JP2009123294A - 半導体不揮発性メモリ - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体不揮発性メモリにおいて、読み出し前に各ビット線をディスチャージしなくても、メモリセルの読み出しを正確に実行できるようにする。
【解決手段】メモリセル03の読み出しにおいて、ドレインに接続されたビット線BL23はメインビット線MBL[3]を介して電圧源Vdに接続されて所定電圧が印加され、ソースに接続されたビット線BL24はメインビット線MBL[0]を介してセンスアンプ71に接続される。このとき、ビット線BL25がメインビット線MBL[1]を介して接地電源GNDに接続される。すなわち、センス対象のビット線BL24近傍のビット線BL25が強制的に接地レベルになるため、そこからの電荷の流入は生じず、よってビット線BL24への電流流れ込みを防ぐことができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体不揮発性メモリに関するものであり、特に、メモリセルの読み出しに係る回路構成に関するものである。
半導体不揮発性メモリは、ますます微細化・大容量化が進められている。その中でも高速用途では、NOR型の一種であるVGA(Virtual Ground Architecture、仮想接地)型の半導体不揮発性メモリが、集積化の点で多く使われるようになってきた。このVGA型は、全てのビット線間に間断なくメモリセルを配置したもので、隣接するメモリセル同士でビット線を共有する構成をとっており、ほぼ4Fのスケーリング則に則った微細化が可能である。
しかしこのVGA型では、隣接するメモリセル同士でビット線を共有することから、読み出しメモリセルへのドレイン電圧印加によって(若干ではあるが読出しメモリセルのソース電圧によっても)、読み出しメモリセルに隣接して並ぶビット線に次々に電荷が蓄積される。このため、前回の読み出しによって各ビット線に蓄積された余剰な電荷を、多少煩雑な方法によって回収する必要があった。よって、高速な読み出しを必要とする用途にはあまり適用されず、低速大容量の用途に限られていた。
一方、近年のメモリシステムでは、メモリ容量の増大が微細化のスピード以上に要望されており、これと同時に読み出しの高速化も益々求められている。このため、大容量化および高速化の両方を実現可能な半導体不揮発性メモリが強く求められてきた。
特許文献1,2,3に、VGA型半導体不揮発性メモリにおいて、グランドセンス方式が提案されている。
米国特許第6,128,226号明細書(第1頁、第1図) 米国特許第6,134,156号明細書(第6頁、第6図) 米国特許第6,937,523号明細書(第2頁、第3図)
上述の特許文献1〜3では、階層化ビット線構造の構成については明示されていないが、メモリの大容量化においては階層化ビット線構造は必須技術である。よってここでは、本願発明の課題を説明するために、従来技術を階層化ビット線構造に適用した場合を用いて説明を行う。
図9(a)は特許文献1,2に記載された第1の従来例に係る半導体不揮発性メモリを階層化ビット線構造に適用した構成を示す図である。図9(a)の構成において、メモリセル00〜0F,10〜1Fのうちメモリセル03の読み出しを行うものとして、動作を説明する。ビット線20〜2Gの電荷は全てディスチャージされている。なお、理解を進めるために、選択ゲートの並びの周期性を鑑み、便宜的な単位領域として、領域50,51を示す。
メモリセル03を読み出すために、ワード線WL[00]を活性化する。また、選択ゲート信号SEL[06]を活性化し、ビット線BL23(ドレインビット線)を選択ゲート42を介してメインビット線MBL[3]に接続するとともに、Yセレクタ60bがこのメインビット線MBL[3]を電圧源Vdに接続する。さらに、選択ゲート信号SEL[01]を活性化し、ビット線BL24(ソースビット線)を選択ゲート31を介してメインビット線MBL[0]に接続するとともに、Yセレクタ60bがこのメインビット線MBL[0]をセンスアンプ71およびセンス入力リセットトランジスタ70に接続する。
メモリセル03に印加される電圧が安定するまで、センス入力リセットトランジスタ70をオン状態にしておき、安定した後、センス入力リセットトランジスタ70を開放する。メモリセル03が“1”状態のオンのときは、ビット線BL23,BL24間の電流により、ソースビット線BL24の電圧Vsは徐々に上昇していく。一方、メモリセル03が“0”状態のオフのときは、ビット線BL23,BL24間には電流が流れず、ソースビット線BL24の電圧Vsは0Vのままとなる。
図9(b)はセンス積分期間経過後の各ビット線の電位を示す。図9(b)に示すように、ドレインビット線BL23に電圧Vdが印加され、ソースビット線BL24に、メモリセル03の“1”“0”に応じた電圧Vsが現れる(理想的には一般に、0Vと0.3V程度)。読み出しの判定基準となるリファレンス電圧Refを、その中間程度の電圧に設定しておく。センスアンプ71が、ソースビット線BL24に接続されたセンスノードの電圧とリファレンス電圧Refとを比較することにより、メモリセル03の“1”“0”を判定する。
ところで図9(b)において、読み出しに関係したドレインビット線BL23,ソースビット線BL24以外のビット線に注目する。活性化されたワード線WL[00]に接続されたメモリセルにおいて、読み出しを行うメモリセル03およびその右側のメモリセル04,…の状態がずっと“1”のとき、ソースビット線BL24の電圧上昇に伴い、その右隣のビット線BL25にも電流が流れ、さらに右側のビット線BL26にも電流が流れ、ビット線電圧は次々に上昇していく。つまり、読出しメモリセルと共通のワード線に接続されたメモリセルの状態によっては、ソースビット線の横のビット線に次々に電荷が漏れ出す。同様に、ドレインビット線BL23の左側のビット線に関しても電荷が漏れ出す。
