JP2009111025A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】機械的強度や冷却性能を確保しつつプロセス中の金属汚染を防止する。
【解決手段】アウタチューブ３４とインナチューブ３５との間を区画するように設けられるアダプタ６０を石英ガラスにより形成し、アダプタ６０の上下面に形成したＯリング溝６５、６６にＯリング６７、６８を収納する。Ｏリング溝６５、６６の外側部分は金属製の押さえ６１、６２で形成し、押さえ６１、６２を金属製のフランジ５１、５２を経由して冷却水通路５３に熱的に連結する。アダプタを石英ガラスによって形成することにより、アダプタからの金属汚染物質の発生を防止できるので、プロセス中の金属汚染を防止できる。Ｏリングを金属製の押さえに直接接触させることで、Ｏリングを熱効率よく冷却できるので、Ｏリングの熱的劣化を防止できる。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる基板としての半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に絶縁膜や金属膜および半導体膜を形成するＣＶＤ装置や酸化膜形成装置や拡散装置およびアニール装置等に利用して有効なものに関する。

従来の基板処理装置においては、処理室内のウエハ近傍に位置するボートやプロセスチューブは、高純度の石英（ＳｉＯ₂ ）ガラスによって形成されているが、ウエハを搭載したボートの処理室への出入り口である炉口を構成する炉口部材は、ステンレス鋼やニッケル合金等の金属材料によって形成されている。例えば、特許文献１参照。

特開２００５−２０９８１３号公報

しかしながら、ＩＣの微細化に伴い、プロセス（処理）中の金属や有機物およびパーティクル等の汚染に対するさらなる低減の要求が高まっている。
そのような状況において、金属製炉口部材がプロセス中の金属汚染の原因と考えられ、その低減を目的に、石英ガラス製の炉口部材の必要性が高まっている。
従来の金属製炉口部材は、機械的強度やシール部冷却構造の容易さの面では有利であるが、高まる金属汚染低減要求に対しては、限界が見えつつある。
次世代ＩＣに対応した低汚染の基板処理装置を実現するためには、これらを全て満足した石英ガラス製の炉口部材が必須であると、考えられる。

本発明の目的は、機械的強度や冷却性能を確保しつつプロセス中の金属汚染を確実に防止することができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。

前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
基板を処理する処理室が形成される内管と、
該内管を取り囲む外管と、
非金属材料で形成され、前記内管と前記外管との間を区画するように設けられるアダプタと、
前記アダプタの前記外管側に設けられる凹部と、
前記外管と前記凹部との間に設けられる密閉部材と、
前記外管と前記凹部との間に設けられ、前記アダプタより熱伝導率の高い部材で形成され該密閉部材を保持する保持部材と、
を備える基板処理装置。

前記手段によれば、アダプタを非金属材料によって形成することにより、アダプタからの金属汚染物質の発生を防止することができるので、プロセス中の金属汚染を確実に防止することができる。
また、密閉部材を熱伝導率の高い材料からなる保持部材によって保持することにより、密閉部材を充分に冷却することができるので、密閉部材の熱による劣化を防止することができる。

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置はＩＣの製造方法における成膜工程を実施するバッチ式縦型ホットウオール型減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）として構成されている。

図１に示されているように、本実施の形態に係るＣＶＤ装置１０は、直方体の箱形状に構築された筐体１１を備えており、筐体１１の内部室はボートが待機する待機室１２を構成している。
待機室１２内には送りねじ軸装置等によって構成されたボートエレベータ１３が垂直に設備されており、ボートエレベータ１３の昇降するアーム１４は、炉口を気密性に閉塞する炉口蓋体としてのシールキャップ１５を水平に支持している。
シールキャップ１５はステンレス等の金属材料が使用されて、円盤状に形成されている。シールキャップ１５の上面には囲繞部材としてのシールキャッププレート１６が敷設されており、シールキャッププレート１６はプレート押さえ１６Ａによってシールキャップ１５に固定されている。
シールキャッププレート１６は石英ガラスが使用されて、シールキャップ１５の上面を略被覆（囲繞）する円板形状に形成されている。

シールキャップ１５のシールキャッププレート１６と反対側には、ボートを回転させる回転機構１７が設置されている。回転機構１７の回転軸１８はシールキャップ１５を貫通して、後述するボートに接続されており、ボートを回転させることでウエハ１を回転させるように構成されている。
ボートエレベータ１３および回転機構１７には、駆動制御部１９が電気配線２０によって電気的に接続されている。駆動制御部１９はボートエレベータ１３および回転機構１７を、所望のタイミングにて所望の動作をさせるように制御する。

基板保持具としてのボート２１は、石英ガラスや炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなる上下の端板２２、２３や複数本の保持柱２４が使用されて、全体的に見ると長い円筒形状になるように構築されており、保持柱２４には多数条のスロット（保持溝）２５（図２参照）が長手方向（垂直方向）に等間隔に配列されている。
ウエハ１の周縁部が同一段の複数個のスロット２５に同時に挿入されることにより、ボート２１は複数枚のウエハ１を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する。

ボート２１の下側には、ボート２１と同様な形状の断熱板ホルダ２６がボート２１を支持するように設けられ、この断熱板ホルダ２６により、断熱部材としての断熱板２７が水平姿勢で多段に複数枚支持されている。
断熱板２７は石英ガラスや炭化珪素等の耐熱性材料が使用されて、円板形状に形成されており、ヒータ３２からの熱が断熱板２７側に伝わり難くなるように構成されている。

図１に示されているように、筐体１１の上には処理炉３１が設置されている。
処理炉３１は加熱機構（加熱手段）としてのヒータ３２を有する。
ヒータ３２は円筒形状であり、垂直に据え付けられている。
ヒータ３２の内側にはプロセスチューブ３３がヒータ３２と同心円状に配設されている。プロセスチューブ３３は外管としてのアウタチューブ３４と、その内側に設けられた内管としてのインナチューブ３５とから構成されている。
アウタチューブ３４は石英ガラスや炭化珪素等の耐熱性材料が使用されて、内径がインナチューブ３５の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ３５と同心円状に設けられている。
インナチューブ３５は石英ガラスや炭化珪素等の耐熱性材料が使用されて、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ３５の筒中空部は処理室３６を形成しており、処理室３６はボート２１を垂直の状態で収容可能に構成されている。
アウタチューブ３４とインナチューブ３５との隙間によって、筒状空間３７が形成されている。

プロセスチューブ３３内には温度検出器としての温度センサ３８が設置されている。
ヒータ３２と温度センサ３８とには温度制御部３９が、それぞれ電気配線４０によって電気的に接続されている。
温度制御部３９は温度センサ３８により検出された温度情報に基づきヒータ３２への通電具合を調整することにより、処理室３６内の温度を所望の温度分布とさせるべく所望のタイミングにて制御する。

図１に示されているように、アウタチューブ３４の下端部外周には断熱筒４１が設置されており、断熱筒４１はヒータ３２とアウタチューブ３４との間に形成された隙間を閉塞している。
アウタチューブ３４の下端部には、処理室３６内の雰囲気を排気するラインとしての排気管４２が断熱筒４１を貫通して挿入されている。排気管４２は、アウタチューブ３４とインナチューブ３５との隙間によって形成される筒状空間３７の下端部に配置されており、筒状空間３７に連通している。

排気管４２の筒状空間３７との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ４３および圧力調整装置（可変コンダクタンスバルブ）４４を介して真空ポンプ等の排気装置４５が接続されている。
圧力調整装置４４および圧力センサ４３には圧力制御部４６が、電気配線４７によって電気的に接続されている。
圧力制御部４６は圧力センサ４３により検出された圧力に基づいて処理室３６内の圧力が所望の圧力とさせるべく所望のタイミングにて圧力調整装置４４を制御する。

