JP2009105148A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009105148A JP2009105148A JP2007274044A JP2007274044A JP2009105148A JP 2009105148 A JP2009105148 A JP 2009105148A JP 2007274044 A JP2007274044 A JP 2007274044A JP 2007274044 A JP2007274044 A JP 2007274044A JP 2009105148 A JP2009105148 A JP 2009105148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- interlayer insulating
- insulating film
- groove
- layer wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【課題】配線幅が0.4μm以下であっても、ストレスによる上層配線の断線の発生を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】所定のパターンに形成された第1配線4上には、第2層間絶縁膜5が積層されている。第2層間絶縁膜5には、その上面から掘り下がった第2配線溝6が形成され、この第2配線溝6には、Cuからなり、0.4μm以下の配線幅を有する第2配線7が埋設されている。平面視で第1配線4が形成されていない領域において、第2層間絶縁膜5には、第2配線溝6の底面から掘り下がった肉厚部用溝10が形成されている。第2配線7は、この肉厚部用溝11を第2配線7と同じ金属材料で埋め尽くすことによって一体的に形成された肉厚部11を有している。
【選択図】図1
【解決手段】所定のパターンに形成された第1配線4上には、第2層間絶縁膜5が積層されている。第2層間絶縁膜5には、その上面から掘り下がった第2配線溝6が形成され、この第2配線溝6には、Cuからなり、0.4μm以下の配線幅を有する第2配線7が埋設されている。平面視で第1配線4が形成されていない領域において、第2層間絶縁膜5には、第2配線溝6の底面から掘り下がった肉厚部用溝10が形成されている。第2配線7は、この肉厚部用溝11を第2配線7と同じ金属材料で埋め尽くすことによって一体的に形成された肉厚部11を有している。
【選択図】図1
Description
この発明は、多層配線構造を有する半導体装置に関する。
たとえば、集積度の高いLSIなどの半導体装置には、半導体基板上に複数の配線層を積層した、いわゆる多層配線構造が採用されている。このような多層配線構造が採用された半導体装置において、配線抵抗を低減させるための配線材料として、従来から用いられてきたAl(アルミニウム)に代えて、より導電性の高いCu(銅)を適用することが検討されている。
Cu配線材料を用いた多層配線構造では、絶縁性材料からなる第1層間絶縁膜に、所定のパターンの第1溝がその上面から掘り下げて形成されている。第1溝には、Cuを主成分とする金属材料からなる下層配線が埋設されている。
第1層間絶縁膜および下層配線上には、絶縁性材料からなる第2層間絶縁膜が形成されている。第2層間絶縁膜には、その上面から掘り下がった第2溝が形成されている。また、第2層間絶縁膜には、第2溝の底面から下層配線の上面に達するビアホールが形成されている。そして、第2溝にCuを主成分とする金属材料からなる上層配線が埋設されるとともに、ビアホールにCuからなるビアが埋設されている。これにより、上層配線と下層配線とは、ビアを介して電気的に接続されている。
第1層間絶縁膜および下層配線上には、絶縁性材料からなる第2層間絶縁膜が形成されている。第2層間絶縁膜には、その上面から掘り下がった第2溝が形成されている。また、第2層間絶縁膜には、第2溝の底面から下層配線の上面に達するビアホールが形成されている。そして、第2溝にCuを主成分とする金属材料からなる上層配線が埋設されるとともに、ビアホールにCuからなるビアが埋設されている。これにより、上層配線と下層配線とは、ビアを介して電気的に接続されている。
また、上層配線の表面は、絶縁性材料からなる第3層間絶縁膜またはパッシベーション膜により被覆されている。
特開2001−326325号公報
上層配線を被覆する第3層間絶縁膜またはパッシベーション膜は、上層配線の形成後に、たとえば、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法によって形成される。CVD法による第3層間絶縁膜またはパッシベーション膜の形成は、CVD装置内において、300〜400℃の高温下で行われる。そのため、第3層間絶縁膜またはパッシベーション膜の形成後、半導体装置は、CVD装置から取り出されることにより、室温で急激に冷却される。このとき、上層配線の材料である金属材料と第2層間絶縁膜の材料である絶縁性材料との熱収縮率が大きく異なるために、上層配線の収縮が第2層間絶縁膜により阻止される。その結果、上層配線には、上層配線と第2層間絶縁膜との熱収縮差による大きなストレスがかかる。
従来の半導体装置では、配線幅が大きく形成されていたので、上層配線と第2層間絶縁膜との熱収縮差に起因するストレスが上層配線に生じても、上層配線の断線を生じることがなかった。
しかし、上層配線の微細化を図るため、配線幅を0.4μm以下にすると、上層配線と第2層間絶縁膜との熱収縮差に起因するストレスが上層配線に生じたときに、上層配線の断線を生じることがわかった。
しかし、上層配線の微細化を図るため、配線幅を0.4μm以下にすると、上層配線と第2層間絶縁膜との熱収縮差に起因するストレスが上層配線に生じたときに、上層配線の断線を生じることがわかった。
そこで、本発明の目的は、配線幅が0.4μm以下であっても、ストレスによる上層配線の断線の発生を防止することができる、半導体装置を提供することである。
