JP2009094508A - スピンヘッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本体と、本体から上方に突出して設置されるチャックピンと、本体上に置かれた基板の側部を支持する支持位置及び本体の中心から支持位置より離れた待機位置の間でチャックピンを移動させ、且つチャックピンが待機位置にある場合には本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、チャックピンと固定結合される移動ロッド、回転可能で支持位置に位置したチャックピンが待機位置に移動できるように外側面に突起を有するカム、及びチャックピン各々が互いに独立して待機位置から支持位置に向かう方向へ移動できるように、移動ロッド各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器を有するチャックピン移動ユニットと、を備える。
【選択図】図9
Description
前記チャックピン移動ユニットは、前記チャックピンが前記待機位置にある場合には前記本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、前記チャックピンと固定結合される移動ロッドと、回転可能であり、かつ前記支持位置に位置した前記チャックピンが前記待機位置に移動できるように外側面に突起を有するカムと、前記チャックピン各々が互いに独立して前記待機位置から前記支持位置に向かう方向へ移動するように、前記移動ロッド各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器と、を備える。
選択的に、前記チャックピン復元器は、前記復元力が磁力によりなされるように前記移動ロッドに固定結合される第1磁石と前記本体に固定結合される第2磁石とを有する磁力部材を備える。
好ましくは、前記接触保持部材は、前記スピンヘッドの回転時に逆遠心力により前記移動ロッドを押す形状を有する。
一例によれば、前記接触保持部材は、前記移動ロッドから突出するように、前記移動ロッドに固設される固定ピンと、前記本体に対して回転可能なように、前記本体に結合される中央部、前記移動ロッドに向かう方向に前記中央部から延び、前記固定ピンを押す押さえ部、及び前記本体の外側に向かって前記移動ロッドから遠ざかる方向に前記中央部から延びる案内部を有する保持バーを備える。
好ましくは、前記案内部は、前記押さえ部に比べて重く提供される。
好ましくは、前記案内部の重心と前記押さえ部の重心を各々、前記中央部の回転軸心と結ぶ線がなす夾角は、鈍角として提供される。
さらに、前記距離調節器は、中央に上下方向に貫通したスリット形状の貫通孔が形成された調節ブロックと、前記調節ブロックの貫通孔を介して前記本体に結合されて、前記調節ブロックを前記本体に固定する固定具と、を備え、前記移動ロッドには、前記調節ブロックと接触して前記移動ロッドの移動を制限するストッパーが提供される。
さらに、前記支持位置から前記待機位置への前記チャックピンの移動のための回転は、前記カム駆動器により行われ、前記待機位置から前記支持位置への前記チャックピンの移動のための回転は、前記カム復元器により行われるように前記カム復元器が提供される。
好ましくは、前記上板は、前記下板に比べて腐食に強い材質からなり、前記下板は、前記上板に比べて熱変形の少ない材質からなる。
基板Wはスピンヘッド40上に載置され、以下、図5、6には図示したが、その外の図には本図(図1)を含めて煩雑を避けるため図示していない。
流体供給ユニット10は、基板処理のための処理液又は処理ガスを基板Wに供給する。スピンヘッド40は、工程進行時に基板Wを支持しつつ、基板Wを回転させる。容器20は、工程に使用された薬液及び工程時に発生したヒューム(fume)が外部に飛び散るか、又は流出することを防止する。昇降ユニット30は、スピンヘッド40又は容器20を上下に昇降させ、容器20内と、容器20内のスピンヘッド40との間の相対的な高さを変更する。
底壁264は、概して円板形状を有し、中央に回転軸42が挿入される開口が形成される。底壁264には、排出管265が結合され、外部回収筒260を介して流入した処理液は、排出管265を介して外部の薬液再生のためのシステムに排出される。外部回収筒260は、容器20全体の外壁として機能する。外部回収筒260の底壁264には、排気管263が結合され、外部回収筒260に流入したガスは、排気管263を介して外部に排気される。また、内部回収筒220の内壁226に設けた開口223及び中間回収筒240の内壁246に設けた排気口243を介して流れ出たガスは、外部回収筒260に連結した排気管263を介して外部に排気される。排気管263は、底壁264から上方に一定の長さが突出するように設置される。
支持部520は円柱状で、平らな上面と、上面から下へ行くほど直径が一旦次第に減少した後、再度下へ行くほど直径が次第に増加する形状の側面を有する。従って、支持部520は、正面から見るとき内側へ凹んだ凸部522を有する。凹部522には、支持ピン400に置かれた基板Wの側部が接続される。中央部540は、支持部520の下端から延伸されて、下端と同じ直径で下方向に延びる。締結部560は、中央部540からさらに下方向に延伸される。締結部560には、後述するチャックピン移動ユニット600との締結のためのネジ孔が形成される。ラッチ部580は、中央部540と締結部560の境界部から外側に延伸され、リング状である。ラッチ部580は、本体300の上部面と密着され、チャックピン500が全て同じ高さに突出するようにする。
しかしながら、本発明によるチャックピン復元器780は、それぞれの移動ロッド620に設置されるので、各々の移動ロッド620は、他の移動ロッド620と関係なく復原力を受けて、本体300の中心に向かう方向へ移動される。従って、たとえチャックピン500、移動ロッド620、及びカム720などの構成部材に加工誤差があるとしても、各々のチャックピン500は、これに該当する復原力により基板Wの側部と接触する位置まで移動する。
