JP2009099910A - スピンコータ - Google Patents
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Abstract
【課題】構造が簡単で、フォトレジストの厚みムラの少ないスピンコータを提供する。
【解決手段】角形基板や半導体ウエハーなどの基板Kを回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータ1において、前記基板K等の外周側に円板2を配置し、前記基板K等の端面と前記円板2との間に全周に亘って吸引スリット3を形成し、この吸引スリット3に減圧させて前記基板K等の端面より吸引排気することによって前記基板K等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出する。
【選択図】図1
【解決手段】角形基板や半導体ウエハーなどの基板Kを回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータ1において、前記基板K等の外周側に円板2を配置し、前記基板K等の端面と前記円板2との間に全周に亘って吸引スリット3を形成し、この吸引スリット3に減圧させて前記基板K等の端面より吸引排気することによって前記基板K等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出する。
【選択図】図1
Description
本発明は、円形の半導体ウエハーなどの基板、あるいは角形の基板の表面にフォトレジストなどの薄膜を形成するスピンコータの改良に関する。
半導体デバイスを製造する工程においては、円形の半導体ウエハーやガラス板などの角形基板上に微細な回路パターンを形成するフォトリソグラフ工程があり、この工程においてはフォトレジストを滴下して塗膜を形成し、続いてベーキング処理や露光処理などの一連の処理工程が順次実施される。
前記フォトレジスト工程においては、基板の表面に薄くフォトレジスト膜を形成しなければならないが、そのフォトレジストを粘性によって、特に「角形基板」の場合、その角部にフォトレジスト層が局部的に盛り上って厚くなる部分(膨出部分)が発生し、この部分により画像が不正確となるなどの欠点が発生する。
さて、角形の半導体基板上に塗布したフォトレジストの一部が盛り上がって厚くなる現象は、角形の基板を使用する液晶ディスプレイ(LCD)にも発生する。もっとも、円板状の半導体基板の場合は、その表面を流れる空気流が全周に亘って均一であることからフォトレジスト膜に対する影響も全周方向に同様であり、また塗装も比較的均一に形成されやすいので、この基板を高速回転させてフォトレジストを遠心分離操作によって前記膨出部分が形成されることを積極的に防ぐ方法を採用できる。
しかし、前記LCD基板の場合は、その基板が四角形や矩形のものが使用されるので、その基板の回転中心から角(コーナー)の部分の各部まで距離がそれぞれ異なる上に、回転する際のバランス上の問題もあり、この高速回転による方法ではフォトレジスト膜が厚くなる膨出部分を除去することができなかった。
角形の基板上に形成されたフォトレジストの膨出部分を除去する方法としては、例えば、特許文献1が提案されている。
基板上に塗布形成されたフォトレジスト膜の一部を除去する方法は、かなり煩雑であるので、この後処理の問題を解決するために、フォトレジストの塗膜を基板上に形成する段階で、均一に塗布することを考慮した各種のスピンコータが提案されている(特許文献2および3参照)。
特開2001−9347号公報
特開2002−239443号公報
特開2003−126755号公報
前記特許文献1に記載された発明は、スピンコータにおける角形の基板を可動保持部によって保持する装置を示している。しかし、角形基板の角部に発生するフォトレジストの厚みムラを解消する装置を提案するものではない。
また、前記特許文献2に記載されたスピンコータは、このスピンテーブルの下方に、羽根を設け、スピンテーブルが回転すると、この羽根がスピンテーブルの回転数より減速されてスピンテーブルの回転と同期回転し、この羽根によって発生された下降気流により基板の周囲の空気や余剰コーティング液のミストを排出するように構成した装置である。
また、前記特許文献3に記載されたスピンコータは、基板の周囲に環状のミスト飛散防止部材を配置し、基板上に塗布されたフォトレジストのミストが基板の裏側に入り込まないように、基板の周囲と平面方向に気流を積極的に流して排出するようにした装置である。
なお、特許文献2および3に記載された装置で処理される基板は円板形のものが主体であって、角形(四角形、矩形)の基板における処理液の塗布厚のムラを防止するものではなく、無理に使用すると下記理由からフォトレジストの塗布厚を正確に規制することが困難である。