図１および図２に示されているように、筐体１１のアウタチューブ３４の周りには支持柱５０が複数本（但し、１本のみが図示されている。）配置されており、支持柱５０によってアウタチューブ３４が吊持されている。すなわち、支持柱５０には下側フランジ５２が下側から当接されてボルト５０Ａによって締結されており、下側フランジ５２にはアウタチューブ３４が支持され、上側フランジ５１によって押さえられている。
上側フランジ５１および下側フランジ５２はステンレス等の機械的強度を有する金属材料が使用されて、アウタチューブ３４を支持可能な円形リング形状に形成されている。

上側フランジ５１の内部には冷却水通路５３が敷設されており、冷却水通路５３には冷却媒体としての冷却水５４を流通させる給水管および排水管（図示せず）が接続されている。
なお、冷却水通路５３は下側フランジ５２に敷設してもよいし、上側フランジ５１および下側フランジ５２の両方に敷設してもよい。
また、冷却水通路５３はジャケット構造やパイプを巻回した構造に構成してもよい。

図３および図４に示されているように、上側フランジ５１とアウタチューブ３４との間および下側フランジ５２とアウタチューブ３４との間の合わせ面間には、スラストクッション部材５５およびラジアルクッション部材５６が挟み込まれている。スラストクッション部材５５は弗素樹脂等が使用されて円形リング形状に形成されており、ラジアルクッション部材５６は弗素樹脂等が使用されてＬ字形の円形リング形状に形成されている。
つまり、石英ガラス製のアウタチューブ３４が金属製の上側フランジ５１および下側フランジ５２に接触しないような構造となっている。

下側フランジ５２およびアウタチューブ３４の下側にはアダプタ６０が配置されている。
金属汚染の低減を図るために、アダプタ６０は非金属材料である石英ガラスが使用されて、円形リング形状に形成されている。
石英ガラス製のアダプタ６０は金属製の上側フランジ５１および下側フランジ５２に接触しないように、上側フランジ５１および下側フランジ５２に連結されている。なお、上側フランジ５１と下側フランジ５２とは接触・連結されている。
すなわち、アダプタ６０の外周の上側コーナ部および下側コーナ部には、ステンレス等の機械的強度を有する金属材料が使用されて断面がＬ字形の円形リング形状に形成された上側押さえ６１および下側押さえ６２がそれぞれ被せ付けられているとともに、上側押さえ６１とアダプタ６０との合わせ面間および下側押さえ６２とアダプタ６０との合わせ面間には、弗素樹脂等が使用されて断面がＬ字形の円形リング形状に形成された上側クッション部材６３および下側クッション部材６４がそれぞれ挟み込まれている。なお、上側押さえ６１と下側押さえ６２とは、Ｌ字部分で接触・連結されている。
上側押さえ６１および下側押さえ６２が組み付けられたアダプタ６０は、支持柱５０に既に吊持された下側フランジ５２に締結される。

アダプタ６０の上面および下面には、いずれも凹部としての上側Ｏリング溝６５および下側Ｏリング溝６６がそれぞれ形成されており、上側Ｏリング溝６５および下側Ｏリング溝６６には上側Ｏリング６７および下側Ｏリング６８がそれぞれ収納されている。
上側Ｏリング溝６５および下側Ｏリング溝６６の断面形状は、上側Ｏリング６７および下側Ｏリング６８が容易に外れないように、所謂アリ溝を構成する開口側窄まりのテーパ形状になっている。
すなわち、上側Ｏリング溝６５および下側Ｏリング溝６６の外側側壁を形成するいずれも保持部材としての上側押さえ６１および下側押さえ６２における上側Ｏリング６７および下側Ｏリング６８との接触部と、上側Ｏリング溝６５および下側Ｏリング溝６６の内側側壁を形成するアダプタ６０の上面における上側Ｏリング６７および下側Ｏリング６８との接触部とが、互いに反対向きに傾斜する開口側窄まりのテーパ形状にそれぞれ形成されている。
つまり、これらを組立てた状態では、アダプタ６０のテーパ部と上側押さえ６１および下側押さえ６２のテーパ部とが、アリ溝と同様の形状となる。

アダプタ６０の内周面の上側縁部には保持溝６９が環状に形成されており、保持溝６９にはインナチューブ３５の下端部が嵌入されて保持されている。
インナチューブ３５はアダプタ６０の保持溝６９に嵌入しただけのシンプルな構造になっており、メンテナンスに際しては、インナチューブ３５はアダプタ６０ごと下ろすようになっている。

アダプタ６０の内周面の下側縁部には、シールキャッププレート１６の外周辺部を逃げる逃げ溝７０が環状に形成されている。
図４に示されたシールキャップ１５の下側Ｏリング６８の真空シール時に、シールキャッププレート１６とアダプタ６０とが０．３〜０．５ｍｍの隙間７１を形成するように、逃げ溝７０の深さ寸法は設定されている。
このようにして、シールキャッププレート１６とアダプタ６０とが直接接触するのを防止することにより、石英ガラス製のアダプタ６０の破損や接触によるパーティクル発生を抑制することができる。

図４に示されているように、エルボ形状に形成されたノズル８１の横部分はアダプタ６０の径方向に貫通されており、ノズル８１の縦部分はインナチューブ３５の内周面に沿って垂直に配置されている。
図１に示されているように、ノズル８１の上流側端には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）８２およびバルブ８３を介してガス供給源８４が接続されている。ガス供給源８４は処理ガスやパージガス等を供給するように構成されている。
ＭＦＣ８２にはガス流量制御部８５が電気配線８６によって電気的に接続されている。ガス流量制御部８５は供給するガスの流量を所望の量とさせるべく所望のタイミングにて、ＭＦＣ８２を制御する。

駆動制御部１９、温度制御部３９、圧力制御部４６およびガス流量制御部８５は、操作部および入出力部をも構成しており、ＣＶＤ装置全体を制御する主制御部９０に電気的に接続されている。
駆動制御部１９、温度制御部３９、圧力制御部４６、ガス流量制御部８５および主制御部９０はコントローラ９１として構成されている。

次に、本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法における成膜工程を、以上の構成に係るＣＶＤ装置１０を用いてウエハ１の上に薄膜を形成する工程について説明する。
なお、以下の説明において、ＣＶＤ装置を構成する各部の動作はコントローラ９１により制御される。

複数枚のウエハ１がボート２１に装填（ウエハチャージ）されると、複数枚のウエハ１を保持したボート２１はボートエレベータ１３によって持ち上げられて、図２で参照されるように、処理室３６に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ１５はＯリング６８を介してアダプタ６０の下端をシールした状態となる。

処理室３６内が所望の圧力（真空度）となるように、処理室３６内が排気装置４５によって排気される。
この際、処理室３６内の圧力は圧力センサ４３で測定され、この測定された圧力に基づき、圧力調整装置４４がフィードバック制御される。
また、処理室３６内が所望の温度となるように、処理室３６内がヒータ３２によって加熱される。
この際、処理室３６内が所望の温度分布となるように、温度センサ３８が検出した温度情報に基づきヒータ３２への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構１７によってボート２１が回転されることにより、ウエハ１が回転される。

次いで、処理ガスがノズル８１から処理室３６内に供給される。
供給されたガスは処理室３６内を上昇し、インナチューブ３５の上端開口から筒状空間３７に流出して排気管４２から排気される。
ガスは処理室３６内を通過する際にウエハ１の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ１の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。

予め設定された処理時間が経過すると、ガス供給源８４から窒素ガスが供給され、処理室３６内が窒素ガスに置換されるとともに、処理室３６内の圧力が常圧（大気圧）に復帰される。

その後、ボートエレベータ１３によりシールキャップ１５が下降されて、処理室３６の炉口が開放されるとともに、処理済ウエハ１がボート２１に保持された状態で、プロセスチューブ３３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
その後、処理済ウエハ１は冷却された後（ウエハ冷却ステップ）、ボート２１より取り出される（ウエハディスチャージステップ）。

以上の成膜工程において、プロセスチューブ３３の内部には金属面が露出していないので、ウエハ１に対する金属汚染を確実に防止することができる。

ところで、真空シールに使用される高温対応のＯリングの耐熱温度は、約３００℃である。そのため、前述した成膜工程の高温プロセスにおいても、真空シール用のＯリングの維持温度を当該耐熱温度以下に保つ必要がある。
ここで、石英ガラス製のアダプタ６０にアリ溝形状のＯリング溝６５、６６を直接的に設ける構造では、Ｏリング溝６５、６６に収納したＯリング６７、６８の温度を当該耐熱温度である３００℃以下に維持することは困難である。

しかし、本実施の形態に係る石英ガラス製のアダプタ６０に形成したＯリング溝６５、６６によれば、次のような作用により、Ｏリング６７、６８の温度を当該耐熱温度である３００℃以下に維持することができる。
図４に示された状態において、いずれも熱伝達効率の良好な金属によって形成された上側フランジ５１や下側フランジ５２や上側押さえ６１および下側押さえ６２が、冷却水通路５３の冷却水５４による上側フランジ５１の水冷によって効果的に冷却され、しかも、上側Ｏリング溝６５および下側Ｏリング溝６６の一部を構成した上側押さえ６１および下側押さえ６２が上側Ｏリング６７および下側Ｏリング６８に直接的に接触しているために、上側Ｏリング６７および下側Ｏリング６８はきわめて効果的に冷却される。
換言すれば、石英ガラス製のアダプタ６０から上側Ｏリング６７や下側Ｏリング６８へ熱伝導した熱は、熱伝達効率の高い金属製の上側押さえ６１や下側押さえ６２に熱伝導によってきわめて効率的に伝達し、熱伝達効率の高い金属製の上側フランジ５１や下側フランジ５２を経由して冷却水５４に放出する。

図５は放熱効果を比較して示す熱解析結果の模式図である。
図５（ａ）はアダプタが金属材料によって形成された場合（以下、従来例という。）、図５（ｂ）はアダプタにアリ溝形状のＯリング溝を形成した場合（以下、比較例という。）、図５（ｃ）は本実施の形態の場合（以下、本実施の形態という。）を示している。
この熱解析結果は、ヒータ３２の温度が７００℃の時の炉口部分にそれぞれ配置された各Ｏリングの温度を計算したものである。
この結果によれば、比較例においては各部のＯリングの温度が従来例のそれに比べて上昇しているが、本実施の形態においてはＯリングの温度を従来例と同等の温度に維持することができることが分かる。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

（１）アダプタを石英ガラスによって形成することにより、炉口部の金属露出面を減少することができるので、プロセス中の金属汚染を低減することができる。

（２）Ｏリング溝の一部を金属製の上側押さえおよび下側押さえによって形成するとともに、Ｏリングを処理室の外側から強制的に冷却することにより、処理室内に金属面を露出することなくＯリングを効果的に冷却することができるので、Ｏリングの熱による劣化を防止することができ、高温プロセスにも対応することができる。

（３）Ｏリング溝をアリ溝形状に形成することにより、万一、Ｏリングが石英ガラス製のアダプタに張り付いた場合であっても、ＯリングがＯリング溝から外れるのを防止することができる。

（４）アダプタの内周面の上側縁部に保持溝を環状に形成し、保持溝にインナチューブの下端部を嵌入することにより、インナチューブをアダプタの保持溝に嵌入しただけのシンプルな構造で保持することができるので、インナチューブを処理室内で移動・回転させることなく、 容易かつ安全に下ろすことができる。

（５）筐体のアウタチューブ周りに配置した複数本の支持柱にフランジを締結するとともに、フランジにアダプタを締結することにより、処理室内の締結部材の使用数を低減することができるので、メンテナンス後の金属汚染増加リスクを低減することができる。

図６は本発明の他の実施の形態であるＣＶＤ装置を示しており、図４に相当する主要部の正面断面図である。

本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、逃げ溝を省略してシールキャッププレート１６の上面を下側Ｏリング６８に押接させ、かつ、シールキャップ１５の上面に形成したＯリング溝７２にＯリング７３を収納して、そのＯリング７３をシールキャッププレート１６の下面に押接させた点である。

前記実施の形態においては、アダプタ６０とシールキャッププレート１６との間に逃げ溝７０が設けられているために、処理ガスやクリーニングガスが逃げ溝７０に侵入し、侵入したガスが金属製のシールキャップ１５の表面を腐蝕させる懸念がある。
しかし、本実施の形態においては、アダプタ６０とシールキャッププレート１６との隙間に処理ガスやクリーニングガスが侵入しても、侵入したガスは下側Ｏリング６８およびＯリング７３によって遮断されるために、金属製のシールキャップ１５の表面がガスによって腐蝕される現象を防止することができる。

なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

例えば、アダプタやシールキャッププレートは、石英ガラスによって形成するに限らず、他のガラスによって形成してもよい。

前記実施の形態においては、ＣＶＤ装置について説明したが、本発明は酸化膜形成装置や拡散装置およびアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。

前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。

本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室が形成される内管と、
該内管を取り囲む外管と、
非金属材料で形成され、前記内管と前記外管との間を区画するように設けられるアダプタと、
前記アダプタの前記外管側に設けられる凹部と、
前記外管と前記凹部との間に設けられる密閉部材と、
前記外管と前記凹部との間に設けられ、前記アダプタより熱伝導率の高い材料で形成され該密閉部材を保持する保持部材と、
を備える基板処理装置。
（２）基板を処理する処理室が形成される内管と、
該内管を取り囲む外管と、
非金属材料で形成され、前部内管と前記外管との間を区画するように設けられるアダプタと、
前記アダプタの前記外管側に設けられる凹部と、
前記外管と前記凹部との間に設けられる密閉部材と、
前記外管と前記凹部との間に設けられ、前記アダプタより熱伝導率の高い材料で形成され該密閉部材を保持する保持部材と、
該保持部材と熱的に連結している冷却媒体によって冷却される被冷却部材と、
を備える基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内に基板を搬入するステップと、
前記冷却媒体が少なくとも前記被冷却部材および前記保持部材を冷却しつつ、
前記処理室内で基板を処理するステップと、
前記処理室内から基板を搬出するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
（３）基板を処理する処理室が形成される内管と、
該内管を取り囲む外管と、
前記処理室内にガスを供給するように設けられるガス供給口を有し、非金属材料で形成され、前記内管と前記外管の間を区画するように設けられるアダプタと、
前記アダプタの前記外管側に設けられる凹部と、
前記外管と前記凹部との間に設けられる密閉部材と、
前記外管と前記凹部との間に設けられ、前記アダプタより熱伝導率の高い材料で形成され該密閉部材を保持する保持部材と、
を備える基板処理装置。
（４）前記保持部材は、金属材料で形成される前記（１）（３）の基板処理装置。
（５）前記保持部材は、冷却媒体によって冷却される部材と熱的に連結している前記（１）（３）の基板処理装置。
（６）前記アダプタの前記外管側と反対側に昇降可能に設けられ、前記処理室を蓋する蓋体と、
前記アダプタの前記蓋体側に設けられる第二の凹部と、
前記外管と前記第二の凹部との間に設けられる第二の密閉部材と、
前記外管と前記第二の凹部との間に設けられ、前記アダプタより熱伝導率の高い材料で形成され該第二の密閉部材および前記アダプタを保持する第二の保持部材と、
をさらに備える前記（１）（３）の基板処理装置。
（７）前記第二の保持部材は、金属材料で形成される前記（４）の基板処理装置。
（８）前記第二の保持部材は、冷却媒体によって冷却される部材と熱的に連結している前記（４）の基板処理装置。
（９）前記アダプタは、ガラスで形成される前記（１）（３）（４）の基板処理装置。
（１０）前記アダプタは、石英ガラスで形成される前記（１）（３）（４）の基板処理装置。
（１１）前記アダプタの前記蓋体側であって、第二の凹部より前記処理室側に設けられる第三の凹部と、
前記蓋体と前記第三の凹部との間に設けられ、前記蓋体の前記処理室側を覆う非金属材料からなる囲繞部材と、
をさらに備える前記（１）（３）（４）の基板処理装置。
（１２）前記アダプタおよび前記囲繞部材は、ガラスで形成される前記（１１）の基板処理装置。
（１３）前記アダプタおよび前記囲繞部材は、石英ガラスで形成される前記（１１）の基板処理装置。
（１４）前記外管と前記第一の保持部材との間に設けられ、前記外管を底面から支持する第三の保持部材と、をさらに備える前記（１）（３）（４）（１１）の基板処理装置。

本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す正面断面図である。 処理炉の成膜ステップ時を示す正面断面図である。 主要部の分解正面断面図である。 成膜ステップ時を示す主要部の正面断面図である。 放熱効果を比較して示す熱解析結果の模式図である。 本発明の他の実施の形態であるＣＶＤ装置を示しており、図４に相当する主要部の正面断面図である。

符号の説明

１…ウエハ（基板）、
１０…ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…待機室、
１３…ボートエレベータ、１４…アーム、１５…シールキャップ、１６…シールキャッププレート（囲繞部材）、１６Ａ…プレート押さえ、１７…回転機構、１８…回転軸、１９…駆動制御部、２０…電気配線、
２１…ボート、２２、２３…端板、２４…保持柱、２５…スロット（保持溝）、２６…断熱板ホルダ、２７…断熱板、
３１…処理炉、３２…ヒータ（加熱機構）、３３…プロセスチューブ、３４…アウタチューブ（外管）、３５…インナチューブ（内管）、３６…処理室、３７…筒状空間、
３８…温度センサ（温度検出器）、３９…温度制御部、４０…電気配線、
４１…断熱筒、４２…排気管、４３…圧力センサ（圧力検出器）、４４…圧力調整装置、４５…排気装置、４６…圧力制御部、４７…電気配線、
５０…支持柱、５１…上側フランジ、５２…下側フランジ、５３…冷却水通路、５４…冷却水（冷却媒体）、５５…スラストクッション部材、５６…ラジアルクッション部材、
６０…アダプタ、６１…上側押さえ（保持部材）、６２…下側押さえ（保持部材）、６３…上側クッション部材、６４…下側クッション部材、６５…上側Ｏリング溝（凹部）、６６…下側Ｏリング溝（凹部）、６７…上側Ｏリング（密閉部材）、６８…下側Ｏリング（密閉部材）、６９…保持溝、７０…逃げ溝、７１…隙間、
７２…Ｏリング溝（凹部）、７３…Ｏリング（密閉部材）、
８１…ノズル、８２…ＭＦＣ（ガス流量制御器）、８３…バルブ、８４…ガス供給源、８５…ガス流量制御部、８６…電気配線、
９０…主制御部、９１…コントローラ。

Claims (2)

1. 基板を処理する処理室が形成される内管と、
   該内管を取り囲む外管と、
   非金属材料で形成され、前記内管と前記外管との間を区画するように設けられるアダプタと、
   前記アダプタの前記外管側に設けられる凹部と、
   前記外管と前記凹部との間に設けられる密閉部材と、
   前記外管と前記凹部との間に設けられ、前記アダプタより熱伝導率の高い材料で形成され該密閉部材を保持する保持部材と、
   を備える基板処理装置。
2. 基板を処理する処理室が形成される内管と、
   該内管を取り囲む外管と、
   非金属材料で形成され、前部内管と前記外管との間を区画するように設けられるアダプタと、
   前記アダプタの前記外管側に設けられる凹部と、
   前記外管と前記凹部との間に設けられる密閉部材と、
   前記外管と前記凹部との間に設けられ、前記アダプタより熱伝導率の高い材料で形成され該密閉部材を保持する保持部材と、
   該保持部材と熱的に連結している冷却媒体によって冷却される被冷却部材と、
   を備える基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、
   前記処理室内に基板を搬入するステップと、
   前記冷却媒体が少なくとも前記被冷却部材および前記保持部材を冷却しつつ、
   前記処理室内で基板を処理するステップと、
   前記処理室内から基板を搬出するステップと、
   を有する半導体装置の製造方法。

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