本発明による接触保持部材680は、スピンヘッド40が回転時にも、チャックピン500が支持位置にあって基板Wの側部と接触を維持し続けるようにする。接触保持部材680は、固定ピン680aと保持バー680bとからなる。固定ピン680aは、移動ロッド620から突出するように移動ロッド620に固設される。保持バー680bは、スピンヘッド40が回転する時に本体300の中心に向かう方向に固定ピン680aを押す。
押さえ部684と案内部686とは、それぞれロッド形状を有し、押さえ部684は、中央部682から一方向に延び、案内部686は、押さえ部684と鈍角をなすように中央部682から延びる。
押さえ部684と案内部686とがもっと一般的な形状を有する場合は、案内部686の重心と押さえ部686の重心の各々を中央部682の回転軸心と結ぶ線がなす夾角が、鈍角であればよい。
スピンヘッド40が回転するとき、押さえ部684は、本体300の中心に向かう方向に固定ピン680aを押し、案内部686は、押さえ部684が固定ピン680aに向かう方向へ移動するように案内しなければならない。
例えば、案内部686は、押さえ部684に比べて重くするとよい。具体的には、上方から見るとき、案内部686は、押さえ部684に比べて広い幅を有するように形成する。又は、案内部686の自由端は、押さえ部684に比べて厚い部分を有するように形成すればよい。
10 流体供給ユニット
20 容器
30 昇降ユニット
31 ブラケット
34 移動軸
36 駆動器
40 スピンヘッド
42 回転軸
44 駆動器
100a 上部ノズル部材
100b 下部ノズル部材
120a 薬液供給ノズル
120b 薬液吐出口
121、141 噴射器
122、142 支持バー
123 ブラケット
124 ガイドレール
125 バー移動器
140a リンス液供給ノズル
140b リンス液吐出口
144 駆動器
160a 乾燥ガス供給ノズル
160b 乾燥ガス吐出口
180b 噴射ヘッド
182 頭部
184 挿入部
220 内部回収筒
222、242、262 外壁
222a、228a、242a、262a 傾斜壁
222b、228b 垂直壁
223 開口
224、244、264 底壁
225、245、265 排出管
226、246 内壁
227、247、267 流入口
228 案内壁
229 空間
240 中間回収筒
243 排気口
248 突出壁
260 外部回収筒
263 排気管
300 本体
320 上板
322 ピン孔
324、328 ネジ溝
329 貫通孔
330 シーリング部材
340 下板
342 溝
360 押さえ具
362 押さえ板
362a 頭部
362b 挿入部
362c 貫通孔
364 ネジ
400 支持ピン
420 上部
440 下部
460 ネジ部
480 ラッチ部
500 チャックピン
520 支持部
522 凹部
540 中央部
560 締結部
580 ラッチ部
600 チャックピン移動ユニット
620 移動ロッド
622 ローリングボール
628 ネジ溝
640 ガイド部材
660 距離調節器
662 調節ブロック
664 固定具
664a 頭部
664b 挿入部
666 ストッパー
680 接触保持部材
680a 固定ピン
680b 保持バ−
681 軸ピン
682 中央部
684 押さえ部
686 案内部
700 直線移動器
720 カム
730 カム駆動器
740 突起
742 前面
744 後面
760 カム復元器
762、782 スプリング
764、784 第1ラッチ
766、786 第2ラッチ
762a、782a 第1磁石
762b、782b 第2磁石
780 チャックピン復元器
Claims (33)
- 基板が置かれるスピンヘッドであって、
本体と、
前記本体から上方に突出するように前記本体に設置されるチャックピンと、
前記本体上に置かれた基板の側部を支持する支持位置及び前記支持位置に比べて前記本体の中心からより遠く離れた待機位置の間で、前記チャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットと、を備え、
前記チャックピン移動ユニットは、
前記チャックピンが前記待機位置にある場合には前記本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、
前記チャックピンと固定結合される移動ロッドと、
回転可能であり、かつ前記支持位置に位置した前記チャックピンが前記待機位置に移動できるように外側面に突起を有するカムと、
前記チャックピン各々が互いに独立して前記待機位置から前記支持位置に向かう方向へ移動するように、前記移動ロッド各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器と、を備えることを特徴とするスピンヘッド。 - 前記チャックピン復元器は、
前記復元力が弾性によりなされるように、前記移動ロッドに固定結合される一端と前記本体に固定結合される他端とを有する弾性部材を備えることを特徴とする請求項1に記載のスピンヘッド。 - 前記移動ロッドには、前記弾性部材の一端が固定される第1ラッチが設置され、
前記本体には、前記第1ラッチより前記本体の中心に近い位置に前記弾性部材の他端が固定される第2ラッチが設置され、
前記チャックピンが待機位置にある時に前記弾性部材は、引張られた状態を維持するように設置されることを特徴とする請求項2に記載のスピンヘッド。 - 前記チャックピン復元器は、
前記復元力が磁力によりなされるように前記移動ロッドに固定結合される第1磁石と前記本体に固定結合される第2磁石とを有する磁力部材を備えることを特徴とする請求項1に記載のスピンヘッド。 - 前記チャックピン移動ユニットは、
前記チャックピンが前記支持位置にある場合に、前記本体の中心に向かう方向に前記移動ロッドを押し、前記チャックピンが前記支持位置から前記待機位置へ移動する場合に、前記移動ロッドの移動を妨げない位置に移動可能な接触保持部材をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のスピンヘッド。 - 前記接触保持部材は、前記スピンヘッドの回転時に逆遠心力により前記移動ロッドを押す形状を有することを特徴とする請求項5に記載のスピンヘッド。
