JP2009105436A - 高誘電体材料の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅3μm、高さ1.5μmのリッジ加工が可能となる。また、酸素放電による結晶回復、結晶欠陥除去を実施することで光散乱を抑制することができ、光閉じ込めが実現できる。
【選択図】図1
Description
2 誘導結合コイル印加用高周波電源
3 誘導結合コイル用マッチングBOX
4 誘導結合コイル
5 誘電板(石英板)
6 基板(ニオブ酸リチウム)
7 下部電極
8 下部電極用高周波電源
9 下部電極印加用高周波電源
10 圧力コントローラー
11 ターボ分子ポンプ
14 金属膜
15 レジストマスク
16 プロトン交換層
17 側壁保護膜
Claims (2)
- 基板に形成される材料がニオブ酸リチウムもしくは基板自体がニオブ酸リチウムであり、前記ニオブ酸リチウムをエッチングする際にレジストマスクが用いられる高誘電体材料の加工方法において、
真空容器内にC4F8ガスを供給しつつ排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、前記真空容器内の前記基板を載置する電極に高周波電力を印加することで前記真空容器内にCF2ラジカルを含んだプラズマを発生させる際、前記ニオブ酸リチウムのエッチング面が時間と共にエッチングされる過程でレジストマスク近傍のニオブ酸リチウムのエッチング側面に側壁保護膜を付着させながらエッチングすること
を特徴とする高誘電体材料の加工方法。 - 真空容器内の所定に制御する圧力が1.0Pa以下であることを特徴とする請求項1記載の高誘電体材料の加工方法。
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CN102082078A (zh) * | 2010-10-22 | 2011-06-01 | 上海技美电子科技有限公司 | 适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置 |
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JP2002373887A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Ulvac Japan Ltd | 高誘電体のエッチング装置 |
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2009
- 2009-01-26 JP JP2009014026A patent/JP2009105436A/ja active Pending
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CN102082078B (zh) * | 2010-10-22 | 2012-10-03 | 上海技美电子科技有限公司 | 适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置 |
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