JP2009094421A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】オゾンを速やかに酸素に分解して無害化する。
【解決手段】ウエハ2を処理する処理室41内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給管59Bと、処理室41内を排気する排気管62とを備えた成膜装置40において、排気管62における圧力コントローラ64と真空ポンプ63との間には、上流側端に酸素ガス供給源72が接続された酸素含有ガス供給配管71の下流側端を接続し、酸素含有ガス供給配管71の途中には酸素ガスを加熱するための加熱装置73を介設する。加熱装置73の上流側にはガス流量コントローラ74とバルブ75とを上流側から順に介設し、加熱装置73の下流側にはバルブ76を介設する。排気管から排気されるオゾンと高温の酸素ガスとを混合することにより、オゾンを速やかに酸素に分解して無害化できるので、そのまま大気中に排気できる。
【選択図】図1
【解決手段】ウエハ2を処理する処理室41内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給管59Bと、処理室41内を排気する排気管62とを備えた成膜装置40において、排気管62における圧力コントローラ64と真空ポンプ63との間には、上流側端に酸素ガス供給源72が接続された酸素含有ガス供給配管71の下流側端を接続し、酸素含有ガス供給配管71の途中には酸素ガスを加熱するための加熱装置73を介設する。加熱装置73の上流側にはガス流量コントローラ74とバルブ75とを上流側から順に介設し、加熱装置73の下流側にはバルブ76を介設する。排気管から排気されるオゾンと高温の酸素ガスとを混合することにより、オゾンを速やかに酸素に分解して無害化できるので、そのまま大気中に排気できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板処理装置に関する。
特に、オゾンを使用する基板処理装置に関する。
特に、オゾンを使用する基板処理装置に関する。
半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に薄膜を形成する工程には、オゾンを使用した基板処理装置が使用されることがある。
オゾンは酸素原子3個からなる気体であるが、許容濃度0.1ppmと非常に毒性の強いガスであり、そのまま無害化せずに廃棄することは非常に危険である。
一方で、オゾンは放置しておくと、徐々に無害な酸素に分解する性質を持つ。
したがって、処理に関与しなかった未反応のオゾンは、何らかの方法で速やかに酸素に分解して許容濃度以下に無害化してから廃棄する必要がある。
そこで、余剰の未反応オゾンを分解するために、活性炭や触媒に通して酸素に分解する方法、湿式(水、薬液)や燃焼式の除害装置で分解する方法、不活性ガスで許容濃度以下に希釈して廃棄する方法が、従来から採られていた。
一方で、オゾンは放置しておくと、徐々に無害な酸素に分解する性質を持つ。
したがって、処理に関与しなかった未反応のオゾンは、何らかの方法で速やかに酸素に分解して許容濃度以下に無害化してから廃棄する必要がある。
そこで、余剰の未反応オゾンを分解するために、活性炭や触媒に通して酸素に分解する方法、湿式(水、薬液)や燃焼式の除害装置で分解する方法、不活性ガスで許容濃度以下に希釈して廃棄する方法が、従来から採られていた。
しかしながら、前述した無害化方法には、以下の問題があった。
以下の問題点はオゾン濃度が高いほど顕著になるために、高濃度のオゾンを扱う基板処理装置ではオゾンの分解にも非常に多くの手間とコストがかかることになる。
(1)活性炭を使った方法の場合には、 炭素はオゾンによって二酸化炭素や一酸化炭素に分解されるため、 活性炭自体が消耗する。そのため、活性炭は適当な時期に交換しなければならない。
また、活性炭は炭素の微粉末を含んでいるため、処理室内のウエハ(基板)が炭素で汚染される危惧がある。処理室から活性炭まで常にガスの流れがあれば、処理室への逆拡散の懸念は少ないが、減圧処理では平均自由行程が長くなるため、炭素の微粒子は容易に逆拡散してウエハを汚染する懸念がある。
(2)触媒を使った方法の場合は活性炭のような寿命の問題は無いが、触媒も長時間オゾンに晒されると劣化することが知られている。
また、分解に数秒程度触媒と接触する必要があるとされており、ポンプで高速排気するような装置では、完全に分解するための接触時間が充分取れない懸念がある。
(3)除害装置で処理する場合には、除害装置自体が非常に高価なために、コストが増大するという問題がある。
また、このような除害装置は建物のユーティリティーとして基板処理装置と離れた場所に設置されることが多いが、基板処理装置から除外装置までの配管には、オゾンの強力な酸化力に耐性を持つ材質を使用しなければならない。耐酸化性を持つ素材は高価であり、配管延長が長くなるに従って配管敷設コストが増加する。
(4)窒素等の不活性ガスによりオゾンを希釈する場合には、オゾンの酸化力によって窒素酸化物(NO、NO2 等)が生成される。生成された窒素酸化物は大気汚染の原因となるほか、水分と反応して硝酸を作るために、配管の腐食や酸性雨の原因となる。
したがって、窒素酸化物の生成濃度によっては、さらなる除害処理や希釈を行う必要がある。
以下の問題点はオゾン濃度が高いほど顕著になるために、高濃度のオゾンを扱う基板処理装置ではオゾンの分解にも非常に多くの手間とコストがかかることになる。
(1)活性炭を使った方法の場合には、 炭素はオゾンによって二酸化炭素や一酸化炭素に分解されるため、 活性炭自体が消耗する。そのため、活性炭は適当な時期に交換しなければならない。
また、活性炭は炭素の微粉末を含んでいるため、処理室内のウエハ(基板)が炭素で汚染される危惧がある。処理室から活性炭まで常にガスの流れがあれば、処理室への逆拡散の懸念は少ないが、減圧処理では平均自由行程が長くなるため、炭素の微粒子は容易に逆拡散してウエハを汚染する懸念がある。
(2)触媒を使った方法の場合は活性炭のような寿命の問題は無いが、触媒も長時間オゾンに晒されると劣化することが知られている。
また、分解に数秒程度触媒と接触する必要があるとされており、ポンプで高速排気するような装置では、完全に分解するための接触時間が充分取れない懸念がある。
(3)除害装置で処理する場合には、除害装置自体が非常に高価なために、コストが増大するという問題がある。