- 前記接触保持部材は、
前記移動ロッドから突出するように、前記移動ロッドに固設される固定ピンと、
前記本体に対して回転可能なように、前記本体に結合される中央部、前記移動ロッドに向かう方向に前記中央部から延び、前記固定ピンを押す押さえ部、及び前記本体の外側に向かって前記移動ロッドから遠ざかる方向に前記中央部から延びる案内部を有する保持バーを備えることを特徴とする請求項5に記載のスピンヘッド。 - 前記案内部は、前記押さえ部に比べて重いことを特徴とする請求項7に記載のスピンヘッド。
- 前記案内部の重心と前記押さえ部の重心を各々、前記中央部の回転軸心と結ぶ線がなす夾角は、鈍角であることを特徴とする請求項8に記載のスピンヘッド。
- 前記本体には、前記保持バーが前記固定ピンを押す方向と反対方向に前記案内部の回転範囲を制限するストッパーが設置されたことを特徴とする請求項7に記載のスピンヘッド。
- 前記スピンヘッドは、前記支持位置を調節する距離調節器をさらに備え、
前記距離調節器は、
中央に上下方向に貫通したスリット形状の貫通孔が形成された調節ブロックと、
前記調節ブロックの貫通孔を介して前記本体に結合されて、前記調節ブロックを前記本体に固定する固定具と、を備え、
前記移動ロッドには、前記調節ブロックと接触して前記移動ロッドの移動を制限するストッパーが備えられることを特徴とする請求項1に記載のスピンヘッド。 - 前記チャックピン移動ユニットは、
前記カムを第1回転方向に回転させるカム駆動器と、
復原力により前記カムを前記第1回転方向とは反対方向である第2回転方向に回転させるカム復元器と、をさらに備え、
前記支持位置から前記待機位置への前記チャックピンの移動のための回転は、前記カム駆動器により行われ、前記待機位置から前記支持位置への前記チャックピンの移動のための回転は、前記カム復元器により行われるように前記カム復元器が提供されることを特徴とする請求項1に記載のスピンヘッド。 - 前記カム駆動器は、ロータリーシリンダーを備え、前記カム復元器は、スプリングを備えることを特徴とする請求項12に記載のスピンヘッド。
- 前記移動ロッドは、終端に前記カムと接触するローリングボールをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のスピンヘッド。
- 前記スピンヘッドは、前記本体に固設され、前記本体から上方に突出し、基板の背面を支持する支持ピンをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のスピンヘッド。
- 前記本体は、
上板と、
前記チャックピン移動ユニットが設置される下板と、
前記上板と下板とを結合する押さえ具と、を備え、
前記下板には、スリット形状の溝が形成され、
前記押さえ具は、前記溝に挿入されて前記上板にネジ結合される挿入部と、前記挿入部から延び、前記挿入部が前記上板にネジ結合されることによって前記下板を前記上板に向かって押す頭部と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のスピンヘッド。 - 前記上板は、前記下板に比べて腐食に強い材質からなり、
前記下板は、前記上板に比べて熱変形の少ない材質からなることを特徴とする請求項16に記載のスピンヘッド。 - 前記上板は、ポリ塩化ビニール材質からなり、
前記下板は、アルミニウム材質からなることを特徴とする請求項16に記載のスピンヘッド。 - 基板が置かれるスピンヘッドであって、
回転可能な本体と、
前記本体から上方に突出するように前記本体に設置されるチャックピンと、
前記チャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットと、を備え、
前記チャックピン移動ユニットは、
前記チャックピンと固定結合される移動ロッドと、
前記移動ロッドを前記本体の半径方向に沿って直線移動させる直線移動器と、
前記本体が回転される間に、前記本体の中心に向かう方向に前記移動ロッドを押す接触保持部材と、を備えることを特徴とするスピンヘッド。 - 前記接触保持部材は、前記本体の回転による逆遠心力により前記移動ロッドを押すように形状づけられたことを特徴とする請求項19に記載のスピンヘッド。
- 前記接触保持部材は、
前記移動ロッド上に設置される固定ピンと、
前記本体に対して回転可能なように前記本体に結合される中央部、前記移動ロッドに向かう方向に前記中央部から延び、前記固定ピンを押す押さえ部、及び前記本体の外側に向かって前記移動ロッドから遠ざかる方向に前記中央部から延びる案内部を有する保持バーと、を備えることを特徴とする請求項19に記載のスピンヘッド。 - 前記案内部は、前記押さえ部に比べて重いことを特徴とする請求項21に記載のスピンヘッド。
- 前記案内部の重心と前記押さえ部の重心の各々を前記中央部の回転軸心と結ぶ線がなす夾角は、鈍角であることを特徴とする請求項22に記載のスピンヘッド。
- 前記チャックピン移動ユニットは、
回転により前記チャックピンが前記本体の中心から遠ざかる方向へ移動できるように外側面に突起を有するカムと、
前記チャックピン各々が互いに独立して前記本体の中心に向かう方向へ移動されるように、前記移動ロッド各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器と、を備えることを特徴とする請求項21に記載のスピンヘッド。 - 前記チャックピン復元器は、
前記復元力が弾性によりなされるように、前記移動ロッドに固定結合される一端と前記本体に固定結合される他端とを有する弾性部材を備えることを特徴とする請求項24に記載のスピンヘッド。 - 基板が置かれるスピンヘッドであって、
本体と、
前記本体から上方に突出するように前記本体に設置されるチャックピンと、
前記チャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットと、を備え、
前記本体は、
上板と、
前記チャックピン移動ユニットが設置される下板と、
前記上板と下板とを結合する押さえ具とを、備え、
前記下板には、スリット形状の溝が形成され、
前記押さえ具は、前記溝に挿入されて前記上板に固定結合される挿入部と、前記挿入部から延び、前記上板に向かって前記下板を押す頭部と、を備えることを特徴とするスピンヘッド。 - 前記下板は、前記上板に比べて熱変形の少ない材質からなり、前記上板は、前記下板に比べて腐食に強い材質からなることを特徴とする請求項26に記載のスピンヘッド。
- 前記上板の材質は、ポリ塩化ビニールを含み、
前記下板の材質は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項26に記載のスピンヘッド。 - 基板を支持するスピンヘッドであって、
本体と、
前記本体から上方に突出するように提供されるチャックピンと、
前記チャックピンを前記本体の半径方向に沿って直線移動させるチャックピン移動ユニットと、を備え、
前記チャックピン移動ユニットは、前記本体の中心に向かう方向に前記チャックピンの移動が復原力により互いに独立して行われるようにするチャックピン復元器を備えることを特徴とするスピンヘッド。 - 前記チャックピン移動ユニットは、
前記本体の中心から遠ざかる方向への前記チャックピンの移動は、カムの回転により行われるようにする直線移動器をさらに備えることを特徴とする請求項29に記載のスピンヘッド。 - 前記チャックピン移動ユニットは、
前記本体が回転時に遠心力により前記チャックピンが前記本体の中心から遠ざかることを防止するために、前記チャックピンを前記本体の中心に向かう方向に押す接触保持部材をさらに備えることを特徴とする請求項29に記載のスピンヘッド。 - 前記接触保持部材は、逆遠心力により前記チャックピンを押すように形状づけられたことを特徴とする請求項31に記載のスピンヘッド。
- 前記チャックピン移動ユニットは、前記チャックピンと固定結合され、前記本体の半径方向へ移動可能な移動ロッドをさらに備え、
前記接触保持部材は、
前記移動ロッド上に設置される固定ピンと、
前記本体に対して回転可能なように前記本体に結合される中央部、前記移動ロッドに向かう方向に前記中央部から延びて前記固定ピンを押す押さえ部、及び前記本体の外側に向かって前記移動ロッドから遠ざかる方向に前記中央部から延びる案内部を有する保持バーとを備えることを特徴とする請求項31に記載のスピンヘッド。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170058858A (ko) * | 2015-11-19 | 2017-05-29 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 보유 지지 장치 |
JP2018160509A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100873153B1 (ko) * | 2007-10-05 | 2008-12-10 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 |
US9002514B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-04-07 | Novellus Systems, Inc. | Wafer position correction with a dual, side-by-side wafer transfer robot |
US8060252B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-11-15 | Novellus Systems, Inc. | High throughput method of in transit wafer position correction in system using multiple robots |
KR101160172B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2012-06-28 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 |
TWI538094B (zh) * | 2009-03-31 | 2016-06-11 | 蘭研究公司 | 用以處理盤狀物品的裝置 |
CN101587851B (zh) * | 2009-06-23 | 2010-11-03 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种用于夹持盘状物的装置 |
KR101137450B1 (ko) * | 2009-08-06 | 2012-04-20 | 국종건설 주식회사 | 황토볼을 이용한 친환경 미장 시공방법 |
KR100949256B1 (ko) | 2009-12-24 | 2010-03-25 | 이인오 | 웨이퍼 고정용 척 |
US9044794B2 (en) | 2009-12-31 | 2015-06-02 | Lam Research Ag | Ultrasonic cleaning fluid, method and apparatus |
CN102097352B (zh) * | 2010-07-14 | 2013-01-23 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 盘状物固定装置 |
KR101408789B1 (ko) | 2012-09-28 | 2014-06-18 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 기판 지지 방법 |
KR102120066B1 (ko) * | 2013-11-18 | 2020-06-09 | 주식회사 제우스 | 척테이블 장치 |
