base 18.

水平ハウジング部分6の凹部10には、チャックテーブルユニット50が配設されている。チャックテーブルユニット50は、図4に示すように、支持基台52と、支持基台52に回転自在に配設されたチャックテーブル54を含んでいる。チャックテーブルユニット50は更に、チャックテーブル54を挿通する穴を有したカバー56を備えている。   A chuck table unit 50 is disposed in the recess 10 of the horizontal housing portion 6. As shown in FIG. 4, the chuck table unit 50 includes a support base 52 and a chuck table 54 that is rotatably disposed on the support base 52. The chuck table unit 50 further includes a cover 56 having a hole through which the chuck table 54 is inserted.

チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58により研削装置2の前後方向に移動される。チャックテーブル移動機構58は、ボールねじ60と、ボールねじ60のねじ軸62の一端に連結されたパルスモータ64から構成される。   The chuck table unit 50 is moved in the front-rear direction of the grinding apparatus 2 by the chuck table moving mechanism 58. The chuck table moving mechanism 58 includes a ball screw 60 and a pulse motor 64 connected to one end of a screw shaft 62 of the ball screw 60.

パルスモータ64をパルス駆動すると、ボールねじ60のねじ軸62が回転し、このねじ軸62に螺合したナットを有する支持基台52が研削装置2の前後方向に移動する。よって、チャックテーブル54もパルスモータ64の回転方向に応じて、前後方向に移動する。   When the pulse motor 64 is pulse-driven, the screw shaft 62 of the ball screw 60 rotates, and the support base 52 having a nut screwed to the screw shaft 62 moves in the front-rear direction of the grinding device 2. Therefore, the chuck table 54 also moves in the front-rear direction according to the rotation direction of the pulse motor 64.

図3に示されているように、図4に示した一対のガイドレール66,68及びチャックテーブル移動機構58は蛇腹70,72により覆われている。すなわち、蛇腹70の前端部は凹部10を画成する前壁に固定され、後端部がカバー56の前端面に固定されている。また、蛇腹72の後端は垂直ハウジング部分8に固定され、その前端はカバー56の後端面に固定されている。   As shown in FIG. 3, the pair of guide rails 66 and 68 and the chuck table moving mechanism 58 shown in FIG. 4 are covered with bellows 70 and 72. That is, the front end portion of the bellows 70 is fixed to the front wall that defines the recess 10, and the rear end portion is fixed to the front end surface of the cover 56. The rear end of the bellows 72 is fixed to the vertical housing portion 8, and the front end thereof is fixed to the rear end surface of the cover 56.

ハウジング4の水平ハウジング部分6には、第1のウエーハカセット74と、第2のウエーハカセット76と、ウエーハ搬送手段78と、ウエーハ仮載置手段80と、ウエーハ搬入手段82と、ウエーハ搬出手段84と、洗浄手段86が配設されている。更に、ハウジング4の前方にはオペレータが研削条件等を入力する操作手段88が設けられている。   In the horizontal housing portion 6 of the housing 4, a first wafer cassette 74, a second wafer cassette 76, a wafer transfer means 78, a wafer temporary mounting means 80, a wafer carry-in means 82, and a wafer carry-out means 84 are provided. A cleaning means 86 is provided. Further, an operation means 88 is provided in front of the housing 4 for an operator to input grinding conditions and the like.

また、水平ハウジング部分6の概略中央部には、チャックテーブル54を洗浄する洗浄水噴射ノズル90が設けられている。この洗浄水噴射ノズル90は、チャックテーブルユニット54がウエーハ搬入・搬出領域に位置づけられた状態において、チャックテーブル54に保持された研削加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する。   Further, a cleaning water spray nozzle 90 for cleaning the chuck table 54 is provided at the approximate center of the horizontal housing portion 6. The cleaning water jet nozzle 90 ejects cleaning water toward the wafer after grinding held by the chuck table 54 in a state where the chuck table unit 54 is positioned in the wafer carry-in / carry-out region.

チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58のパルスモータ64をパルス駆動することにより、図3に示した装置奥側の研削領域と、ウエーハ搬入手段82からウエーハを受け取りウエーハ搬出手段84にウエーハを受け渡す手前側のウエーハ搬入・搬出領域との間で移動される。   The chuck table unit 50 pulse-drives the pulse motor 64 of the chuck table moving mechanism 58 to receive the wafer from the grinding area on the back side of the apparatus and the wafer carry-in means 82 shown in FIG. It is moved to and from the wafer loading / unloading area on the near side.

次に、図5〜図8を参照して、本発明実施形態の研削ホイール装着機構について詳細に説明する。図5(A)及び図6(A)に示すように、スピンドル24の先端にはホイールマウント28が複数のねじ25によりねじ止めされている。   Next, the grinding wheel mounting mechanism of the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. As shown in FIGS. 5A and 6A, a wheel mount 28 is screwed to the tip of the spindle 24 with a plurality of screws 25.

ホイールマウント28の最外周部には環状の第1装着面28aが形成されており、その内周部には第1装着面28aより引っ込んだ第2装着面28bが形成されている。第1装着面28aには複数の穴27が形成されており、第2装着面28bには複数のねじ穴29が形成されている。   An annular first mounting surface 28a is formed on the outermost peripheral portion of the wheel mount 28, and a second mounting surface 28b retracted from the first mounting surface 28a is formed on the inner peripheral portion thereof. A plurality of holes 27 are formed in the first mounting surface 28a, and a plurality of screw holes 29 are formed in the second mounting surface 28b.

30は第1の内径寸法を有する第1研削ホイールであり、環状のホイールベース32の下面にダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンド等で固めた複数の研削砥石34が固着されて構成されている。   Reference numeral 30 denotes a first grinding wheel having a first inner diameter dimension, and a plurality of grinding wheels 34 in which diamond abrasive grains are hardened by vitrified bond or the like are fixed to the lower surface of an annular wheel base 32.

図6(A)に示すように、第1研削ホイール30は複数のねじ33を穴27を介して第1研削ホイール30のねじ穴に螺合することにより、ホイールマウント28の第1装着面28aに取り付けられる。   As shown in FIG. 6A, the first grinding wheel 30 is screwed into the screw holes of the first grinding wheel 30 through the holes 27 with the plurality of screws 33, whereby the first mounting surface 28a of the wheel mount 28 is obtained. Attached to.

図5(B)に示す第2研削ホイール38は第1寸法より小さな第2寸法の外径を有しており、ホイールベース40の外周部にダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンド等で固めた複数の研削砥石42が固着されて構成されている。   The second grinding wheel 38 shown in FIG. 5 (B) has an outer diameter of a second dimension smaller than the first dimension, and a plurality of grindings in which diamond abrasive grains are hardened by vitrified bond or the like on the outer periphery of the wheel base 40. A grindstone 42 is fixedly configured.

第2研削ホイール38のホイールベース40は中心穴41と固定ねじ挿入用の複数の穴31を有している。図5(B)及び図6(B)に示すように、第2研削ホイール38は、ねじ35を穴31を介してホイールマウント28のねじ穴29に螺合することにより、ホイールマウント28の第2装着面28bに取り付けらる。   The wheel base 40 of the second grinding wheel 38 has a center hole 41 and a plurality of holes 31 for inserting fixing screws. As shown in FIG. 5B and FIG. 6B, the second grinding wheel 38 is screwed into the screw hole 29 of the wheel mount 28 through the hole 31, so 2 is attached to the mounting surface 28b.

ホイールマウント28の第2装着面28bには研削水ノズル92が複数のねじ37により固定されている。研削水ノズル92の外径は第2研削ホイール38の中心穴41の直径より小さく設定されており、研削水ノズル92をホイールマウント28に装着したままで第2研削ホイール38のホイールマウント28に対する着脱が可能なようになっている。   A grinding water nozzle 92 is fixed to the second mounting surface 28 b of the wheel mount 28 by a plurality of screws 37. The outer diameter of the grinding water nozzle 92 is set smaller than the diameter of the center hole 41 of the second grinding wheel 38, and the second grinding wheel 38 is attached to and detached from the wheel mount 28 while the grinding water nozzle 92 is attached to the wheel mount 28. Is now possible.

図7及び図8に示すように、第1研削ホイール30をホイールマウント28の第1装着面28aに装着したままで、第2研削ホイール38をホイールマウント28の第2装着面28bに装着可能である。   As shown in FIGS. 7 and 8, the second grinding wheel 38 can be mounted on the second mounting surface 28 b of the wheel mount 28 while the first grinding wheel 30 is mounted on the first mounting surface 28 a of the wheel mount 28. is there.

逆に、第2研削ホイール38をホイールマウント28の第2装着面28bに装着したままで、第1研削ホイール30をホイールマウント28の第1装着面28aに装着可能である。即ち、第1研削ホイール30及び第2研削ホイール38のいずれも、他方の研削ホイールに邪魔されずにホイールマウント28に着脱可能である。   Conversely, the first grinding wheel 30 can be mounted on the first mounting surface 28 a of the wheel mount 28 while the second grinding wheel 38 is mounted on the second mounting surface 28 b of the wheel mount 28. That is, both the first grinding wheel 30 and the second grinding wheel 38 can be attached to and detached from the wheel mount 28 without being obstructed by the other grinding wheel.

図8に最も良く示されているように、研削水ノズル92は第1研削ホイール30の研削砥石34及び第2研削ホイール38の研削砥石42よりも低く突出するように、ホイールマウント28の中央に固定されている。研削水ノズル92は、外周方向に位置する研削砥石34,42に向かって少なくとも4方向以上から研削水を噴出する。   As best shown in FIG. 8, the grinding water nozzle 92 is located in the center of the wheel mount 28 so that it protrudes lower than the grinding wheel 34 of the first grinding wheel 30 and the grinding wheel 42 of the second grinding wheel 38. It is fixed. The grinding water nozzle 92 ejects grinding water from at least four directions toward the grinding wheels 34 and 42 positioned in the outer peripheral direction.

このように構成された研削装置2の研削作業について以下に説明する。第1のウエーハカセット74中に収容されるウエーハは、保護テープが表面側(回路が形成されている側の面)に装着された半導体ウエーハであり、従ってウエーハは裏面が上側に位置する状態で第1のカセット74中に収容されている。このように複数の半導体ウエーハを収容した第1のウエーハカセット74は、ハウジング4の所定のカセットを搬入領域に載置される。   The grinding operation of the grinding device 2 configured as described above will be described below. The wafer housed in the first wafer cassette 74 is a semiconductor wafer having a protective tape mounted on the front surface side (surface on which the circuit is formed), and therefore the wafer is positioned with the back surface positioned on the upper side. Housed in the first cassette 74. As described above, the first wafer cassette 74 that accommodates a plurality of semiconductor wafers is mounted with a predetermined cassette of the housing 4 in the carry-in area.

そして、カセット搬入領域に載置された第1のウエーハカセット74に収容されていた研削加工前の半導体ウエーハが全て搬出されると、空のウエーハカセット74に変えて複数個の半導体ウエーハを収容した新しい第1のウエーハカセット74が手動でカセット搬入領域に載置される。   When all of the unprocessed semiconductor wafers contained in the first wafer cassette 74 placed in the cassette carry-in area are carried out, a plurality of semiconductor wafers are accommodated in place of the empty wafer cassette 74. A new first wafer cassette 74 is manually placed in the cassette loading area.

一方、ハウジング4の所定のカセット搬出領域に載置された第2のウエーハカセット76に所定枚数の研削加工後の半導体ウエーハが搬入されると、かかる第2のウエーハカセット76は手動で搬出されて、新しい空の第2のウエーハカセット76がカセット搬出領域に載置される。   On the other hand, when a predetermined number of ground semiconductor wafers are loaded into the second wafer cassette 76 placed in the predetermined cassette unloading area of the housing 4, the second wafer cassette 76 is manually unloaded. A new empty second wafer cassette 76 is placed in the cassette unloading area.

第1のウエーハカセット74に収容された半導体ウエーハは、ウエーハ搬送手段78の上下動作及び進退動作により搬送され、ウエーハ仮載置手段80に載置される。ウエーハ仮載置手段80に載置されたウエーハは、ここで中心合わせが行われた後にウエーハ搬入手段82の旋回動作によって、ウエーハ搬入・搬出領域に位置せしめられているチャックテーブルユニット50のチャックテーブル54に載置され、チャックテーブル54によって吸引保持される。   The semiconductor wafer accommodated in the first wafer cassette 74 is conveyed by the vertical movement and forward / backward movement of the wafer conveyance means 78 and is placed on the wafer temporary placement means 80. The wafer placed on the temporary wafer placement means 80 is centered here, and then the chuck table of the chuck table unit 50 positioned in the wafer carry-in / out area by the turning operation of the wafer carry-in means 82. 54 and is sucked and held by the chuck table 54.

このようにチャックテーブル54がウエーハを吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構58を作動して、チャックテーブルユニット54を移動して装置後方の研削領域に位置づける。   When the chuck table 54 sucks and holds the wafer in this way, the chuck table moving mechanism 58 is operated to move the chuck table unit 54 and position it in the grinding area behind the apparatus.

チャックテーブルユニット50が研削領域に位置づけられると、チャックテーブル54に保持されたウエーハの中心が図9(A)に示すように研削ホイール30の外周円を僅かに超えた位置に位置づけられる。   When the chuck table unit 50 is positioned in the grinding region, the center of the wafer held by the chuck table 54 is positioned at a position slightly beyond the outer circumference circle of the grinding wheel 30 as shown in FIG.

次に、チャックテーブル54を例えば100〜300rpm程度で回転し、サーボモータ26を駆動して研削ホイール30を4000〜7000rpmで回転するとともに、研削ユニット送り機構44のパルスモータ48を正転駆動して研削ユニット16を下降させる。   Next, the chuck table 54 is rotated at, for example, about 100 to 300 rpm, the servo motor 26 is driven to rotate the grinding wheel 30 at 4000 to 7000 rpm, and the pulse motor 48 of the grinding unit feed mechanism 44 is driven to rotate forward. The grinding unit 16 is lowered.

そして、研削ホイール30の研削砥石34をチャックテーブル54上のウエーハ11の裏面(被研削面)に所定の荷重で押圧することにより、ウエーハ11の裏面が研削される。このようにして所定時間研削することにより、ウエーハ11が所定の厚さに研削される。   Then, the back surface of the wafer 11 is ground by pressing the grinding wheel 34 of the grinding wheel 30 against the back surface (surface to be ground) of the wafer 11 on the chuck table 54 with a predetermined load. By grinding in this way for a predetermined time, the wafer 11 is ground to a predetermined thickness.

研削が終了すると、チャックテーブル移動機構58を駆動してチャックテーブル54を装置手前側のウエーハ搬入・搬出領域に位置付ける。チャックテーブル54がウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたならば、洗浄水噴射ノズル90から洗浄水を噴射して、チャックテーブル54に保持されている研削加工されたウエーハ11の被研削面(裏面)を洗浄する。   When grinding is completed, the chuck table moving mechanism 58 is driven to position the chuck table 54 in the wafer loading / unloading area on the front side of the apparatus. If the chuck table 54 is positioned in the wafer loading / unloading area, the cleaning water is sprayed from the cleaning water spray nozzle 90 and the ground surface (back surface) of the ground wafer 11 held by the chuck table 54 is held. Wash.

次に、ウエーハ11のデバイス領域17の裏面のみ研削し、外周余剰領域19に凸部を残す研削方法の場合には、図9(B)に示すように、第2研削ホイール38をホイールマウント28に装着してウエーハ11の研削を実行する。   Next, in the case of a grinding method in which only the back surface of the device region 17 of the wafer 11 is ground and the convex portion is left in the outer peripheral surplus region 19, the second grinding wheel 38 is mounted on the wheel mount 28 as shown in FIG. The wafer 11 is grounded by being mounted on.

すなわち、この研削方法の場合には、図11に示すように、チャックテーブル54の回転中心P1と研削砥石42の回転中心P2が偏心しており、研削砥石42の外径はウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線94の直径より小さく境界線94の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石42がチャックテーブル54の回転中心P1を通過するようになっている。   That is, in the case of this grinding method, as shown in FIG. 11, the rotation center P 1 of the chuck table 54 and the rotation center P 2 of the grinding wheel 42 are eccentric, and the outer diameter of the grinding wheel 42 is the device region 17 of the wafer 11. And an outer diameter of the boundary line 94 that is smaller than the diameter of the boundary line 94 and larger than the radius of the boundary line 94, and the annular grinding wheel 42 passes through the rotation center P 1 of the chuck table 54.

チャックテーブル54を矢印55で示す方向に300rpmで回転しつつ、研削砥石42を矢印96で示す方向に6000rpmで回転させるとともに、サーボモータ26を作動して第2研削ホイール38の研削砥石42をウエーハ11の裏面に接触させる。そして、第2研削ホイール38を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。   While rotating the chuck table 54 in the direction indicated by the arrow 55 at 300 rpm and rotating the grinding wheel 42 in the direction indicated by the arrow 96 at 6000 rpm, the servo motor 26 is operated to move the grinding wheel 42 of the second grinding wheel 38 to the wafer. 11 is brought into contact with the back surface. Then, the second grinding wheel 38 is ground and fed downward by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed.

この結果、半導体ウエーハ11の裏面には、図12に示すように、デバイス領域17に対応する領域が研削除去されて所定厚さ(例えば50μm)の円形状の凹部98が形成されるとともに、外周余剰領域19に対応する領域が残存されて環状凸部(環状補強部)100が形成される。   As a result, on the back surface of the semiconductor wafer 11, as shown in FIG. 12, a region corresponding to the device region 17 is ground and removed to form a circular recess 98 having a predetermined thickness (for example, 50 μm). A region corresponding to the surplus region 19 remains to form an annular convex portion (annular reinforcing portion) 100.

次に、図10(A)〜図10(C)を参照して、第1及び第2研削ホイール30,38をホイールマウント28に装着して、デバイス領域17に対応するウエーハ11の裏面のみを研削して外周余剰領域19に環状凸部を残し、次いでこの環状凸部のみを研削してウエーハをある程度フラットにする研削方法について説明する。   Next, referring to FIGS. 10A to 10C, the first and second grinding wheels 30 and 38 are attached to the wheel mount 28, and only the back surface of the wafer 11 corresponding to the device region 17 is attached. A grinding method will be described in which an annular convex portion is left in the outer peripheral surplus region 19 and then only the annular convex portion is ground to flatten the wafer to some extent.

この場合には、例えば第2研削ホイール38に粗研削用の研削砥石42を装着し、第1研削砥石30に仕上げ研削用の研削砥石34を装着する。まず、図10(A)に示すように、第2研削ホイール38でウエーハ11の外周余剰領域19を残してデバイス領域17に対応するウエーハ11の裏面を研削する環状補強部形成工程を実施する。   In this case, for example, the grinding wheel 42 for rough grinding is mounted on the second grinding wheel 38, and the grinding wheel 34 for finish grinding is mounted on the first grinding wheel 30. First, as shown in FIG. 10A, an annular reinforcing portion forming step is performed in which the second grinding wheel 38 leaves the outer peripheral surplus region 19 of the wafer 11 and grinds the back surface of the wafer 11 corresponding to the device region 17.

次いで、図10(B)に示すように、第2研削ホイール38で環状補強部39の粗研削工程を実施し、次いで図10(C)に示すように、第1研削ホイール30によって環状凸部39の仕上げ研削工程を実施する。   Next, as shown in FIG. 10B, a rough grinding step of the annular reinforcing portion 39 is performed by the second grinding wheel 38, and then, as shown in FIG. 39 finish grinding steps are performed.

このように、本実施形態の研削ホイール装着機構によると、ウエーハ11の外周余剰領域19に環状凸部を形成し、引き続いてこの環状凸部を研削してウエーハ11全体をある程度フラット化する研削方法を、一本のスピンドル24に第1及び第2研削ホイール30,38を装着して実施することができる。   As described above, according to the grinding wheel mounting mechanism of the present embodiment, the annular protrusion is formed in the outer peripheral surplus region 19 of the wafer 11, and then the annular protrusion is ground to flatten the entire wafer 11 to some extent. Can be implemented by mounting the first and second grinding wheels 30, 38 on one spindle 24.

半導体ウエーハの表側斜視図である。It is a front side perspective view of a semiconductor wafer. 保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。It is a back surface side perspective view of the semiconductor wafer where the protective tape was stuck. 本発明の研削ホイール装着機構が適用されるのに適した研削装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a grinding apparatus suitable for applying a grinding wheel mounting mechanism of the present invention. チャックテーブルユニット及びチャックテーブル送り機構の斜視図である。It is a perspective view of a chuck table unit and a chuck table feed mechanism. 図5(A)はホイールマウントに第1研削ホイールを装着する様子を示す斜視図、図5(B)はホイールマウントに第2研削ホイールを装着する様子を示す斜視図である。FIG. 5A is a perspective view showing a state where the first grinding wheel is mounted on the wheel mount, and FIG. 5B is a perspective view showing a state where the second grinding wheel is mounted on the wheel mount. 図6(A)はホイールマウントに第1研削ホイールを装着した状態の断面図、図6(B)はホイールマウントに第2研削ホイールを装着した状態の断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view of a state where the first grinding wheel is mounted on the wheel mount, and FIG. 6B is a cross-sectional view of a state where the second grinding wheel is mounted on the wheel mount. ホイールマウントに第1及び第2研削ホイールを装着する様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that the 1st and 2nd grinding wheel is mounted | worn with a wheel mount. ホイールマウントに第1及び第2研削ホイールが装着された状態の断面図である。It is sectional drawing of the state in which the 1st and 2nd grinding wheel was mounted | worn with the wheel mount. 図9(A)は第1研削ホイールでウエーハの裏面全面を研削する様子を示す説明図、図9(B)は第2研削ホイールでウエーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削して外周余剰領域に環状凸部を残す研削方法の説明図である。FIG. 9 (A) is an explanatory view showing the state of grinding the entire back surface of the wafer with the first grinding wheel, and FIG. 9 (B) is the outer peripheral surplus by grinding only the back surface corresponding to the device region of the wafer with the second grinding wheel. It is explanatory drawing of the grinding method which leaves an annular convex part in an area | region. 図10(A)は第2研削ホイールでウエーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削して外周余剰領域に環状凸部を残す研削工程の説明図、図10(B)は第2研削ホイールで環状凸部を粗研削する工程を示す説明図、図10(C)は第1研削ホイールで環状凸部を仕上げ研削する工程を示す説明図である。FIG. 10A is an explanatory diagram of a grinding process in which only the back surface corresponding to the device region of the wafer is ground by the second grinding wheel and an annular convex portion is left in the outer peripheral surplus region, and FIG. 10B is the second grinding wheel. FIG. 10C is an explanatory diagram showing a step of finish grinding the annular convex portion with a first grinding wheel. 第2研削砥石によって実施される凹部研削工程の説明図である。It is explanatory drawing of the recessed part grinding process implemented by the 2nd grinding wheel. 凹部研削工程が実施された半導体ウエーハの拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the semiconductor wafer in which the recessed part grinding process was implemented.