また、このような除害装置は建物のユーティリティーとして基板処理装置と離れた場所に設置されることが多いが、基板処理装置から除外装置までの配管には、オゾンの強力な酸化力に耐性を持つ材質を使用しなければならない。耐酸化性を持つ素材は高価であり、配管延長が長くなるに従って配管敷設コストが増加する。
(4)窒素等の不活性ガスによりオゾンを希釈する場合には、オゾンの酸化力によって窒素酸化物(NO、NO2 等)が生成される。生成された窒素酸化物は大気汚染の原因となるほか、水分と反応して硝酸を作るために、配管の腐食や酸性雨の原因となる。
したがって、窒素酸化物の生成濃度によっては、さらなる除害処理や希釈を行う必要がある。
本発明の目的は、未反応で排出される余剰の高濃度オゾンを速やかに酸素に分解して無害化することができる基板処理装置を提供することにある。
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するためのオゾンガスを供給するオゾンガス供給系と、
前記処理室内を排気するガス排気系と、
前記ガス排気系に設けられ、前記ガス排気系内に酸素含有ガスを供給するための酸素含有ガス供給配管と、
前記酸素含有ガス供給配管に設けられ、酸素含有ガスを加熱するための加熱装置と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
(2)前記ガス排気系に設けられて前記処理室内を排気するポンプとをさらに備え、
前記酸素含有ガス供給配管は、前記処理室と前記ポンプとの間に設けられていることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(3)前記処理室内から排気されるガスを前記ガス排気系内に排気し、前記加熱装置により前記酸素含有ガスを加熱して前記ガス排気系内に供給するように制御するコントローラを有することを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(1)基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するためのオゾンガスを供給するオゾンガス供給系と、
前記処理室内を排気するガス排気系と、
前記ガス排気系に設けられ、前記ガス排気系内に酸素含有ガスを供給するための酸素含有ガス供給配管と、
前記酸素含有ガス供給配管に設けられ、酸素含有ガスを加熱するための加熱装置と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
(2)前記ガス排気系に設けられて前記処理室内を排気するポンプとをさらに備え、
前記酸素含有ガス供給配管は、前記処理室と前記ポンプとの間に設けられていることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(3)前記処理室内から排気されるガスを前記ガス排気系内に排気し、前記加熱装置により前記酸素含有ガスを加熱して前記ガス排気系内に供給するように制御するコントローラを有することを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
前記(1)の基板処理装置によれば、未反応で排出される余剰の高濃度オゾンを速やかに酸素に分解して無害化することができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態においては、本発明に係る基板処理装置は、構造的には、図1に示されているように、枚葉式基板処理装置(以下、成膜装置という。)として構成されている。
成膜装置40は処理室41を形成する筐体42を備えている。
筐体42にはウエハ搬入搬出口43が開設されており、ウエハ搬入搬出口43はゲートバルブ44によって開閉されるように構成されている。
成膜装置40は処理室41を形成する筐体42を備えている。
筐体42にはウエハ搬入搬出口43が開設されており、ウエハ搬入搬出口43はゲートバルブ44によって開閉されるように構成されている。
筐体42により形成される処理室41内には、ウエハ2を支持する支持台45が設けられている。支持台45の上部にはウエハ2を支持する支持板としてのサセプタ46が設けられている。
支持台45の内部にはサセプタ46上に載置されたウエハ2を加熱する加熱器(以下、メインヒータという。)47が設けられている。メインヒータ47の電力供給装置48はPID動作によってフィードバック制御されるように構成されており、ウエハ2の温度は所定の温度となるように制御される。
支持台45の内部にはサセプタ46上に載置されたウエハ2を加熱する加熱器(以下、メインヒータという。)47が設けられている。メインヒータ47の電力供給装置48はPID動作によってフィードバック制御されるように構成されており、ウエハ2の温度は所定の温度となるように制御される。
処理室41の外部には回転機構(回転手段)49が設けられている。回転機構49は処理室41内の支持台45を回転させてサセプタ46上のウエハ2を回転させる。
処理室41の外部には昇降機構(昇降手段)50が設けられている。昇降機構50は支持台45を処理室41内において昇降させる。
処理室41の外部には昇降機構(昇降手段)50が設けられている。昇降機構50は支持台45を処理室41内において昇降させる。
処理室41の上部にはガスをシャワ状に噴出するシャワヘッド51が設けられており、シャワヘッド51はサセプタ46と対向するように設けられている。
シャワヘッド51は分散板51aとシャワ板51bとを有する。分散板51aは内部に供給されたガスを分散させる。シャワ板51bは多数個のガス噴出口51eを有し、分散板51a により分散されたガスをシャワ板51bのガス噴出口51eを介して処理室41内へシャワ状に噴出させる。
シャワヘッド51の天井部と分散板51a との間には、第一バッファ空間51cが設けられており、分散板51a とシャワ板51bとの間には第二バッファ空間51dが設けられている。
シャワヘッド51は分散板51aとシャワ板51bとを有する。分散板51aは内部に供給されたガスを分散させる。シャワ板51bは多数個のガス噴出口51eを有し、分散板51a により分散されたガスをシャワ板51bのガス噴出口51eを介して処理室41内へシャワ状に噴出させる。
シャワヘッド51の天井部と分散板51a との間には、第一バッファ空間51cが設けられており、分散板51a とシャワ板51bとの間には第二バッファ空間51dが設けられている。
処理室41の外部には、液体原料である第一原料を供給する第一原料供給源52Aと、液体原料である第二原料を供給する第二原料供給源52Dとが設けられている。