(角形の基板に形成される塗布ムラの問題)
図8、9および図10を参照し、角形の基板Kを回転軸Sで回転させながら、この基板Kの上面にフォトレジストRを滴下供給し、この基板Kの表面に薄いフォトレジスト膜fを形成する際の状態について説明する。
(角形の基板に形成される塗布ムラの問題)
図8、9および図10を参照し、角形の基板Kを回転軸Sで回転させながら、この基板Kの上面にフォトレジストRを滴下供給し、この基板Kの表面に薄いフォトレジスト膜fを形成する際の状態について説明する。
図示しないスピンテーブル上に配置された基板Kは、回転軸Sを中心として回転しながら、その表面にフォトレジストRを中心部に滴下供給すると、遠心力で瞬時に基板Kの表面に分布してフォトレジスト膜fを形成しながら流動し、移動距離が長く、遠心力が大きく作用する角部Cに分厚い膜F(盛上がり部分)を形成し、この分厚い膜Fの先端より液滴eが分離・離脱し、空中に飛散してミストとなる。
前記基板Kの角部Cの分厚く形成された厚い膜Fの中央に形成される円形の部分には、厚さが本体部分に形成されたものと殆ど変わらない均一厚さ部分fが形成される。
このように塗膜の厚さが場所によって変化する様子を観察してみると、図9に示すように、基板Kは回転軸Sからの距離、つまり半径の長い角部C(コーナー部分)と、この半径の長い角部Cの間の半径の短い部分(直線部分)が存在しており、この基板Kが高速回転すると、その角部Cは空気を切ってこの部分から大きな渦vが発生する。
一方、角部Cの間の直線部分には、図9および図10に示すように基板Kの表面側から下面側に、あるいはこの逆方向に基板Kの縁部を回る剥離するような渦vが発生する。
なお、この気流の状態は煙を閉じこめるか、少し流した観察箱の中で各種の基板を、異なる回転速度で回転させた際の煙の乱れを観察し、撮影できる「スモーク実験」から判断したものである。つまり、このスモーク実験から理解できることは、高速回転する基板Kの表面には空気の流れが発生しており、このような雰囲気の中にある基板Kの表面の中心部にフォトレジストRを滴下すると、このフォトレジストRの移動距離と、その際に気流による力などの影響を受けて、図8に示すような塗布・形成されたフォトレジストに薄い部分fと厚い部分Fとが必然的に発生するのである。
本発明は、前記基板K上面およびその縁部に発生する空気の渦と、基板K上に形成される塗布の流れに基づく塗膜fの厚さが変化する原因を解消する方法およびその装置を提供することを第一の目的とする。
また、塗布の厚さを均一に形成できる装置を提供することを第二の目的とする。
更に、前記方法によって精度のよい塗膜を形成した基板を効率的に製造することを第三の目的とするものである。
前記目的を達成するための本発明にかかるスピンコータは、次のように構成されている。
1.角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧させて前記基板等の端面より吸引排気することによって前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出することを特徴としている。
2.角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に、僅かに突出した状態で全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって、前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出することを特徴としている。
3.角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータであって、前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出する装置において、前記基板が角形基板である場合は、前記吸引スリットの内の角部を開口し、隣接する角部の間の直線部分の一部を吸引力が作用しないか、あるいは弱めるように構成したことを特徴としている。
4.角形基板や半導体ウエハーからなる基板を中心としてその外周側に略同一平面に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板の内周端面との間に吸引スリットを開口し、更に、前記円板の下方にこの円板を支持する支持板を配置し、前記支持板と円板との間に環状に吸引排気装置を構成する遠心翼を形成し、スピンコータの回転に伴って前記遠心翼を回転させて前記吸引口を介して前記円板の表面を流れる空気を前記吸引スリットを介して吸引排気するように構成したことを特徴としている。
5.角形基板や半導体ウエハーからなる基板を中心としてその外周側に略同一平面に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板の内周端面との間に吸引スリットを開口し、更に、前記円板の下方を支持板で支持すると共に、この支持板の下面中央部を駆動筒によって支持し、この駆動筒の中央部に配置された吸引パイプの上端で前記基板の下面の中央部を吸引支持し、更に前記駆動筒を減圧源に連通して前記吸引スリットを介して前記基板上に付与された処理液の余剰部分を吸引排出するように構成したことを特徴としている。
6.角形基板や半導体ウエハーからなる基板の周囲に配置された円板は、前記基板の表面を流れる空気が基板の縁部に回り込まないガイド板を構成していることを特徴としている。
7.前記基板等の外周単に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って形成された吸引スリットにおいて、前記円板の基板に対する位置を調節して前記吸引スリットの間隔を調整するように構成したことを特徴としている。
8.前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気するように構成した装置において、前記円板の内周端であって、前記基板の表面ないしその近傍の高さに相当する位置に、基板の表面に向かう吸引スリットを開口したことを特徴としている。
本発明は、角形基板や円板状の半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、前記基板の周囲に円板を配置し、前記基板の周囲と円板の外周との間に間隙からなる吸引口を設け、更に前記円板の下方に排気ブロアを構成する遠心翼を形成している。
従って、スピンコータの回転と共に排気ブロアが駆動されて、吸引口を介して排気するので、基板の周縁部を流れる空気は周縁部を強制的に方向を変化させて通過することになる。従って、この部分の流れが速くなり、余剰のフォトレジストを強制的に、また、回転に比例して除去し、排出することができる。
次に図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
(実施例1)
図1は、本発明に係るスピンコータ(回転塗膜形成装置)の平面図、図2は、同装置の中央の横断面図である。この図において、スピンコータ1の中央部に基板K(被処理物:この実施例においては角形のLCD用基板)が配置され、その周囲に4枚の分割板2a〜2dで構成される円板2が配置されている。また、この基板Kの周囲の縁部と、円板2を構成する各分割板2a〜2dとの内縁部との間には小間隙の吸引スリット3が額縁状に形成されている。そして、これらの分割板2a〜2dは、好ましくは、相対的に移動可能に支持して前記吸引スリット3の幅を調節して排気状態を調整できるように構成するのがよい。
(実施例1)
図1は、本発明に係るスピンコータ(回転塗膜形成装置)の平面図、図2は、同装置の中央の横断面図である。この図において、スピンコータ1の中央部に基板K(被処理物:この実施例においては角形のLCD用基板)が配置され、その周囲に4枚の分割板2a〜2dで構成される円板2が配置されている。また、この基板Kの周囲の縁部と、円板2を構成する各分割板2a〜2dとの内縁部との間には小間隙の吸引スリット3が額縁状に形成されている。そして、これらの分割板2a〜2dは、好ましくは、相対的に移動可能に支持して前記吸引スリット3の幅を調節して排気状態を調整できるように構成するのがよい。
図2に示すようにこの円板2を構成する分割板2a〜2dは、それぞれが支持板5などの下部構造に固定されている場合、また、前記のように基板Kの端面との距離を変化させて吸引スリット3の開口面積を変化させるために集合・分離するような構造が採用することもされる。
図2(A)において、駆動筒4によって支持板5の下面の中央部が支えられ、この駆動筒4の中央部には、前記基板Kの下面を吸引支持するために吸引パイプ6が配置されている。この支持板5は、図3に示すように中央部に前記吸引パイプ6を通すための孔7が貫通され、その周囲に基板Kの裏面を支持する支持部材8(例えばゴムなどの弾性体製)が等間隔に配置されている。
前記支持板5の上面の外周部分に形成された「ドーナツ形」の部分は、排気装置9(排気ブロア)を形成した部分であって、この排気装置9は複数枚の遠心翼10で構成されている。この排気装置9は、支持板5の矢印「ア」の方向の回転に伴って中央の空気流入部12に流入した空気を前記支持板5の矢印「イ」(図3)で示すように外周方向に排出する機能を有している。
この排気装置9は、基板Kの表面にフォトレジストの塗膜を形成する際の回転数(例えば、150rpm)でも十分に不要なフォトレジストを吸引除去できる空気の流れを形成する機能を持つように設計されている。