KR102343635B1 (ko) | 2014-12-30 | 2021-12-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102357358B1 (ko) | 2014-12-30 | 2022-02-04 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 |
KR102343634B1 (ko) | 2014-12-30 | 2021-12-29 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
KR102343633B1 (ko) | 2014-12-30 | 2021-12-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101841342B1 (ko) * | 2015-03-30 | 2018-03-22 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 스핀 처리 장치 |
KR101650398B1 (ko) * | 2015-09-11 | 2016-08-24 | (주)코맷 | 계측기용 웨이퍼 센터링 디바이스 |
JP6674679B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2020-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 |
JP6836913B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2021-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
JP2018125499A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP6442563B1 (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-19 | キヤノン株式会社 | 搬送ハンド、搬送装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法及び保持機構 |
US10796940B2 (en) | 2018-11-05 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Enhanced automatic wafer centering system and techniques for same |
KR102271566B1 (ko) * | 2019-10-28 | 2021-07-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
CN112185885B (zh) * | 2020-12-01 | 2021-07-16 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种用于卡夹硅片的卡盘销及用于保持硅片的装置 |
KR102481431B1 (ko) * | 2020-12-16 | 2022-12-26 | 주식회사 에이치에스하이테크 | 스핀 척 |
KR102535766B1 (ko) * | 2021-08-24 | 2023-05-26 | (주)디바이스이엔지 | 백 노즐 어셈블리를 포함하는 기판 처리장치 |
KR102637363B1 (ko) * | 2021-12-30 | 2024-02-15 | 주식회사 에이이엘코리아 | 매엽식 세정장치의 기판 고정용 클램핑 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0997780A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スピン乾燥処理装置 |
JPH09107023A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Toshiba Microelectron Corp | 被処理物の回転保持装置 |
JPH11163094A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Sugai:Kk | 基板チャッキング装置および基板洗浄装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4788994A (en) * | 1986-08-13 | 1988-12-06 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Wafer holding mechanism |
JPS63153839A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-06-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の回転保持装置 |
US4898639A (en) * | 1989-04-14 | 1990-02-06 | Bjorne Enterprises, Inc. | Wafer retention device |
JPH05326676A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-10 | Fujitsu Ltd | クランプ機構 |
US6258227B1 (en) * | 1999-03-13 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck |
JP2000332085A (ja) | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Sony Corp | ウェーハクランプ装置 |
KR200264564Y1 (ko) | 2001-11-07 | 2002-02-19 | 아남반도체 주식회사 | 스핀 스크러버의 웨이퍼 스핀 척 |
JP2003303876A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Seiko Instruments Inc | 試料ステージにおける半導体ウエハ保持機構 |
JP2004186633A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-02 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 平板状被処理物の処理装置および処理方法 |
JP4468775B2 (ja) | 2004-09-14 | 2010-05-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板保持回転装置 |
KR100829923B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-05-16 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법 |
KR100746576B1 (ko) | 2006-09-12 | 2007-08-06 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법 |
KR100865941B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2008-10-30 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 상기 스핀헤드의 기판 척킹/언척킹방법,그리고 상기 스핀헤드를 구비하는 기판 처리 장치 |
KR100873153B1 (ko) * | 2007-10-05 | 2008-12-10 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 |
KR100947480B1 (ko) * | 2007-10-08 | 2010-03-17 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 및 이에 사용되는 척 핀, 그리고 상기 스핀헤드를 사용하여 기판을 처리하는 방법 |
US8714169B2 (en) * | 2008-11-26 | 2014-05-06 | Semes Co. Ltd. | Spin head, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate |
KR101160172B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2012-06-28 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 |
-
2007
- 2007-10-05 KR KR1020070100188A patent/KR100873153B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-08-04 US US12/222,148 patent/US8293071B2/en active Active
- 2008-08-05 TW TW097129708A patent/TWI392052B/zh active
- 2008-08-19 CN CN2008101457856A patent/CN101404264B/zh active Active
- 2008-10-03 JP JP2008257948A patent/JP4815614B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-04 JP JP2011170953A patent/JP5273750B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0997780A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スピン乾燥処理装置 |
JPH09107023A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Toshiba Microelectron Corp | 被処理物の回転保持装置 |
JPH11163094A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Sugai:Kk | 基板チャッキング装置および基板洗浄装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170058858A (ko) * | 2015-11-19 | 2017-05-29 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 보유 지지 장치 |
JP2017098330A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置 |
US10847407B2 (en) | 2015-11-19 | 2020-11-24 | Ebara Corporation | Substrate holding apparatus |
KR102557223B1 (ko) * | 2015-11-19 | 2023-07-19 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 보유 지지 장치 |
JP2018160509A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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