JP2009107113A - 微細ワイヤの製造方法、並びに微細ワイヤを含むセンサ及びその製造方法 - Google Patents
微細ワイヤの製造方法、並びに微細ワイヤを含むセンサ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009107113A JP2009107113A JP2008275474A JP2008275474A JP2009107113A JP 2009107113 A JP2009107113 A JP 2009107113A JP 2008275474 A JP2008275474 A JP 2008275474A JP 2008275474 A JP2008275474 A JP 2008275474A JP 2009107113 A JP2009107113 A JP 2009107113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- fine wire
- manufacturing
- substrate
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 93
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 52
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 45
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 32
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 27
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 27
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 18
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 8
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 claims description 6
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 5
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 5
- 150000004992 toluidines Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 71
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- -1 polyacentilen Polymers 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/04—Wires; Strips; Foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明による微細ワイヤの製造方法は、微細ワイヤ形成用溶液に3次元電場を印加して微細ワイヤを形成する。ここで、微細ワイヤの製造方法は、広幅及び前記広幅より狭い狭幅を有する空間部が間に形成される、第1電極及び第2電極を含む電極部を準備する段階と、前記空間部に前記溶液を提供する段階と、及び、前記第1電極及び前記第2電極に電圧を印加して、前記溶液に3次元電場を印加する段階とを含む。
【選択図】図5
Description
また、本発明の他の目的は、製造効率を向上させ、形成及び位置を制御できる微細ワイヤを含むセンサ及びその製造方法を提供することである。
第1電極及び第2電極が対向部を備えることにより、3次元電場が印加される領域を増加させることができ、その結果、微細ワイヤの形成をさらに促進することができる。
(100)シリコン基板に湿式酸化法でシリコン酸化膜からなる第1酸化膜を形成した。次に、この第1酸化膜の上にAZ5214感光剤を塗布し、紫外線光源に17秒間露出させた後、露光し、AZ300MIF現像液で現像して開口を備えるパターン膜を形成した。パターン膜の開口に対応する第1酸化膜の部分をバッファー酸化物エッチング液で除去した。
100mlの超純水溶液に0.1重量%のソジウムドデシルスルフェート(sodium dodecylsulfate)と、1mgの単一壁炭素ナノチューブを混合した後、超音波を20分間印加して炭素ナノチューブが溶液に均一に拡散するようにした。この炭素ナノチューブ溶液とピロールの比率が100:1(約0.15M)になるように、炭素ナノチューブ溶液にピロールを添加した後混合して溶液を製造した。
溶液の製造において、炭素ナノチューブ溶液とピロールの比率が50:1(約0.3M)になるようにピロールを添加することを除けば、製造例2と同様の方法で第1電極と第2電極の間に微細ワイヤを形成した。
第1電極及び第2電極に周波数が100kHzの交流電圧を印加することを除けば、製造例2と同様の方法で微細ワイヤを製造した。
第1電極及び第2電極に周波数が10kHzの交流電圧を印加することを除けば、製造例2と同様の方法で微細ワイヤを製造した。
製造例4及び5で製造した微細ワイヤの写真を、それぞれ図11a及び11bに示した。
12 第1酸化膜
16 第2酸化膜
12a、14a 開口
14 パターン膜
20 溝
31 第1電極
32 第2電極
31a、32a 対向部
31b、32b 平面部
50 空間部
60 溶液
70 滴下装置
80 微細ワイヤ
Claims (44)
- 微細ワイヤ形成用溶液に3次元電場を印加して微細ワイヤを形成する微細ワイヤの製造方法。
- 前記微細ワイヤの製造方法は、
基板、前記基板に形成され、広幅及び前記広幅より狭い狭幅を有する空間部が間に形成される、第1電極及び第2電極を含む電極部を準備する段階と、
前記空間部に前記溶液を提供する段階と、及び、
前記第1電極及び前記第2電極に電圧を印加して、前記溶液に3次元電場を印加する段階とを含む請求項1に記載の微細ワイヤの製造方法。 - 前記空間部の幅は、前記基板の内部に向かうほど次第に小さくなる請求項2に記載の微細ワイヤの製造方法。
- 前記第1電極及び前記第2電極は、前記空間部を介在して互いに対向して形成される対向部をそれぞれ含み、
前記第1電極及び前記第2電極の対向部のうちの少なくとも一つの平面形状が四角形である請求項2に記載の微細ワイヤの製造方法。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、前記空間部を介在して互いに対向して形成される対向部をそれぞれ含み、
前記第1電極及び前記第2電極の対向部のうちの少なくとも一つの平面形状は、互いに近づくほど幅が小さくなる請求項2に記載の微細ワイヤの製造方法。 - 前記電極部を準備する段階は、
基板を準備する段階と、
前記基板に溝を形成する段階と、及び、
少なくとも前記溝の第1内面に前記第1電極を形成し、少なくとも前記溝の第2内面に前記第2電極を形成する段階とを含む請求項2に記載の微細ワイヤの製造方法。 - 前記電極部を準備する段階は、
基板を準備する段階と、
前記基板上に第1酸化膜を形成する段階と、