もし、このような電荷が多数のビット線に蓄積された状態で読み出しを開始すると、活性化されているワード線に接続されている他のメモリセルの状態によっては、読み出しメモリセルのソースビット線側から電荷が流れ込んでくる。このため、例えば、読み出しメモリセルが“0”の状態のとき、右側のビット線からの電流によりソースビット線の電圧が上昇してしまい、“0”を“1”と誤って読み出してしまう可能性がある。すなわち、前回の読み出し時に漏れ出た余剰の電荷が原因で、正常な読出しができなくなる。このため、読出し時に漏れ出した余剰の電荷を次回の読出しサイクルまでに回収する動作が必要となる。例えば特許文献2では、読み出し動作を行う前に、「全てのビット線をグランドにディスチャージ」する動作を行うようにしている。
階層化ビット線方式においては、全てのビット線をグランドにディスチャージするためには、選択セクターの全ての選択ゲートを活性化し、各ビット線をメインビット線に接続した上で、その電荷をメインビット線側から引く必要がある(VGA構成を取らない通常の階層化ビット線方式の不揮発性メモリでは、各セクターにおいて、ディスチャージトランジスタを設けたりする。ところが、VGA構成を採った不揮発性メモリでは、高耐圧用のチャネル長の長い大きなトランジスタを各セクターに配置するのは、回路面積の増大につながるため、非現実的である。)。そしてその後、読み出しに要した選択ゲートのみを引続き活性化しておく必要がある。
つまり、読み出し動作において、各ビット線をグランドにディスチャージするためのディスチャージ期間が必要となる、という問題があった。また、選択セクターの全選択信号の活性化に要する消費電流の増加が生じ、さらに、選択信号のレベルによっては、昇圧回路の増加を必要とする、という問題があった(低電圧仕様のデバイスにおいては、選択ゲート等は昇圧電源で駆動されることが多い。)。
図10(a)は特許文献3に記載された第2の従来例に係る半導体不揮発性メモリを階層化ビット線構造に適用した構成を示す図である。ここでも、メモリセル03の読み出しを行うものとして、動作を説明する。図9(a)の構成と異なるのは、メモリセル03の読み出しにおいて、ソースビット線BL24の右に隣接するビット線BL25を、電流源74およびネイバービット線リセットトランジスタ73を有するネイバーエフェクトキャンセラー部NECに接続する点である。電流源74は、メモリセルオン電流の半分程度に調整された電流を流す。
メモリセル03を読み出すために、ワード線WL[00]を活性化する。また、選択ゲート信号SEL[06]を活性化し、ビット線BL23(ドレインビット線)を選択ゲート42を介してメインビット線MBL[3]に接続するとともに、Yセレクタ60cがこのメインビット線MBL[3]を電圧源Vdに接続する。さらに、選択ゲート信号SEL[01]を活性化し、ビット線BL24(ソースビット線)を選択ゲート31を介してメインビット線MBL[0]に接続するとともに、Yセレクタ60cがこのメインビット線MBL[0]をセンスアンプ71およびセンス入力リセットトランジスタ70に接続する。さらに、選択ゲート信号SEL[05]を活性化し、ビット線BL25(ネイバービット線)を選択ゲート41を介してメインビット線MBL[1]に接続するとともに、Yセレクタ60cがこのメインビット線MBL[1]を電流源74およびネイバービット線リセットトランジスタ73に接続する。
メモリセル03に印加される電圧が安定するまで、センス入力リセットトランジスタ70およびネイバービット線リセットトランジスタ73をオン状態にしておき、安定した後、センス入力リセットトランジスタ70およびネイバービット線リセットトランジスタ73を開放する。メモリセル03が“1”状態のオンのときは、ビット線BL23,BL24間の電流により、ソースビット線BL24の電圧Vsは徐々に上昇していく。一方、メモリセル03が“0”状態のオフのときは、ビット線BL23,BL24間には電流が流れず、ソースビット線BL24の電圧Vsは0Vのままとなる。また、ネイバービット線BL25の電圧は、電流源74からの電流により、ソースビット線BL24と同様に上昇していく。図10(b)はセンス積分期間経過後の各ビット線の電位を示す。
第1の従来例では、メモリセル04が“1”のとき、メモリセル03から流れ出してきたメモリセル電流の一部は、メモリセル04を介してビット線BL25に流れ出してしまうため、メモリセル電流の全てを読み出し電圧に反映させることができない。これに対して第2の従来例では、ビット線BL25の電圧が上昇することにより、メモリセル03から流れ出す電流が補償(ネイバーエフェクトキャンセル)され、メモリセル電流を有効にセンスアンプ入力に電圧変化として伝えることができる。
このように、第2の従来例ではより高感度なセンス動作が可能になる。ところがこの場合でも、ネイバービット線BL25のさらに右側のビット線に不要な電荷が残っている場合には、読み出し動作において、ネイバービット線BL25に意図しない電流が流れ込んでくる。このため、ネイバーエフェクトキャンセルが効き過ぎた状態となり、メモリセル03の“0”を“1”と読み間違う可能性が生じる。
このため、この第2の従来例においても、第1の従来例1と同様に、全てのビット線をグランドにディスチャージするために、選択セクターの全ての選択ゲートを活性化し、各ビット線をメインビット線に接続した上で、その電荷をメインビット線側から引く必要がある。そしてその後、読み出しに要する選択ゲートのみを引き続き活性化しておく必要がある。