第一原料供給源52Aには第一液体原料供給管53Aが接続されており、第二原料供給源52Dには第二液体原料供給管53Dが接続されている。
第一液体原料供給管53Aおよび第二液体原料供給管53Dはそれぞれ、原料の液体供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としての液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)54A、54Dを介して、原料を気化する気化器55A、55Dに接続されている。
気化器55A、55Dには第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dがそれぞれ接続されており、第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dはバルブ57A、57Dを介してシャワヘッド51にそれぞれ接続されている。
以上のように、供給系が構成されている。
第一原料供給源52Aには第一液体原料供給管53Aが接続されており、第二原料供給源52Dには第二液体原料供給管53Dが接続されている。
第一液体原料供給管53Aおよび第二液体原料供給管53Dはそれぞれ、原料の液体供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としての液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)54A、54Dを介して、原料を気化する気化器55A、55Dに接続されている。
気化器55A、55Dには第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dがそれぞれ接続されており、第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dはバルブ57A、57Dを介してシャワヘッド51にそれぞれ接続されている。
以上のように、供給系が構成されている。
また、処理室41の外部には不活性ガス供給源52Cが設けられており、不活性ガス供給源52Cは非反応性ガスとしての不活性ガスを供給する。
不活性ガス供給源52Cには不活性ガス供給管53Cが接続されており、不活性ガス供給管53Cの途中には不活性ガスの供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としてのガス流量コントローラ(マスフローコントローラ)54Cが設けられている。
不活性ガス供給管53Cはガス流量コントローラ54Cよりも下流側で二つの供給管に分岐している。分岐した一方の供給管はバルブ57Cを介して第一原料ガス供給管56Aに接続され、分岐した他方の供給管はバルブ57Eを介して第二原料ガス供給管56Dに接続されている。
不活性ガスとしては、例えば、Ar、He、N2 を用いる。
不活性ガス供給源52Cには不活性ガス供給管53Cが接続されており、不活性ガス供給管53Cの途中には不活性ガスの供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としてのガス流量コントローラ(マスフローコントローラ)54Cが設けられている。
不活性ガス供給管53Cはガス流量コントローラ54Cよりも下流側で二つの供給管に分岐している。分岐した一方の供給管はバルブ57Cを介して第一原料ガス供給管56Aに接続され、分岐した他方の供給管はバルブ57Eを介して第二原料ガス供給管56Dに接続されている。
不活性ガスとしては、例えば、Ar、He、N2 を用いる。
第一原料ガス供給管56Aでは、気化器55Aにて第一原料を気化して得た第一原料ガスと、不活性ガス供給管53Cからの不活性ガスとが混合される。
第二原料ガス供給管56Dでは、気化器55Dにて第二原料を気化して得た第二原料ガスと、不活性ガス供給管53Cからの不活性ガスとが混合される。
混合されたガスは第一原料ガス供給管56Aおよび第二原料ガス供給管56Dからシャワヘッド51の第一バッファ空間51cにそれぞれ供給される。
第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56D、不活性ガス供給管53Cにそれぞれ設けられたバルブ57A、57D、57C、57Eは開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御する。
第二原料ガス供給管56Dでは、気化器55Dにて第二原料を気化して得た第二原料ガスと、不活性ガス供給管53Cからの不活性ガスとが混合される。
混合されたガスは第一原料ガス供給管56Aおよび第二原料ガス供給管56Dからシャワヘッド51の第一バッファ空間51cにそれぞれ供給される。
第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56D、不活性ガス供給管53Cにそれぞれ設けられたバルブ57A、57D、57C、57Eは開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御する。
処理室41の外部にはオゾナイザ58が設けられており、オゾナイザ58は酸素ガス(O2 )からオゾンガス(O3 )を生成する。
オゾナイザ58の上流側には酸素ガス供給管53Bが設けられており、酸素ガス供給管53Bには酸素ガス供給源52Bが接続されている。酸素ガス供給源52Bは酸素ガスをオゾナイザ58に酸素ガス供給管53Bを介して供給する。
酸素ガス供給管53Bには酸素ガスの供給流量を制御するガス流量コントローラ54Bとバルブ57Bとが設けられている。バルブ57Bは開閉することにより、酸素ガスの供給を制御する。
オゾナイザ58の下流側にはオゾンガス供給管59Bが設けられており、オゾンガス供給管59Bはバルブ60Bを介してシャワヘッド51に接続されている。
オゾンガス供給管59Bはオゾナイザ58によって生成されたオゾンガスをシャワヘッド51の第一バッファ空間51cに供給する。バルブ60Bは開閉することにより、オゾンガスの供給を制御する。
オゾナイザ58の上流側には酸素ガス供給管53Bが設けられており、酸素ガス供給管53Bには酸素ガス供給源52Bが接続されている。酸素ガス供給源52Bは酸素ガスをオゾナイザ58に酸素ガス供給管53Bを介して供給する。
酸素ガス供給管53Bには酸素ガスの供給流量を制御するガス流量コントローラ54Bとバルブ57Bとが設けられている。バルブ57Bは開閉することにより、酸素ガスの供給を制御する。
オゾナイザ58の下流側にはオゾンガス供給管59Bが設けられており、オゾンガス供給管59Bはバルブ60Bを介してシャワヘッド51に接続されている。
オゾンガス供給管59Bはオゾナイザ58によって生成されたオゾンガスをシャワヘッド51の第一バッファ空間51cに供給する。バルブ60Bは開閉することにより、オゾンガスの供給を制御する。
筐体42の下部側壁には排気口61が設けられており、排気口61には排気管62の一端が接続されている。排気管62の他端は排気装置(排気手段)としての真空ポンプ63および除害装置(図示せず)に接続されている。排気口61および排気管62で排気系が構成されている。
排気管62には圧力制御部(圧力制御手段)としての圧力コントローラ64と、原料回収トラップ65とが設けられている。圧力コントローラ64は処理室41内の圧力を制御する。原料回収トラップ65は原料を回収する。
排気管62には圧力制御部(圧力制御手段)としての圧力コントローラ64と、原料回収トラップ65とが設けられている。圧力コントローラ64は処理室41内の圧力を制御する。原料回収トラップ65は原料を回収する。
第一原料ガス供給管56Aと第二原料ガス供給管56Dとオゾンガス供給管59Bとには、原料回収トラップ65に接続された第一原料ガスバイパス管(ベント管)66Aと、第二原料ガスバイパス管(ベント管)66Cと、オゾンガスバイパス管(ベント管)66Bとがそれぞれ設けられている。バイパス管66A、66C、66Bには、バルブ67A、67C、67Bがそれぞれ設けられている。
処理室41内の支持台45上には整流板としてのプレート68が設けられており、プレート68はシャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを介して供給されたガスの流れを調整する。プレート68は円環(リング)形状であり、ウエハ2の周囲に位置する。
シャワヘッド51を介してウエハ2に供給されたガスはウエハ2の径方向外方に向かって流れ、プレート68上を通り、プレート68と筐体42の側壁(内壁)との間を通り、排気口61より排気される。
なお、ウエハ2の外周縁部のように、ウエハ2に膜を形成したくない箇所がある場合は、プレート68の内径をウエハ2の外形より小さくして、ウエハ2の外周部を覆うようにしてもよい。
この場合は、ウエハ2の搬送を可能とするために、プレート68を処理室41内のウエハ2の処理位置に固定したり、プレート68を昇降させる機構を設ける。
シャワヘッド51を介してウエハ2に供給されたガスはウエハ2の径方向外方に向かって流れ、プレート68上を通り、プレート68と筐体42の側壁(内壁)との間を通り、排気口61より排気される。
なお、ウエハ2の外周縁部のように、ウエハ2に膜を形成したくない箇所がある場合は、プレート68の内径をウエハ2の外形より小さくして、ウエハ2の外周部を覆うようにしてもよい。
この場合は、ウエハ2の搬送を可能とするために、プレート68を処理室41内のウエハ2の処理位置に固定したり、プレート68を昇降させる機構を設ける。
ガス排気系の排気管62における圧力コントローラ64と真空ポンプ63との間には、ガス排気系内に酸素含有ガスを供給するための酸素含有ガス供給配管71の下流側端が接続されており、酸素含有ガス供給配管71の上流側端には、酸素含有ガスとしての酸素ガスを供給する酸素ガス供給源72が接続されている。
酸素含有ガス供給配管71の途中には、酸素含有ガスとしての酸素ガスを加熱するための加熱装置73が介設されている。加熱装置73は酸素ガスを200〜300℃に加熱する能力を持つ。酸素含有ガス供給配管71における加熱装置73の上流側には、ガス流量コントローラ74とバルブ75とが上流側から順に介設されており、酸素含有ガス供給配管71における加熱装置73の下流側にはバルブ76が介設されている。
酸素含有ガス供給配管71の途中には、酸素含有ガスとしての酸素ガスを加熱するための加熱装置73が介設されている。加熱装置73は酸素ガスを200〜300℃に加熱する能力を持つ。酸素含有ガス供給配管71における加熱装置73の上流側には、ガス流量コントローラ74とバルブ75とが上流側から順に介設されており、酸素含有ガス供給配管71における加熱装置73の下流側にはバルブ76が介設されている。
加熱装置73、ガス流量コントローラ74およびバルブ75、76はコントローラ80に通信回線(図示せず)によって接続されている。コントローラ80は処理室41内から排気されるガスをガス排気系内に排気し、加熱装置73により酸素含有ガスを加熱してガス排気系内に供給するように制御する。
コントローラ80はバルブ57A〜67C、流量コントローラ54A〜54D、圧力コントローラ64、気化器55A、55D、オゾナイザ58、回転機構49、昇降機構50、メインヒータ47の電力供給装置48を、制御する。
次に、以上の構成に係る成膜装置40を使用して高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜をALD法によってウエハ2上に成膜する場合を例として説明する。
なお、以下の説明において、成膜装置40を構成する各部の動作はメインコントローラ80により制御される。
なお、以下の説明において、成膜装置40を構成する各部の動作はメインコントローラ80により制御される。
図1において、支持台45がウエハ搬送位置まで下降した状態で、ゲートバルブ44が開かれ、ウエハ搬入搬出口43が開放されると、ウエハ2が処理室41内に負圧移載装置(図示せず)により搬入される(ウエハ搬入ステップ)。
ウエハ2が処理室41内に搬入され、図示しない突き上げピン上に載置された後、ゲートバルブ44が閉じられる。
支持台45がウエハ搬送位置からそれよりも上方のウエハ処理位置まで上昇する。
その間に、ウエハ2は突き上げピン上からサセプタ46上に載置される(ウエハ載置ステップ)。
ウエハ2が処理室41内に搬入され、図示しない突き上げピン上に載置された後、ゲートバルブ44が閉じられる。
支持台45がウエハ搬送位置からそれよりも上方のウエハ処理位置まで上昇する。
その間に、ウエハ2は突き上げピン上からサセプタ46上に載置される(ウエハ載置ステップ)。
支持台45がウエハ処理位置に到達すると、ウエハ2は回転機構49により回転される。また、メインヒータ47に電力が供給されることにより、ウエハ2は所定の処理温度となるように均一に加熱される(ウエハ昇温ステップ)。
同時に、処理室41内は真空ポンプ63により排気され、所定の処理圧力となるように制御される(圧力調整ステップ)。
なお、ウエハ搬送時やウエハ昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管53Cに設けられたバルブ57C、57Eは常時開いた状態とされ、不活性ガス供給源52Cより処理室41内に不活性ガスが常に流される。
これにより、パーティクルや金属汚染物のウエハ2への付着を防ぐことができる。
同時に、処理室41内は真空ポンプ63により排気され、所定の処理圧力となるように制御される(圧力調整ステップ)。
なお、ウエハ搬送時やウエハ昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管53Cに設けられたバルブ57C、57Eは常時開いた状態とされ、不活性ガス供給源52Cより処理室41内に不活性ガスが常に流される。
これにより、パーティクルや金属汚染物のウエハ2への付着を防ぐことができる。
まず、界面層形成ステップについて説明する。
ウエハ昇温ステップの途中で、処理室41内の圧力が所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内にオゾンガスが供給される。
すなわち、バルブ57Bが開かれると、酸素ガス供給源52Bから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管53Bを通り、ガス流量コントローラ54Bで流量制御されてオゾナイザ58へ供給される。オゾナイザ58はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後に、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを介してウエハ2上へシャワ状に供給される。ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
このとき、後述する高誘電率膜形成ステップ時のウエハ温度(以下、成膜温度という。)よりも低い温度に加熱されたウエハ2表面にオゾンガスが接触することにより、ウエハ2表面に極薄い界面層としてのシリコン酸化膜が形成される(界面層形成ステップ)。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
なお、界面層形成ステップはウエハ昇温ステップの途中ではなく、成膜温度よりも低い一定の温度に維持した状態で実施してもよい。
ウエハ昇温ステップの途中で、処理室41内の圧力が所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内にオゾンガスが供給される。
すなわち、バルブ57Bが開かれると、酸素ガス供給源52Bから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管53Bを通り、ガス流量コントローラ54Bで流量制御されてオゾナイザ58へ供給される。オゾナイザ58はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後に、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを介してウエハ2上へシャワ状に供給される。ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
このとき、後述する高誘電率膜形成ステップ時のウエハ温度(以下、成膜温度という。)よりも低い温度に加熱されたウエハ2表面にオゾンガスが接触することにより、ウエハ2表面に極薄い界面層としてのシリコン酸化膜が形成される(界面層形成ステップ)。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
なお、界面層形成ステップはウエハ昇温ステップの途中ではなく、成膜温度よりも低い一定の温度に維持した状態で実施してもよい。
オゾンガスの供給が所定時間行われ、界面層としてのシリコン酸化膜が形成された後、バルブ60Bが閉じられ、オゾンガスのウエハ2への供給が停止される。
このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Bを開き、バイパス管66Bによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Bを開き、バイパス管66Bによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
処理室41内のパージが所定時間行われ、ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定した後、高誘電率膜形成ステップが行われる。
次に、高誘電率膜形成ステップについて説明する。
ウエハ2表面に界面層としてのシリコン酸化膜が形成された後に、ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内に第一原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源52Aから供給された第一原料としての有機金属液体原料、例えば、Hf[OC(CH3 )2 CH2 OCH3 ]4 (テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロポキシ)ハフニウム、以下、MMPと略す。)が、第一液体原料供給管53Aを通り、液体流量コントローラ54Aで流量制御され、気化器55Aへ供給される。気化器55Aは第一原料を気化させる。
バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは第一原料ガス供給管56Aを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
このときも、バルブ57Cは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管56A内で混合されてシャワヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワ状に供給される(第一原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第一原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第一原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
ウエハ2表面に界面層としてのシリコン酸化膜が形成された後に、ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内に第一原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源52Aから供給された第一原料としての有機金属液体原料、例えば、Hf[OC(CH3 )2 CH2 OCH3 ]4 (テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロポキシ)ハフニウム、以下、MMPと略す。)が、第一液体原料供給管53Aを通り、液体流量コントローラ54Aで流量制御され、気化器55Aへ供給される。気化器55Aは第一原料を気化させる。
バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは第一原料ガス供給管56Aを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
このときも、バルブ57Cは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管56A内で混合されてシャワヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワ状に供給される(第一原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第一原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第一原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
第一原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ57Aが閉じられ、第一原料ガスのウエハ2への供給が停止される。
このときも、バルブ57Cは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Aを開いてバイパス管66Aによって第一原料ガスを排気することにより、気化器55Aからの第一原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
このときも、バルブ57Cは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Aを開いてバイパス管66Aによって第一原料ガスを排気することにより、気化器55Aからの第一原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に第二原料ガスが供給される。
すなわち、第二原料供給源52Dから供給された第二原料としての有機金属液体原料、例えば、Si−MMPが第二液体原料供給管53Dを通り、液体流量コントローラ54Dで流量制御され、気化器55Dへ供給される。気化器55Dは第二原料を気化させる。
バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、気化した第二原料ガスは第二原料ガス供給管56Dを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51dおよびシャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
このときも、バルブ57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管56D内で混合されてシャワヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワ状に供給される(第二原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第二原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第二原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
すなわち、第二原料供給源52Dから供給された第二原料としての有機金属液体原料、例えば、Si−MMPが第二液体原料供給管53Dを通り、液体流量コントローラ54Dで流量制御され、気化器55Dへ供給される。気化器55Dは第二原料を気化させる。
バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、気化した第二原料ガスは第二原料ガス供給管56Dを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51dおよびシャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
このときも、バルブ57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管56D内で混合されてシャワヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワ状に供給される(第二原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第二原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第二原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
第二原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ57Dが閉じられ、第二原料ガスのウエハ2への供給が停止される。
このときも、バルブ57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Cを開いて、バイパス管66Cによって第二原料ガスを排気することにより、気化器55Dからの第二原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
このときも、バルブ57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Cを開いて、バイパス管66Cによって第二原料ガスを排気することにより、気化器55Dからの第二原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に酸化剤としてのオゾンガスが供給される。
すなわち、バルブ57Bが開かれると、酸素ガス供給源52Bから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管53Bを通り、ガス流量コントローラ54Bで流量制御されてオゾナイザ58へ供給される。オゾナイザ58はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へシャワ状に供給される(酸化剤供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
すなわち、バルブ57Bが開かれると、酸素ガス供給源52Bから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管53Bを通り、ガス流量コントローラ54Bで流量制御されてオゾナイザ58へ供給される。オゾナイザ58はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へシャワ状に供給される(酸化剤供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ60Bが閉じられ、オゾンガスのウエハ2への供給が停止される。
このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Bを開き、バイパス管66Bによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止しない方が好ましい。
このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Bを開き、バイパス管66Bによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止しない方が好ましい。
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、再び、バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、気化した第一原料ガスが不活性ガスと共にシャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。すなわち、第一原料ガス供給ステップが実施される。
以上の第一原料ガス供給ステップ、パージステップ、第二原料ガス供給ステップ、パージステップ、酸化剤供給ステップ、パージステップを、1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うことにより、ウエハ2上すなわちウエハ2表面に形成された界面層としてのシリコン酸化膜上に所定膜厚の高誘電率膜を形成することができる(高誘電率膜形成ステップ)。
以上のようにして、ウエハ2上に高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜が形成される。
ハフニウムシリケート膜の形成が終了すると、ゲートバルブ44が開かれ、成膜済みのウエハ2は負圧移載装置によって搬出(ウエハアンローディング)される。
ハフニウムシリケート膜の形成が終了すると、ゲートバルブ44が開かれ、成膜済みのウエハ2は負圧移載装置によって搬出(ウエハアンローディング)される。
ところで、界面層形成ステップおよび酸化剤供給ステップにおいて反応に寄与しなかった余剰のオゾンおよび処理室41を経由せずに廃棄されたオゾンは、真空ポンプ63によって排気される。
本実施の形態においては、これらのオゾンには高温の酸素ガスが混合される。
すなわち、酸素含有ガス供給配管71のバルブ75および76がコントローラ80の制御により開かれると、酸素ガス供給源72から供給された酸素ガスが、コントローラ80によって制御された加熱装置73によって200〜300℃程度に加熱されるため、高温の酸素ガスが酸素含有ガス供給配管71から排気管62へ供給され、加熱された酸素含有ガス、例えば、酸素ガスが排気管62へ排気されたオゾンと混合される。
本実施の形態においては、これらのオゾンには高温の酸素ガスが混合される。
すなわち、酸素含有ガス供給配管71のバルブ75および76がコントローラ80の制御により開かれると、酸素ガス供給源72から供給された酸素ガスが、コントローラ80によって制御された加熱装置73によって200〜300℃程度に加熱されるため、高温の酸素ガスが酸素含有ガス供給配管71から排気管62へ供給され、加熱された酸素含有ガス、例えば、酸素ガスが排気管62へ排気されたオゾンと混合される。
前述したように、オゾンは徐々に酸素へ分解するが、その分解速度は温度に比例して加速度的に速くなることが知られている。その分解速度は200℃以上の環境で数秒以内に半減し、300℃程度では数秒以内にすべての酸素が分解するとされる。
したがって、高温の酸素と混合したオゾンは速やかに酸素へ分解する。
この際、オゾンと高温の酸素とは混合されているので、触媒式で懸念される接触時間の問題は少ない。
また、加熱混合するガスは酸素であるので、窒素希釈の場合に問題になった窒素酸化物の生成が無い。
したがって、そのまま大気中に排気することができる。
したがって、高温の酸素と混合したオゾンは速やかに酸素へ分解する。
この際、オゾンと高温の酸素とは混合されているので、触媒式で懸念される接触時間の問題は少ない。
また、加熱混合するガスは酸素であるので、窒素希釈の場合に問題になった窒素酸化物の生成が無い。
したがって、そのまま大気中に排気することができる。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
(1)高価な除害設備や活性炭等の消耗部材を使う必要が無いので、低コストでオゾンを分解することができる。
(2)酸素ガスを加熱する加熱装置はサイズが小さいので、オゾン分解のための専用の広い場所を必要とせず、成膜装置内に収めることができる。
(3)オゾンの構成元素である酸素自体を分解に使用しているため、 分解時に窒素酸化物等の新たな毒性物質を発生する可能性が少ない。
図2は本発明の他の実施の形態を示している。
本実施の形態が前記実施形態と異なる点は、加熱装置が配管加熱ヒータ73Aによって構成されている点である。
本実施の形態においても、排気管62へ排気されたオゾンと高温の酸素ガスとが混合されて、加熱されるので、前記実施形態と同等の作用および効果が奏される。
本実施の形態においても、排気管62へ排気されたオゾンと高温の酸素ガスとが混合されて、加熱されるので、前記実施形態と同等の作用および効果が奏される。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、酸素含有ガス供給管の酸素ガス供給源は、オゾンガス供給管の酸素ガス供給源(52B)を共用してもよい。
前記実施の形態においては、枚葉式基板処理装置について説明したが、本発明はこれに限らず、枚葉式またはバッチ式の酸化装置やアニール装置およびその他の熱処理装置等の複数のヒータを具備する基板処理装置全般に適用することができる。
被処理基板はウエハに限らず、LCD装置の製造工程におけるガラス基板や液晶パネル等の基板であってもよい。
また、成膜の種類等も限定はない。
また、成膜の種類等も限定はない。
2…ウエハ(被処理基板)、
40…成膜装置(基板処理装置)、41…処理室、42…筐体、
43…ウエハ搬入搬出口、44…ゲートバルブ、45…支持台、46…サセプタ、
47…メインヒータ、48…メインヒータの電力供給装置、
49…回転機構、50…昇降機構、51…シャワヘッド、51a…分散板、51b…シャワ板、51c…第一バッファ空間、51d…第二バッファ空間、51e…ガス噴出口、 52A…第一原料供給源、53A…第一液体原料供給管、54A…液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)、55A…気化器、56A…第一原料ガス供給管、57A…バルブ、
52D…第二原料供給源、53D…第二液体原料供給管、54D…液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)、55D…気化器、56D…第二原料ガス供給管、57D…バルブ、
52C…不活性ガス供給源、53C…不活性ガス供給管、54C…ガス流量コントローラ、57C、57E…バルブ、
52B…酸素ガス供給源、53B…酸素ガス供給管、54B…ガス流量コントローラ、57B…バルブ、58…オゾナイザ、59B…オゾンガス供給管、60B…バルブ、
61…排気口、62…排気管、63…真空ポンプ、64…圧力コントローラ、65…原料回収トラップ、
66A…第一原料ガスバイパス管(ベント管)、66B…オゾンガスバイパス管(ベント管)、66C…第二原料ガスバイパス管(ベント管)、67A、67C、67B…バルブ、
68…プレート、
71…酸素含有ガス供給配管、72…酸素ガス供給源、73…加熱装置、73A…配管加熱ヒータ、74…ガス流量コントローラ、75…バルブ、76…バルブ、
80…コントローラ(制御システム)。
40…成膜装置(基板処理装置)、41…処理室、42…筐体、
43…ウエハ搬入搬出口、44…ゲートバルブ、45…支持台、46…サセプタ、
47…メインヒータ、48…メインヒータの電力供給装置、
49…回転機構、50…昇降機構、51…シャワヘッド、51a…分散板、51b…シャワ板、51c…第一バッファ空間、51d…第二バッファ空間、51e…ガス噴出口、 52A…第一原料供給源、53A…第一液体原料供給管、54A…液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)、55A…気化器、56A…第一原料ガス供給管、57A…バルブ、
52D…第二原料供給源、53D…第二液体原料供給管、54D…液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)、55D…気化器、56D…第二原料ガス供給管、57D…バルブ、
52C…不活性ガス供給源、53C…不活性ガス供給管、54C…ガス流量コントローラ、57C、57E…バルブ、
52B…酸素ガス供給源、53B…酸素ガス供給管、54B…ガス流量コントローラ、57B…バルブ、58…オゾナイザ、59B…オゾンガス供給管、60B…バルブ、
61…排気口、62…排気管、63…真空ポンプ、64…圧力コントローラ、65…原料回収トラップ、
66A…第一原料ガスバイパス管(ベント管)、66B…オゾンガスバイパス管(ベント管)、66C…第二原料ガスバイパス管(ベント管)、67A、67C、67B…バルブ、
68…プレート、
71…酸素含有ガス供給配管、72…酸素ガス供給源、73…加熱装置、73A…配管加熱ヒータ、74…ガス流量コントローラ、75…バルブ、76…バルブ、
80…コントローラ(制御システム)。
Claims (1)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するためのオゾンガスを供給するオゾンガス供給系と、
前記処理室内を排気するガス排気系と、
前記ガス排気系に設けられ、前記ガス排気系内に酸素含有ガスを供給するための酸素含有ガス供給配管と、
前記酸素含有ガス供給配管に設けられ、酸素含有ガスを加熱するための加熱装置と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007266106A JP2009094421A (ja) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007266106A JP2009094421A (ja) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009094421A true JP2009094421A (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=40666074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007266106A Pending JP2009094421A (ja) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | 基板処理装置 |
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Country | Link |
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-
2007
- 2007-10-12 JP JP2007266106A patent/JP2009094421A/ja active Pending
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