次に、図4を参照して基板K上の形成されたフォトレジストRの塗膜fの厚い部分F(図8参照)を除去する機構について説明すると、基板Kの回転に伴って基板K上に滴下供給されたフォトレジストRは、瞬時に基板K上に分散延展され、その外周方向に移動して塗膜fを形成しながら基板Kの縁部より離脱して小粒体rとなり、あるいは分解されてミストとなる。
図1および図2に示すように、基板Kの周囲には円板2(一種の整流板)が配置され、この円板2を構成する分割板2a〜2dの内縁と前記基板Kの縁部との間には小間隙からなる排気スリット3が額縁型に形成され、更にこの基板Kの下方の外周方向に複数枚の遠心翼10で構成された排気装置9が一体的に形成されている。
従って、支持板5とともに基板K及び円板2が回転すると、この遠心翼9が排気ブロアとして空気を強制的に排出するので、空気は基板Kの表面を流れ、前記吸引スリット3より吸引されて矢印「ハ」のような流れを発生しながら排気される。この空気の流れに伴って基板Kの表面に形成されたフォトレジスト膜fの内、角部(図8のCの部分)に分厚く盛り上がっている部分を強制的に吸引して剥離する。
その際、フォトレジスト膜fは図8(A)に示すように、その場所によって予定した厚さfの部分と、角部Cの分厚い部分Fとが形成されるが、両者の部分とも、図4に示す空気流「ハ」によって排気スリット3内に吸引され、剥離されて円板2の外周より排出されることになる。
排気装置9には基板Kより分離されたフォトレジストRの余剰分が通過するので、その遠心翼10の表面などにこれが付着して排気機能が低下することがあるので、時々洗浄操作が必要である。
前記のように、このスピンコータ1は、基板Kの支持構造自体が排気装置である排気ブロアを構成しているので、その構成を簡略化することができる。なお、この装置における基板Kの回転数は、フォトレジストの粘性や延展性に関係し、また、排気装置9の回転数は、前記基板Kの回転数に比例し、その回転数に関係して排気性能が変化するので、その遠心翼10の形状の設計は、この点を十分に考慮しながら行う必要がある。
(実施例2)
図5は、第2の実施例のスピンコータ1Aの平面図を示すもので、分割板2a〜2dからなる円板2の下方あるいは支持板5の外周部の上面に形成された遠心翼10は、基板Kの角部Cの空気を排気するもの以外は、閉鎖壁10aによって閉鎖されて遠心翼10としての機能を一部で発揮しないようになっている。このように、遠心翼10を構成することによって基板Kの角部Cを流れる空気流を局部的に限定してその排気効果を増加させている。
図5は、第2の実施例のスピンコータ1Aの平面図を示すもので、分割板2a〜2dからなる円板2の下方あるいは支持板5の外周部の上面に形成された遠心翼10は、基板Kの角部Cの空気を排気するもの以外は、閉鎖壁10aによって閉鎖されて遠心翼10としての機能を一部で発揮しないようになっている。このように、遠心翼10を構成することによって基板Kの角部Cを流れる空気流を局部的に限定してその排気効果を増加させている。
(実施例3)
図6は半導体ウエハー型の基板K1にフォトレジストの塗膜を形成するためのスピンコータ1Bの平面図であって、基板K1の周囲に環状形の円板2X(一種の整流板)が配置され、基板K1の端面と円板2Xの内周端面との間に狭い円形の小間隙で形成された排気スリット3Aが形成されている。なお、排気装置9については、図2及び図3に示した構成を採用する。
図6は半導体ウエハー型の基板K1にフォトレジストの塗膜を形成するためのスピンコータ1Bの平面図であって、基板K1の周囲に環状形の円板2X(一種の整流板)が配置され、基板K1の端面と円板2Xの内周端面との間に狭い円形の小間隙で形成された排気スリット3Aが形成されている。なお、排気装置9については、図2及び図3に示した構成を採用する。
(実施例4)
図7は、第4の形式のスピンコータ1Cの構成を示すもので、図1に示す装置におけるスピンコータ機能とは別に真空源を準備し、基板Kの周囲に形成された小間隙からなる排気スリット3cと真空源と連通した点に特徴がある。
図7は、第4の形式のスピンコータ1Cの構成を示すもので、図1に示す装置におけるスピンコータ機能とは別に真空源を準備し、基板Kの周囲に形成された小間隙からなる排気スリット3cと真空源と連通した点に特徴がある。
このスピンコータ1Cは、駆動筒40の内部を真空源Vaに連結し、この駆動筒40の上部のフランジ40aの中央に排気孔を開口すると共に、このフランジ40aに支持されている支持板50の中央に基板Kの外形に合わせて排気孔50aを開口する。そして、駆動筒40の中央部に配置されている吸引パイプ60の周囲と、基板Kの裏側の空間50bと、更に前記排気スリット3cとの間に排気路を連通形成した構造を示している。
このスピンコータ1Cの場合は、吸引パイプ60の先端の吸着部60aに基板Kを所定の位置に供給配置してこのパイプ60の内部に真空を作用させて吸着する。そして前記駆動筒40を回転させ、所定の速度に到達したならば、図示しない真空源Vaを操作してこの駆動筒40の内部に真空を作用させる。そして通常のスピンコータ1Cとしての塗膜操作を実施するのである。