つまり、読み出し動作において、各ビット線をグランドにディスチャージするためのディスチャージ期間が必要となる、という問題があった。また、選択セクターの全選択信号の活性化に要する消費電流の増加が生じ、さらに、選択信号のレベルによっては、昇圧回路の増加を必要とする、という問題があった。
以上説明したように、従来技術では、メモリセルの読み出し動作の前に、セクター内の各ビット線をディスチャージする期間を設ける必要があったため、これがシステムの高速化を阻害する要因となっていた。また、このディスチャージ動作のために回路の消費電流が増大したり、さらに、ディスチャージ動作に昇圧電源を用いる場合には、昇圧回路面積の増大に起因してチップ面積が増大するという問題があった。
前記の問題に鑑み、本発明は、半導体不揮発性メモリにおいて、読み出し前に各ビット線をディスチャージしなくても、メモリセルの読み出しを正確に実行できるようにし、さらなる高速化、および消費電力や回路面積の削減を可能にすることを目的とする。
本発明は、グランドセンス方式半導体不揮発性メモリとして、第1のメモリセルと、前記第1のメモリセルのドレインに接続された第1のビット線と、前記第1のメモリセルのソースに接続された第2のビット線と、前記第2のビット線がドレインに接続された第2のメモリセルのソース側近傍に配置された第3のビット線と、を少なくとも含むメモリセルアレイと、センスアンプと、所定の読み出し電圧を与える電圧源と、接地電源と、前記第1〜第3のビット線と、前記センスアンプ、前記電圧源、および前記接地電源とを選択的に接続する選択回路と、前記選択回路を制御する選択制御手段とを備え、前記選択制御手段は、前記第1のメモリセルの読み出しにおいて、前記第1のビット線が前記電圧源に接続され、前記第2のビット線が前記センスアンプに接続され、前記第3のビット線が前記接地電源に接続されるよう、前記選択回路を制御するものである。
本発明によると、第1のメモリセルの読み出しにおいて、ドレインに接続された第1のビット線に所定電圧が印加され、ソースに接続された第2のビット線がセンスアンプに接続される。このとき、第2のビット線がドレインに接続された第2のメモリセルのソース側近傍に配置された第3のビット線が、接地電源に接続される。すなわち、センス対象の第2のビット線近傍の第3のビット線が強制的に接地レベルになるため、そこからの電荷の流入は生じず、よって第2のビット線への電流流れ込みを防ぐことができる。このため、読み出し前に各ビット線をディスチャージしなくても、第1のメモリセルの読み出しを正確に行うことができる。したがって、セクター内の各ビット線のディスチャージ期間を設ける必要がなくなるため、アクセスの高速化が可能になるとともに、ディスチャージのための昇圧電源等の回路が不要になるため、消費電力やチップ面積を削減することができる。
また、本発明は、グランドセンス方式半導体不揮発性メモリとして、第1のメモリセルと、前記第1のメモリセルのドレインに接続された第1のビット線と、前記第1のメモリセルのソースに接続された第2のビット線と、前記第2のビット線がドレインに接続された第2のメモリセルのソースに接続された第3のビット線と、前記第3のビット線がドレインに接続された第3のメモリセルのソース側近傍に配置された第4のビット線と、を少なくとも含むメモリセルアレイと、センスアンプと、所定の読み出し電圧を与える電圧源と、接地電源と、メモリセルオン電流よりも小さい電流を流す電流源と、前記第1〜第4のビット線と、前記センスアンプ、前記電圧源、前記接地電源、および前記電流源とを選択的に接続する選択回路と、前記選択回路を制御する選択制御手段とを備え、前記選択制御手段は、前記第1のメモリセルの読み出しにおいて、前記第1のビット線が前記電圧源に接続され、前記第2のビット線が前記センスアンプに接続され、前記第3のビット線が前記電流源に接続され、前記第4のビット線が前記接地電源に接続されるよう、前記選択回路を制御するものである。
本発明によると、第1のメモリセルの読み出しにおいて、ドレインに接続された第1のビット線に所定電圧が印加され、ソースに接続された第2のビット線がセンスアンプに接続される。そして、第2のビット線がドレインに接続された第2のメモリセルのソースに接続された第3のビット線が、メモリセルオン電流よりも小さい電流を流す電流源に接続される。これにより、第3のビット線の電圧が第2のビット線の電圧と同様に上昇していくため、メモリセルオン電流が第3のビット線に流れ出すことを防ぐことができる。またこのとき、第3のビット線がドレインに接続された第3のメモリセルのソース側近傍に配置された第4のビット線が、接地電源に接続される。すなわち、第3のビット線近傍の第4のビット線が強制的に接地レベルになるため、そこからの電荷の流入は生じず、よって第3のビット線から第2のビット線への電流流れ込みも防ぐことができる。このため、読み出し前に各ビット線をディスチャージしなくても、第1のメモリセルの読み出しを正確に行うことができる。したがって、セクター内の各ビット線のディスチャージ期間を設ける必要がなくなるため、アクセスの高速化が可能になるとともに、ディスチャージのための昇圧電源等の回路が不要になるため、消費電力やチップ面積を削減することができる。
本発明によると、大容量に適したアレー構成であるVGA型等の半導体不揮発性メモリにおいて、読み出し前に、セクター内の各ビット線のディスチャージの期間を設ける必要がなくなるので、サイクルタイム高速化・アクセス高速化、並びに消費電力およびチップ面積の削減が可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係る半導体不揮発性メモリの構成を示す図である。図1の半導体不揮発性メモリは、VGA(Virtual Ground Architecture、仮想接地)型であり、ビット線間にメモリセルが間断なく配置されており、隣接するメモリセル同士でビット線を共有する構成をとっている。00〜0F,10〜1Fはメモリセル、BL20〜2Gはビット線であり、これらによってメモリセルアレイが構成されている。例えば、ビット線BL24は、メモリセル03のソースとメモリセル04のドレインとの両方に接続されている。