前記基板と前記第1酸化膜に溝を形成する段階と、
前記第1酸化膜を除去し、前記基板上に第2酸化膜を形成する段階と、及び、
前記第2酸化膜の上で少なくとも前記溝の第1内面に前記第1電極を形成し、少なくとも前記溝の第2内面に前記第2電極を形成する段階とを含む請求項2に記載の微細ワイヤの製造方法。 - 前記基板は、シリコン基板である請求項6又は7に記載の微細ワイヤの製造方法。
- 前記3次元電場は、交流電圧により形成される請求項1又は2に記載の微細ワイヤの製造方法。
- 前記交流電圧の周波数は、10kHz〜10MHz範囲である請求項9に記載の微細ワイヤの製造方法。
- 前記空間部に前記溶液を提供する段階は、
前記空間部に前記溶液を滴下したり、前記電極部を前記溶液に浸漬することによって行われる請求項2に記載の微細ワイヤの製造方法。 - 前記微細ワイヤは、導電性高分子微細ワイヤである請求項1又は2に記載の微細ワイヤの製造方法。
- 前記溶液は、溶媒、導電性高分子の単量体、及び触媒を含む請求項12に記載の微細ワイヤの製造方法。
- 前記触媒は、炭素ナノチューブ(CNT)及び金ナノ粒子(gold nano particle)からなる群より選択される請求項13に記載の微細ワイヤの製造方法。
- 前記導電性高分子の単量体は、ピロール、アニリン、アセチレン、チオフェン、イソチオフェン、フェニレン、トルイジン、アジン、アセン、アズレン、ピリジン、及びインドールからなる群より選択された1又は2以上である請求項13に記載の微細ワイヤの製造方法。
- 前記溶液は、前記溶媒に前記触媒を混合する段階と、及び、前記触媒が混合された溶媒に前記導電性高分子の単量体を添加して混合する段階により製造され、
前記溶媒に前記触媒を混合する段階において、前記触媒は、前記溶媒の全量に対して0.01〜5重量%を添加する請求項13に記載の微細ワイヤの製造方法。 - 前記微細ワイヤは、マイクロメートル又はナノメートル程度の直径を有する請求項1に記載の微細ワイヤの製造方法。
- 基板、前記基板に形成され、広幅及び前記広幅より狭い狭幅を有する空間部が互いの間に形成される、第1電極及び第2電極を含む電極部を準備する段階と、
前記空間部に微細ワイヤ形成用溶液を提供する段階と、及び、
前記溶液に3次元電場を印加して、第1電極及び第2電極を連結する微細ワイヤを形成する段階とを含むセンサの製造方法。 - 前記空間部の幅は、前記基板の内部に向かうほど次第に小さくなる請求項18に記載のセンサの製造方法。
- 前記第1電極及び前記第2電極は、前記空間部を介在して互いに対向して形成される対向部をそれぞれ含み、
前記第1電極及び前記第2電極の対向部のうちの少なくとも一つの平面形状は四角形である請求項18に記載のセンサの製造方法。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、前記空間部を介在して互いに対向して形成される対向部をそれぞれ含み、
前記第1電極及び前記第2電極の対向部のうちの少なくとも一つの平面形状は、互いに近づくほど幅が次第に小さくなる請求項18に記載のセンサの製造方法。 - 前記電極部を準備する段階は、
基板を準備する段階と、
前記基板に溝を形成する段階と、及び、
少なくとも前記溝の第1内面に前記第1電極を形成し、少なくとも前記溝の第2内面に前記第2電極を形成する段階とを含む請求項18に記載のセンサの製造方法。 - 前記電極部を準備する段階は、
基板を準備する段階と、
前記基板上に第1酸化膜を形成する段階と、
前記基板と前記第1酸化膜に溝を形成する段階と、
前記第1酸化膜を除去し、前記基板上に第2酸化膜を形成する段階と、及び、
前記第2酸化膜の上で少なくとも前記溝の第1内面に前記第1電極を形成し、少なくとも前記溝の第2内面に前記第2電極を形成する段階とを含む請求項18に記載のセンサの製造方法。 - 前記基板は、シリコン基板である請求項22又は23に記載のセンサの製造方法。
- 前記3次元電場は、交流電圧により形成される請求項18に記載のセンサの製造方法。
- 前記交流電圧の周波数は、10kHz〜10MHz範囲である請求項25に記載のセンサの製造方法。
- 前記空間部に前記溶液を提供する段階は、
前記空間部に前記溶液を滴下したり、前記電極部を前記溶液に浸漬することによって行われる請求項18に記載のセンサの製造方法。 - 前記微細ワイヤは、導電性高分子微細ワイヤである請求項18に記載のセンサの製造方法。
- 前記溶液は、溶媒、導電性高分子の単量体、及び触媒を含む請求項28に記載のセンサの製造方法。
- 前記触媒は、炭素ナノチューブ(CNT)及び金ナノ粒子(gold nano particle)からなる群より選択される請求項29に記載のセンサの製造方法。
- 前記導電性高分子の単量体は、ピロール、アニリン、アセチレン、チオフェン、イソチオフェン、フェニレン、トルイジン、アジン、アセン、アズレン、ピリジン、及びインドールからなる群より選択された1又は2以上である請求項29に記載のセンサの製造方法。
- 前記溶液は、前記溶媒に前記触媒を混合する段階と、及び、前記触媒が混合された溶媒に前記導電性高分子の単量体を添加して混合する段階により製造され、
前記溶媒に前記触媒を混合する段階において、前記触媒は、前記溶媒の全量に対して0.01〜5重量%を添加する請求項29に記載のセンサの製造方法。 - 前記微細ワイヤは、マイクロメートル又はナノメートル程度の直径を有する請求項18に記載のセンサの製造方法。
- 溝が形成された基板と、
少なくとも前記溝の内面に形成され、広幅及び前記広幅より狭い狭幅を有する空間部を介在して互いに対向して形成される第1電極及び第2電極と、及び、
前記第1電極及び前記第2電極を電気的に連結する微細ワイヤとを含むセンサ。 - 前記空間部の幅は、前記基板の内部に向けるほど小さくなる請求項34に記載のセンサ。
- 前記溝の断面形状は、ノッチ形状である請求項34に記載のセンサ。
- 前記第1電極及び前記第2電極は、互いに対向して形成され、前記空間部を形成する対向部をそれぞれ含み、
前記第1電極及び前記第2電極の対向部のうちの少なくとも一つの平面形状は四角形である請求項34に記載のセンサ。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、互いに対向して形成され、前記空間部を形成する対向部をそれぞれ含み、
前記第1電極及び前記第2電極の対向部のうちの少なくとも一つの平面形状は、互いに近づくほど幅が次第に小さくなる請求項34に記載のセンサ。 - 前記基板はシリコン基板である請求項37又は38に記載のセンサ。
- 前記基板と前記第1及び第2電極の間に酸化膜がさらに形成される請求項34に記載のセンサ。
- 前記微細ワイヤは、導電性高分子微細ワイヤである請求項34に記載のセンサ。
- 前記微細ワイヤは、触媒をさらに含む微細ワイヤである請求項41に記載のセンサ。
- 前記触媒は、炭素ナノチューブ、及び金ナノ粒子からなる群より選択される請求項42に記載のセンサ。
- 前記微細ワイヤは、マイクロメートル又はナノメートル程度の直径を有する請求項34に記載のセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0110157 | 2007-10-31 | ||
KR1020070110157A KR100949375B1 (ko) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 미세 와이어 제조 방법, 그리고 미세 와이어를 포함하는 센서 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009107113A true JP2009107113A (ja) | 2009-05-21 |
JP5329918B2 JP5329918B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=40587017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008275474A Expired - Fee Related JP5329918B2 (ja) | 2007-10-31 | 2008-10-27 | 微細ワイヤの製造方法、並びに微細ワイヤを含むセンサ及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8647490B2 (ja) |
JP (1) | JP5329918B2 (ja) |
KR (1) | KR100949375B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101299079B1 (ko) * | 2011-09-15 | 2013-08-27 | 인하대학교 산학협력단 | V형 트렌치 적용 나노선 센서 |
KR101331021B1 (ko) | 2013-02-28 | 2013-11-19 | 주식회사 엔디디 | 바이오 센서 |
KR101803060B1 (ko) * | 2016-08-11 | 2017-11-29 | 한국기계연구원 | 와이어 본딩방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101239636B1 (ko) * | 2011-04-08 | 2013-03-11 | 국방과학연구소 | Mems 공진기, 이를 구비하는 센서 및 mems 공진기의 제조방법 |
US20160139069A1 (en) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | Neem Scientific, Inc. | Large scale, low cost nanosensor, nano-needle, and nanopump arrays |
US9859500B2 (en) * | 2016-02-18 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Formation of carbon nanotube-containing devices |
GB202020563D0 (en) * | 2020-12-23 | 2021-02-03 | Power Roll Ltd | Sensor device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004136377A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分子ナノワイヤ−ナノ微粒子複合体、その製造方法ならびに該複合体を用いた分子ワイヤリング法 |
JP2004193325A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2005164871A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Hitachi Ltd | 光半導体素子実装用基板及びその製造方法 |
JP2006054072A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Hitachi High-Technologies Corp | マルチ電子ビーム描画装置用デバイス及びその製造方法 |
JP2007123657A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5540981A (en) * | 1994-05-31 | 1996-07-30 | Rohm And Haas Company | Inorganic-containing composites |
JP2624186B2 (ja) * | 1994-07-29 | 1997-06-25 | 日本電気株式会社 | 貼り合わせシリコン基板の製造方法 |
JP2000150634A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20030048619A1 (en) * | 2001-06-15 | 2003-03-13 | Kaler Eric W. | Dielectrophoretic assembling of electrically functional microwires |
NZ513637A (en) * | 2001-08-20 | 2004-02-27 | Canterprise Ltd | Nanoscale electronic devices & fabrication methods |
JP4635410B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2011-02-23 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7067867B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-06-27 | Nanosys, Inc. | Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
CA2515105A1 (en) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Nano Cluster Devices Limited | Templated cluster assembled wires |
US8187865B2 (en) * | 2003-06-12 | 2012-05-29 | California Institute Of Technology | Nanowire sensor, sensor array, and method for making the same |
US20070051942A1 (en) * | 2003-09-24 | 2007-03-08 | Nanocluster Devices Limited | Etch masks based on template-assembled nanoclusters |
US7311776B2 (en) * | 2003-12-30 | 2007-12-25 | The Regents Of The University Of California | Localized synthesis and self-assembly of nanostructures |
US20090294303A1 (en) * | 2004-10-12 | 2009-12-03 | The Regents Of The University Of California | method for identifying compounds that affect a transport of a protein through menbrane trafficking pathway |
WO2006124055A2 (en) * | 2004-10-12 | 2006-11-23 | Nanosys, Inc. | Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires |
US8034222B2 (en) * | 2004-10-26 | 2011-10-11 | The Regents Of The University Of California | Conducting polymer nanowire sensors |
CN1976869B (zh) * | 2005-02-10 | 2010-12-22 | 松下电器产业株式会社 | 用于维持微细结构体的结构体、半导体装置、tft驱动电路、面板、显示器、传感器及它们的制造方法 |
US20060188934A1 (en) * | 2005-02-22 | 2006-08-24 | Ying-Lan Chang | System and method for implementing a high-sensitivity sensor with improved stability |
JP2008545539A (ja) * | 2005-05-27 | 2008-12-18 | ザ・プロヴォスト,フェローズ・アンド・スカラーズ・オブ・ザ・カレッジ・オブ・ザ・ホーリー・アンド・アンディヴァイデッド・トリニティー・オブ・クイーン・エリザベス,ニア・ダブリン | 導電性ナノワイヤの製造方法 |
US20060281321A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Conley John F Jr | Nanowire sensor device structures |
US8080481B2 (en) * | 2005-09-22 | 2011-12-20 | Korea Electronics Technology Institute | Method of manufacturing a nanowire device |
WO2007047523A2 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Pennsylvania State University | System and method for positioning and synthesizing of nanostructures |
US7737533B2 (en) * | 2006-08-10 | 2010-06-15 | Vishay General Semiconductor Llc | Low voltage transient voltage suppressor with tapered recess extending into substrate of device allowing for reduced breakdown voltage |
US7871531B2 (en) * | 2006-09-27 | 2011-01-18 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing liquid ejection head |
KR100757328B1 (ko) * | 2006-10-04 | 2007-09-11 | 삼성전자주식회사 | 단전자 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US8361297B2 (en) * | 2008-01-11 | 2013-01-29 | The Penn State Research Foundation | Bottom-up assembly of structures on a substrate |
US8668833B2 (en) * | 2008-05-21 | 2014-03-11 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Method of forming a nanostructure |
-
2007
- 2007-10-31 KR KR1020070110157A patent/KR100949375B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-10-15 US US12/251,609 patent/US8647490B2/en active Active
- 2008-10-27 JP JP2008275474A patent/JP5329918B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004136377A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分子ナノワイヤ−ナノ微粒子複合体、その製造方法ならびに該複合体を用いた分子ワイヤリング法 |
JP2004193325A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2005164871A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Hitachi Ltd | 光半導体素子実装用基板及びその製造方法 |
JP2006054072A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Hitachi High-Technologies Corp | マルチ電子ビーム描画装置用デバイス及びその製造方法 |
JP2007123657A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6011057140; Taechang An、Pan Kyeom Kim、Hyobong Ryu、Geunbae Lim: '"Fabrication of Carbon Nanotube Bridge in V-groove Channel Uwing Dielectrophoresis"' Proceeding of the 7th IEEE International Conference on Nanotechnology , 20070802, pp.511-514, Institute of Electrical and Electroniÿ * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101299079B1 (ko) * | 2011-09-15 | 2013-08-27 | 인하대학교 산학협력단 | V형 트렌치 적용 나노선 센서 |
KR101331021B1 (ko) | 2013-02-28 | 2013-11-19 | 주식회사 엔디디 | 바이오 센서 |