前記したように基板Kの角部C(図8参照)には、分厚い膜Fが形成されようとするが、前記排気スリット3cを通じた空気の吸引効果で、角部Cに形成される分厚いフォトレジストFは、移動方向と直交する方向からの排気スリット3cの吸引作用によって恰も切断(剪断)されるような作用を受けて綺麗に除去され、その結果、基板Kの表面には均一なフォトレジストの塗膜を効率よく形成することができる。
(実施例5)
この実施例は、基板Kの表面に沿って気流を発生させてフォトレジスト膜を吸引除去する装置を示すものである。
この実施例は、基板Kの表面に沿って気流を発生させてフォトレジスト膜を吸引除去する装置を示すものである。
図11(A)に示すように基板Kの周囲には円板2Zが配置されている。この円板2Zは基板Kの表面より距離hだけ突出しており、基板Kの周囲が額縁状に突出し、前記基板Kと円板2Zとの間には間隔30が形成されているが、この実施例においては前記実施例のような吸引スリットとしての機能を有しておらず、前記距離hがその機能を有しているのである。前記距離hが壁面を形成しており、この壁面の中間部に吸引スリット31を形成しており、この吸引スリット31は図示しない減圧源に接続されている。
図11(B)は、フォトレジストRを基板Kの中心部に滴下供給した状態を示しており、フォトレジストRは瞬時に展開されて基板Kの表面全面に図(C)の如く薄い塗膜fを形成しようとするが、周囲に厚い部分Fが形成される。この厚い部分Fは図(D)に示すように円板2Zの内面の壁面に形成されている吸引スリット31に吸引され、図(E)に示すように基板Kの表面には好ましい厚さの塗膜fが形成されるのである。
前記基板Kとその周囲に配置される円板2Zとの間には、微妙な関係がある。図12(A)は基板Kの表面と円板2Zの表面とが一致しているもので、この場合の吸引スリットは32で示されている。
図12(B)は基板Kの表面より円板2Zを距離h1だけ上昇させた装置を示しており、この距離h1によってフォトレジストの塗膜を受け止め、吸引スリット32より吸引除去することができる。
図12(C)は、図11に示したスピンコータの要部を示している。この装置の作用効果は前記したとおりである。この装置においては円板2Zの内縁の全周に亘って吸引スリット31を開口する必要があるので、排気孔31Aを全周に設けるなどして吸引力が平均して作用するように設計しておくことが好ましい。
また、変形として、基板Kに対して円板2Zの上下位置を微妙に調節して基板Kの周囲、特に角部Cに形成される分厚いと膜Fが形成される状態に合わせて想定的に上下するように構成するのがよい。
(その他の実施例)
図13は、基板Kの周囲に薄い円板2を配置し、厚い遠心翼を形成することによって排気量を増加させるように構成した装置を示している。
図13は、基板Kの周囲に薄い円板2を配置し、厚い遠心翼を形成することによって排気量を増加させるように構成した装置を示している。
また図14は、図7において基板Kの下面の支持に使用した支持部材8を省略し、基板Kの下面の空間50bを薄く形成することによって流速を増し、基板Kの上面に作用する圧力を減少させる構造のものを示している。
1、1A、1B、1C 基板
2 円板(整流板)
2a、2b、2c、2d 分割板(分割板)
3、3A、3C 吸気スロット(小間隙、排気孔)
4 駆動筒
5 支持板
6 吸引筒
8 支持部材
9 排気装置(排気ブロワ)
10 遠心翼
10a 閉鎖壁
40 駆動筒
40a フランジ
50a 排気孔
50b 空間
60 パイプ
2 円板(整流板)
2a、2b、2c、2d 分割板(分割板)
3、3A、3C 吸気スロット(小間隙、排気孔)
4 駆動筒
5 支持板
6 吸引筒
8 支持部材
9 排気装置(排気ブロワ)
10 遠心翼
10a 閉鎖壁
40 駆動筒
40a フランジ
50a 排気孔
50b 空間
60 パイプ
Claims (8)
- 角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、
前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出することを特徴とするスピンコータ。 - 角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、
前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に、僅かに突出した状態で全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって、前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出することを特徴とする請求項1記載のスピンコータ。 - 角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータであって、前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出する装置において、
前記基板が角形基板である場合は、前記吸引スリットの内の角部を開口し、隣接する角部の間の直線部分の一部を吸引力が作用しないか、あるいは弱めるように構成したことを特徴とする請求項1あるいは2に記載のスピンコータ。 - 角形基板や半導体ウエハーからなる基板を中心としてその外周側に略同一平面に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板の内周端面との間に吸引スリットを開口し、更に、前記円板の下方にこの円板を支持する支持板を配置し、前記支持板と円板との間に環状に吸引排気装置を構成する遠心翼を形成し、スピンコータの回転に伴って前記遠心翼を回転させて前記吸引口を介して前記円板の表面を流れる空気を前記吸引スリットを介して吸引排気するように構成したことを特徴とする請求項1あるいは2に記載のスピンコータ。
- 角形基板や半導体ウエハーからなる基板を中心としてその外周側に略同一平面に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板の内周端面との間に吸引スリットを開口し、
更に、前記円板の下方を支持板で支持すると共に、この支持板の下面中央部を駆動筒によって支持し、この駆動筒の中央部に配置された吸引パイプの上端で前記基板の下面の中央部を吸引支持し、
更に前記駆動筒を減圧源に連通して前記吸引スリットを介して前記基板上に付与された処理液の余剰部分を吸引排出するように構成したことを特徴とする請求項1あるいは2に記載のスピンコータ。 - 角形基板や半導体ウエハーからなる基板の周囲に配置された円板は、前記基板の表面を流れる空気が基板の縁部に廻り込まないガイド板を構成していることを特徴とする請求項1ないし5に記載のスピンコータ。
- 前記基板等の外周単に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って形成された吸引スリットにおいて、前記円板の基板に対する位置を調節して前記吸引スリットの間隔を調整するように構成したことを特徴とする請求項1ないし6に記載のスピンコータ
- 前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気するように構成した装置において、
前記円板の内周端であって、前記基板の表面ないしその近傍の高さに相当する位置に、基板の表面に向かう吸引スリットを開口したことを特徴とする請求項1ないし7に記載のスピンコータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007272543A JP2009099910A (ja) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | スピンコータ |
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JP (1) | JP2009099910A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012044085A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63136523A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Nec Yamagata Ltd | 半導体製造装置 |
JPH01139172A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
JPH04369210A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体ウエハ用回転塗布装置 |
JPH07275780A (ja) * | 1994-04-07 | 1995-10-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 回転カップ式処理装置 |
-
2007
- 2007-10-19 JP JP2007272543A patent/JP2009099910A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20101004 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120925 |