また図1において、WL[00]〜[01]はワード線、MBL[0]〜[7]はメインビット線、30〜37,40〜47はビット線BL20〜2Gとメインビット線MBL[0]〜[7]とを選択ゲート信号SEL[00]〜[07]に従って選択的に接続する選択ゲートである。また、63はXアドレスを受けてセクターを活性化させるブロックデコーダ、64はXアドレスを受けてワード線WL[00]〜[01]を活性化させるXデコーダ、60はメインビット線MBL[0]〜[7]とセンス時に用いる回路要素とを選択的に接続するYセレクタ、61はYアドレスを受けて選択ゲート信号SEL[00]〜[07]とYセレクタ60に与える選択信号とを出力するYデコーダ、62はブロックデコーダ63の活性化信号を受けて選択ゲート信号SEL[00]〜[07]を活性化し出力するYバッファである。
図1の半導体不揮発性メモリはさらに、センス時に用いる回路要素として、センスアンプ71、センス入力リセットトランジスタ70、メモリセルに所定の読み出し電圧を印加するための電圧源Vd、接地電源GND、センス時にビット線をGNDレベルに落とす接地トランジスタ72を備えている。またタイミング発生回路65は、センス入力リセットトランジスタ70と接地トランジスタ72の制御信号φ1,φ2を出力する。
なお、理解を進めるために、選択ゲートの並びの周期性を鑑み、便宜的な単位領域として、領域50,51を示す。
Yセレクタ60、メインビット線MBL[0]〜[7]、および選択ゲート30〜37,40〜47によって、選択回路が構成されている。また、Yデコーダ61およびYバッファ62によって、選択制御手段が構成されている。
図1の半導体不揮発性メモリの動作について説明する。ここでは、第1のメモリセルとしてのメモリセル03の読み出しを行う場合を例にとって説明を行う。この場合、ビット線BL23(メモリセル03のドレインに接続された第1のビット線)がドレインビット線、ビット線BL24(メモリセル03のソースに接続された第2のビット線)がソースビット線、ビット線BL25(ビット線BL24がドレインに接続された第2のメモリセルとしてのメモリセル04のソースに接続された第3のビット線)がグランドビット線に、それぞれ割り付けられる。
図2は各メモリセル00〜07を読み出す際のメインビット線MBL[0]〜[7]および選択ゲート信号SEL[00]〜[07]の状態を示す図である。ここで説明する動作は、「READ03」の列の記載に従う。
メモリセル03を読み出すに際し、まずXアドレスを与え、ブロックデコーダ63の出力を活性化し、Xデコーダ64およびYバッファ62を活性化する。Xアドレスに従い、Xデコーダ64出力のワード線WL[00]が活性化される。これにより、メモリセル00〜0Fが活性化される。Yアドレスも同時に与えられ、Yデコーダ61出力が活性化され、出力の一方は、先ほどXアドレスによって活性化されたYバッファ62に与えられる。これにより、Yバッファ62から出力される選択ゲート信号SEL[01],[05],[06]が活性化される(図2の「READ03」を参照)。また、Yデコーダ61のもう一方の出力はYセレクタ60に与えられ、Yセレクタ60は、メインビット線MBL[0]をセンスアンプ71およびセンス入力リセットトランジスタ70に接続し、メインビット線MBL[1]を接地トランジスタ72を介して接地電源GNDに接続し、メインビット線MBL[3]を電圧源Vdに接続する。
このような選択制御により、ドレインビット線BL23がメインビット線MBL[3]を介して電圧源Vdに接続され、ソースビット線BL24がメインビット線MBL[0]を介してセンスアンプ71に接続され、グランドビット線BL25がメインビット線MBL[1]を介して接地電源GNDに接続される。
このとき、センス入力リセットトランジスタ70の制御信号φ1はハイにしておき、センスアンプ71と接続されたノードをリセット状態にしておく。また、接地トランジスタ72の制御信号φ2はハイにしたままにする。なお、回路構成によっては、接地トランジスタ72を省いて、Yセレクタ60からの信号線を直接接地してもよい。また、電圧源Vdに関しては、Yセレクタ60によってドレインビット線と接続される前から活性化されていてもよいし、あるいは、更なるセレクタを介してYセレクタ60と接続されていてもよい。
そして、所定時間が経過した後、タイミング発生回路65はセンス入力リセットトランジスタ70の制御信号φ1をロウにする。ここでの所定時間は、ドレインビット線BL23、ソースビット線BL24およびグランドビット線BL25の電圧が安定するために必要な時間に設定されている。制御信号φ1がロウになったタイミングから、センス積分期間が開始される。このとき、ドレインビット線BL23には電圧Vdが与えられており、ソースビット線BL24の電圧はセンス入力リセットトランジスタ70のリセット動作によって0Vになっている。またグランドビット線BL25は接地電位になっている。
センス積分期間が開始されると、ソースビット線BL24の電位は、メモリセル03の“1”“0”の状態(すなわちドレイン側からの電流の流れ込みの有無)に応じて、異なる時間変化をする。メモリセル03の状態が“1”のときはメモリセルオン電流が流れ、ソースビット線BL24に接続されたノードの浮遊容量が充電されていき、ソースビット線BL24の電位は上昇していく。メモリセル03の状態が“0”のときは、メモリセル電流は流れないので、ソースビット線BL24の電位は上昇しない。
図3はセンス積分期間終了時の読み出しメモリセル03近傍のビット線電位の様子を示す図である。図3に示すように、センス積分期間の終了時には、ソースビット線BL24の電位Vsは、メモリセル03の状態“1”“0”に応じて異なる値になる。センスアンプ71は、この電位Vsの値に応じて“1”“0”を出力する。なお図示していないが、一般には、メモリセルと同様のリファレンスメモリセルと、メモリセルの電流経路と同等の電流経路とをリファレンス側に設けて、センス動作を行う。リファレンスメモリセルのオン電流は実際のメモリセル電流の半分程度に調整されており、そのビット線電位がセンス積分期間終了時に、“1”“0”に対応する電位Vsの値の間の値(図3の“REF”)になるように、設計されている。そして、読み出しメモリセルのソースビット線電圧とリファレンスメモリセルのソースビット線電圧との差動を用いて、“1”“0”を読み出す。
具体的数値例をもって説明する。電圧Vdが1.5V程度とすると、ドレインビット線BL23に1.5V程度がかかる。このとき、センス積分期間は、読み出しメモリセル03の状態が“1”のときにソースビット線BL24の電圧が上昇し、0.15V程度が現れたときにセンス動作を行うように、設定されているものとする。読み出しメモリセル03の状態が“0”のときは0Vのままである。ただし厳密に言うと、読み出しメモリセル03が“1”の場合、隣接するメモリセル04の“1”“0”によって様子が変わる。メモリセル04が“1”のときは、読み出しメモリセル03のメモリセルオン電流は、その全てがソースビット線BL24の充電に寄与するのではなく、一部は隣接するグランドビット線BL25に流れ出す。ただし、読み出しメモリセル03と隣接メモリセル04とでは、ドレイン−ソース間に印加されている電圧が、1.35(1.5−0.15)Vと0.15Vと約10倍の開きがある。よって、グランドビット線BL25に流れ出す電流はメモリセルオン電流のおよそ10分の1と、無視できる程度である。すなわち、メモリセルオン電流のほとんどがソースビット線BL24の充電に寄与する。
ここで、ビット線BL25を接地電源GNDに接続する効果について説明する。ビット線BL25を接地電源GNDに接続しない場合には、メモリセル03の読み出し時において、ビット線BL25に電荷が残っている可能性がある。例えば、メモリセル03のソース側のメモリセルの読み出しがその前に行われており、ビット線BL25が電圧Vdにチャージアップされたような場合である。ビット線BL25に電荷が残っていた場合、メモリセル03の読み出しにおいて、センス積分期間中に、ビット線BL25からソースビット線BL24に電流が流れ込む可能性がある。この場合、メモリセル03が“0”であっても、ビット線BL25からの電荷の流入によってソースビット線BL24の電位が上昇してしまい、誤って“1”を読み出してしまう。
これに対して本実施形態では、ビット線BL25を接地電源GNDに接続することによって、メモリセル03の読み出しにおいて、ソースビット線BL24に隣接するビット線BL25が強制的に接地レベルになる。このため、ビット線BL25からの電荷の流入は生じず、よってソースビット線BL24への電流流れ込みを防ぐことができる。このため、読み出し前に各ビット線をディスチャージしなくても、メモリセル03の読み出しを正確に行うことができる。したがって、セクター内の各ビット線のディスチャージ期間を設ける必要がなくなるため、アクセスの高速化が可能になるとともに、ディスチャージのための昇圧電源等の回路が不要になるため、消費電力やチップ面積を削減することができる。
なお、本実施形態では、接地電源に接続するグランドビット線は、ソースビット線に隣接するビット線としたが、ソースビット線がドレインに接続されたメモリセルのソース側近傍に配置されたビット線であれば、接地電源に接続することによって、本実施形態と同様の効果が得られる。例えば、選択ゲートやメインビット線のレイアウト的課題などによって、ソースビット線に隣接したビット線をグランドビット線に設定できない場合があり得る。このような場合は、ソースビット線とグランドビット線との間に複数の他のビット線があってもよい。ソースビット線とグランドビット線との間のビット線が、ドレインビット線およびソースビット線の電圧安定待ち時間内に、活性化されたワード線に接続されたメモリセルを介してディスチャージできる程度の本数以下であれば、同様の効果が望める。
以上のように本実施形態によると、図3に示すように、センス積分期間には、センスノードとなるソースビット線が、読み出し電圧が印加されるドレインビット線と、接地されたグランドビット線とにはさまれた構造になる。このため、読み出し前に、多数のビット線に余剰の電荷が蓄積されていても、グランドビット線がシールドの効果を持ち、常に一定の状態でのセンス動作が補償される。したがって、従来のように全てのビット線をディスチャージする必要がなく、安定したセンス動作が可能となる。
(第2の実施形態)
図4は本発明の第2の実施形態に係る半導体不揮発性メモリの構成を示す図である。図4において、図1と共通の構成要素には図1と同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する。
図4の半導体不揮発性メモリは、図1の構成に加えて、センス時に用いる回路要素として、ネイバーエフェクトキャンセラ部NECを備えている。ネイバーエフェクトキャンセラ部NECは、ネイバービット線リセットトランジスタ73と、メモリセルオン電流よりも小さい電流を流す電流源74とを備えている。電流源74の電流は、リファレンス電流と同程度、すなわちメモリセルが“1”のときの電流の半分程度に調整されている。ネイバービット線リセットトランジスタ73にはセンス入力リセットトランジスタ70と同じ制御信号φ1が与えられる。Yセレクタ60aは、メインビット線MBL[0]〜[7]を、センスアンプ71、電圧源Vdおよび接地電源GNDに加えて、ネイバーエフェクトキャンセラ部NECにも、選択的に接続可能に構成されており、Yデコーダ61aはそのための選択信号をYセレクタ60aに出力する。
Yセレクタ60a、メインビット線MBL[0]〜[7]、および選択ゲート30〜37,40〜47によって、選択回路が構成されている。また、Yデコーダ61aおよびYバッファ62によって、選択制御手段が構成されている。
図4の半導体不揮発性メモリの動作について説明する。ここでは第1の実施形態と同様に、第1のメモリセルとしてのメモリセル03の読み出しを行う場合を例にとって説明を行う。この場合、ビット線BL23(メモリセル03のドレインに接続された第1のビット線)がドレインビット線、ビット線BL24(メモリセル03のソースに接続された第2のビット線)がソースビット線、ビット線BL25(ビット線BL24がドレインに接続された第2のメモリセルとしてのメモリセル04のソースに接続された第3のビット線)がネイバービット線、ビット線BL26(ビット線BL25がドレインに接続された第3のメモリセルとしてのメモリセル05のソースに接続された第4のビット線)がグランドビット線に、それぞれ割り付けられる。
図5は各メモリセル00〜07を読み出す際のメインビット線MBL[0]〜[7]および選択ゲート信号SEL[00]〜[07]の状態を示す図である。ここで説明する動作は、「READ03」の列の記載に従う。
メモリセル03を読み出すに際し、まずXアドレスを与え、ブロックデコーダ63の出力を活性化し、Xデコーダ64およびYバッファ62を活性化する。Xアドレスに従い、Xデコーダ64出力のワード線WL[00]が活性化される。これにより、メモリセル00〜0Fが活性化される。Yアドレスも同時に与えられ、Yデコーダ61a出力が活性化され、出力の一方は、先ほどXアドレスによって活性化されたYバッファ62に与えられる。これにより、Yバッファ62から出力される選択ゲート信号SEL[01],[02],[05],[06]が活性化される(図5の「READ03」を参照)。また、Yデコーダ61aのもう一方の出力はYセレクタ60aに与えられ、Yセレクタ60aは、メインビット線MBL[0]をセンスアンプ71およびセンス入力リセットトランジスタ70に接続し、メインビット線MBL[1]をネイバーエフェクトキャンセラ部NECに接続し、メインビット線MBL[2]を接地トランジスタ72を介して接地電源GNDに接続し、メインビット線MBL[3]を電圧源Vdに接続する。
このような選択制御により、ドレインビット線BL23がメインビット線MBL[3]を介して電圧源Vdに接続され、ソースビット線BL24がメインビット線MBL[0]を介してセンスアンプ71に接続され、ネイバービット線BL25がメインビット線MBL[1]を介して電流源74に接続され、グランドビット線BL26がメインビット線MBL[2]を介して接地電源GNDに接続される。
このとき、センス入力リセットトランジスタ70およびネイバービット線リセットトランジスタ73の制御信号φ1はハイにしておき、センスアンプ71と接続されたノードおよび電流源74と接続されたノードをリセット状態にしておく。また、接地トランジスタ72の制御信号φ2はハイにしたままにする。
そして、所定時間が経過した後、タイミング発生回路65はセンス入力リセットトランジスタ70およびネイバービット線リセットトランジスタ73の制御信号φ1をロウにする。ここでの所定時間は、ドレインビット線BL23、ソースビット線BL24、ネイバービット線BL25およびグランドビット線BL26の電圧が安定するために必要な時間に設定されている。制御信号φ1がロウになったタイミングから、センス積分期間が開始される。このとき、ドレインビット線BL23には電圧Vdが与えられており、ソースビット線BL24の電圧はセンス入力リセットトランジスタ70のリセット動作によって0Vになっており、ネイバービット線BL25の電圧はネイバービット線リセットトランジスタ73のリセット動作によって0Vになっている。またグランドビット線BL25は接地電位になっている。
センス積分期間が開始されると、ソースビット線BL24の電位は、メモリセル03の“1”“0”の状態(すなわちドレイン側からの電流の流れ込みの有無)に応じて、異なる時間変化をする。メモリセル03の状態が“1”のときはメモリセルオン電流が流れ、ソースビット線BL24に接続されたノードの浮遊容量が充電されていき、ソースビット線BL24の電位は上昇していく。メモリセル03の状態が“0”のときは、メモリセル電流は流れないので、ソースビット線BL24の電位は上昇しない。
また、ネイバービット線BL25も定電流源74により充電されていき、その電位が上昇していく。ただし、定電流源74の電流はメモリセルオン電流よりも小さいので、ネイバービット線BL25の電位は、メモリセル03の状態が“1”のときのソースビット線BL24の電位よりもゆっくり上昇する。
図6はセンス積分期間終了時の読み出しメモリセル03近傍のビット線電位の様子を示す図である。図6に示すように、センス積分期間の終了時には、ソースビット線BL24の電位Vsは、メモリセル03の状態“1”“0”に応じて異なる値になる。センスアンプ71は、この電位Vsの値に応じて“1”“0”を出力する。また、ネイバービット線BL25にも定電流源74による電位Vnsが生じる。
ここで、第1の実施形態では、読み出しメモリセル03が“1”の場合において、隣接するメモリセル04が“1”のときは、読み出しメモリセル03のメモリセルオン電流の一部(10分の1程度)は隣接するビット線BL25に流れ出した。これに対して本実施形態では、ネイバービット線BL25の電位が上昇するため、ソースビット線BL24とネイバービット線BL25との電位差が小さくなるので、読み出しメモリセル03のメモリセルオン電流の一部が流れ出すネイバー効果が少なくなる。
本実施形態ではさらに、ネイバービット線BL25に隣接するビット線BL26を接地電源GNDに接続し、強制的に接地レベルにしている。ビット線BL26を接地電源GNDに接続しない場合には、ビット線BL26やそれに隣接するビット線に電荷が残っているとき、メモリセル03の読み出しにおいて、センス積分期間中に、ビット線BL26等からネイバービット線BL25に電流が流れ込む可能性がある。このとき、ネイバービット線BL25に、設定された以上に電流が流れ込み、この結果、ソースビット線BL24にも電流が流れ込む可能性がある。すなわち本実施形態では、ネイバービット線BL25に隣接するビット線BL26をグランドビット線とすることによって、余剰な電荷によるソースビット線BL24の浮きを抑制することができる。
このように本実施形態においても、各ビット線をグランドにディスチャージするディスチャージ期間を設けることなく、正常にセンス動作を行うことができるので、高速・高精度な半導体不揮発性メモリを実現することができる。
なお、本実施形態では、接地電源に接続するグランドビット線は、ネイバービット線に隣接するビット線としたが、このネイバービット線がドレインに接続されたメモリセルのソース側近傍に配置されたビット線であれば、接地電源に接続することによって、本実施形態と同様の効果が得られる。
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態に係る半導体不揮発性メモリの構成は、図1の構成と同様である。本実施形態では、メモリセルの読み出しにおいて、ドレインビット線にソースビット線とは反対側に隣接するビット線についても、強制的にグランド電位にする。例えば、メモリセル03の読み出しを行う場合、ドレインビット線BL23がソースに接続された第3のメモリセルとしてのメモリセル02のドレインに接続されたビット線BL22についても、接地電源GNDに接続する。その他の動作は第1の実施形態と同様である。
図7は本実施形態におけるセンス積分期間終了時の読み出しメモリセル03近傍のビット線電位の様子を示す図である。図7に示すように、ドレインビット線BL23にソースビット線BL24とは反対側に隣接するビット線BL22が、グランド電位になっている。
仮に、ビット線BL22をグランド電位にしないとすると、活性化されているワード線に沿って左側のメモリセルに“1”が続いている場合に、同一アドレスを繰り返し読み出した際などには、ドレインビット線BL23の左側のビット線は次々に電圧Vdにチャージアップされていく。メインビット線が直接接続されるビット線の電荷は短時間にディスチャージできるが、メインビット線が直接接続されないビット線の電荷はメモリセルを介してしかディスチャージできない。このため、所定のディスチャージ時間が終了したとき、余剰な電荷が残ったままとなる可能性が高い。書き換え可能な不揮発性メモリ等においては、ドレインに電圧が印加され、ワード線0Vの状態が続く可能性が生じ、ドレインディスターブとなり、記憶保持の妨げになる可能性がある。
これに対して本実施形態のように、ドレインビット線のソースビット線と反対側の隣接ビット線をグランド電位に固定することによって、センス動作に関わるビット線の両端がグランド電位となるため、読み出しメモリセルの両側に電荷が漏れ出すことがなくなる。これにより、同一箇所連続読み出し等によるメモリプレーンのチャージアップから開放され、ドレインディスターブ等による記憶保持の妨げになる可能性がなくなる。
(第4の実施形態)
本発明の第4の実施形態に係る半導体不揮発性メモリの構成は、図4の構成と同様である。本実施形態においても第3の実施形態と同様に、メモリセルの読み出しにおいて、ドレインビット線にソースビット線とは反対側に隣接するビット線についても、強制的にグランド電位にする。例えば、メモリセル03の読み出しを行う場合、ドレインビット線BL23がソースに接続された第4のメモリセルとしてのメモリセル02のドレインに接続されたビット線BL22についても、接地電源GNDに接続する。その他の動作は第2の実施形態と同様である。
図8は本実施形態におけるセンス積分期間終了時の読み出しメモリセル03近傍のビット線電位の様子を示す図である。図8に示すように、ドレインビット線BL23にソースビット線BL24とは反対側に隣接するビット線BL22が、グランド電位になっている。
本実施形態においても第3の実施形態と同様に、同一箇所連続読み出し等によるメモリプレーンのチャージアップから開放され、ドレインディスターブ等による記憶保持の妨げになる可能性がなくなる。
なお、第3および第4の実施形態では、接地電源に接続するビット線は、ドレインビット線に隣接するビット線としたが、このドレインビット線がソースに接続されたメモリセルのドレイン近傍に配置されたビット線であれば、接地電源に接続することによって、第3および第4の実施形態と同様の効果が得られる。
なお、上述した各実施形態では、VGA型不揮発性メモリセルを例にとって説明を行ったが、この不揮発性メモリセルは、フローティングゲート型、SONOS等空間電荷蓄積型など何れの方式のものであってもよい。また、1ビット/セルの不揮発性メモリセルとして説明を行ってきたが、閾値電圧による多値メモリセルや、NROMのようなセルのドレイン・ソース両端に物理的に情報を書き込む多値メモリセルであっても、同様に実現可能である。
また、上述した各実施形態では、階層化ビット線構造を前提として説明を行ったが、本発明は、階層化されていないビット線構造においても有効であることはいうまでもない。
本発明では、大容量に適したアレー構成であるVGA型などの半導体不揮発性メモリにおいて、センス動作の高速化が可能になるので、例えば、メモリのサイイクルタイム高速化・アクセス高速化に対して有用である。
本発明の第1の実施形態に係る半導体不揮発性メモリの構成を示す図である。 本発明の第1の実施形態における動作制御を示す図である。 本発明の第1の実施形態における読出しメモリセル近傍のビット線電位を示す図である。 本発明の第2の実施形態に係る半導体不揮発性メモリの構成を示す図である。 本発明の第2の実施形態における動作制御を示す図である。 本発明の第2の実施形態における読出しメモリセル近傍のビット線電位を示す図である。 本発明の第3の実施形態における読出しメモリセル近傍のビット線電位を示す図である。 本発明の第4の実施形態における読出しメモリセル近傍のビット線電位を示す図である。 (a)は第1の従来例に係る半導体不揮発性メモリを階層化ビット線構造に適用した構成を示す図であり、(b)は(a)の構成における読み出しメモリセル周辺の各ビット線の電位を示す図である。 (a)は第2の従来例に係る半導体不揮発性メモリを階層化ビット線構造に適用した構成を示す図であり、(b)は(a)の構成における読み出しメモリセル周辺の各ビット線の電位を示す図である。
符号の説明
00〜0F,10〜1F メモリセル
BL20〜2G ビット線
MBL[0]〜[7] メインビット線
30〜37,40〜47 選択ゲート
60,60a Yセレクタ
61,61a Yデコーダ
62 Yバッファ
71 センスアンプ
74 電流源
VD 電圧源
GND 接地電源

Claims (8)

  1. 第1のメモリセルと、前記第1のメモリセルのドレインに接続された第1のビット線と、前記第1のメモリセルのソースに接続された第2のビット線と、前記第2のビット線がドレインに接続された第2のメモリセルのソース側近傍に配置された第3のビット線と、を少なくとも含むメモリセルアレイと、
    センスアンプと、
    所定の読み出し電圧を与える電圧源と、
    接地電源と、
    前記第1〜第3のビット線と、前記センスアンプ、前記電圧源、および前記接地電源とを選択的に接続する選択回路と、
    前記選択回路を制御する選択制御手段とを備え、
    前記選択制御手段は、
    前記第1のメモリセルの読み出しにおいて、前記第1のビット線が前記電圧源に接続され、前記第2のビット線が前記センスアンプに接続され、前記第3のビット線が前記接地電源に接続されるよう、前記選択回路を制御する
    ことを特徴とするグランドセンス方式半導体不揮発性メモリ。
  2. 請求項1において、
    前記第3のビット線は、前記第2のメモリセルのソースに接続されたビット線である
    ことを特徴とするグランドセンス方式半導体不揮発性メモリ。
  3. 請求項1において、
    前記メモリセルアレイは、前記第1のビット線がソースに接続された第3のメモリセルのドレイン側近傍に配置された第4のビット線を含み、
    前記選択制御手段は、
    前記第1のメモリセルの読み出しにおいて、前記第4のビット線が前記接地電源に接続されるよう、前記選択回路を制御する
    ことを特徴とするグランドセンス方式半導体不揮発性メモリ。
  4. 請求項3において、
    前記第4のビット線は、前記第3のメモリセルのドレインに接続されたビット線である
    ことを特徴とするグランドセンス方式半導体不揮発性メモリ。
  5. 第1のメモリセルと、前記第1のメモリセルのドレインに接続された第1のビット線と、前記第1のメモリセルのソースに接続された第2のビット線と、前記第2のビット線がドレインに接続された第2のメモリセルのソースに接続された第3のビット線と、前記第3のビット線がドレインに接続された第3のメモリセルのソース側近傍に配置された第4のビット線と、を少なくとも含むメモリセルアレイと、
    センスアンプと、
    所定の読み出し電圧を与える電圧源と、
    接地電源と、
    メモリセルオン電流よりも小さい電流を流す電流源と、
    前記第1〜第4のビット線と、前記センスアンプ、前記電圧源、前記接地電源、および前記電流源とを選択的に接続する選択回路と、
    前記選択回路を制御する選択制御手段とを備え、
    前記選択制御手段は、
    前記第1のメモリセルの読み出しにおいて、前記第1のビット線が前記電圧源に接続され、前記第2のビット線が前記センスアンプに接続され、前記第3のビット線が前記電流源に接続され、前記第4のビット線が前記接地電源に接続されるよう、前記選択回路を制御する
    ことを特徴とするグランドセンス方式半導体不揮発性メモリ。
  6. 請求項5において、
    前記第4のビット線は、前記第3のメモリセルのソースに接続されたビット線である
    ことを特徴とするグランドセンス方式半導体不揮発性メモリ。
  7. 請求項5において、
    前記メモリセルアレイは、前記第1のビット線がソースに接続された第4のメモリセルのドレイン側近傍に配置された第5のビット線を含み、
    前記選択制御手段は、
    前記第1のメモリセルの読み出しにおいて、前記第5のビット線が前記接地電源に接続されるよう、前記選択回路を制御する
    ことを特徴とするグランドセンス方式半導体不揮発性メモリ。
  8. 請求項7において、
    前記第5のビット線は、前記第4のメモリセルのドレインに接続されたビット線である
    ことを特徴とするグランドセンス方式半導体不揮発性メモリ。
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