KR101803060B1 (ko) * | 2016-08-11 | 2017-11-29 | 한국기계연구원 | 와이어 본딩방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090044187A (ko) | 2009-05-07 |
US8647490B2 (en) | 2014-02-11 |
JP5329918B2 (ja) | 2013-10-30 |
US20090114541A1 (en) | 2009-05-07 |
KR100949375B1 (ko) | 2010-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5329918B2 (ja) | 微細ワイヤの製造方法、並びに微細ワイヤを含むセンサ及びその製造方法 | |
Park et al. | Nanoscale patterning and electronics on flexible substrate by direct nanoimprinting of metallic nanoparticles | |
Tyagi et al. | Recent progress in micro-scale energy storage devices and future aspects | |
US10815582B2 (en) | Damascene template for directed assembly and transfer of nanoelements | |
Huang et al. | Graphene‐based materials: synthesis, characterization, properties, and applications | |
Bach-Toledo et al. | Conducting polymers and composites nanowires for energy devices: A brief review | |
Liu et al. | Redox exchange induced MnO2 nanoparticle enrichment in poly (3, 4-ethylenedioxythiophene) nanowires for electrochemical energy storage | |
Li et al. | Controlled electrophoretic patterning of polyaniline from a colloidal suspension | |
Deepshikha et al. | A review on synthesis and characterization of nanostructured conducting polymers (NSCP) and application in biosensors | |
Zhang et al. | Synthesis of poly (3, 4-ethylenedioxythiophene) microspheres by ultrasonic spray polymerization (USPo) | |
Bagherzadeh et al. | Electrospun conductive nanofibers for electronics | |
Wang et al. | Novel charge transport in DNA-templated nanowires | |
Wei et al. | Low-cost and high-productivity three-dimensional nanocapacitors based on stand-up ZnO nanowires for energy storage | |
US9671360B2 (en) | Biosensor and method for manufacturing same | |
US20070110639A1 (en) | System and method for positioning and synthesizing of nanostructures | |
Shih et al. | Two-dimensional arrays of self-assembled gold and sulfur-containing fullerene nanoparticles | |
Lee et al. | Controlled nanoparticle assembly by dewetting of charged polymer solutions | |
Ma et al. | Robust and Flexible Micropatterned Electrodes and Micro‐Supercapacitors in Graphene–Silk Biopapers | |
Lv et al. | Micro/Nano‐Fabrication of Flexible Poly (3, 4‐Ethylenedioxythiophene)‐Based Conductive Films for High‐Performance Microdevices | |
Pawar et al. | Performance of chemically synthesized polyaniline film based asymmetric supercapacitor: effect of reaction bath temperature | |
Sołoducho et al. | Conducting polymers in sensor design | |
Jajcevic et al. | Lipid Nanotubes as an Organic Template for an Electrically Conductive Gold Nanostructure Network | |
KR100795309B1 (ko) | 탄소나노튜브를 이용한 도전성 볼의 제조 방법 | |
Zhong et al. | Effect of surface treatment on performance and internal stacking mode of electrohydrodynamic printed graphene and its microsupercapacitor | |
JP7026120B2 (ja) | 化学機械的平坦化なしで製作されたナノ要素プリンティング用のダマシンテンプレート |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130206 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130613 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130725 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5329918 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |