JP2009111642A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. エッチングと側壁保護膜の形成とを交互に繰り返してケイ素基板に凹部を形成し、
   前記側壁保護膜を除去して前記凹部の側壁を露出させ、
   露出した前記側壁の表層をエッチングにより除去する、
   ことを含む微細凹部形成方法。
2. 露出した前記側壁の表層をアルカリ性溶液を用いたエッチングにより除去する、
   ことを含む請求項１に記載の微細凹部形成方法。
3. 前記側壁保護膜を除去した後に露出した前記側壁の表層を除去する前に、露出した前記側壁の表層に形成された自然酸化膜を除去し、
   前記自然酸化膜が除去された前記側壁の表層をアルカリ性水溶液を用いたエッチングにより除去する、
   請求項１または２に記載の微細凹部形成方法。
4. 前記アルカリ性水溶液はテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液である、
   請求項１から３のいずれか一項に記載の微細凹部形成方法。
5. エッチングと側壁保護膜の形成とを交互に繰り返すことにより、ダイヤフラムのバックキャビティとなる通孔を、エッチングストッパとなる酸化ケイ素膜が形成されたケイ素基板に形成し、
   前記側壁保護膜を除去して前記通孔の側壁を露出させ、
   露出した前記側壁の表層に形成された自然酸化膜を除去し、
   前記自然酸化膜が除去された前記側壁の表層をアルカリ性水溶液を用いたエッチングにより除去する、
   ことを含むコンデンサマイクロホンの製造方法。
6. 前記アルカリ性水溶液はテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液である、
   請求項５に記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。