符号の説明Explanation of symbols

2 研削装置
11 半導体ウエーハ
16 研削手段(研削ユニット)
24 スピンドル
28 ホイールマウント
28a 第1装着面
28b 第2装着面
30 第1研削ホイール
34 第1研削砥石
38 第2研削ホイール
42 第2研削砥石
92 研削水ノズル
2 Grinding machine 11 Semiconductor wafer 16 Grinding means (grinding unit)
24 Spindle 28 Wheel mount 28a First mounting surface 28b Second mounting surface 30 First grinding wheel 34 First grinding wheel 38 Second grinding wheel 42 Second grinding wheel 92 Grinding water nozzle

Claims (3)

研削装置のスピンドルに固定されたホイールマウントに研削ホイールを着脱自在に装着する研削ホイール装着機構であって、
前記研削ホイールは、第1の寸法の内径を有する環状の第1ホイールベースと、該第1ホイールベースに取り付けられた複数の第1研削砥石とから構成される第1研削ホイールと、
前記第1の寸法より小さな第2の寸法の外径を有する第2ホイールベースと、該第2ホイールベースに取り付けられた複数の第2研削砥石とから構成される第2研削ホイールとを含み、
前記ホイールマウントは、前記第1研削ホイールの第1ホイールベースが装着される環状の第1装着面と、該第1装着面の内周部に設けられ、前記第2研削ホイールの第2ホイールベースが装着される第2装着面とを有し、
前記第1研削ホイール及び前記第2研削ホイールをそれぞれ前記第1装着面及び前記第2装着面に装着した際、前記第2研削ホイールの前記第2研削砥石の端面が前記第1研削ホイールの前記第1研削砥石の端面より所定距離突出することを特徴とする研削ホイール装着機構。
A grinding wheel mounting mechanism for detachably mounting a grinding wheel on a wheel mount fixed to a spindle of a grinding device,
The grinding wheel comprises a first grinding wheel comprising an annular first wheel base having an inner diameter of a first dimension, and a plurality of first grinding wheels attached to the first wheel base;
A second grinding wheel comprising a second wheel base having an outer diameter of a second dimension smaller than the first dimension, and a plurality of second grinding wheels attached to the second wheel base;
The wheel mount is provided on an annular first mounting surface on which the first wheel base of the first grinding wheel is mounted, and an inner peripheral portion of the first mounting surface, and the second wheel base of the second grinding wheel And a second mounting surface on which is mounted,
When the first grinding wheel and the second grinding wheel are mounted on the first mounting surface and the second mounting surface, respectively, the end surface of the second grinding wheel of the second grinding wheel is the one of the first grinding wheel. A grinding wheel mounting mechanism that protrudes a predetermined distance from the end face of the first grinding wheel.
前記ホイールマウントの中央部に装着された研削水を噴出する研削水ノズルを含み、
該研削水ノズルの突出高さは前記第1及び第2研削砥石の突出高さより低いことを特徴とする請求項1記載の研削ホイール装着機構。
Including a grinding water nozzle that ejects grinding water mounted on a central portion of the wheel mount;
2. The grinding wheel mounting mechanism according to claim 1, wherein the protruding height of the grinding water nozzle is lower than the protruding height of the first and second grinding wheels.
前記第1及び第2研削ホイールが前記ホイールマウントに装着された状態で、該第1及び第2研削ホイールのいずれも着脱可能であることを特徴とする請求項1又は2記載の研削ホイール装着機構。   3. The grinding wheel mounting mechanism according to claim 1, wherein both the first and second grinding wheels are detachable in a state where the first and second grinding wheels are mounted on the wheel mount. .
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