前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、所定のパターンに形成された下層配線と、前記下層配線上に積層された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上面から掘り下がった配線溝に埋設され、Cuを主成分とする金属材料からなり、0.4μm以下の配線幅を有する上層配線とを備え、前記配線溝には、平面視で前記下層配線が形成されていない領域において、前記配線溝の底面から掘り下がった肉厚部用溝が形成されており、前記上層配線は、前記肉厚部用溝を前記金属材料で埋め尽くすことにより一体的に形成された肉厚部を有している、半導体装置である。
この構成によれば、所定のパターンに形成された下層配線上には、層間絶縁膜が積層されている。層間絶縁膜には、その上面から掘り下がった配線溝が形成され、この配線溝には、Cuを主成分とする金属材料からなり、0.4μm以下の配線幅を有する上層配線が埋設されている。平面視で下層配線が形成されていない領域において、層間絶縁膜には、配線溝の底面から掘り下がった肉厚部用溝が形成されている。上層配線は、肉厚部用溝を上層配線と同じ金属材料で埋め尽くすことにより一体的に形成された肉厚部を有している。
これにより、上層配線と上層配線が埋設されている層間絶縁膜との熱収縮差に起因するストレスが上層配線に生じても、そのストレスを肉厚部で吸収することができる。その結果、ストレスによる上層配線の断線の発生を防止することができる。
また、請求項2に記載のように、前記肉厚部用溝は、前記層間絶縁膜を膜厚方向に貫通していることが好ましい。
また、請求項2に記載のように、前記肉厚部用溝は、前記層間絶縁膜を膜厚方向に貫通していることが好ましい。
上層配線と下層配線との間には、層間絶縁膜を貫通するビアホールが形成され、ビアホールには、上層配線と下層配線とを電気的に接続するためのビアが埋設される。肉厚部用溝が層間絶縁膜を貫通していることにより、ビアホールと肉厚部用溝とを同じ工程で形成することができる。そのため、製造工程数の増加を招くことなく、肉厚部用溝を形成することができる。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。なお、図1以降の各図では、図面の煩雑化を回避するために、導電性を有する材料からなる部分以外の各部についてはハッチングを省略している。
半導体装置1は、図示しない半導体基板(たとえば、シリコン基板)を備えている。半導体基板の表層部には、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの素子が作り込まれている。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。なお、図1以降の各図では、図面の煩雑化を回避するために、導電性を有する材料からなる部分以外の各部についてはハッチングを省略している。
半導体装置1は、図示しない半導体基板(たとえば、シリコン基板)を備えている。半導体基板の表層部には、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの素子が作り込まれている。
半導体基板上には、SiO2(酸化シリコン)からなる第1層間絶縁膜2が形成されている。第1層間絶縁膜2の表層部には、その上面から掘り下がった第1配線溝3が、所定のパターンで形成されている。第1配線溝3には、Cu(銅)からなる下層配線としての第1配線4が埋設されている。
第1層間絶縁膜2および第1配線4上には、SiO2からなる第2層間絶縁膜5が形成されている。第2層間絶縁膜5の表層部には、その上面から掘り下がった配線溝としての第2配線溝6が、所定のパターンで形成されている。第2配線溝6には、Cuからなる上層配線としての第2配線7が埋設されている。
第1層間絶縁膜2および第1配線4上には、SiO2からなる第2層間絶縁膜5が形成されている。第2層間絶縁膜5の表層部には、その上面から掘り下がった配線溝としての第2配線溝6が、所定のパターンで形成されている。第2配線溝6には、Cuからなる上層配線としての第2配線7が埋設されている。
第1配線4と第2配線7とが対向する領域には、それらの間に介在される第2層間絶縁膜5を貫通するビアホール8が選択的に形成されている。ビアホール8には、Cuからなるビア9が設けられている。これにより、第1配線4と第2配線7とは、ビア9を介して電気的に接続されている。
また、第2配線溝6には、平面視で第1配線4が形成されていない領域において、第2配線溝6の底面から掘り下がった肉厚部用溝10が形成されている。肉厚部用溝10は、第2層間絶縁膜5を膜厚方向に貫通し、第1層間絶縁膜2の上面がその底面をなしている。肉厚部用溝10は、第2配線7の材料で埋め尽くされており、これにより、第2配線7は、肉厚部用溝10に埋設された肉厚部11を一体的に有している。
また、第2配線溝6には、平面視で第1配線4が形成されていない領域において、第2配線溝6の底面から掘り下がった肉厚部用溝10が形成されている。肉厚部用溝10は、第2層間絶縁膜5を膜厚方向に貫通し、第1層間絶縁膜2の上面がその底面をなしている。肉厚部用溝10は、第2配線7の材料で埋め尽くされており、これにより、第2配線7は、肉厚部用溝10に埋設された肉厚部11を一体的に有している。
第2配線7が肉厚部11を一体的に有しているので、第2配線7と第2層間絶縁膜5との熱収縮差に起因するストレスが第2配線7に生じても、そのストレスを肉厚部11で吸収することができる。その結果、第2配線7の配線幅が0.4μm以下の場合にも、ストレスによる第2配線7の断線の発生を防止することができる。
図2A〜2Gは、半導体装置1の製造方法を工程順に示す図解的な断面図である。
図2A〜2Gは、半導体装置1の製造方法を工程順に示す図解的な断面図である。
まず、最表面に第1層間絶縁膜2を有する半導体基板が用意される。そして、図2Aに示すように、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により、第1層間絶縁膜2の表面に、第1配線溝3が形成される。
その後、図2Bに示すように、めっき法により、第1配線溝3の内面を含む第1層間絶縁膜2上に、Cuからなるめっき層12が形成される。
その後、図2Bに示すように、めっき法により、第1配線溝3の内面を含む第1層間絶縁膜2上に、Cuからなるめっき層12が形成される。
次いで、図2Cに示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)法により、めっき層12が研磨され、めっき層12における第1配線溝3外に形成されている部分が除去される。これにより、第1層間絶縁膜2の表面が露出し、第1層間絶縁膜2の表面とほぼ面一な表面を有する第1配線4が得られる。
次に、図2Dに示すように、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法により、第1層間絶縁膜2および第1配線4上に、第2層間絶縁膜5が積層される。
次に、図2Dに示すように、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法により、第1層間絶縁膜2および第1配線4上に、第2層間絶縁膜5が積層される。
その後、図2Eに示すように、第2層間絶縁膜5上に、レジスト膜13が形成される。レジスト膜13は、ビアホール8および肉厚部用溝10を形成すべき部分に対向する開口を有している。このレジスト膜13をマスクとして、第2層間絶縁膜5がエッチングされることにより、ビアホール8および肉厚部用溝10が形成される。ビアホール8および肉厚部用溝10の形成後、レジスト膜13は除去される。
次いで、図2Fに示すように、第2層間絶縁膜5上に、レジスト膜14が形成される。レジスト膜14は、第2配線溝6を形成すべき部分に対向する開口を有している。このレジスト膜14をマスクとして、第2層間絶縁膜5がエッチングされることにより、第2配線溝6が形成される。第2配線溝6の形成後、レジスト膜14は除去される。
そして、図2Gに示すように、めっき法により、第2配線溝6、ビアホール8および肉厚部用溝10の内面を含む第2層間絶縁膜5上に、Cuからなるめっき層15が形成される。このめっき層15は、第2配線溝6を埋め尽くす厚さに形成される。
そして、図2Gに示すように、めっき法により、第2配線溝6、ビアホール8および肉厚部用溝10の内面を含む第2層間絶縁膜5上に、Cuからなるめっき層15が形成される。このめっき層15は、第2配線溝6を埋め尽くす厚さに形成される。
その後、CMP法により、めっき層15が研磨され、めっき層15における第2配線溝6外に形成されている部分が除去される。これにより、第2層間絶縁膜5の表面が露出し、第2層間絶縁膜5の表面とほぼ面一な表面を有する第2配線7と、ビアホール8に埋設されたビア9と、肉厚部用溝10に埋設された肉厚部とが形成され、図1に示す半導体装置1が得られる。
以上のように、第1配線4と第2配線7との間には、第2層間絶縁膜5を貫通するビアホール8が形成され、ビアホール8には、第1配線4と第2配線7とを電気的に接続するためのビア9が埋設される。肉厚部用溝10が第2層間絶縁膜5を貫通していることにより、ビアホール8と肉厚部用溝10とを同じ工程で形成することができる。そのため、製造工程数の増加を招くことなく、肉厚部用溝10を形成することができる。
なお、図中に示していないが、第1配線4と第1層間絶縁膜2との間、第1配線4と第2層間絶縁膜5との間、第2配線7と第2層間絶縁膜5との間、ビア9と第2層間絶縁膜5との間、肉厚部11と第1層間絶縁膜2との間および肉厚部11と第2層間絶縁膜5との間には、Cuの拡散に対するバリア性を有する材料からなるバリア膜が適宜形成されている。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、第1配線4は、Al(アルミニウム)を含む金属材料で形成されていてもよい。その場合、第1層間絶縁膜2に配線溝3が形成されず、第1層間絶縁膜2のほぼ平坦な表面上に第1配線4が所定のパターンで形成されてもよい。
たとえば、第1配線4は、Al(アルミニウム)を含む金属材料で形成されていてもよい。その場合、第1層間絶縁膜2に配線溝3が形成されず、第1層間絶縁膜2のほぼ平坦な表面上に第1配線4が所定のパターンで形成されてもよい。
また、第2配線7、ビア9および肉厚部11は、Cuからなるとしたが、Cuを主成分として含む材料から形成されるとよく、Cuのみで形成される必要はない。
また、肉厚部用溝10は、第2層間絶縁膜5を貫通せず、第2配線溝6の底面から掘り下がった凹部として形成されていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
また、肉厚部用溝10は、第2層間絶縁膜5を貫通せず、第2配線溝6の底面から掘り下がった凹部として形成されていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
1 半導体装置
4 第1配線(下層配線)
5 第2層間絶縁膜(層間絶縁膜)
6 第2配線溝(配線溝)
7 第2配線(上層配線)
10 肉厚部用溝
11 肉厚部
4 第1配線(下層配線)
5 第2層間絶縁膜(層間絶縁膜)
6 第2配線溝(配線溝)
7 第2配線(上層配線)
10 肉厚部用溝
11 肉厚部
Claims (2)
- 所定のパターンに形成された下層配線と、
前記下層配線上に積層された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上面から掘り下がった配線溝に埋設され、Cuを主成分とする金属材料からなり、0.4μm以下の配線幅を有する上層配線とを備え、
前記配線溝には、平面視で前記下層配線が形成されていない領域において、前記配線溝の底面から掘り下がった肉厚部用溝が形成されており、
前記上層配線は、前記肉厚部用溝を前記金属材料で埋め尽くすことにより一体的に形成された肉厚部を有している、半導体装置。 - 前記肉厚部用溝は、前記層間絶縁膜を膜厚方向に貫通している、請求項1に記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007274044A JP2009105148A (ja) | 2007-10-22 | 2007-10-22 | 半導体装置 |
US12/255,886 US7948094B2 (en) | 2007-10-22 | 2008-10-22 | Semiconductor device |
US13/067,154 US8508033B2 (en) | 2007-10-22 | 2011-05-12 | Semiconductor device |
US13/937,459 US9490207B2 (en) | 2007-10-22 | 2013-07-09 | Semiconductor device having a copper wire within an interlayer dielectric film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007274044A JP2009105148A (ja) | 2007-10-22 | 2007-10-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009105148A true JP2009105148A (ja) | 2009-05-14 |
Family
ID=40706562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007274044A Pending JP2009105148A (ja) | 2007-10-22 | 2007-10-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009105148A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005191540A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線構造及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-10-22 JP JP2007274044A patent/JP2009105148A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005191540A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線構造及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102116060B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
JP5106933B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5563186B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4360881B2 (ja) | 多層配線を含む半導体装置およびその製造方法 | |
JP5096278B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
WO2010035481A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007059769A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置およびウエハ | |
JP5134193B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011139103A (ja) | 半導体装置 | |
US20100330799A1 (en) | Semiconductor device and process for producing the same | |
JP2013021001A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5271562B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2000150429A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US9490207B2 (en) | Semiconductor device having a copper wire within an interlayer dielectric film | |
JP5078823B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013046006A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006351732A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4302505B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008124070A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010171291A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2009105148A (ja) | 半導体装置 | |
JP5412071B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4814694B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007073808A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5424551B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130328 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20130718 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |