JP2009121858A - 増幅回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】作製が容易で、磁気センサから出力された出力信号に基づいて線形性の高い増幅信号を出力する増幅回路を提供する。
【解決手段】センサ装置1は、MRセンサ2と、差動増幅回路3と、を備えている。差動増幅回路3は、磁気抵抗素子で作製された第5及び第6のMR素子(R1)31、32と第7及び第8のMR素子(R2)33、34を有しており、MRセンサ2から出力される出力電圧V1、V2の差分V1−V2を増幅率R2/R1によって増幅する。この増幅率R2/R1が、磁界の角度の関数であるので差動増幅回路3は、線形性の高い出力電圧Voutを出力することができる。
【選択図】図1
【解決手段】センサ装置1は、MRセンサ2と、差動増幅回路3と、を備えている。差動増幅回路3は、磁気抵抗素子で作製された第5及び第6のMR素子(R1)31、32と第7及び第8のMR素子(R2)33、34を有しており、MRセンサ2から出力される出力電圧V1、V2の差分V1−V2を増幅率R2/R1によって増幅する。この増幅率R2/R1が、磁界の角度の関数であるので差動増幅回路3は、線形性の高い出力電圧Voutを出力することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、磁界方向の変化に基づいて増幅率を変化させ、線形性の高い増幅信号を出力する増幅回路に関する。
従来の技術として、互いに離間して配置される1組のホール素子と、このホール素子に対して相対移動する磁石と、差動増幅部、加算部、減算部及び演算部等を有する処理回路と、を備えた位置検出装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
この位置検出装置は、各ホール素子から出力された出力電圧の差分値を差動増幅部で差動増幅したのち、加算部によって加算処理する。演算部は、加算された値が一定値になるように各ホール素子に印加する電圧を調整する。
処理回路の演算部が、各ホール素子に印加する電圧を調整することで、各ホール素子の感度を一定にすることができ、各ホール素子から出力された出力電圧の差分値と磁石の位置との間の線形関係が確保される。
特開2005−331400号公報
しかし、従来の位置検出装置によると、線形関係を確保するために、処理回路には多くの電子部品が必要であるため、より簡便な方法で線形性を確保できる技術が求められていた。
従って本発明の目的は、作製が容易で、磁気センサから出力された出力信号に基づいて線形性の高い増幅信号を出力する増幅回路を提供することにある。
(1)本発明は上記目的を達成するため、反転入力端子、非反転入力端子及び出力端子を有するオペアンプと、前記オペアンプの前記反転入力端子側に設けられ、磁気センサから出力される第1の出力信号の入力ゲインを調整する第1の入力抵抗と、前記オペアンプの前記出力端子から前記反転入力端子への帰還経路に設けられた帰還抵抗と、を備え、前記第1の入力抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる磁界方向に対して第1の抵抗値が最大になる第1の磁気抵抗素子であり、前記帰還抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第2の抵抗値が最小になる第2の磁気抵抗素子であり、前記第1の入力抵抗及び前記帰還抵抗の前記第1及び第2の抵抗値の比である増幅率が前記磁界方向に基づいて変化することで所定の角度範囲において増幅信号が略線形性を有することを特徴とする増幅回路を提供する。
上記した構成によれば、例えば反転増幅回路において、作製が容易で、磁気センサから出力された出力信号に基づいて線形性の高い増幅信号を出力することができる。
(2)本発明は上記目的を達成するため、反転入力端子、非反転入力端子及び出力端子を有するオペアンプと、前記オペアンプの前記反転入力端子側に設けられ、磁気センサから出力される第1の出力信号の入力ゲインを調整する第1の入力抵抗と、前記オペアンプの前記非反転入力端子側に設けられ、前記磁気センサから出力される第2の出力信号の前記入力ゲインを調整する第2の入力抵抗と、前記オペアンプの前記出力端子から前記反転入力端子への帰還経路に設けられた帰還抵抗と、前記第2の入力抵抗と前記非反転入力端子の間から接地回路の間に設けられた接地側抵抗と、を備え、前記第1の入力抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる磁界方向に対して第1の抵抗値が最大になる第1の磁気抵抗素子であり、前記帰還抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第2の抵抗値が最小になる第2の磁気抵抗素子であり、前記第2の入力抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第3の抵抗値が最大になる前記第1の磁気抵抗素子であり、前記接地側抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第4の抵抗値が最小になる前記第2の磁気抵抗素子であり、前記第1の入力抵抗及び前記帰還抵抗の前記第1及び第2の抵抗値の比である増幅率が前記磁界方向に基づいて変化することで所定の角度範囲において増幅信号が略線形性を有することを特徴とする増幅回路を提供する。
上記した構成によれば、例えば差動増幅回路において、作製が容易で、磁気センサから出力された出力信号に基づいて線形性の高い増幅信号を出力することができる。
このような構成によれば、作製が容易で、磁気センサから出力された出力信号に基づいて線形性の高い増幅信号を出力する増幅回路を提供することができる。
以下に、本発明の増幅回路の実施の形態を図面を参考にして詳細に説明する。
[実施の形態]
(センサ装置1の構成)
図1は、本発明の実施の形態に係るセンサ装置の等価回路図である。本実施の形態においては、増幅回路をMRセンサ2の出力電圧を増幅する差動増幅回路3に適用した場合について説明する。図1における角度θは、X−Y座標系のX座標からの角度を表す。なお、増幅回路を反転増幅回路等の抵抗値の比によって増幅率が決まる増幅回路に適用しても良く、またこれに限定されない。
(センサ装置1の構成)
図1は、本発明の実施の形態に係るセンサ装置の等価回路図である。本実施の形態においては、増幅回路をMRセンサ2の出力電圧を増幅する差動増幅回路3に適用した場合について説明する。図1における角度θは、X−Y座標系のX座標からの角度を表す。なお、増幅回路を反転増幅回路等の抵抗値の比によって増幅率が決まる増幅回路に適用しても良く、またこれに限定されない。
センサ装置1は、磁界方向の変化に基づいて第1及び第2の出力信号としての出力電圧V1及びV2を出力する磁気センサとしてのMR(Magnetro Resistance)センサ2と、出力された出力電圧V1及びV2の差分(V1−V2)を増幅する差動増幅回路3と、を備えて概略構成されている。
(MRセンサ2の構成)
MRセンサ2は、NiFeパーマロイ及びFeCo合金等の強磁性金属を主成分とした薄膜で作製された磁気抵抗素子としての第1〜第4のMR素子20〜23を有して構成されている。
MRセンサ2は、NiFeパーマロイ及びFeCo合金等の強磁性金属を主成分とした薄膜で作製された磁気抵抗素子としての第1〜第4のMR素子20〜23を有して構成されている。
第1及び第2のMR素子20、21は、図1に示すように、磁界に対する感磁方向が互いに90°となるように図示しない基板上に配置され、第3及び第4のMR素子22、23もまた、磁界に対する感磁方向が互いに90°となるように図示しない基板上に配置される。また、第1のMR素子20と第3のMR素子23、及び第2のMR素子21と第3のMR素子22が、感磁方向が一致するように配置され、第1〜第4のMR素子20〜23の長さ方向は、図1に示すX―Y座標のX軸に対してθ=45°の角度をなしている。第1〜第4のMR素子20〜23は、ブリッジ回路を形成している。なお、感磁方向とは、第1〜第4のMR素子20〜23の磁気抵抗値が変化する磁界方向を指しており、第1〜第4のMR素子20〜23の矩形状の折り返しパターンの長手部分に平行な線を基準としている。すなわち、感磁方向が90°とは、第1〜第4のMR素子20〜23の折り返しパターンの長手部分に対して垂直に磁界が横切ることを指している。
第1のMR素子20と第3のMR素子22との間には、印加電圧Vccが印加され、第2のMR素子21と第3のMR素子23との間は、図示しない接地回路に接続されている。また、第1のMR素子20と第2のMR素子21との間の中点電位を取り出すことが可能で、その出力電圧をV1、同様に第3のMR素子22と第3のMR素子23との間の出力電圧をV2とするものとする。
なお、図1に示すθが、45°のとき、各第1〜第4のMR素子20〜23の長さ方向に対して45°で磁界が横切るので、各第1〜第4のMR素子20〜23の磁気抵抗値は、同じ値を取り、よって差分(V1−V2)はゼロとなる。
(差動増幅回路3の構成)
差動増幅回路3は、図1に示すように、非反転入力端子(+)、反転入力端子(−)、及び出力端子を備えた増幅器の電子回路モジュールであるオペアンプ30と、オペアンプ30の反転入力端子(−)側に配置され、MRセンサ2から出力される出力電圧V1の入力ゲインを調整する第1の入力抵抗としての第5のMR素子(R1)31と、オペアンプ30の非反転入力端子(+)側に配置され、MRセンサ2から出力される出力電圧V2の入力ゲインを調整する第2の入力抵抗としての第6のMR素子(R1)32と、オペアンプ30の出力端子から反転入力端子(−)への帰還経路に配置された帰還抵抗としての第7のMR素子(R2)33と、第6のMR素子(R1)32と非反転入力端子(+)の間に接続され、一方端は図示しない接地回路に接続されている接地側抵抗としての第8のMR素子(R2)34と、を備えて構成されている。また、第5のMR素子(R1)31と第6のMR素子(R1)32は、磁界が印加されていないとき、第1及び第3の抵抗値としての同じ磁気抵抗値R1を有し、第7のMR素子(R2)33と第8のMR素子(R2)34もまた、第2及び第4の抵抗値としての同じ磁気抵抗値R2を有するように構成されている。
差動増幅回路3は、図1に示すように、非反転入力端子(+)、反転入力端子(−)、及び出力端子を備えた増幅器の電子回路モジュールであるオペアンプ30と、オペアンプ30の反転入力端子(−)側に配置され、MRセンサ2から出力される出力電圧V1の入力ゲインを調整する第1の入力抵抗としての第5のMR素子(R1)31と、オペアンプ30の非反転入力端子(+)側に配置され、MRセンサ2から出力される出力電圧V2の入力ゲインを調整する第2の入力抵抗としての第6のMR素子(R1)32と、オペアンプ30の出力端子から反転入力端子(−)への帰還経路に配置された帰還抵抗としての第7のMR素子(R2)33と、第6のMR素子(R1)32と非反転入力端子(+)の間に接続され、一方端は図示しない接地回路に接続されている接地側抵抗としての第8のMR素子(R2)34と、を備えて構成されている。また、第5のMR素子(R1)31と第6のMR素子(R1)32は、磁界が印加されていないとき、第1及び第3の抵抗値としての同じ磁気抵抗値R1を有し、第7のMR素子(R2)33と第8のMR素子(R2)34もまた、第2及び第4の抵抗値としての同じ磁気抵抗値R2を有するように構成されている。
この差動増幅回路3は、出力電圧V1及びV2の差分(V1−V2)を増幅し、増幅信号としてVoutを出力する。その増幅率は、第5のMR素子(R1)31と第7のMR素子(R2)33の比R2/R1である。
(第5及び第6のMR素子(R1)31、32の構成)
第5及び第6のMR素子(R1)31、32は、第1〜第4のMR素子20〜23と同じ部材によって作製された磁気抵抗素子であり、その部材の線幅及び膜厚もまた同じである。第5及び第6のMR素子(R1)31、32の磁気抵抗値R1は、増幅率によって決定される。
第5及び第6のMR素子(R1)31、32は、第1〜第4のMR素子20〜23と同じ部材によって作製された磁気抵抗素子であり、その部材の線幅及び膜厚もまた同じである。第5及び第6のMR素子(R1)31、32の磁気抵抗値R1は、増幅率によって決定される。
第5及び第6のMR素子(R1)31、32は、図1に示すように、X軸に対して平行な方向(θ=0°)から磁界が印加されたとき、磁気抵抗値は最大となる。また、X軸に対して垂直な方向(θ=90°)から磁界が印加されたとき、磁気抵抗値は最小になる。以下に、磁気抵抗値が最小のときの磁気抵抗値をR1小、磁気抵抗値が最大のときの磁気抵抗値をR1大、と記述するものとする。
(第7及び第8のMR素子(R2)33、34の構成)
第7及び第8のMR素子(R2)33、34は、第1〜第4のMR素子20〜23と同じ部材によって作製された磁気抵抗素子であり、その部材の線幅及び膜厚もまた同じである。第7及び第8のMR素子(R2)33、34の磁気抵抗値R2は、増幅率によって決定される。
第7及び第8のMR素子(R2)33、34は、第1〜第4のMR素子20〜23と同じ部材によって作製された磁気抵抗素子であり、その部材の線幅及び膜厚もまた同じである。第7及び第8のMR素子(R2)33、34の磁気抵抗値R2は、増幅率によって決定される。
第7及び第8のMR素子(R2)33、34は、図1に示すように、X軸に対して平行な方向(θ=0°)から磁界が印加されたとき、磁気抵抗値は最小となる。また、X軸に対して垂直な方向(θ=90°)から磁界が印加されたとき、磁気抵抗値は最大になる。以下に、磁気抵抗値が最小のときの磁気抵抗値をR2小、磁気抵抗値が最大のときの磁気抵抗値をR2大と記述するものとする。よって、増幅率R2/R1は、磁界の角度θの関数になる。
また第5及び第6のMR素子(R1)31、32と第7及び第8のMR素子(R2)33、34は、MRセンサ2の近傍に配置されるのが望ましい。なぜなら第5及び第6のMR素子(R1)31、32、及び第7及び第8のMR素子(R2)33、34は、近傍に配置されることによって、MRセンサ2に印加される磁界と同じ向きの磁界が印加され、より磁界の角度変化による増幅率の変化の追従性が良くなり、感度、言い換えるなら線形性が改善される。
(従来の差動増幅回路について)
図2は、本発明の実施の形態に係る従来のセンサ装置の一例を示す等価回路図である。従来のセンサ装置5は、一例として、本実施の形態におけるセンサ装置1に対して差動増幅回路6の構成が異なっている。従来の差動増幅回路6は、第5及び第6のMR素子(R1)31、32が、同じ抵抗値R1を有する第1及び第2の抵抗(R1)60、61に対応しており、第7及び第8のMR素子(R2)33、34が、同じ抵抗値R2を有する第3及び第4の抵抗(R2)62、63に対応している。この従来の差動増幅回路6は、出力電圧V1及びV2の差分(V1−V2)の増幅率がR2/R1であり、磁界の角度によらず一定の値を有している。
図2は、本発明の実施の形態に係る従来のセンサ装置の一例を示す等価回路図である。従来のセンサ装置5は、一例として、本実施の形態におけるセンサ装置1に対して差動増幅回路6の構成が異なっている。従来の差動増幅回路6は、第5及び第6のMR素子(R1)31、32が、同じ抵抗値R1を有する第1及び第2の抵抗(R1)60、61に対応しており、第7及び第8のMR素子(R2)33、34が、同じ抵抗値R2を有する第3及び第4の抵抗(R2)62、63に対応している。この従来の差動増幅回路6は、出力電圧V1及びV2の差分(V1−V2)の増幅率がR2/R1であり、磁界の角度によらず一定の値を有している。
(動作)
以下に、本実施の形態におけるセンサ装置1の動作を図1及び図2、及び後述する図3を参照し、詳細に説明する。
以下に、本実施の形態におけるセンサ装置1の動作を図1及び図2、及び後述する図3を参照し、詳細に説明する。
図3(a)は、本発明の実施の形態に係る従来例における磁界の角度と出力電圧のグラフであり、図3(b)は、本発明の実施の形態に係る理想例、実施例及び従来例における磁界の角度と出力電圧のグラフである。従来例とは、上記した従来のセンサ装置5のことであり、理想例とは、理想的なセンサ装置の出力電圧の線形のグラフの例であり、実施例とは、本実施の形態におけるセンサ装置1のことである。
一例として、図1におけるMRセンサ2に対して、図示しない磁石を近づけ移動させると、磁石から発生した磁界によってMRセンサ2から出力電圧V1及びV2が出力される。
出力電圧V1に基づく電流は、第5のMR素子(R1)31によって入力ゲインを調整されたのち、オペアンプ30の反転入力端子(−)、出力端子、第7のMR素子(R2)33を介して反転入力端子(−)に戻される。その結果、差動増幅回路3は、点n及びpの電圧が等しくなるように働くので、やがてオペアンプ30に電流が流れ込まなくなり、図1に示すように、第5のMR素子(R1)31、第7のMR素子(R2)33を介して出力される。
同様に、出力電圧V2に基づく電流は、第6のMR素子(R1)32によって入力ゲインを調整されたのち、第8のMR素子(R2)34を介して図示しない接地回路に出力される。こうして出力電圧の差分(V1−V2)が、増幅率R2/R1に基づいて増幅され、増幅信号として出力電圧Voutが出力される。
上記の結果、出力される出力電圧Voutは、図2に示す従来の差動増幅回路6の場合、図3(a)に示す正弦波となる。
一例として、MRセンサ2から出力された出力電圧に基づいて磁石の位置を検出する装置の場合、MRセンサ2からの出力電圧の差分を増幅し、増幅された出力電圧Voutが、例えば図3(a)に示すように、θが所定の角度範囲として−45°〜45°の範囲にあるとき、出力電圧Voutは比較的線形に近く、装置の設計がし易い。しかし、より理想的な出力電圧Voutは、図2(b)に示す理想例であり、−45°及び45°付近においては、従来例と理想例では、出力電圧Voutの値が大きく異なっている。
これは、従来の差動増幅回路6の増幅率R2/R1が、磁界方向(角度θ)に依存しないため、MRセンサ2から出力される出力電圧の差分(V1−V2)、つまり正弦波をそのまま増幅するからである。
しかし、本実施の形態における差動増幅回路3では、増幅率R2/R1は、磁界の角度θの関数であり、例えばθが0°のとき、第5及び第6のMR素子(R1)31、32は、磁気抵抗値が最大になるので磁気抵抗値はR1大となり、第7及び第8のMR素子(R2)33、34は、磁気抵抗値が最小になるので磁気抵抗値はR2小となり、増幅率はR2小/R1大となる。
センサ装置1の差動増幅回路3は、θが0°から45°に近づくにつれて、第5及び第6のMR素子(R1)31、32の磁気抵抗値R1がR1大からR1小に変化し、第7及び第8のMR素子(R2)33、34の磁気抵抗値R2がR2小からR2大に変化するので、増幅率は、R2小/R1大からR2大/R1小、すなわち、増幅率が小から大へと変化する。つまり、増幅率は、θが45°に近づくにつれて大きくなり、出力電圧Voutは、図3(b)に示す実施例のように、理想例(線形)に近づくことになり、センサ装置1は、線形性の高い出力電圧Voutを出力することができる。
(効果)
上記した実施の形態におけるセンサ装置1は、第5及び第6のMR素子(R1)31、32と第7及び第8のMR素子(R2)33、34が、磁気抵抗素子で作製されているので、増幅率R2/R1が磁界方向(角度θ)に依存し、その結果、所定の角度範囲において出力電圧Voutが、線形性により近くなる。また、センサ装置1は、第5及び第6のMR素子(R1)31、32と第7及び第8のMR素子(R2)33、34が、第1〜第4のMR素子20〜23と同じように作製することができるので、コストが掛からず、さらに作製が容易である。
上記した実施の形態におけるセンサ装置1は、第5及び第6のMR素子(R1)31、32と第7及び第8のMR素子(R2)33、34が、磁気抵抗素子で作製されているので、増幅率R2/R1が磁界方向(角度θ)に依存し、その結果、所定の角度範囲において出力電圧Voutが、線形性により近くなる。また、センサ装置1は、第5及び第6のMR素子(R1)31、32と第7及び第8のMR素子(R2)33、34が、第1〜第4のMR素子20〜23と同じように作製することができるので、コストが掛からず、さらに作製が容易である。
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形が可能である。
1…センサ装置、2…MRセンサ、3…差動増幅回路、5…センサ装置、6…差動増幅回路、20〜23…第1〜第4のMR素子、30…オペアンプ、31〜34…第5〜第8のMR素子、60〜63…第1〜第4の抵抗、V1…出力電圧、V2…出力電圧、Vcc…印加電圧、Vout…出力電圧
Claims (5)
- 反転入力端子、非反転入力端子及び出力端子を有するオペアンプと、
前記オペアンプの前記反転入力端子側に設けられ、磁気センサから出力される第1の出力信号の入力ゲインを調整する第1の入力抵抗と、
前記オペアンプの前記出力端子から前記反転入力端子への帰還経路に設けられた帰還抵抗と、
を備え、
前記第1の入力抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる磁界方向に対して第1の抵抗値が最大になる第1の磁気抵抗素子であり、
前記帰還抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第2の抵抗値が最小になる第2の磁気抵抗素子であり、前記第1の入力抵抗及び前記帰還抵抗の前記第1及び第2の抵抗値の比である増幅率が前記磁界方向に基づいて変化することで所定の角度範囲において増幅信号が略線形性を有することを特徴とする増幅回路。 - 前記オペアンプは、前記磁気センサから出力される第2の出力信号の前記入力ゲインを調整する第2の入力抵抗を前記非反転入力端子側に設け、さらに前記第2の入力抵抗と前記非反転入力端子の間から接地回路の間に接地側抵抗を設け、
前記第2の入力抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第3の抵抗値が最大になる前記第1の磁気抵抗素子であり、
前記接地側抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第4の抵抗値が最小になる前記第2の磁気抵抗素子であることを特徴とする請求項1に記載の増幅回路。 - 反転入力端子、非反転入力端子及び出力端子を有するオペアンプと、
前記オペアンプの前記反転入力端子側に設けられ、磁気センサから出力される第1の出力信号の入力ゲインを調整する第1の入力抵抗と、
前記オペアンプの前記非反転入力端子側に設けられ、前記磁気センサから出力される第2の出力信号の前記入力ゲインを調整する第2の入力抵抗と、
前記オペアンプの前記出力端子から前記反転入力端子への帰還経路に設けられた帰還抵抗と、
前記第2の入力抵抗と前記非反転入力端子の間から接地回路の間に設けられた接地側抵抗と、
を備え、
前記第1の入力抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる磁界方向に対して第1の抵抗値が最大になる第1の磁気抵抗素子であり、
前記帰還抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第2の抵抗値が最小になる第2の磁気抵抗素子であり、
前記第2の入力抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第3の抵抗値が最大になる前記第1の磁気抵抗素子であり、
前記接地側抵抗は、前記磁気センサから出力される前記第1の出力信号がゼロになる前記磁界方向に対して第4の抵抗値が最小になる前記第2の磁気抵抗素子であり、前記第1の入力抵抗及び前記帰還抵抗の前記第1及び第2の抵抗値の比である増幅率が前記磁界方向に基づいて変化することで所定の角度範囲において増幅信号が略線形性を有することを特徴とする増幅回路。 - 前記第1及び第2の入力抵抗は、前記第1及び第2の入力抵抗を横切る前記磁界の方向が同一のとき、同一の抵抗値を有し、
前記帰還抵抗及び前記接地側抵抗は、前記帰還抵抗及び前記接地側抵抗を横切る前記磁界の方向が同一のとき、同一の抵抗値を有することを特徴とする請求項2または3に記載の増幅回路。 - 前記磁気センサは、ブリッジ回路を有することを特徴とする請求項1から4いずれか1項に記載の増幅回路。
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